JP4664104B2 - Power converter - Google Patents
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Description
本発明は、高速スイッチング半導体素子を使用した電力変換装置に係り、特にサージ電圧の抑制に必要なスナバ回路を備え、スナバ回路のコンデンサ(スナバコンデンサ)の内部配線構造の改良に関する。 The present invention relates to a power conversion device using a high-speed switching semiconductor element, and more particularly to improvement of an internal wiring structure of a snubber circuit capacitor (snubber capacitor) that includes a snubber circuit necessary for suppressing a surge voltage.
コンバータやインバータに使用される電力用半導体素子は、近年高速スイッチング化への発展が目覚しい。高速スイッチング素子としては、例えば電流駆動型ではGCTなどが、電圧駆動型では絶縁ゲート型であるIGBT、IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)がある。これら高速スイッチング素子は、現在、電圧3k〜6kV、遮断電流5k〜6kAが開発され実用化されはじめている。また、ターンオフ時の電圧変化率dV/dt耐量も向上してきているので、従来の素子に比較しスナバ回路の小型化、低損失化が検討されている。 In recent years, power semiconductor elements used for converters and inverters have been remarkably developed for high-speed switching. As the high-speed switching element, there are, for example, GCT and the like in the current drive type, and IGBTs and IEGTs (Injection Enhanced Gate Transistors) that are the insulated gate type in the voltage drive type. These high-speed switching elements are currently being developed and put into practical use with a voltage of 3 k to 6 kV and a cutoff current of 5 k to 6 kA. Also, since the voltage change rate dV / dt withstand during turn-off has been improved, a reduction in size and loss of the snubber circuit compared to conventional devices is being studied.
図9は、従来のNPC主回路図を表しスイッチング素子としてGTOを使用した例であり、GTO素子2〜5のスイッチングサージを抑制するコンデンサ、抵抗器で構成するスナバ回路2a〜5aをGTO素子毎に設けている。
FIG. 9 shows an example of a conventional NPC main circuit and uses a GTO as a switching element. The snubber circuits 2a to 5a configured by capacitors and resistors for suppressing switching surges of the
最近では高性能のGCT、IGBT、IEGTの製品化によって、直流電源部に一括のスナバ回路やコンデンサを設けることが行われている。高速スイッチング素子は、その動作上1μ〜2μ秒で数kAの電流はゼロまで減少することができる。この時、配線インダクタンスLと電流変化率di/dtにより、L*dl/dtのサージ電圧が発生する。このサージ電圧ピークやdV/dtが高速スイッチング素子の電圧耐量より大きい場合には、その素子を永久破壊する場合がある。このサージ電圧はスイッチング素子の耐量以下に抑えることが重要である。 Recently, with the commercialization of high-performance GCT, IGBT, and IEGT, a collective snubber circuit and a capacitor are provided in the DC power supply unit. The high-speed switching element can reduce a current of several kA to zero in 1 μ to 2 μs in operation. At this time, a surge voltage of L * dl / dt is generated by the wiring inductance L and the current change rate di / dt. If the surge voltage peak or dV / dt is larger than the voltage tolerance of the high-speed switching element, the element may be permanently destroyed. It is important to suppress this surge voltage below the withstand capability of the switching element.
近年の大容量高速スイッチング素子を使用した大容量の変換装置では、充放電スナバやクランプスナバを各素子に設けているが、装置の外形が大きくなることや経済的でないことから中小容量の高速スイッチング素子の場合のように素子個別のスナバ回路を設けず、電源の一括スナバ回路だけでサージ電圧を押さえる工夫が望まれている。 In large-capacity conversion devices using large-capacity high-speed switching elements in recent years, charge / discharge snubbers and clamp snubbers are provided in each element. There is a demand for a device that suppresses a surge voltage only by a collective snubber circuit of a power source without providing a snubber circuit for each element as in the case of an element.
このようなことから、特許文献1では電源一括スナバ回路のみでサージ電圧を抑制し、半導体素子をサージ過電圧から保護することができる電力変換装置が提案されている。 For this reason, Patent Document 1 proposes a power conversion device that can suppress a surge voltage only by a power supply collective snubber circuit and protect a semiconductor element from a surge overvoltage.
特許文献1では、コンデンサ以外の配線インダクタンスは低減できているが、コンデンサ自身の内部インダクタンスの影響が大きく、この低減が重要になってくる。
本発明は、コンデンサ自身の内部インダクタンスを極小化して、半導体素子をサージ電圧から保護することができる電力変換装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a power conversion device that can protect a semiconductor element from a surge voltage by minimizing the internal inductance of the capacitor itself.
前記目的を達成するために、請求項1に対応する発明は、直流電源と、この直流電源に接続され、複数種の半導体素子からなる半導体素子群と冷却フィンとを圧接した半導体スタックと、前記直流電源に並列接続され、コンデンサとダイオードとを直列接続し抵抗を前記ダイオードに並列接続したスナバ回路とを具備し、前記スナバ回路の前記コンデンサのケースに接続された一方の端子を前記冷却フィンに近接配置し、前記コンデンサのケースと絶縁された他方の端子を前記ダイオードの一端に接続し、前記ダイオードの他方の端子を前記冷却フィンに接続した電力変換装置において、前記スナバ回路のコンデンサは、導電性ケースと、外部端子と、コンデンサエレメントと、第1の内部配線及び第2の内部配線と、絶縁物と、コンデンサケース端子を備え、前記導電性ケース内に前記コンデンサエレメントが収納され、前記コンデンサエレメントは前記絶縁物を介して前記導電性ケースの内壁面に当設固定され、前記コンデンサエレメントに前記第1の内部配線及び第2の内部配線の一端がそれぞれ電気的に接続され、前記導電性ケースの外部に前記外部端子及び前記コンデンサケース端子を互いに離間して当設固定され、前記外部端子と前記第1の内部配線の他端とが電気的に接続され、前記コンデンサケース端子と前記第2の内部配線の他端が前記導電性ケースを介して電気的に接続されると共に、前記第2の内部配線と前記導電性ケースに流れる電流方向が逆であって、前記第2の内部配線及び前記導電性ケースを近接させて前記第2の内部配線及び前記導電性ケースの相互インダクタンスを大きくすることにより、内部インダクタンスを低減させるようにしたことを特徴とする電力変換装置である。 In order to achieve the above object, an invention corresponding to claim 1 includes a DC power source, a semiconductor stack connected to the DC power source and press-contacting a semiconductor element group composed of a plurality of types of semiconductor elements and a cooling fin, A snubber circuit connected in parallel to a DC power source, a capacitor and a diode connected in series, and a resistor connected in parallel to the diode, and one terminal connected to the case of the capacitor of the snubber circuit connected to the cooling fin In the power converter device, the other terminal insulated and connected to the other end of the capacitor is connected to one end of the diode, and the other terminal of the diode is connected to the cooling fin. Case, external terminal, capacitor element, first internal wiring and second internal wiring, insulator, and capacitor The capacitor element is housed in the conductive case, the capacitor element is fixed to the inner wall surface of the conductive case via the insulator, and the capacitor element includes the first terminal. one end of the internal wiring and the second internal wiring are electrically connected, respectively, wherein the outside of the conductive case and the external terminal and the capacitor case terminals spaced apart from each other are those set fixed, the external terminal and the first The other end of the internal wiring is electrically connected, the other end of the capacitor case terminal and the second internal wiring are electrically connected via the conductive case, and the second internal wiring the current direction flowing to the conductive case be reversed, said second internal wiring and in close proximity to said conductive case said second internal wiring and the conductive case and By increasing the each other inductance, a power conversion apparatus being characterized in that so as to reduce the internal inductance.
請求項1に対応する発明によれば、前記導電性ケース内に前記コンデンサエレメントが収納され、前記コンデンサエレメントは前記絶縁物を介して前記ケースの内壁面に当設固定され、前記コンデンサエレメントに前記第1及び第2の内部配線の一端がそれぞれ電気的に接続され、
前記ケース外部に前記外部端子及び前記コンデンサケース端子を互いに離間して当設固定され、前記外部端子と前記第1の内部配線の他端とが電気的に接続され、前記コンデンサケース端子と前記第2の内部配線の他端が電気的に接続されると共に、前記第2の内部配線と前記コンデンサケース端子に流れる電流方向が逆であって、前記第2の内部配線及び前記コンデンサケース端子を近接させることにより磁気結合を強めるようにしたので、一括スナバ回路の配線ループインダクタンスを小さくすることができ、更に配線ループインダクタンスを低減するために、電流方向が反対向きであるコンデンサケース電位をもつ内部配線とコンデンサケースとの距離を密接にして相互インダクタンスを大きくすることができ、この結果、コンデンサ内部インダクタンスを低減することができる。
According to the invention corresponding to claim 1, the capacitor element is housed in the conductive case, the capacitor element is fixed to the inner wall surface of the case via the insulator, and the capacitor element is fixed to the capacitor element. One end of each of the first and second internal wirings is electrically connected,
The external terminal and the capacitor case terminal are spaced apart and fixed to the outside of the case, the external terminal and the other end of the first internal wiring are electrically connected, and the capacitor case terminal and the first The other end of the second internal wiring is electrically connected, and the direction of the current flowing through the second internal wiring and the capacitor case terminal is opposite, and the second internal wiring and the capacitor case terminal are close to each other. Since the magnetic coupling is strengthened, the wiring loop inductance of the collective snubber circuit can be reduced, and in order to further reduce the wiring loop inductance, the internal wiring with the capacitor case potential whose current direction is the opposite direction And the capacitor case can be closely spaced to increase the mutual inductance. It is possible to reduce the parts inductance.
前記目的を達成するために、請求項2対応する発明は、直流電源と、この直流電源に接続され、複数種の半導体素子からなる半導体素子群と冷却フィンとを圧接した半導体スタックと、前記直流電源に並列接続され、コンデンサとダイオードとを直列接続し抵抗を前記ダイオードに並列接続したスナバ回路とを具備し、前記スナバ回路の前記コンデンサのケースに接続された一方の端子を前記冷却フィンに近接配置し、前記コンデンサのケースと絶縁された他方の端子を前記ダイオードの一端に接続し、前記ダイオードの他方の端子を前記冷却フィンに接続した電力変換装置において、
前記スナバ回路のコンデンサは、導電性ケースと、第1及び第2の外部端子と、コンデンサエレメントと、第1及び第2の内部配線と、絶縁物と、コンデンサケース端子導体を備え、
前記導電性ケース内に前記コンデンサエレメントが収納され、前記コンデンサエレメントは前記ケース内に収納され、前記ケースに対して電気的に絶縁するように前記ケース内に固定され、前記コンデンサエレメントに前記第1及び第2の内部配線がそれぞれ電気的に接続され、
前記ケース外部に前記第1及び第2の外部端子が互いに離間して当設固定され、前記第1の外部端子と前記第1の内部配線とが電気的に接続され、前記コンデンサケース端子導体が前記ケース外部に前記絶縁物を介して当設固定され、前記第2の外部端子と前記コンデンサケース端子導体が電気的に接続されると共に、前記第2の内部配線と前記コンデンサケース端子導体に流れる電流方向が逆であって、前記第2の内部配線及び前記コンデンサケース端子導体を近接させることにより磁気結合を強めるようにしたことを特徴とする電力変換装置である。
In order to achieve the above object, the invention corresponding to
The capacitor of the snubber circuit includes a conductive case, first and second external terminals, a capacitor element, first and second internal wirings, an insulator, and a capacitor case terminal conductor.
The capacitor element is housed in the conductive case, the capacitor element is housed in the case, and is fixed in the case so as to be electrically insulated from the case. And the second internal wiring are respectively electrically connected,
The first and second external terminals are spaced apart and fixed to the outside of the case, the first external terminal and the first internal wiring are electrically connected, and the capacitor case terminal conductor is The second external terminal and the capacitor case terminal conductor are electrically connected to the outside of the case via the insulator, and flow to the second internal wiring and the capacitor case terminal conductor. The power conversion device is characterized in that the current direction is reversed and magnetic coupling is strengthened by bringing the second internal wiring and the capacitor case terminal conductor close to each other.
請求項2に対応する発明によれば、前記導電性ケース内に前記コンデンサエレメントが収納され、前記コンデンサエレメントは前記ケース内に収納され、前記ケースに対して電気的に絶縁するように前記ケース内に固定され、前記コンデンサエレメントに前記第1及び第2の内部配線がそれぞれ電気的に接続され、
前記ケース外部に前記第1及び第2の外部端子が互いに離間して当設固定され、前記第1の外部端子と前記第1の内部配線とが電気的に接続され、前記コンデンサケース端子導体が前記ケース外部に前記絶縁物を介して当設固定され、前記第2の外部端子と前記コンデンサケース端子導体が電気的に接続されると共に、前記第2の内部配線と前記コンデンサケース端子導体に流れる電流方向が逆であって、前記第2の内部配線及び前記コンデンサケース端子導体を近接させることにより磁気結合を強めるようにしたので、一括スナバ回路の配線ループインダクタンスを小さくすることができ、更に配線ループインダクタンスを低減するために、電流方向が反対向きであるコンデンサケース電位をもつ内部配線とコンデンサケースとの距離を密接にして相互インダクタンスを大きくすることができ、この結果、コンデンサ内部インダクタンスを低減することができる。
According to the invention corresponding to
The first and second external terminals are spaced apart and fixed to the outside of the case, the first external terminal and the first internal wiring are electrically connected, and the capacitor case terminal conductor is The second external terminal and the capacitor case terminal conductor are electrically connected to the outside of the case via the insulator, and flow to the second internal wiring and the capacitor case terminal conductor. Since the current direction is reversed and the magnetic coupling is strengthened by bringing the second internal wiring and the capacitor case terminal conductor close to each other, the wiring loop inductance of the collective snubber circuit can be reduced, and further the wiring In order to reduce the loop inductance, the distance between the capacitor case and the internal wiring having the capacitor case potential with the opposite current direction is closely To be able to increase the mutual inductance, as a result, it is possible to reduce the capacitor internal inductance.
請求項3に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、 前記内部配線を複数のリード線で構成したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電力変換装置である。
The invention corresponding to
請求項3に対応する発明によれば、電流方向が反対向きであるコンデンサケース電位をもつ内部配線を複数リード線で構成し、ケースとの距離を密接にすることで相互インダクタンスを大きくし、コンデンサ内部インダクタンスを低減するものである。
According to the invention corresponding to
請求項4に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記内部配線を平板導体で構成したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電力変換装置である。
The invention corresponding to claim 4 is as follows. That is, the power converter according to claim 1 or
請求項4に対応する発明によれば、ケースと内部配線との距離を密接にすることで相互インダクタンスを大きくし、コンデンサ内部インダクタンスを低減するものである。 According to the invention corresponding to claim 4, the mutual inductance is increased by reducing the distance between the case and the internal wiring, and the internal inductance of the capacitor is reduced.
請求項5に対応する発明は、次のようにしたものである。すなわち、前記内部配線は前記ケースと絶縁し、前記ケース外部であって前記端子と外部配線を電気的に接続すると共に、該外部配線を前記内部配線の電流方向が反対向きとなるように配設したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電力変換装置である。
The invention corresponding to
請求項5に対応する発明によれば、ケース電位と絶縁された場合、内部配線と電流方向が反対向きとなるように外部配線を行い、その外部配線とコンデンサケースとの距離を密接にすることにより相互インダクタンスを大きくして、配線ループインダクタンスを低減するものである。この場合、ケース電位は浮遊電位となるため、外部配線とコンデンサケース間は絶縁物などで絶縁する必要がある。
According to the invention corresponding to
本発明によれば、スナバコンデンサの内部インダクタンスが低減される為、一括スナバ回路の配線ループインダクタンスの極小化が可能となり、電力変換装置を構成する半導体素子各々個別にスナバ回路を設けることなく電源に一括スナバのみ設けるだけでサージ電圧を抑制できる。 According to the present invention, since the internal inductance of the snubber capacitor is reduced, it is possible to minimize the wiring loop inductance of the collective snubber circuit, and it is possible to use the power supply without providing a snubber circuit for each of the semiconductor elements constituting the power converter. Surge voltage can be suppressed simply by providing a collective snubber.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1の実施の形態)
本発明の実施の形態であるIEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)を用いた、例えば3レベルNPC電力変換装置について図1〜図4を用いて説明する。
(First embodiment)
A three-level NPC power converter using, for example, an IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
図1に示すように、本実施の形態における主回路は、直流電源である平滑コンデンサ1と、IEGTとこのIEGTに逆並列接続されたダイオードとからなる第1〜4のスイッチング素子6〜9と、第1及び第2の結合ダイオード10,11と、コンデンサ12a(以下スナバコンデンサ)とダイオード12b(以下スナバダイオード)と放電抵抗器12cとからなるスナバ回路12とから構成されている。このグループ単位で1相とし、U相、V相、W相の3レベルNPC主回路を構成している。
As shown in FIG. 1, the main circuit in the present embodiment includes a smoothing capacitor 1 that is a DC power supply, first to
次に、上記主回路を実装する半導体スタック18について説明する。一般に、主回路は、風冷または水冷により、冷却されている。図2は、図1に示した主回路半導体素子1相分を縦列配置締結して構成する水冷式の半導体スタック18を示している。但し、水冷用配管についての説明は省略する。
Next, the semiconductor stack 18 on which the main circuit is mounted will be described. Generally, the main circuit is cooled by air cooling or water cooling. FIG. 2 shows a water-cooled
図2に示すように、半導体スタック18において、第1及び第2の結合ダイオード10,11は、中性点ブスバー14Cを介して直列に半導体スタック18の中央に配置する。結合ダイオード10,11の中性点の電極となるブスバー14Cを境にして、図中右側になる正極側には、第1の結合ダイオード10、絶縁スペーサ16、第1及び第2のIEGT6,7、IEGT6,7を冷却する冷却フィン13を介して配置している。また、図中左側になる負極側には、第2の結合ダイオード11、絶縁スペーサ16、第3及び第4のIEGT8,9、IEGT8,9を冷却する冷却フィン13を介して配置している。
As shown in FIG. 2, in the
そして、IEGT8、9、結合ダイオード10,11、冷却フィン13、絶縁スペーサ16は、一括で所定の圧力で締結されている。このように一括に締結した例えば串状のスタックは以下に説明するように、直流電源Edに設け一括スナバ回路12を取り付ける。
The
スナバコンデンサ12aのケース12a1自身の材質は、導電材料である黄銅等で電極を形成しており、そのケース12a1は、IEGT6,9を冷却する冷却フィン13に直接取り付けている。他方の端子は複数本で構成され、碍子12a2を有し、ケース12a1とは電気的に絶縁されており、スナバダイオード12bの一端(アノード電極またはカソード電極に直付けしている。スナバダイオード12bの他方の端子は中性点電位であり、スナバダイオ一ド12bの冷却フィン17に直付けしている。
The material of the case 12a1 itself of the
また、スナバダイオード12bの端子の接続と冷却を兼ねる冷却フィン17は、NPC回路の中性点である中性点ブスバー14cに取り付けられている。中性点ブスバー14cは、半導体スタック18の中央部に配置した結合ダイオード10、11のカソード電極とアノード電極との間にあり、T形形状をしている。そのT形の水平部分のブスバーは、スナバダイオード12bを冷却する冷却フィン17平面の面積以上の幅広導体になっている。
Further, the cooling
実施の形態による半導体スタック18でのプラス(正極)、零(中性点)、マイナス(負極)の3レベルを出力するNPC通電モードについて、図2及び図3を用いて説明する。
An NPC energization mode that outputs three levels of positive (positive electrode), zero (neutral point), and negative (negative electrode) in the
尚、マイナスレベルの出力モードについては、プラス出力モードの電流方向が反転しただけで、半導体スタック内の素子、冷却片及びブスバーに対する通電方向の関係は同じであるので、説明は省略する。 The minus level output mode is not described because the current direction of the plus output mode is just reversed and the relationship of the energization direction with respect to the elements, the cooling pieces, and the bus bars in the semiconductor stack is the same.
プラス出力の回路図での通電モードを図3のA矢印、B矢印で示す。直流電源である正極ブスバー14PからIEGT6→IEGT7→出力ブス14Uの順番で電流が流れる。このIEGT6,7を実装した半導体スタック18においての電流の流れは、図2に示す矢印Aの方向に、正極ブスバー14P→冷却フィン13→IEGT6→冷却フィン13→IEGT7→冷却フィン13→出カブスバー14Uの経路で流れる。
The energization mode in the plus output circuit diagram is indicated by arrows A and B in FIG. A current flows in the order of IEGT6 → IEGT7
零出力の回路図での通電モードを図3のB矢印、C矢印で示している。直流電源の中性点ブスバー14Cから、第1の結合ダイオード10→IEGT7→出カブスバー14Uと、出カブスバー14U→IEGT8→第2の結合ダイオード11→中性点ブスバー14Cの順番で電流が流れる。この結合ダイオード10とIEGT7を実装した半導体スタック18においての電流の流れは、図6の矢印Bの方向に、中性点のブスバー14C→結合ダイオード10→冷却フィン13→ブスバー15P→冷却フィン13→IEGT7→冷却フィン13→出カブスバー14Uと、出カブスバー14U→冷却フィン13→IEGT8→冷却フィン13→ブスバー15N→冷却フィン13→結合ダイオード11→中性点ブスバー14Cの経路で流れる。
The energization mode in the circuit diagram of zero output is indicated by arrows B and C in FIG. From the neutral
この通電モードでのサージ電圧の発生原理について、図4を用いて説明する。今、図3に示すようにIEGT6とIEGT7がオン状態で負荷電流1Lが流れている時、図8の時刻t1でIEGT6のゲート電圧Vgeを負バイアスすると、IEGT6はオフされ電圧が上昇し、IEGT6を流れていた電流Icは減少する。この時の電流減少率(−dl/dt)と配線インダクタンスにより半導体素子IEGT6にはサージ電圧が発生する。図4の時刻t2で発生するサージ電圧Vs1は以下の(1)式で示される。サージ電圧を抑えるには、後述する配線インダクタンス(L)の低減とスナバコンデンサの内部インダクタンス(Ls)の低減と過渡オン電圧(Vfr)の小さいダイオードが必要である。 The generation principle of the surge voltage in this energization mode will be described with reference to FIG. Now, as shown in FIG. 3, when IEGT6 and IEGT7 are on and the load current 1L flows, when the gate voltage Vge of IEGT6 is negatively biased at time t1 in FIG. 8, IEGT6 is turned off and the voltage rises. The current Ic flowing through the current decreases. A surge voltage is generated in the semiconductor element IEGT6 due to the current reduction rate (−dl / dt) and the wiring inductance at this time. The surge voltage Vs1 generated at time t2 in FIG. 4 is expressed by the following equation (1). In order to suppress the surge voltage, a diode having a low wiring inductance (L), a snubber capacitor internal inductance (Ls), and a low transient on-voltage (Vfr) is required.
Vs1=Vo+(L+Ls)・dl/dt+Vfr …… (1)
また、時刻t3で発生する電圧Vs2は次の(2)式で示される。
Vs1 = Vo + (L + Ls) · dl / dt + Vfr (1)
The voltage Vs2 generated at time t3 is expressed by the following equation (2).
Vs2=Vo+{√(Lo/C)}*Ic …… (2)
ここで、Vo:直流電圧、Lo:図3の電源コンデンサから一括スナバ回路12までのインダクタンスL、L:L1+L2+L3+L4+L5、C:スナバコンデンサ容量、Vfr:スナバDの過渡オン電圧を示す。
Vs2 = Vo + {√ (Lo / C)} * Ic (2)
Here, Vo: DC voltage, Lo: inductance L from the power supply capacitor of FIG. 3 to the
このように構成された実施の形態において、スナバコンデンサの内部インダクタンス(Ls)を低減するための構成について、図5を参照して説明する。図5は、前述した電力変換装置において、スナバ回路12のコンデンサ12aは、導電性ケース12a1と、外部端子例えば碍子12a2と、コンデンサエレメント12a4と、第1及び第2の内部配線12a6、12a6と、黄銅などの導電材料からなるケース12a1の接触防止用の絶縁物12a5と、コンデンサケース端子12a3を備え、以下のように構成されている。
In the embodiment configured as described above, a configuration for reducing the internal inductance (Ls) of the snubber capacitor will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a
すなわち、導電性ケース12a1内にコンデンサエレメント12a4が収納され、コンデンサエレメント12a4は絶縁物12a5を介してケース12a1の内壁面に当設固定され、コンデンサエレメント12a4に第1及び第2の内部配線12a6、12a6の一端がそれぞれ電気的に接続されている。 That is, the capacitor element 12a4 is accommodated in the conductive case 12a1, and the capacitor element 12a4 is fixed to the inner wall surface of the case 12a1 via the insulator 12a5, and the first and second internal wirings 12a6, One end of 12a6 is electrically connected to each other.
また、ケース12a1の外部に碍子12a2及びコンデンサケース端子12a3を互いに離間して当設固定され、碍子12a2と第1の内部配線12a6の他端とが電気的に接続され、ケース12a1と第2の内部配線12a6の他端が電気的に接続されると共に、第2の内部配線12a6とケース12a1に流れる電流方向が逆であって、第2の内部配線12a6及び前記ケース12a1に流れる電流によってそれぞれ生ずる磁束を相殺するように、つまり第2の内部配線12a6及びケース12a1を近接させることにより磁気結合を強めるようにしたものである。 In addition, the insulator 12a2 and the capacitor case terminal 12a3 are spaced apart and fixed to the outside of the case 12a1, and the insulator 12a2 and the other end of the first internal wiring 12a6 are electrically connected, and the case 12a1 and the second The other end of the internal wiring 12a6 is electrically connected, and the direction of the current flowing through the second internal wiring 12a6 and the case 12a1 is opposite, and is generated by the current flowing through the second internal wiring 12a6 and the case 12a1 , respectively. The magnetic coupling is strengthened by canceling out the magnetic flux, that is, by bringing the second internal wiring 12a6 and the case 12a1 close to each other.
このように電流方向Dが反対向きであるコンデンサケース電位をもつ内部配線12a6とケース12a1との距離を密接にして相互インダクタンスを大きくすることにより、内部インダクタンスを低減するものである。 By increasing the mutual inductance Thus current direction D is in the close distance between the internal wiring 12a6 and to case 12a1 with capacitor case potential is opposite, is intended to reduce the internal inductance.
このようなスナバコンデンサを使用することで、回路の配線のインダクタンスを極小化が可能となり、3レベル動作の通電モードによるスイッチング素子に加わるサージ電圧を抑制することができ、IEGTの個別スナバレス化が可能となる。 By using such a snubber capacitor, it is possible to minimize the inductance of the circuit wiring, suppress the surge voltage applied to the switching element in the energization mode of the three-level operation, and enable the IEGT to be individually snubberless. It becomes.
また、実施の形態で示すスナバコンデンサ12aの内部配線12a6の具体例として、図6に示すように複数のリード線で配線することで自己インダクタンスも低減できて、更に内部インダクタンスを低減できる。
Further, as a specific example of the internal wiring 12a6 of the
さらに、実施の形態で示すスナバコンデンサ12a6の内部配線の具体例として、図7に示すように薄くて幅の広い平板導体12a6とすることで自己インダクタンスも低減でき、更に内部インダクタンスを低減できる。 Furthermore, as a specific example of the internal wiring of the snubber capacitor 12a6 shown in the embodiment, a thin and wide flat conductor 12a6 as shown in FIG. 7 can reduce the self-inductance and further reduce the internal inductance.
図8は、図5とは異なる実施形態で、スナバコンデンサの内部インダクタンス(Ls)を低減するための構成であり、以下これについて説明する。図8は、前述した電力変換装置において、スナバ回路12のコンデンサ12aは、導電性ケース12a1と、第1及び第2の外部端子例えば碍子12a2、12a2と、コンデンサエレメント12a4と、第1及び第2の内部配線12a6、12a6と、絶縁物12a5と、コンデンサケース端子導体12a3を備えたものであって、以下のように構成したものである。
FIG. 8 shows a configuration for reducing the internal inductance (Ls) of the snubber capacitor, which is an embodiment different from FIG. 5, and this will be described below. FIG. 8 shows the power converter described above. The
すなわち、導電性ケース12a1内にコンデンサエレメント12a4が収納され、コンデンサエレメント12a4はケース12a1内に収納され、ケース12a1に対して電気的に絶縁するようにケース12a1内に固定され、コンデンサエレメント12a4に第1及び第2の内部配線12a6、12a6がそれぞれ電気的に接続されている。 That is, the capacitor element 12a4 is accommodated in the conductive case 12a1, the capacitor element 12a4 is accommodated in the case 12a1, and is fixed in the case 12a1 so as to be electrically insulated from the case 12a1, and the capacitor element 12a4 The first and second internal wirings 12a6 and 12a6 are electrically connected to each other.
また、ケース12a1外部に第1及び第2の碍子12a2、12a2が互いに離間して当設固定され、第1の碍子12a2と第1の内部配線12a6とが電気的に接続され、コンデンサケース端子導体がケース12a1外部に絶縁物12a5を介して当設固定され、第2の碍子12a2とコンデンサケース端子導体12a3が電気的に接続されると共に、第2の内部配線12a6とコンデンサケース端子導体12a3に流れる電流方向が逆であって、第2の内部配線12a6及びコンデンサケース端子導体12a3を近接させることにより磁気結合を強めるようにしたものである。 Also, the first and second insulators 12a2, 12a2 are fixedly spaced apart from each other outside the case 12a1, the first insulator 12a2 and the first internal wiring 12a6 are electrically connected, and the capacitor case terminal conductor Is fixed to the outside of the case 12a1 via an insulator 12a5, the second insulator 12a2 and the capacitor case terminal conductor 12a3 are electrically connected, and the second internal wiring 12a6 and the capacitor case terminal conductor 12a3 flow. The current direction is reversed, and the magnetic coupling is strengthened by bringing the second internal wiring 12a6 and the capacitor case terminal conductor 12a3 close to each other.
また、実施の形態で示すスナバコンデンサの端子が、図8に示すように、ケース電位と絶縁されたコンデンサ端子である場合、内部配線12a6に流れる電流方向Dと反対向きとなるように外部配線12a3を行い、その外部配線とコンデンサケース12a1との距離を密接にすることにより相互インダクタンスを大きくして、配線ループインダクタンスを低減するものである。この場合、ケース電位は浮遊電位となるため、外部配線12a3とコンデンサケース12a1間は絶縁物12a5などで絶縁する必要がある。 In addition, when the terminal of the snubber capacitor shown in the embodiment is a capacitor terminal insulated from the case potential as shown in FIG. 8, the external wiring 12a3 is opposite to the current direction D flowing through the internal wiring 12a6. In order to increase the mutual inductance by reducing the distance between the external wiring and the capacitor case 12a1, the wiring loop inductance is reduced. In this case, since the case potential is a floating potential, it is necessary to insulate the external wiring 12a3 and the capacitor case 12a1 with an insulator 12a5 or the like.
以上述べた各実施の形態によれば、スナバコンデンサの内部インダクタンスが低減される為、一括スナバ回路の配線ループインダクタンスの極小化が可能となり、電力変換装置を構成する半導体素子各々個別にスナバ回路を設けることなく電源に一括スナバのみ設けるだけでサージ電圧を抑制できる。 According to each embodiment described above, since the internal inductance of the snubber capacitor is reduced, the wiring loop inductance of the collective snubber circuit can be minimized, and the snubber circuit is individually provided for each semiconductor element constituting the power converter. Surge voltage can be suppressed only by providing a collective snubber in the power supply without providing it.
1…主回路半導体素子、2…GTO素子、2a〜5a…スナバ回路、6〜9…第1〜4のスイッチング素子、6.7…第2のIEGT、6.7…IEGT、6.9…IEGT、6…IEGT、6…半導体素子IEGT、7…IEGT、8.9…第4のIEGT、8.9…IEGT、8.9…IEGT、8…IEGT、10.11…第2の結合ダイオード、10.11…結合ダイオード、10…第1の結合ダイオード、10…結合ダイオード、11…第2の結合ダイオード、11…結合ダイオード、12a…コンデンサ、12b…ダイオード、12c…放電抵抗器、12…スナバ回路、12…一括スナバ回路、12a…スナバコンデンサ、12a1…ケース、12a2…碍子、12b…スナバダイオード、12a1…導電性ケース、12a4…コンデンサエレメント、12a6.12a6…第2の内部配線、12a5…絶縁物、12a3…コンデンサケース端子、12a6…第1の内部配線、12a6…第2の内部配線、12a6…内部配線、12a1…コンデンサケース、12a6…スナバコンデンサ、12a6…平板導体、12a2.12a2…碍子、12a3…コンデンサケース端子導体、12a2.12a2…第2の碍子、12a2…第1の碍子、12a2…第2の碍子、12a3…外部配線、13…冷却フィン、14C…中性点ブスバー、14C…ブスバー、14P…正極ブスバー、14U…出力ブス、14U…出カブスバー、15P…ブスバー、15N…ブスバー、16…絶縁スペーサ、18…半導体スタック。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Main circuit semiconductor element, 2 ... GTO element, 2a-5a ... Snubber circuit, 6-9 ... 1st-4th switching element, 6.7 ... 2nd IEGT, 6.7 ... IEGT, 6.9 ... IEGT, 6 ... IEGT, 6 ... semiconductor element IEGT, 7 ... IEGT, 8.9 ... fourth IEGT, 8.9 ... IEGT, 8.9 ... IEGT, 8 ... IEGT, 10.11 ... second coupling diode 10.11 ... coupling diode, 10 ... first coupling diode, 10 ... coupling diode, 11 ... second coupling diode, 11 ... coupling diode, 12a ... capacitor, 12b ... diode, 12c ... discharge resistor, 12 ... Snubber circuit, 12 ... Batch snubber circuit, 12a ... Snubber capacitor, 12a1 ... Case, 12a2 ... Insulator, 12b ... Snubber diode, 12a1 ... Conductive case, 12a4 ... Co Capacitor element, 12a6.12a6 ... second internal wiring, 12a5 ... insulator, 12a3 ... capacitor case terminal, 12a6 ... first internal wiring, 12a6 ... second internal wiring, 12a6 ... internal wiring, 12a1 ... capacitor case, 12a6 ... snubber capacitor, 12a6 ... flat plate conductor, 12a2.12a2 ... insulator, 12a3 ... capacitor case terminal conductor, 12a2.12a2 ... second insulator, 12a2 ... first insulator, 12a2 ... second insulator, 12a3 ... external wiring , 13 ... Cooling fin, 14C ... Neutral point bus bar, 14C ... Bus bar, 14P ... Positive electrode bus bar, 14U ... Output bus, 14U ... Out bus bar, 15P ... Bus bar, 15N ... Bus bar, 16 ... Insulating spacer, 18 ... Semiconductor stack.
Claims (5)
前記スナバ回路のコンデンサは、導電性ケースと、外部端子と、コンデンサエレメントと、第1の内部配線及び第2の内部配線と、絶縁物と、コンデンサケース端子を備え、
前記導電性ケース内に前記コンデンサエレメントが収納され、前記コンデンサエレメントは前記絶縁物を介して前記導電性ケースの内壁面に当設固定され、前記コンデンサエレメントに前記第1の内部配線及び第2の内部配線の一端がそれぞれ電気的に接続され、前記導電性ケースの外部に前記外部端子及び前記コンデンサケース端子を互いに離間して当設固定され、前記外部端子と前記第1の内部配線の他端とが電気的に接続され、前記コンデンサケース端子と前記第2の内部配線の他端が前記導電性ケースを介して電気的に接続されると共に、前記第2の内部配線と前記導電性ケースに流れる電流方向が逆であって、前記第2の内部配線及び前記導電性ケースを近接させて前記第2の内部配線及び前記導電性ケースの相互インダクタンスを大きくすることにより、内部インダクタンスを低減させるようにしたことを特徴とする電力変換装置。 A DC power source, a semiconductor stack connected to the DC power source and press-contacting a semiconductor element group consisting of a plurality of types of semiconductor elements and a cooling fin, and a parallel connection to the DC power source, and a capacitor and a diode connected in series to provide resistance A snubber circuit connected in parallel to the diode, one terminal connected to the capacitor case of the snubber circuit is disposed close to the cooling fin, and the other terminal insulated from the capacitor case is In the power converter connected to one end of the diode and the other terminal of the diode connected to the cooling fin,
The snubber circuit capacitor includes a conductive case, an external terminal, a capacitor element, a first internal wiring and a second internal wiring, an insulator, and a capacitor case terminal.
The capacitor element is housed in the conductive case, the capacitor element is fixed to the inner wall surface of the conductive case via the insulator, and the first internal wiring and the second wiring are connected to the capacitor element. One end of each internal wiring is electrically connected, and the external terminal and the capacitor case terminal are spaced apart and fixed to the outside of the conductive case. The external terminal and the other end of the first internal wiring And the capacitor case terminal and the other end of the second internal wiring are electrically connected via the conductive case, and the second internal wiring and the conductive case are connected to each other. current flow direction be reversed, the mutual inductance of said second internal wiring and is close to said conductive casing in said second internal wiring and the conductive case By increasing the power conversion device is characterized in that so as to reduce the internal inductance.
前記スナバ回路のコンデンサは、導電性ケースと、第1及び第2の外部端子と、コンデンサエレメントと、第1及び第2の内部配線と、絶縁物と、コンデンサケース端子導体を備え、
前記導電性ケース内に前記コンデンサエレメントが収納され、前記コンデンサエレメントは前記ケース内に収納され、前記ケースに対して電気的に絶縁するように前記ケース内に固定され、前記コンデンサエレメントに前記第1及び第2の内部配線がそれぞれ電気的に接続され、
前記ケース外部に前記第1及び第2の外部端子が互いに離間して当設固定され、前記第1の外部端子と前記第1の内部配線とが電気的に接続され、前記コンデンサケース端子導体が前記ケース外部に前記絶縁物を介して当設固定され、前記第2の外部端子と前記コンデンサケース端子導体が電気的に接続されると共に、前記第2の内部配線と前記コンデンサケース端子導体に流れる電流方向が逆であって、前記第2の内部配線及び前記コンデンサケース端子導体を近接させることにより磁気結合を強めるようにしたことを特徴とする電力変換装置。 A DC power source, a semiconductor stack connected to the DC power source and press-contacting a semiconductor element group consisting of a plurality of types of semiconductor elements and a cooling fin, and a parallel connection to the DC power source, and a capacitor and a diode connected in series to provide resistance A snubber circuit connected in parallel to the diode, one terminal connected to the capacitor case of the snubber circuit is disposed close to the cooling fin, and the other terminal insulated from the capacitor case is In the power converter connected to one end of the diode and the other terminal of the diode connected to the cooling fin,
The capacitor of the snubber circuit includes a conductive case, first and second external terminals, a capacitor element, first and second internal wirings, an insulator, and a capacitor case terminal conductor.
The capacitor element is housed in the conductive case, the capacitor element is housed in the case, and is fixed in the case so as to be electrically insulated from the case. And the second internal wiring are respectively electrically connected,
The first and second external terminals are spaced apart and fixed to the outside of the case, the first external terminal and the first internal wiring are electrically connected, and the capacitor case terminal conductor is The second external terminal and the capacitor case terminal conductor are electrically connected to the outside of the case via the insulator, and flow to the second internal wiring and the capacitor case terminal conductor. A power conversion device characterized in that the current direction is reversed, and magnetic coupling is strengthened by bringing the second internal wiring and the capacitor case terminal conductor close to each other.
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