JP4661134B2 - メモリ制御方法および装置 - Google Patents
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Description
2 DDR−SDRAM
3 プロセッサ
4 システムバス
10、10−0、10−1 データリード制御部
11−0L、11−0H、11−1L、11−1H ラッチ
20−0L、20−0H、20−1L、20−1H ラッチ
21−0L、21−0H、21−1L、21−1H ラッチ
30−0、30−1 DLL
40、40−0、40−1 選択部
50、50−0、50−1 判定部
60 システムバスインタフェイス
70 DDRインタフェイス
80 データライト制御部
Claims (8)
- 複数のストローブ信号を出力するとともに該ストローブ信号に同期してデータを出力するメモリ装置を制御するメモリ制御方法であって、
メモリ装置が出力するデータを、該メモリ装置が出力する複数のストローブ信号のうち、少なくとも2つのストローブ信号のそれぞれに基づいて取り込み、該取り込んだデータの正誤を判定し、該判定により正と判定されたデータを選択して出力することを特徴とするメモリ制御方法。 - 前記選択は、前記ストローブ信号のうち特定のストローブ信号で取り込んだデータが誤りと判定された場合に、該特定のストローブ信号とは別のストローブ信号で取り込んだデータを出力することにより行われることを特徴とする請求項1記載のメモリ制御方法。
- 前記判定は、前記メモリ装置の初期化処理時に行われることを特徴とする請求項1記載のメモリ制御方法。
- 前記ストローブ信号は、前記メモリ装置に接続された複数の信号線のそれぞれから出力され、該信号線のうち対称に配置された少なくとも2つの信号線のそれぞれから出力されるストローブ信号に基づいて前記データを取り込むことを特徴とする請求項1記載のメモリ制御方法。
- 複数のストローブ信号を出力するとともに該ストローブ信号に同期してデータを出力するメモリ装置を制御するメモリ制御装置において、
メモリ装置が出力するデータを、該メモリ装置が出力する複数のストローブ信号のうち、少なくとも2つのストローブ信号のそれぞれに基づいて取り込むデータ取得手段と、
前記データ取得手段が取り込んだデータのいずれかを選択して出力する選択手段と、
前記選択手段が選択したデータの正誤を判定する判定手段と
を具備し、
前記選択手段は、前記判定手段の判定結果に基づいて選択するデータを変更する
ことを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記判定手段は、前記選択手段が選択したデータが誤りと判定された場合に、前記選択手段に該誤りと判定されたデータを取り込んだストローブ信号とは別のストローブ信号で取り込んだデータ選択させることを特徴とする請求項5記載のメモリ制御装置。
- 前記判定手段は、前記メモリ装置の初期化処理時に前記判定を行うことを特徴とする請求項5記載のメモリ制御装置。
- 前記ストローブ信号は、前記メモリ装置に接続された複数の信号線のそれぞれから出力され、
前記データ取得手段は、前記信号線のうち対称に配置された少なくとも2つの信号線のそれぞれから出力されるストローブ信号に基づいて前記データを取り込む
ことを特徴とする請求項5記載のメモリ制御装置。
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---|---|---|---|---|
JP2001195884A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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JP2004185608A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | データのラッチタイミング調整装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003173290A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Ricoh Co Ltd | メモリ制御装置 |
US6760263B2 (en) * | 2002-03-22 | 2004-07-06 | Via Technologies, Inc. | Method and device for controlling data latch time |
JP2004185608A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | データのラッチタイミング調整装置 |
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