JP4664063B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
11:吸引口
12:貫通孔
12a:シール用の誘電体層
13:吸着溝
13a:吸引孔
17(R1):放電領域
18、19:平板電極
20:固体誘電体層
Claims (6)
- 間隔を隔てて対向する一対の平行平板型の電極を備え、前記電極の間に処理ガスを導入し、1.333×104〜10.664×104Paの圧力下で前記電極間に電界を印加して発生するプラズマにより基材の表面処理を行なうプラズマ処理装置であって、
前記一対の電極の少なくとも一方に形成された誘電体層に、前記基材を吸着固定する吸着溝が、前記電極表面が露出することの無い状態で形成されているプラズマ処理装置。 - 前記吸着溝のうち、前記基材で覆われない部分にシール用の誘電体層が配置されている請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記吸着溝と、前記吸着溝に前記基材を吸引する吸引装置が接続される吸引口とが、貫通孔を介して接続されている請求項1または2記載のプラズマ処理装置。
- 前記一対の電極を構成する一方の電極が、対向した状態でその間隔を維持しながら移動することにより前記表面処理を行なうように設置され、
前記吸引口は、前記一方の電極の移動によって形成される対向領域から離間した位置に形成されている請求項3記載のプラズマ処理装置。 - 前記吸引口は、前記基材の搬入出領域から離間した位置に形成されている請求項3または4記載のプラズマ処理装置。
- 前記一対の電極を構成する一方の電極が、対向した状態でその間隔を維持しながら移動することにより前記表面処理を行なうように設置され、
前記貫通孔は、前記一方の電極の移動によって形成される対向領域の外部に形成されている請求項3から5の何れかに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004375944A JP4664063B2 (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | プラズマ処理装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2006185660A JP2006185660A (ja) | 2006-07-13 |
JP4664063B2 true JP4664063B2 (ja) | 2011-04-06 |
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JP2004375944A Expired - Fee Related JP4664063B2 (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | プラズマ処理装置 |
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JP (1) | JP4664063B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5485742B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-05-07 | セイコーインスツル株式会社 | 液晶表示装置 |
CN107911931A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-04-13 | 南京苏曼等离子科技有限公司 | 常压低温等离子体处理种子设备和操作方法 |
CN109168243B (zh) * | 2018-10-15 | 2024-07-16 | 南京苏曼等离子科技有限公司 | 一种常温常压等离子体板材、膜片材或微小材料处理设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004228136A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004311066A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004311581A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 常圧プラズマ処理装置の電極構造 |
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2004
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004228136A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004311066A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004311581A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 常圧プラズマ処理装置の電極構造 |
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Publication number | Publication date |
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JP2006185660A (ja) | 2006-07-13 |
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A621 | Written request for application examination |
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