JP4674433B2 - 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子を備えて成る磁気メモリ装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
情報通信機器、特に携帯端末などの個人用小型機器の飛躍的な普及に伴い、これを構成するメモリやロジックなどの素子には、高集積化、高速化、低電力化など、一層の高性能化が要請されている。特に不揮発性メモリの高密度・大容量化は、可動部分の存在により本質的に小型化が不可能なハードディスクや光ディスクを置き換える技術として、ますます重要になってきている。
【０００３】
不揮発性メモリとしては、半導体を用いたフラッシュメモリや、強誘電体を用いたＦＲＡＭ（Ferro electric Random Access Memory ）等が挙げられる。
しかしながら、フラッシュメモリは、書き込み速度がμ秒のオーダーと遅いという欠点がある。一方、ＦＲＡＭにおいては、書き換え可能回数が少ないという問題が指摘されている。
【０００４】
これらの欠点がない不揮発性メモリとして注目されているのが、例えば「Wang et al.,IEEE Trans. Magn. 33(1997),4498 」に記載されているような、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory ）と呼ばれる磁気メモリである。このＭＲＡＭは、構造が単純であるため高集積化が容易であり、また磁気モーメントの回転により記録を行うために書き換え可能回数が大である。またアクセス時間についても非常に高速であることが予想され、既にナノ秒台で動作可能であることが確認されている。
【０００５】
このＭＲＡＭに用いられる、磁気抵抗効果素子、特にトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistance：ＴＭＲ）素子は、基本的に強磁性層／トンネルバリア層／強磁性層の積層構造で構成される。この素子では、強磁性層間に一定の電流を流した状態で強磁性層間に外部磁場を印加した場合、両磁性層の磁化の相対角度に応じて磁気抵抗効果が現れる。双方の強磁性層の磁化の向きが反平行の場合は抵抗値が最大となり、平行の場合は抵抗値が最小となる。メモリ素子としての機能は外部磁場により反平行と平行の状態を作り出すことによってもたらされる。
【０００６】
特にスピンバルブ型のＴＭＲ素子においては、一方の強磁性層が隣接する反強磁性層と反強磁性的に結合することによって磁化の向きが常に一定とされた磁化固定層とされる。他方の強磁性層は、外部磁場等によって容易に磁化反転する磁化自由層とされる。そして、この磁化自由層が磁気メモリにおける情報記録層となる。
【０００７】
スピンバルブ型のＴＭＲ素子において、その抵抗値の変化率は、それぞれの強磁性層のスピン分極率をＰ１，Ｐ２とすると、下記の式（１）で表される。
２Ｐ１Ｐ２／（１−Ｐ１Ｐ２） （１）
このように、それぞれのスピン分極率が大きい程、抵抗変化率が大きくなる。
【０００８】
ところで、ＭＲＡＭの基本的な構成は、例えば特開平１０−１１６４９０号公報に開示されているように、複数のビット書き込み線（いわゆるビット線）と、これら複数のビット書き込み線に直交する複数のワード書き込み線（いわゆるワード線）とを設け、これらビット書き込み線とワード書き込み線との交点に磁気メモリ素子としてＴＭＲ素子が配されて成る。そして、このようなＭＲＡＭで記録を行う際には、アステロイド特性を利用してＴＭＲ素子に対して選択書き込みを行う。
【０００９】
ここで、ＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭの動作原理を簡単に説明する。
ＭＲＡＭは、磁性体からなる微小な記憶担体（磁性記憶担体）を規則的に配置し、その各々にアクセスできるような配線を施した構造を有する。ＴＭＲ素子を用いる場合には、ＴＭＲ素子の磁化自由層が磁性記憶担体となり、ＴＭＲ素子によりメモリセルが構成される。
【００１０】
情報の書き込みは、上述のワード書き込み線とビット読み出し線の両方に電流を流すことにより発生する合成電流磁界を用いて、各メモリセルを構成するＴＭＲ素子の磁化自由層の磁化を制御することにより行う。
【００１１】
一般的には、磁化の向きに応じて“０”情報と“１”情報とを記憶させる。
具体的には、例えば磁化自由層の磁化の向きと磁化固定層の磁化の向きが反平行であり抵抗値が高い場合を例えば“１”、その逆に各々の磁化の向きが平行である場合を“０”とする。また、逆に反平行である場合を“０”とすることも可能である。
【００１２】
情報の読み出しは、トランジスタ等の素子を用いて、メモリセルの選択を行い、磁気抵抗効果により磁化の向きを電圧信号として取り出す。
【００１３】
メモリセルを構成するＴＭＲ素子は、強磁性体／絶縁体／強磁性体の３層の積層構造即ち強磁性トンネル接合（Magnetic Tunnel Junction；ＭＴＪ）を含む構造であり、一方の強磁性体層が磁化固定層、他方の強磁性体層が磁化自由層となる。そして、磁化固定層を固定参照層（ピンド／リファレンス層）として用い、磁化自由層（フリー層）を情報記録層として用いることにより、トンネル磁気抵抗効果によって、磁化自由層（情報記録層）の磁化の向きと電圧信号とを対応させる。
【００１４】
次に、書き込み時のセル選択方法について説明する。
一般に、強磁性体の磁化容易軸方向に、磁化と反対の向きに磁界を印加すると、ある磁界値±Ｈｃ即ち反転磁界において、磁化が磁界の方向に反転する。この反転磁界の値は、理論的にはエネルギ最小の条件から求めることができる。
さらに、磁化容易軸方向だけでなく磁化困難軸方向にも磁界を印加した場合には、この反転磁界Ｈｃの絶対値が減少することが知られている。これもやはりエネルギ最小条件から求めることができ、磁化困難軸方向に印加した磁界をＨｘとすると、このときの反転磁界Ｈｙとの間には、
の関係がある。この曲線は、Ｈｘ−Ｈｙ平面上でアステロイドを形成するため、アステロイド曲線と呼ばれる。
書き込み時のセル選択方法は、このアステロイド曲線を用いて説明することができる。
【００１５】
ワード書き込み線から発生する磁界が磁化容易軸方向とほぼ一致している構成のＭＲＡＭにおいては、ワード書き込み線から発生する磁界により、磁化自由層（情報記録層）の磁化を反転させて記録を行う。
しかしながら、ワード書き込み線から等距離に位置するメモリセルが複数個存在するため、ワード書き込み線に反転磁界以上の磁界を発生する量の電流を流してしまうと、これら等価な複数のメモリセルに同時に記録を行ってしまうことになる。
そこで、選択したいメモリセルに懸かるビット書き込み線に電流を流して磁化困難軸方向の磁界を発生させる。これにより、選択セルの反転磁界を小さくすることができる。このときの反転磁界をＨｃ（ｈ）、ビット書き込み線による磁界が０の場合の反転磁界をＨｃ（０）とすると、ワード書き込み線による磁界ＨをＨｃ（ｈ）＜Ｈ＜Ｈｃ（０）となるように設定することにより、選択的にメモリセルに記録することができる。
このようにして、記録時にセルを選択することができる。
【００１６】
このＭＲＡＭは、構造が単純であるため高集積化が容易であり、かつ磁気モーメントの回転により記録を行うために書き換え可能回数が大である。
また、アクセス時間についても、非常に高速であることが予想され、既にナノ秒台で動作可能であることが確認されている。
【００１７】
従って、ＭＲＡＭは特にランダムアクセス、書き換え可能回数大、高速動作の３点においてフラッシュメモリよりも優れ、またプロセス整合性の点でＦｅＲＡＭより優れている。さらに、ＤＲＡＭ並みの高集積度とＳＲＡＭ並みの高速性を両立できると期待されるため、システムＬＳＩ用混載メモリをすべて置き換える可能性も有している。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＭＲＡＭは、ＤＲＡＭで用いられているようなＭＯＳスイッチ等による選択記録ではなく、直交磁場による選択記録という特徴的な書き込み方法を採用していることにより、固有の課題を有している。
【００１９】
特に、メモリセルを構成するＴＭＲ素子の磁気特性が素子毎にばらつくことや、同一素子を繰り返し使用した場合のばらつきが存在すると、アステロイド特性を使用した選択書き込みが困難になるという問題点がある。
従って、ＴＭＲ素子には、理想的なアステロイド曲線を描かせるための磁気特性も求められる。
【００２０】
ここで、ＴＭＲ素子を備えたＭＲＡＭにおける、理想的なアステロイド曲線を、図８Ａに示す。曲線に歪やばらつきがなく、きれいな曲線となっている。
【００２１】
これに対して、現実の磁気メモリ装置を測定して得られるアステロイド曲線は、図８Ｂのようになる。
この図８Ｂより、反転磁界にばらつきが存在していることがわかる。これは、メモリ装置を構成する多数のトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）において、各素子の反転磁界にばらつきがあるために、アステロイド曲線がばらついているからである。
【００２２】
図８Ｂのようなアステロイド曲線を有する磁気メモリ装置において、選択記録可能な領域は同図に示した通りである。Ｗ０は、“０”を選択記録することが可能な領域を示し、Ｗ１は“１”を選択記録することが可能な領域を示している。
アステロイド曲線にばらつきがあるため、Ｗ１の領域に比較してＷ０の領域が狭くなっていることがわかる。
実際にＭＲＡＭとして動作させるためには、“０”と“１”を共に選択記録できるようにする必要がある。
従って、選択記録のマージンを充分確保できるように、Ｗ０の領域とＷ１の領域とが、いずれも充分広い範囲を有することが求められる。
【００２３】
そして、図８Ｂより明らかなように、選択記録のマージンを広く確保するためには、アステロイド曲線のばらつき、即ち各メモリセルを構成するＴＭＲ素子の反転磁界のばらつきを抑制することが重要である。
【００２４】
反転磁界のばらつきには種々の起源があり、例えば材料の不均一性やプロセス精度に起因するものもあるが、より本質的には磁化反転そのものが必ずしも同じエネルギー状態を経由して起こるものではないという事実がある。これはＭＲＡＭを構成する一つ一つのビットの反転磁界を繰り返し測定した場合に、必ずしもその値が一定とならず、ある分散（繰り返しばらつきと呼ぶ）を有することにより示される。
従って、反転磁界ばらつきの抑制をするために、この繰り返しばらつきを抑制することが求められる。
【００２５】
上述した問題の解決のために、本発明においては、磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきを抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、並びにこの磁気抵抗効果素子を備えて選択記録のマージンを広く確保することができる磁気メモリ装置を提供するものである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気抵抗効果素子は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であって、対の強磁性層の一方が磁化固定層であり、もう一方が磁化自由層であり、磁化固定層が積層フェリ構造を有し、磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０を満たし、中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子であるものである。
【００２７】
本発明の磁気メモリ装置は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、対の強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、磁化固定層が積層フェリ構造を有し、磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０を満たし、中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子であるものである。
【００２８】
ここで、上記式に用いられる交換スティフネス定数Ａは、以下に説明されるように定義されるものである（裳華房刊「強磁性体の物理（下）」（近角聡信著）を参照）。
【００２９】
スピンＳi とスピンＳj とが角度をなす場合に、これらのスピンの交換エネルギーｗijは、交換積分をＪとして、
で表される。
Ｓi とＳj のなす角度φが小さく、Ｓi とＳj の大きさが等しいときには、スピンの大きさをＳとして、式（３）は、
と書くことができる。これはφが小さいときに
となるからである。式（４）から交換エネルギーが角度φの２乗に比例して増すことがわかり、バネ等の弾性体の弾性エネルギーが変形の２乗に比例して増すことと類似している。
【００３０】
そして、磁性体内のスピン分布が与えられたとき、そこに貯えられる交換エネルギーは、そのスピン分布によって記述することができる。ある格子点にあるスピンＳi の向きに平行な単位ベクトルをａ、単位胞に属する原子の数をｎとしたとき、強磁性体内のスピンの単位体積当たりの交換エネルギーＥexは、
と表される。
他方（ａ・ａ）＝１であるから、この両辺をｘで２回微分することにより、次式（７）の関係を得る。ｙとｚについても同様である。
これを用いると、式（６）は、
と変形される。
このうちＡはＡ＝ｎＪＳ2 ／ａで定義されるものであり、ａのｘ、ｙ、ｚによる偏微分は弾性体の歪に相当する量となっていることから、式（８）の交換エネルギーの式は、弾性エネルギーが歪テンソルの２次形式で与えられるのと類似している。
このことから、弾性体の変形による弾性エネルギーの式における「スティフネス定数」にならって、磁性体におけるこのＡを交換スティフネス定数（exchange stiffness constant ）と称している。
【００３１】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子の構成によれば、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ2 ）＞Ｗ／５０を満たす構成となっていることにより、反転磁界の繰り返しばらつきを抑制することが可能になる。
【００３２】
上述の本発明の磁気メモリ装置の構成によれば、上述した本発明の磁気抵抗効果素子を備えていることにより、磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきが低減されているため、選択記録を行うことを可能にする磁界の範囲（磁化容易軸方向の磁界及び磁化困難軸方向の磁界）を広くすることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、対の強磁性層の一方が磁化固定層であり、もう一方が磁化自由層であり、磁化固定層が積層フェリ構造を有し、磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０を満たし、中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である磁気抵抗効果素子である。
【００３７】
本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、対の強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、磁化固定層が積層フェリ構造を有し、磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０を満たし、中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である磁気メモリ装置である。
【００４１】
本発明の磁気抵抗効果素子の一実施の形態の概略構成図を図１に示す。この図１に示す実施の形態は、本発明をトンネル磁気抵抗効果素子（以下、ＴＭＲ素子と称する。）に適用した場合を示している。
【００４２】
このＴＭＲ素子１は、シリコン等からなる基板２上に、下地層３と、反強磁性層４と、強磁性層である磁化固定層５と、トンネルバリア層６と、強磁性層である磁化自由層７と、トップコート層８とがこの順に積層されて構成されている。
即ち、強磁性層の一方が磁化固定層５とされ、他方が磁化自由層７とされた、いわゆるスピンバルブ型のＴＭＲ素子を構成しており、一対の強磁性層である磁化固定層５と磁化自由層７とでトンネルバリア層６を挟み込むことにより、強磁性トンネル接合を形成している。
そして、磁気メモリ素子等にこのＴＭＲ素子１を適用した場合には、磁化自由層７が情報記録層となり、そこに情報が記録される。
【００４３】
反強磁性層４は、強磁性層の一方である磁化固定層５と反強磁性的に結合することにより、書き込みのための電流磁界によっても磁化固定層５の磁化を反転させず、磁化固定層５の磁化の向きを常に一定とするための層である。即ち、図１に示すＴＭＲ素子１においては、他方の強磁性層である磁化自由層７だけを外部磁場等によって磁化反転させる。磁化自由層７は、ＴＭＲ素子１を例えば磁気メモリ装置等に適用した場合に情報が記録される層となるため、情報記録層とも称される。
反強磁性層４を構成する材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ等を含むＭｎ合金、Ｃｏ酸化物、Ｎｉ酸化物等を使用することができる。
【００４４】
図１に示すスピンバルブ型のＴＭＲ素子１においては、磁化固定層５は、反強磁性層４と反強磁性的に結合することによって磁化の向きを一定とされる。このため、書き込みの際の電流磁界によっても磁化固定層５の磁化は反転しない。
【００４５】
トンネルバリア層６は、磁化固定層５と磁化自由層７とを磁気的に分離するとともに、トンネル電流を流すための層である。
トンネルバリア層６を構成する材料としては、例えばＡｌ、Ｍｇ、Ｓi 、Ｌｉ、Ｃａ等の酸化物、窒化物、ハロゲン化物等の絶縁材料を使用することができる。
【００４６】
このようなトンネルバリア層６は、スパッタリング法や蒸着法等によって成膜された金属膜を、酸化又は窒化することにより得ることができる。
また、有機金属と、酸素、オゾン、窒素、ハロゲン、ハロゲン化ガス等とを用いるＣＶＤ法によっても得ることができる。
【００４７】
本実施の形態においては、特に、ＴＭＲ素子１を、ＴＭＲ素子１の素子幅Ｗ［ｎｍ］と、磁化自由層７に用いられる強磁性材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］が、次式（１０）を満たす構成とする。
Ａ／（ｔ・Ｍｓ2 ）＞Ｗ／５０ （１０）
【００４８】
このように式（１０）を満たす強磁性材料としては、例えばＣｏＦｅＢを挙げることができる。
このＣｏＦｅＢは、組成によって他の特性を大きく損なうことなく飽和磁化Ｍｓ及び交換スティフネス定数Ａを制御できるという観点で、好ましい材料である。
磁化自由層７にＣｏＦｅＢを用いた場合には、後述する範囲の組成とすることにより、ＴＭＲ素子１が式（１０）を満たすようにすることが可能になる。
【００４９】
また、その他の材料系の強磁性材料でも、ＴＭＲ素子１が式（１０）を満たすように構成することが可能な材料であれば、磁化自由層７に使用することが可能である。
この場合でも、組成によって飽和磁化Ｍｓや交換スティフネス定数Ａを制御することが容易な材料系、例えばＣｏＦｅやＣｏＦｅに種々の添加物（Ｃ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｖ，希土類等）を添加したもの、ＮｉＦｅ，ＣｏＮｉもしくはＮｉＦｅ，ＣｏＮｉを主体としてＢ乃至上記添加物を加えたものを使用することが望ましい。
【００５０】
上述の実施の形態のＴＭＲ素子１によれば、ＴＭＲ素子１が式（１０）を満たすことにより、反転磁界（磁化自由層７の磁化が反転する磁界）の繰り返しばらつきを低減することが可能となる。
【００５１】
これにより、例えば多数のＴＭＲ素子を有して成る磁気メモリ装置にＴＭＲ素子１を適用した場合に、多数のＴＭＲ素子１について反転磁界のばらつきを抑制することにつながり、選択記録のマージンを広くすることができる。
また、ＴＭＲ素子を有して成る磁気ヘッドや磁気センサに適用した場合には、反転磁界の設計値からのずれを抑制して、製造歩留まりを向上することや動作不良を防止することが可能になる。
【００５２】
尚、本発明においては、図１に示すような磁化固定層５及び磁化自由層７のそれぞれが単層から構成されたＴＭＲ素子１に限定されない。
例えば図２に示すように、磁化固定層５が、第１の磁化固定層５ａと第２の磁化固定層５ｂとで非磁性導電体層５ｃを挟み込んでなる積層フェリ構造とされる場合であっても、本発明の効果を得ることができる。
【００５３】
図２に示すＴＭＲ素子１０では、第１の磁化固定層５ａが反強磁性層４と接しており、これらの層間に働く交換相互作用によって、第１の磁化固定層５ａは強い一方向の磁気異方性を持つ。また、第２の磁化固定層５ｂは、トンネルバリア層６を介して磁化自由層７と対向し、スピンの向きが磁化自由層７と比較され直接ＭＲ比に関わる強磁性層となるため、参照層とも称される。
【００５４】
積層フェリ構造の非磁性導電体層５ｃに用いられる材料としては、例えばＲｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。図２のＴＭＲ素子１０において、その他の層は図１に示したＴＭＲ素子１とほぼ同様の構成であるため、図１と同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５５】
この積層フェリ構造を有するＴＭＲ素子１０においても、式（１０）を満たす構成とすることにより、図１に示したＴＭＲ素子１と同様に、反転磁界（磁化自由層７の磁化が反転する磁界）の繰り返しばらつきを低減することが可能となる。
【００５６】
尚、上述の実施の形態では、磁気抵抗効果素子としてＴＭＲ素子（トンネル磁気抵抗効果素子）１，１０を用いたが、本発明は、一対の強磁性層が中間層を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流して磁気抵抗変化を得る構成を有するその他の磁気抵抗効果素子にも適用することができる。
例えば中間層としてＣｕ等の非磁性導電層を用いた巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）で、膜面に対して垂直に電流を流して磁気抵抗効果を得る構成、即ちいわゆるＣＰＰ型のＧＭＲ素子にも本発明を適用することができる。
【００５７】
さらに、磁化固定層や反強磁性体の材料、磁化固定層側における積層フェリ構造の有無等は、本発明の本質を損なわない限り種々の変形が可能である。
【００５８】
上述のようなＴＭＲ素子１，１０等の磁気抵抗効果素子は、例えばＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置に用いられて好適である。以下、本発明のＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭについて、図を参照しながら説明する。
【００５９】
本発明のＴＭＲ素子を有するクロスポイント型のＭＲＡＭアレイを、図３に示す。このＭＲＡＭアレイは、複数のワード線ＷＬと、これらワード線ＷＬと直交する複数のビット線ＢＬとを有し、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの交点に本発明のＴＭＲ素子が配置されて成るメモリセル１１とを有する。即ち、このＭＲＡＭアレイでは、３×３のメモリセル１１がマトリクス状に配置される。
【００６０】
尚、ＭＲＡＭアレイに用いられるＴＭＲ素子としては、図１に示したＴＭＲ素子１に限定されず、積層フェリ構造を有する図２に示すＴＭＲ素子１０等、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において式（１０）を満たす構成であればいかなる構成であっても構わない。
【００６１】
また、メモリ素子に多数あるメモリセルから１つのメモリセルを取り出して、断面構造を図４に示す。
各メモリセル１１は、図４に示すように、例えばシリコン基板１２上に、ゲート電極１３、ソース領域１４及びドレイン領域１５からなるトランジスタ１６を有する。ゲート電極１３は、読み出し用のワード線ＷＬ１を構成している。ゲート電極１３上には、絶縁層を介して書き込み用のワード線（前述したワード書き込み線に相当する）ＷＬ２が形成されている。トランジスタ１６のドレイン領域１５にはコンタクトメタル１７が接続され、さらにコンタクトメタル１７には下地層１８が接続されている。この下地層１８上の書き込み用のワード線ＷＬ２の上方に対応する位置に、本発明のＴＭＲ素子１が形成されている。このＴＭＲ素子１上に、ワード線ＷＬ１及びＷＬ２と直交するビット線（前述したビット書き込み線に相当する）ＢＬが形成されている。
また、各ワード線ＷＬ１，ＷＬ２とＴＭＲ素子１とを絶縁するための層間絶縁膜１９及び絶縁膜２０と、全体を保護するパッシベーション膜（図示せず）等を有して成る。
【００６２】
このＭＲＡＭは、式（１０）を満たす構成のＴＭＲ素子１を用いているので、各メモリセル１１の反転磁界の繰り返しばらつきを低減することができる。
これにより、選択記録を行うための反転磁界のマージンを充分に確保することができる。
【００６３】
（実施例）
以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
図２に示した、磁化固定層５に積層フェリ構造５ａ，５ｂ，５ｃを有するＴＭＲ素子１０について、磁気特性を変化させるために磁化自由層７を種々の組成に変更したサンプルを作製した。具体的には、磁化自由層７の組成を（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙとして、ｘ及びｙの値（原子％）を表１に示すように変化させた。また、各サンプルのＴＭＲ素子１０を有する図３及び図４に示した構成の磁気メモリ装置を作製した。
【００６４】
＜サンプル１＞
まず、内部が超高真空領域まで排気されたマグネトロンスパッタ装置内で、基板上に、Ｔａ膜を膜厚３ｎｍ、ＰｔＭｎ膜（反強磁性層４）を膜厚３０ｎｍ、ＣｏＦｅ膜（第１の磁化固定層５ａ）を膜厚１．５ｎｍ、Ｒｕ膜（非磁性導電体層５ｃ）を膜厚０．８ｎｍ、ＣｏＦｅ膜（第２の磁化固定層５ｂ）を膜厚２ｎｍ、Ａｌ膜を例えば膜厚１ｎｍ、というように順次成膜した。
尚、第１の磁化固定層５ａ及び第２の磁化固定層（参照層）５ｂのＣｏＦｅ膜は、ターゲット組成をＣｏ７５Ｆｅ２５（原子％）として成膜した。
【００６５】
次に、Ａｌ膜を純酸素中でプラズマ酸化させて、均一なＡｌ酸化膜を得て、ＴＭＲ素子のトンネルバリア層６を形成した。
【００６６】
続いて、マグネトロンスパッタ装置内で、磁化自由層７を膜厚１．５〜６ｎｍ、Ｔａ膜を膜厚５ｎｍ、それぞれ成膜した。
尚、磁化自由層７の組成は、ｘ＝０，ｙ＝５即ちＣｏ９５Ｂ５（原子％）とした。
【００６７】
次に、反強磁性層４のＰｔＭｎ膜を規則合金化するため、磁場中熱処理を行った。この磁場中熱処理の条件は、１０ｋＯｅの磁界中、２８０℃で１時間とした。
さらに、フォトリソグラフィとイオンミリングの組み合わせにより微細加工し、０．１μｍ×０．２μｍ〜０．６μｍ×１．２μｍの楕円形のＴＭＲ素子１０を得た。
【００６８】
＜サンプル２＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝５即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）９５Ｂ５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００６９】
＜サンプル３＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝５即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）９５Ｂ５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７０】
＜サンプル４＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５０，ｙ＝５即ち（Ｆｅ５０Ｃｏ５０）９５Ｂ５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７１】
＜サンプル５＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝１０即ちＣｏ９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７２】
＜サンプル６＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ５Ｃｏ９５）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７３】
＜サンプル７＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７４】
＜サンプル８＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７５】
＜サンプル９＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３０，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ３０Ｃｏ７０）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７６】
＜サンプル１０＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３５，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ３５Ｃｏ６５）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７７】
＜サンプル１１＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝４５，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ４５Ｃｏ５５）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７８】
＜サンプル１２＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５０，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ５０Ｃｏ５０）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７９】
＜サンプル１３＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝２０即ちＣｏ８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８０】
＜サンプル１４＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ５Ｃｏ９５）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８１】
＜サンプル１５＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８２】
＜サンプル１６＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８３】
＜サンプル１７＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３０，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ３０Ｃｏ７０）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８４】
＜サンプル１８＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３５，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ３５Ｃｏ６５）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８５】
＜サンプル１９＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝４５，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ４５Ｃｏ５５）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８６】
＜サンプル２０＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５０，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ５０Ｃｏ５０）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８７】
＜サンプル２１＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝３０即ちＣｏ７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８８】
＜サンプル２２＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ５Ｃｏ９５）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８９】
＜サンプル２３＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９０】
＜サンプル２４＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９１】
＜サンプル２５＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３０，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ３０Ｃｏ７０）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９２】
＜サンプル２６＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３５，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ３５Ｃｏ６５）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９３】
＜サンプル２７＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝４０，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ４０Ｃｏ６０）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９４】
＜サンプル２８＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝４０即ちＣｏ６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９５】
＜サンプル２９＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９６】
＜サンプル３０＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２０，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ２０Ｃｏ８０）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９７】
＜サンプル３１＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９８】
＜サンプル３２＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３０，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ３０Ｃｏ７０）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９９】
＜サンプル３３＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３５，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ３５Ｃｏ６５）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１００】
＜サンプル３４＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝４５即ちＣｏ５５Ｂ４５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１０１】
＜サンプル３５＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５，ｙ＝４５即ち（Ｆｅ５Ｃｏ９５）５５Ｂ４５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１０２】
＜サンプル３６＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝４５即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）５５Ｂ４５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１０３】
＜サンプル３７＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝４５即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）５５Ｂ４５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１０４】
また、各サンプル１〜サンプル３７のＴＭＲ素子１０から、それぞれＴＭＲ素子１０を１ｋｂｉｔ（キロビット）有する、図３及び図４に示した構成のＭＲＡＭ（磁気メモリ装置）を作製した。
【０１０５】
上述した反転磁界の繰り返しばらつきの抑制効果は、磁化自由層材料の交換スティフネス定数Ａ及び飽和磁化Ｍｓ、膜厚ｔ、並びにＴＭＲ素子のサイズ、具体的にはＴＭＲ素子の素子幅Ｗとの間に、前述した式（１０）の関係が成立する場合に起こる。
【０１０６】
まず、ＣｏＦｅＢの組成を変えたサンプル１〜サンプル３７において、Ｆｅの含有量（原子％）と、Ｂの含有量（原子％）と、磁化自由層の膜厚を１．５ｎｍ（タイプＩ）としたときのＡ／Ｍｓ2 の値と、タイプＩの構成のＴＭＲ素子を有するメモリ装置の反転磁界の繰り返しばらつきＳＦＤ（標準偏差σ／平均値ａｖｅ．）の値とを、それぞれ表１に示す。
交換スティフネス定数Ａはスピン波共鳴により、飽和磁化Ｍｓは振動試料型磁力計により、それぞれ得た値である。
【０１０７】
【表１】
【０１０８】
表１の結果から、上述した反転磁界の繰り返しばらつきと、磁化自由層７のＡ／Ｍｓ2 とがよく対応していることがわかる。
即ち磁化自由層７のＡ／Ｍｓ2 が小さいサンプルは、ＳＦＤ即ち反転磁界の繰り返しばらつきも大きくなっている。
【０１０９】
表１の測定結果に基づき、Ａ／Ｍｓ2 の値と反転磁界の繰り返しばらつき（ＳＦＤ）の関係を図５に示す。
図５から、磁化自由層７のＡ／Ｍｓ2 が小さいと、ＳＦＤ即ち反転磁界の繰り返しばらつきも大きくなっていることがわかる。
【０１１０】
一般のＭＲＡＭにおいて、ビット線やワード線から発生する磁界のばらつきまでも考慮に入れると、反転磁界のばらつきは、標準偏差／平均値で５％以下に抑える必要がある。さらに微細加工プロセス等のばらつきを考慮すると、単一のＴＭＲ素子では反転磁界の繰り返しばらつきを２％以下に抑えなくてはならない。
このように反転磁界の繰り返しばらつきを２％以下にするためには、図５から、Ａ／Ｍｓ2 の値は３×１０-14 ｃｍ2 以上でなければならないことがわかる。
【０１１１】
また、図６は、同じく表１に示した測定結果に基づき、反転磁界の繰り返しばらつきを２％以下にすることができるＣｏＦｅＢの組成範囲を、状態図内に斜線を付して示したものである。尚、図中の●印は各サンプル１〜３７の組成を示している。
【０１１２】
さらに、より一般的な関係を求めるために、磁化自由層の膜厚を、１．５ｎｍ、３ｎｍ、６ｎｍと変えて、また素子の短軸長さ（素子幅Ｗに相当する）を０．１μｍ、０．２５μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．６μｍと変えてＴＭＲ素子１０を作製し、同様に交換スティフネス定数Ａと飽和磁化Ｍｓ、反転磁界の繰り返しばらつきの測定を行った。
【０１１３】
その結果、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍで、ＴＭＲ素子１０の短軸長さが０．１μｍの場合にはＡ／Ｍｓ2 の臨界値が３×１０-14 ｃｍ2 であったのが、ＴＭＲ素子１０の短軸長さ及び磁化自由層の膜厚に依存してＡ／Ｍｓ2 の臨界値が変化することがわかった。
この関係を図７に示す。図中△印は磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍの場合、●印は磁化自由層の膜厚が３ｎｍの場合、○印は磁化自由層の膜厚が６ｎｍの場合を示している。
【０１１４】
図７より、ＴＭＲ素子１０の短軸長さが長くなる即ちＴＭＲ素子１０が大きくなり、磁化自由層７が厚くなるに従って、臨界値が大きくなり、ほぼ直線的に変化することがわかる。
そして、図７から、ＴＭＲ素子の短軸長さＷと磁化自由層の膜厚ｔ、及びＡ／Ｍｓ2 の臨界値との間には次式の関係が成立することがわかる。
Ｃ・Ａ／Ｍｓ2 の臨界値＝Ｗ・ｔ（Ｃは定数） （１１）
この比例定数Ｃを計算すると、表２のようになり、およそ５０となることがわかる。
従って、反転磁界の繰り返しばらつきを抑制するための条件は、
５０Ａ／Ｍｓ2 ＞Ｗｔ （１２）
となり、この式（１２）から前述した式（１０）即ち
Ａ／（ｔ・Ｍｓ2 ）＞Ｗ／５０ （１０）
が導かれる。
【０１１５】
【表２】
【０１１６】
尚、本発明の磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子等）は、前述した磁気メモリ装置のみならず、磁気ヘッド及びこの磁気ヘッドを搭載したハードディスクドライブや磁気センサ、集積回路チップ、さらにはパソコン、携帯端末、携帯電話を始めとする各種電子機器、電子機器等に適用することができる。
【０１１７】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【０１１８】
【発明の効果】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子によれば、磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきが充分に抑えられる。
これにより、例えば磁気抵抗効果素子を有して成る磁気メモリ装置に適用した場合において、磁気メモリ装置全体においてメモリセルを構成する磁気抵抗効果素子の磁化自由層の半端磁界のばらつきを抑制することが可能となり、メモリセルの選択記録のマージンを拡大することができる。
また、例えば磁気抵抗効果素子を有して成る磁気ヘッドや磁気センサに適用した場合において、反転磁界の設計値からのずれを抑制して、製造歩留まりを向上することや動作不良を防止することが可能になる。
【０１１９】
また、本発明の磁気メモリ装置によれば、本発明の磁気抵抗効果素子を備えて構成されていることにより、磁気抵抗効果素子の反転磁界の繰り返しばらつきが抑制されているため、メモリセルの選択記録のマージンを広く確保することができ、安定して記録を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態のＴＭＲ素子の概略構成図である。
【図２】積層フェリ構造を有するＴＭＲ素子の概略構成図である。
【図３】本発明のＴＭＲ素子をメモリセルとして有する、クロスポイント型ＭＲＡＭアレイの要部を示す概略構成図である。
【図４】図３に示すメモリセルの拡大断面図である。
【図５】Ａ／Ｍｓ2 と反転磁界の繰り返しばらつきとの関係を示す図である。
【図６】ＣｏＦｅＢ系における好ましい組成範囲を示す図である。
【図７】磁化自由層の膜厚及びＴＭＲ素子の短軸長さとＡ／Ｍｓ2 の臨界値との関係を示す図である。
【図８】Ａ 単一ＴＭＲ素子の理想的なアステロイド曲線を示した図である。
Ｂ 多数のＴＭＲ素子のアステロイド曲線を重ねて示した図である。
【符号の説明】
１，１０ トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）、２ 基板、３ 下地層、４ 反強磁性層、５ 磁化固定層、５ａ 第１の磁化固定層、５ｂ 第２の磁化固定層（参照層）、５ｃ 非磁性導電体層、６ トンネルバリア層、７ 磁化自由層、１１ メモリセル、ＷＬ，ＷＬ１，ＷＬ２ ワード線、ＢＬ ビット線
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子を備えて成る磁気メモリ装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
情報通信機器、特に携帯端末などの個人用小型機器の飛躍的な普及に伴い、これを構成するメモリやロジックなどの素子には、高集積化、高速化、低電力化など、一層の高性能化が要請されている。特に不揮発性メモリの高密度・大容量化は、可動部分の存在により本質的に小型化が不可能なハードディスクや光ディスクを置き換える技術として、ますます重要になってきている。
【０００３】
不揮発性メモリとしては、半導体を用いたフラッシュメモリや、強誘電体を用いたＦＲＡＭ（Ferro electric Random Access Memory ）等が挙げられる。
しかしながら、フラッシュメモリは、書き込み速度がμ秒のオーダーと遅いという欠点がある。一方、ＦＲＡＭにおいては、書き換え可能回数が少ないという問題が指摘されている。
【０００４】
これらの欠点がない不揮発性メモリとして注目されているのが、例えば「Wang et al.,IEEE Trans. Magn. 33(1997),4498 」に記載されているような、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory ）と呼ばれる磁気メモリである。このＭＲＡＭは、構造が単純であるため高集積化が容易であり、また磁気モーメントの回転により記録を行うために書き換え可能回数が大である。またアクセス時間についても非常に高速であることが予想され、既にナノ秒台で動作可能であることが確認されている。
【０００５】
このＭＲＡＭに用いられる、磁気抵抗効果素子、特にトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistance：ＴＭＲ）素子は、基本的に強磁性層／トンネルバリア層／強磁性層の積層構造で構成される。この素子では、強磁性層間に一定の電流を流した状態で強磁性層間に外部磁場を印加した場合、両磁性層の磁化の相対角度に応じて磁気抵抗効果が現れる。双方の強磁性層の磁化の向きが反平行の場合は抵抗値が最大となり、平行の場合は抵抗値が最小となる。メモリ素子としての機能は外部磁場により反平行と平行の状態を作り出すことによってもたらされる。
【０００６】
特にスピンバルブ型のＴＭＲ素子においては、一方の強磁性層が隣接する反強磁性層と反強磁性的に結合することによって磁化の向きが常に一定とされた磁化固定層とされる。他方の強磁性層は、外部磁場等によって容易に磁化反転する磁化自由層とされる。そして、この磁化自由層が磁気メモリにおける情報記録層となる。
【０００７】
スピンバルブ型のＴＭＲ素子において、その抵抗値の変化率は、それぞれの強磁性層のスピン分極率をＰ１，Ｐ２とすると、下記の式（１）で表される。
２Ｐ１Ｐ２／（１−Ｐ１Ｐ２） （１）
このように、それぞれのスピン分極率が大きい程、抵抗変化率が大きくなる。
【０００８】
ところで、ＭＲＡＭの基本的な構成は、例えば特開平１０−１１６４９０号公報に開示されているように、複数のビット書き込み線（いわゆるビット線）と、これら複数のビット書き込み線に直交する複数のワード書き込み線（いわゆるワード線）とを設け、これらビット書き込み線とワード書き込み線との交点に磁気メモリ素子としてＴＭＲ素子が配されて成る。そして、このようなＭＲＡＭで記録を行う際には、アステロイド特性を利用してＴＭＲ素子に対して選択書き込みを行う。
【０００９】
ここで、ＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭの動作原理を簡単に説明する。
ＭＲＡＭは、磁性体からなる微小な記憶担体（磁性記憶担体）を規則的に配置し、その各々にアクセスできるような配線を施した構造を有する。ＴＭＲ素子を用いる場合には、ＴＭＲ素子の磁化自由層が磁性記憶担体となり、ＴＭＲ素子によりメモリセルが構成される。
【００１０】
情報の書き込みは、上述のワード書き込み線とビット読み出し線の両方に電流を流すことにより発生する合成電流磁界を用いて、各メモリセルを構成するＴＭＲ素子の磁化自由層の磁化を制御することにより行う。
【００１１】
一般的には、磁化の向きに応じて“０”情報と“１”情報とを記憶させる。
具体的には、例えば磁化自由層の磁化の向きと磁化固定層の磁化の向きが反平行であり抵抗値が高い場合を例えば“１”、その逆に各々の磁化の向きが平行である場合を“０”とする。また、逆に反平行である場合を“０”とすることも可能である。
【００１２】
情報の読み出しは、トランジスタ等の素子を用いて、メモリセルの選択を行い、磁気抵抗効果により磁化の向きを電圧信号として取り出す。
【００１３】
メモリセルを構成するＴＭＲ素子は、強磁性体／絶縁体／強磁性体の３層の積層構造即ち強磁性トンネル接合（Magnetic Tunnel Junction；ＭＴＪ）を含む構造であり、一方の強磁性体層が磁化固定層、他方の強磁性体層が磁化自由層となる。そして、磁化固定層を固定参照層（ピンド／リファレンス層）として用い、磁化自由層（フリー層）を情報記録層として用いることにより、トンネル磁気抵抗効果によって、磁化自由層（情報記録層）の磁化の向きと電圧信号とを対応させる。
【００１４】
次に、書き込み時のセル選択方法について説明する。
一般に、強磁性体の磁化容易軸方向に、磁化と反対の向きに磁界を印加すると、ある磁界値±Ｈｃ即ち反転磁界において、磁化が磁界の方向に反転する。この反転磁界の値は、理論的にはエネルギ最小の条件から求めることができる。
さらに、磁化容易軸方向だけでなく磁化困難軸方向にも磁界を印加した場合には、この反転磁界Ｈｃの絶対値が減少することが知られている。これもやはりエネルギ最小条件から求めることができ、磁化困難軸方向に印加した磁界をＨｘとすると、このときの反転磁界Ｈｙとの間には、
書き込み時のセル選択方法は、このアステロイド曲線を用いて説明することができる。
【００１５】
ワード書き込み線から発生する磁界が磁化容易軸方向とほぼ一致している構成のＭＲＡＭにおいては、ワード書き込み線から発生する磁界により、磁化自由層（情報記録層）の磁化を反転させて記録を行う。
しかしながら、ワード書き込み線から等距離に位置するメモリセルが複数個存在するため、ワード書き込み線に反転磁界以上の磁界を発生する量の電流を流してしまうと、これら等価な複数のメモリセルに同時に記録を行ってしまうことになる。
そこで、選択したいメモリセルに懸かるビット書き込み線に電流を流して磁化困難軸方向の磁界を発生させる。これにより、選択セルの反転磁界を小さくすることができる。このときの反転磁界をＨｃ（ｈ）、ビット書き込み線による磁界が０の場合の反転磁界をＨｃ（０）とすると、ワード書き込み線による磁界ＨをＨｃ（ｈ）＜Ｈ＜Ｈｃ（０）となるように設定することにより、選択的にメモリセルに記録することができる。
このようにして、記録時にセルを選択することができる。
【００１６】
このＭＲＡＭは、構造が単純であるため高集積化が容易であり、かつ磁気モーメントの回転により記録を行うために書き換え可能回数が大である。
また、アクセス時間についても、非常に高速であることが予想され、既にナノ秒台で動作可能であることが確認されている。
【００１７】
従って、ＭＲＡＭは特にランダムアクセス、書き換え可能回数大、高速動作の３点においてフラッシュメモリよりも優れ、またプロセス整合性の点でＦｅＲＡＭより優れている。さらに、ＤＲＡＭ並みの高集積度とＳＲＡＭ並みの高速性を両立できると期待されるため、システムＬＳＩ用混載メモリをすべて置き換える可能性も有している。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＭＲＡＭは、ＤＲＡＭで用いられているようなＭＯＳスイッチ等による選択記録ではなく、直交磁場による選択記録という特徴的な書き込み方法を採用していることにより、固有の課題を有している。
【００１９】
特に、メモリセルを構成するＴＭＲ素子の磁気特性が素子毎にばらつくことや、同一素子を繰り返し使用した場合のばらつきが存在すると、アステロイド特性を使用した選択書き込みが困難になるという問題点がある。
従って、ＴＭＲ素子には、理想的なアステロイド曲線を描かせるための磁気特性も求められる。
【００２０】
ここで、ＴＭＲ素子を備えたＭＲＡＭにおける、理想的なアステロイド曲線を、図８Ａに示す。曲線に歪やばらつきがなく、きれいな曲線となっている。
【００２１】
これに対して、現実の磁気メモリ装置を測定して得られるアステロイド曲線は、図８Ｂのようになる。
この図８Ｂより、反転磁界にばらつきが存在していることがわかる。これは、メモリ装置を構成する多数のトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）において、各素子の反転磁界にばらつきがあるために、アステロイド曲線がばらついているからである。
【００２２】
図８Ｂのようなアステロイド曲線を有する磁気メモリ装置において、選択記録可能な領域は同図に示した通りである。Ｗ０は、“０”を選択記録することが可能な領域を示し、Ｗ１は“１”を選択記録することが可能な領域を示している。
アステロイド曲線にばらつきがあるため、Ｗ１の領域に比較してＷ０の領域が狭くなっていることがわかる。
実際にＭＲＡＭとして動作させるためには、“０”と“１”を共に選択記録できるようにする必要がある。
従って、選択記録のマージンを充分確保できるように、Ｗ０の領域とＷ１の領域とが、いずれも充分広い範囲を有することが求められる。
【００２３】
そして、図８Ｂより明らかなように、選択記録のマージンを広く確保するためには、アステロイド曲線のばらつき、即ち各メモリセルを構成するＴＭＲ素子の反転磁界のばらつきを抑制することが重要である。
【００２４】
反転磁界のばらつきには種々の起源があり、例えば材料の不均一性やプロセス精度に起因するものもあるが、より本質的には磁化反転そのものが必ずしも同じエネルギー状態を経由して起こるものではないという事実がある。これはＭＲＡＭを構成する一つ一つのビットの反転磁界を繰り返し測定した場合に、必ずしもその値が一定とならず、ある分散（繰り返しばらつきと呼ぶ）を有することにより示される。
従って、反転磁界ばらつきの抑制をするために、この繰り返しばらつきを抑制することが求められる。
【００２５】
上述した問題の解決のために、本発明においては、磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきを抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、並びにこの磁気抵抗効果素子を備えて選択記録のマージンを広く確保することができる磁気メモリ装置を提供するものである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気抵抗効果素子は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であって、対の強磁性層の一方が磁化固定層であり、もう一方が磁化自由層であり、磁化固定層が積層フェリ構造を有し、磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０を満たし、中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子であるものである。
【００２７】
本発明の磁気メモリ装置は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、対の強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、磁化固定層が積層フェリ構造を有し、磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０を満たし、中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子であるものである。
【００２８】
ここで、上記式に用いられる交換スティフネス定数Ａは、以下に説明されるように定義されるものである（裳華房刊「強磁性体の物理（下）」（近角聡信著）を参照）。
【００２９】
スピンＳi とスピンＳj とが角度をなす場合に、これらのスピンの交換エネルギーｗijは、交換積分をＪとして、
Ｓi とＳj のなす角度φが小さく、Ｓi とＳj の大きさが等しいときには、スピンの大きさをＳとして、式（３）は、
【００３０】
そして、磁性体内のスピン分布が与えられたとき、そこに貯えられる交換エネルギーは、そのスピン分布によって記述することができる。ある格子点にあるスピンＳi の向きに平行な単位ベクトルをａ、単位胞に属する原子の数をｎとしたとき、強磁性体内のスピンの単位体積当たりの交換エネルギーＥexは、
他方（ａ・ａ）＝１であるから、この両辺をｘで２回微分することにより、次式（７）の関係を得る。ｙとｚについても同様である。
このうちＡはＡ＝ｎＪＳ2 ／ａで定義されるものであり、ａのｘ、ｙ、ｚによる偏微分は弾性体の歪に相当する量となっていることから、式（８）の交換エネルギーの式は、弾性エネルギーが歪テンソルの２次形式で与えられるのと類似している。
このことから、弾性体の変形による弾性エネルギーの式における「スティフネス定数」にならって、磁性体におけるこのＡを交換スティフネス定数（exchange stiffness constant ）と称している。
【００３１】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子の構成によれば、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ2 ）＞Ｗ／５０を満たす構成となっていることにより、反転磁界の繰り返しばらつきを抑制することが可能になる。
【００３２】
上述の本発明の磁気メモリ装置の構成によれば、上述した本発明の磁気抵抗効果素子を備えていることにより、磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきが低減されているため、選択記録を行うことを可能にする磁界の範囲（磁化容易軸方向の磁界及び磁化困難軸方向の磁界）を広くすることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、対の強磁性層の一方が磁化固定層であり、もう一方が磁化自由層であり、磁化固定層が積層フェリ構造を有し、磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０を満たし、中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である磁気抵抗効果素子である。
【００３７】
本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、対の強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、磁化固定層が積層フェリ構造を有し、磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０を満たし、中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である磁気メモリ装置である。
【００４１】
本発明の磁気抵抗効果素子の一実施の形態の概略構成図を図１に示す。この図１に示す実施の形態は、本発明をトンネル磁気抵抗効果素子（以下、ＴＭＲ素子と称する。）に適用した場合を示している。
【００４２】
このＴＭＲ素子１は、シリコン等からなる基板２上に、下地層３と、反強磁性層４と、強磁性層である磁化固定層５と、トンネルバリア層６と、強磁性層である磁化自由層７と、トップコート層８とがこの順に積層されて構成されている。
即ち、強磁性層の一方が磁化固定層５とされ、他方が磁化自由層７とされた、いわゆるスピンバルブ型のＴＭＲ素子を構成しており、一対の強磁性層である磁化固定層５と磁化自由層７とでトンネルバリア層６を挟み込むことにより、強磁性トンネル接合を形成している。
そして、磁気メモリ素子等にこのＴＭＲ素子１を適用した場合には、磁化自由層７が情報記録層となり、そこに情報が記録される。
【００４３】
反強磁性層４は、強磁性層の一方である磁化固定層５と反強磁性的に結合することにより、書き込みのための電流磁界によっても磁化固定層５の磁化を反転させず、磁化固定層５の磁化の向きを常に一定とするための層である。即ち、図１に示すＴＭＲ素子１においては、他方の強磁性層である磁化自由層７だけを外部磁場等によって磁化反転させる。磁化自由層７は、ＴＭＲ素子１を例えば磁気メモリ装置等に適用した場合に情報が記録される層となるため、情報記録層とも称される。
反強磁性層４を構成する材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ等を含むＭｎ合金、Ｃｏ酸化物、Ｎｉ酸化物等を使用することができる。
【００４４】
図１に示すスピンバルブ型のＴＭＲ素子１においては、磁化固定層５は、反強磁性層４と反強磁性的に結合することによって磁化の向きを一定とされる。このため、書き込みの際の電流磁界によっても磁化固定層５の磁化は反転しない。
【００４５】
トンネルバリア層６は、磁化固定層５と磁化自由層７とを磁気的に分離するとともに、トンネル電流を流すための層である。
トンネルバリア層６を構成する材料としては、例えばＡｌ、Ｍｇ、Ｓi 、Ｌｉ、Ｃａ等の酸化物、窒化物、ハロゲン化物等の絶縁材料を使用することができる。
【００４６】
このようなトンネルバリア層６は、スパッタリング法や蒸着法等によって成膜された金属膜を、酸化又は窒化することにより得ることができる。
また、有機金属と、酸素、オゾン、窒素、ハロゲン、ハロゲン化ガス等とを用いるＣＶＤ法によっても得ることができる。
【００４７】
本実施の形態においては、特に、ＴＭＲ素子１を、ＴＭＲ素子１の素子幅Ｗ［ｎｍ］と、磁化自由層７に用いられる強磁性材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］が、次式（１０）を満たす構成とする。
Ａ／（ｔ・Ｍｓ2 ）＞Ｗ／５０ （１０）
【００４８】
このように式（１０）を満たす強磁性材料としては、例えばＣｏＦｅＢを挙げることができる。
このＣｏＦｅＢは、組成によって他の特性を大きく損なうことなく飽和磁化Ｍｓ及び交換スティフネス定数Ａを制御できるという観点で、好ましい材料である。
磁化自由層７にＣｏＦｅＢを用いた場合には、後述する範囲の組成とすることにより、ＴＭＲ素子１が式（１０）を満たすようにすることが可能になる。
【００４９】
また、その他の材料系の強磁性材料でも、ＴＭＲ素子１が式（１０）を満たすように構成することが可能な材料であれば、磁化自由層７に使用することが可能である。
この場合でも、組成によって飽和磁化Ｍｓや交換スティフネス定数Ａを制御することが容易な材料系、例えばＣｏＦｅやＣｏＦｅに種々の添加物（Ｃ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｖ，希土類等）を添加したもの、ＮｉＦｅ，ＣｏＮｉもしくはＮｉＦｅ，ＣｏＮｉを主体としてＢ乃至上記添加物を加えたものを使用することが望ましい。
【００５０】
上述の実施の形態のＴＭＲ素子１によれば、ＴＭＲ素子１が式（１０）を満たすことにより、反転磁界（磁化自由層７の磁化が反転する磁界）の繰り返しばらつきを低減することが可能となる。
【００５１】
これにより、例えば多数のＴＭＲ素子を有して成る磁気メモリ装置にＴＭＲ素子１を適用した場合に、多数のＴＭＲ素子１について反転磁界のばらつきを抑制することにつながり、選択記録のマージンを広くすることができる。
また、ＴＭＲ素子を有して成る磁気ヘッドや磁気センサに適用した場合には、反転磁界の設計値からのずれを抑制して、製造歩留まりを向上することや動作不良を防止することが可能になる。
【００５２】
尚、本発明においては、図１に示すような磁化固定層５及び磁化自由層７のそれぞれが単層から構成されたＴＭＲ素子１に限定されない。
例えば図２に示すように、磁化固定層５が、第１の磁化固定層５ａと第２の磁化固定層５ｂとで非磁性導電体層５ｃを挟み込んでなる積層フェリ構造とされる場合であっても、本発明の効果を得ることができる。
【００５３】
図２に示すＴＭＲ素子１０では、第１の磁化固定層５ａが反強磁性層４と接しており、これらの層間に働く交換相互作用によって、第１の磁化固定層５ａは強い一方向の磁気異方性を持つ。また、第２の磁化固定層５ｂは、トンネルバリア層６を介して磁化自由層７と対向し、スピンの向きが磁化自由層７と比較され直接ＭＲ比に関わる強磁性層となるため、参照層とも称される。
【００５４】
積層フェリ構造の非磁性導電体層５ｃに用いられる材料としては、例えばＲｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。図２のＴＭＲ素子１０において、その他の層は図１に示したＴＭＲ素子１とほぼ同様の構成であるため、図１と同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５５】
この積層フェリ構造を有するＴＭＲ素子１０においても、式（１０）を満たす構成とすることにより、図１に示したＴＭＲ素子１と同様に、反転磁界（磁化自由層７の磁化が反転する磁界）の繰り返しばらつきを低減することが可能となる。
【００５６】
尚、上述の実施の形態では、磁気抵抗効果素子としてＴＭＲ素子（トンネル磁気抵抗効果素子）１，１０を用いたが、本発明は、一対の強磁性層が中間層を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流して磁気抵抗変化を得る構成を有するその他の磁気抵抗効果素子にも適用することができる。
例えば中間層としてＣｕ等の非磁性導電層を用いた巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）で、膜面に対して垂直に電流を流して磁気抵抗効果を得る構成、即ちいわゆるＣＰＰ型のＧＭＲ素子にも本発明を適用することができる。
【００５７】
さらに、磁化固定層や反強磁性体の材料、磁化固定層側における積層フェリ構造の有無等は、本発明の本質を損なわない限り種々の変形が可能である。
【００５８】
上述のようなＴＭＲ素子１，１０等の磁気抵抗効果素子は、例えばＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置に用いられて好適である。以下、本発明のＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭについて、図を参照しながら説明する。
【００５９】
本発明のＴＭＲ素子を有するクロスポイント型のＭＲＡＭアレイを、図３に示す。このＭＲＡＭアレイは、複数のワード線ＷＬと、これらワード線ＷＬと直交する複数のビット線ＢＬとを有し、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの交点に本発明のＴＭＲ素子が配置されて成るメモリセル１１とを有する。即ち、このＭＲＡＭアレイでは、３×３のメモリセル１１がマトリクス状に配置される。
【００６０】
尚、ＭＲＡＭアレイに用いられるＴＭＲ素子としては、図１に示したＴＭＲ素子１に限定されず、積層フェリ構造を有する図２に示すＴＭＲ素子１０等、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において式（１０）を満たす構成であればいかなる構成であっても構わない。
【００６１】
また、メモリ素子に多数あるメモリセルから１つのメモリセルを取り出して、断面構造を図４に示す。
各メモリセル１１は、図４に示すように、例えばシリコン基板１２上に、ゲート電極１３、ソース領域１４及びドレイン領域１５からなるトランジスタ１６を有する。ゲート電極１３は、読み出し用のワード線ＷＬ１を構成している。ゲート電極１３上には、絶縁層を介して書き込み用のワード線（前述したワード書き込み線に相当する）ＷＬ２が形成されている。トランジスタ１６のドレイン領域１５にはコンタクトメタル１７が接続され、さらにコンタクトメタル１７には下地層１８が接続されている。この下地層１８上の書き込み用のワード線ＷＬ２の上方に対応する位置に、本発明のＴＭＲ素子１が形成されている。このＴＭＲ素子１上に、ワード線ＷＬ１及びＷＬ２と直交するビット線（前述したビット書き込み線に相当する）ＢＬが形成されている。
また、各ワード線ＷＬ１，ＷＬ２とＴＭＲ素子１とを絶縁するための層間絶縁膜１９及び絶縁膜２０と、全体を保護するパッシベーション膜（図示せず）等を有して成る。
【００６２】
このＭＲＡＭは、式（１０）を満たす構成のＴＭＲ素子１を用いているので、各メモリセル１１の反転磁界の繰り返しばらつきを低減することができる。
これにより、選択記録を行うための反転磁界のマージンを充分に確保することができる。
【００６３】
（実施例）
以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
図２に示した、磁化固定層５に積層フェリ構造５ａ，５ｂ，５ｃを有するＴＭＲ素子１０について、磁気特性を変化させるために磁化自由層７を種々の組成に変更したサンプルを作製した。具体的には、磁化自由層７の組成を（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙとして、ｘ及びｙの値（原子％）を表１に示すように変化させた。また、各サンプルのＴＭＲ素子１０を有する図３及び図４に示した構成の磁気メモリ装置を作製した。
【００６４】
＜サンプル１＞
まず、内部が超高真空領域まで排気されたマグネトロンスパッタ装置内で、基板上に、Ｔａ膜を膜厚３ｎｍ、ＰｔＭｎ膜（反強磁性層４）を膜厚３０ｎｍ、ＣｏＦｅ膜（第１の磁化固定層５ａ）を膜厚１．５ｎｍ、Ｒｕ膜（非磁性導電体層５ｃ）を膜厚０．８ｎｍ、ＣｏＦｅ膜（第２の磁化固定層５ｂ）を膜厚２ｎｍ、Ａｌ膜を例えば膜厚１ｎｍ、というように順次成膜した。
尚、第１の磁化固定層５ａ及び第２の磁化固定層（参照層）５ｂのＣｏＦｅ膜は、ターゲット組成をＣｏ７５Ｆｅ２５（原子％）として成膜した。
【００６５】
次に、Ａｌ膜を純酸素中でプラズマ酸化させて、均一なＡｌ酸化膜を得て、ＴＭＲ素子のトンネルバリア層６を形成した。
【００６６】
続いて、マグネトロンスパッタ装置内で、磁化自由層７を膜厚１．５〜６ｎｍ、Ｔａ膜を膜厚５ｎｍ、それぞれ成膜した。
尚、磁化自由層７の組成は、ｘ＝０，ｙ＝５即ちＣｏ９５Ｂ５（原子％）とした。
【００６７】
次に、反強磁性層４のＰｔＭｎ膜を規則合金化するため、磁場中熱処理を行った。この磁場中熱処理の条件は、１０ｋＯｅの磁界中、２８０℃で１時間とした。
さらに、フォトリソグラフィとイオンミリングの組み合わせにより微細加工し、０．１μｍ×０．２μｍ〜０．６μｍ×１．２μｍの楕円形のＴＭＲ素子１０を得た。
【００６８】
＜サンプル２＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝５即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）９５Ｂ５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００６９】
＜サンプル３＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝５即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）９５Ｂ５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７０】
＜サンプル４＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５０，ｙ＝５即ち（Ｆｅ５０Ｃｏ５０）９５Ｂ５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７１】
＜サンプル５＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝１０即ちＣｏ９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７２】
＜サンプル６＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ５Ｃｏ９５）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７３】
＜サンプル７＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７４】
＜サンプル８＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７５】
＜サンプル９＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３０，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ３０Ｃｏ７０）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７６】
＜サンプル１０＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３５，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ３５Ｃｏ６５）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７７】
＜サンプル１１＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝４５，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ４５Ｃｏ５５）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７８】
＜サンプル１２＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５０，ｙ＝１０即ち（Ｆｅ５０Ｃｏ５０）９０Ｂ１０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００７９】
＜サンプル１３＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝２０即ちＣｏ８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８０】
＜サンプル１４＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ５Ｃｏ９５）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８１】
＜サンプル１５＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８２】
＜サンプル１６＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８３】
＜サンプル１７＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３０，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ３０Ｃｏ７０）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８４】
＜サンプル１８＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３５，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ３５Ｃｏ６５）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８５】
＜サンプル１９＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝４５，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ４５Ｃｏ５５）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８６】
＜サンプル２０＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５０，ｙ＝２０即ち（Ｆｅ５０Ｃｏ５０）８０Ｂ２０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８７】
＜サンプル２１＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝３０即ちＣｏ７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８８】
＜サンプル２２＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ５Ｃｏ９５）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００８９】
＜サンプル２３＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９０】
＜サンプル２４＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９１】
＜サンプル２５＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３０，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ３０Ｃｏ７０）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９２】
＜サンプル２６＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３５，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ３５Ｃｏ６５）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９３】
＜サンプル２７＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝４０，ｙ＝３０即ち（Ｆｅ４０Ｃｏ６０）７０Ｂ３０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９４】
＜サンプル２８＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝４０即ちＣｏ６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９５】
＜サンプル２９＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９６】
＜サンプル３０＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２０，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ２０Ｃｏ８０）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９７】
＜サンプル３１＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９８】
＜サンプル３２＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３０，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ３０Ｃｏ７０）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【００９９】
＜サンプル３３＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝３５，ｙ＝４０即ち（Ｆｅ３５Ｃｏ６５）６０Ｂ４０（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１００】
＜サンプル３４＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝０，ｙ＝４５即ちＣｏ５５Ｂ４５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１０１】
＜サンプル３５＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝５，ｙ＝４５即ち（Ｆｅ５Ｃｏ９５）５５Ｂ４５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１０２】
＜サンプル３６＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝１０，ｙ＝４５即ち（Ｆｅ１０Ｃｏ９０）５５Ｂ４５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１０３】
＜サンプル３７＞
磁化自由層７の組成を、ｘ＝２５，ｙ＝４５即ち（Ｆｅ２５Ｃｏ７５）５５Ｂ４５（原子％）とした以外はサンプル１と同様にしてＴＭＲ素子１０を得た。
【０１０４】
また、各サンプル１〜サンプル３７のＴＭＲ素子１０から、それぞれＴＭＲ素子１０を１ｋｂｉｔ（キロビット）有する、図３及び図４に示した構成のＭＲＡＭ（磁気メモリ装置）を作製した。
【０１０５】
上述した反転磁界の繰り返しばらつきの抑制効果は、磁化自由層材料の交換スティフネス定数Ａ及び飽和磁化Ｍｓ、膜厚ｔ、並びにＴＭＲ素子のサイズ、具体的にはＴＭＲ素子の素子幅Ｗとの間に、前述した式（１０）の関係が成立する場合に起こる。
【０１０６】
まず、ＣｏＦｅＢの組成を変えたサンプル１〜サンプル３７において、Ｆｅの含有量（原子％）と、Ｂの含有量（原子％）と、磁化自由層の膜厚を１．５ｎｍ（タイプＩ）としたときのＡ／Ｍｓ2 の値と、タイプＩの構成のＴＭＲ素子を有するメモリ装置の反転磁界の繰り返しばらつきＳＦＤ（標準偏差σ／平均値ａｖｅ．）の値とを、それぞれ表１に示す。
交換スティフネス定数Ａはスピン波共鳴により、飽和磁化Ｍｓは振動試料型磁力計により、それぞれ得た値である。
【０１０７】
【表１】
表１の結果から、上述した反転磁界の繰り返しばらつきと、磁化自由層７のＡ／Ｍｓ2 とがよく対応していることがわかる。
即ち磁化自由層７のＡ／Ｍｓ2 が小さいサンプルは、ＳＦＤ即ち反転磁界の繰り返しばらつきも大きくなっている。
【０１０９】
表１の測定結果に基づき、Ａ／Ｍｓ2 の値と反転磁界の繰り返しばらつき（ＳＦＤ）の関係を図５に示す。
図５から、磁化自由層７のＡ／Ｍｓ2 が小さいと、ＳＦＤ即ち反転磁界の繰り返しばらつきも大きくなっていることがわかる。
【０１１０】
一般のＭＲＡＭにおいて、ビット線やワード線から発生する磁界のばらつきまでも考慮に入れると、反転磁界のばらつきは、標準偏差／平均値で５％以下に抑える必要がある。さらに微細加工プロセス等のばらつきを考慮すると、単一のＴＭＲ素子では反転磁界の繰り返しばらつきを２％以下に抑えなくてはならない。
このように反転磁界の繰り返しばらつきを２％以下にするためには、図５から、Ａ／Ｍｓ2 の値は３×１０-14 ｃｍ2 以上でなければならないことがわかる。
【０１１１】
また、図６は、同じく表１に示した測定結果に基づき、反転磁界の繰り返しばらつきを２％以下にすることができるＣｏＦｅＢの組成範囲を、状態図内に斜線を付して示したものである。尚、図中の●印は各サンプル１〜３７の組成を示している。
【０１１２】
さらに、より一般的な関係を求めるために、磁化自由層の膜厚を、１．５ｎｍ、３ｎｍ、６ｎｍと変えて、また素子の短軸長さ（素子幅Ｗに相当する）を０．１μｍ、０．２５μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．６μｍと変えてＴＭＲ素子１０を作製し、同様に交換スティフネス定数Ａと飽和磁化Ｍｓ、反転磁界の繰り返しばらつきの測定を行った。
【０１１３】
その結果、磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍで、ＴＭＲ素子１０の短軸長さが０．１μｍの場合にはＡ／Ｍｓ2 の臨界値が３×１０-14 ｃｍ2 であったのが、ＴＭＲ素子１０の短軸長さ及び磁化自由層の膜厚に依存してＡ／Ｍｓ2 の臨界値が変化することがわかった。
この関係を図７に示す。図中△印は磁化自由層の膜厚が１．５ｎｍの場合、●印は磁化自由層の膜厚が３ｎｍの場合、○印は磁化自由層の膜厚が６ｎｍの場合を示している。
【０１１４】
図７より、ＴＭＲ素子１０の短軸長さが長くなる即ちＴＭＲ素子１０が大きくなり、磁化自由層７が厚くなるに従って、臨界値が大きくなり、ほぼ直線的に変化することがわかる。
そして、図７から、ＴＭＲ素子の短軸長さＷと磁化自由層の膜厚ｔ、及びＡ／Ｍｓ2 の臨界値との間には次式の関係が成立することがわかる。
Ｃ・Ａ／Ｍｓ2 の臨界値＝Ｗ・ｔ（Ｃは定数） （１１）
この比例定数Ｃを計算すると、表２のようになり、およそ５０となることがわかる。
従って、反転磁界の繰り返しばらつきを抑制するための条件は、
５０Ａ／Ｍｓ2 ＞Ｗｔ （１２）
となり、この式（１２）から前述した式（１０）即ち
Ａ／（ｔ・Ｍｓ2 ）＞Ｗ／５０ （１０）
が導かれる。
【０１１５】
【表２】
尚、本発明の磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子等）は、前述した磁気メモリ装置のみならず、磁気ヘッド及びこの磁気ヘッドを搭載したハードディスクドライブや磁気センサ、集積回路チップ、さらにはパソコン、携帯端末、携帯電話を始めとする各種電子機器、電子機器等に適用することができる。
【０１１７】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【０１１８】
【発明の効果】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子によれば、磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきが充分に抑えられる。
これにより、例えば磁気抵抗効果素子を有して成る磁気メモリ装置に適用した場合において、磁気メモリ装置全体においてメモリセルを構成する磁気抵抗効果素子の磁化自由層の半端磁界のばらつきを抑制することが可能となり、メモリセルの選択記録のマージンを拡大することができる。
また、例えば磁気抵抗効果素子を有して成る磁気ヘッドや磁気センサに適用した場合において、反転磁界の設計値からのずれを抑制して、製造歩留まりを向上することや動作不良を防止することが可能になる。
【０１１９】
また、本発明の磁気メモリ装置によれば、本発明の磁気抵抗効果素子を備えて構成されていることにより、磁気抵抗効果素子の反転磁界の繰り返しばらつきが抑制されているため、メモリセルの選択記録のマージンを広く確保することができ、安定して記録を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態のＴＭＲ素子の概略構成図である。
【図２】積層フェリ構造を有するＴＭＲ素子の概略構成図である。
【図３】本発明のＴＭＲ素子をメモリセルとして有する、クロスポイント型ＭＲＡＭアレイの要部を示す概略構成図である。
【図４】図３に示すメモリセルの拡大断面図である。
【図５】Ａ／Ｍｓ2 と反転磁界の繰り返しばらつきとの関係を示す図である。
【図６】ＣｏＦｅＢ系における好ましい組成範囲を示す図である。
【図７】磁化自由層の膜厚及びＴＭＲ素子の短軸長さとＡ／Ｍｓ2 の臨界値との関係を示す図である。
【図８】Ａ 単一ＴＭＲ素子の理想的なアステロイド曲線を示した図である。
Ｂ 多数のＴＭＲ素子のアステロイド曲線を重ねて示した図である。
【符号の説明】
１，１０ トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）、２ 基板、３ 下地層、４ 反強磁性層、５ 磁化固定層、５ａ 第１の磁化固定層、５ｂ 第２の磁化固定層（参照層）、５ｃ 非磁性導電体層、６ トンネルバリア層、７ 磁化自由層、１１ メモリセル、ＷＬ，ＷＬ１，ＷＬ２ ワード線、ＢＬ ビット線
Claims (2)
- 対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、
上記対の強磁性層の一方が磁化固定層であり、もう一方が磁化自由層であり、
上記磁化固定層が積層フェリ構造を有し、
上記磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、
上記磁化自由層の膜厚が、１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、
上記磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、
上記磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式
Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０
を満たし、
上記中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である
磁気抵抗効果素子。 - 対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、
上記磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、
上記対の強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、
上記磁化固定層が積層フェリ構造を有し、
上記磁化自由層の組成が（ＦｅｘＣｏ１−ｘ）１−ｙＢｙ（ｘ，ｙは原子％）であって、２５≦ｘ≦３５、１０≦ｙ≦３０であり、
上記磁化自由層の膜厚が、１．５ｎｍ〜６ｎｍであり、
上記磁気抵抗効果素子の幅が０．１μｍ〜０．６μｍであり、
上記磁化自由層に用いられる材料の交換スティフネス定数Ａ［ｅｒｇ／ｃｍ］、飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ／ｃｃ］、膜厚ｔ［ｎｍ］、並びに磁気抵抗効果素子の幅Ｗ［ｎｍ］が、式
Ａ／（ｔ・Ｍｓ２）＞Ｗ／５０
を満たし、
上記中間層がＡｌ酸化膜から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である
磁気メモリ装置。
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