JP4655117B2 - Manufacturing method of chip parts - Google Patents

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Description

本発明は、チップ部品の製造方法に関し、より詳細にはチップ部品をバレル研磨する工程を含むチップ部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a chip part manufacturing method, and more particularly to a chip part manufacturing method including a step of barrel polishing the chip part.

セラミック電子部品等のチップ部品の製造方法において、チップ部品の稜線部やコーナー部が尖っていると、当該稜線部等に欠けや割れが発生するいわゆるチッピングと呼ばれる現象が発生することが問題となっていた。   In a method of manufacturing a chip component such as a ceramic electronic component, when a ridge line portion or a corner portion of the chip component is sharp, a phenomenon called chipping, in which the ridge line portion or the like is chipped or cracked, is a problem. It was.

上記のような問題を解決するための従来技術としては、例えば、セラミック焼成体を得た後に、セラミック焼成体をバレル研磨することによって、チップ部品の稜線部に丸みをつける製造方法が知られている(特許文献1等参照)。   As a conventional technique for solving the above problems, for example, a manufacturing method is known in which, after obtaining a ceramic fired body, the ceramic fired body is barrel-polished to round the ridge line portion of the chip component. (Refer to patent document 1 etc.).

しかしながら、従来技術に係る製造方法では、焼成後にバレル研磨を行っているため、チップ部品を焼成する前の工程においてチッピングが発生しやすいという問題を有している。また、従来技術に係る製造方法では、回転数の上昇速度が大きい場合、チップ部品に加わる負荷が大きくなりすぎて研磨中にチッピングが発生しやくなる一方で、回転数の上昇速度が小さい場合、バレル研磨に長時間を要するという課題を有していた。
特開平8−316088号公報
However, in the manufacturing method according to the prior art, since barrel polishing is performed after firing, there is a problem that chipping is likely to occur in the step before firing the chip component. Further, in the manufacturing method according to the prior art, when the rotational speed increase rate is large, the load applied to the chip component becomes too large and chipping is likely to occur during polishing, while the rotational speed increase rate is small, There was a problem that barrel polishing took a long time.
JP-A-8-316088

本発明の目的は、チップ部品の欠けや割れの発生を防止したチップ部品の製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a chip component that prevents chipping and cracking of the chip component.

上記目的を解決するため、本発明に係るチップ部品の製造方法は、
複数の焼成前チップ部品を準備する工程と、
前記複数の焼成前チップ部品をバレル容器に投入する工程と、
前記バレル容器の回転数を第1の速度で上昇させる第1段階と、前記第1段階の後に前記バレル容器の前記回転数を前記第1の速度より小さい第2の速度で上昇させる第2段階と、を含む複数の段階で前記バレル容器の前記回転数を制御し、前記焼成前チップ部品をバレル研磨する研磨工程と、
前記焼成前チップ部品を焼成する工程と、を有する。
In order to solve the above object, a method for manufacturing a chip component according to the present invention includes:
Preparing a plurality of pre-fired chip parts;
Introducing the plurality of pre-fired chip parts into a barrel container;
A first stage of increasing the rotational speed of the barrel container at a first speed; and a second stage of increasing the rotational speed of the barrel container at a second speed smaller than the first speed after the first stage. A polishing step for controlling the number of rotations of the barrel container in a plurality of stages including, and barrel-polishing the chip part before firing, and
Firing the pre-fired chip component.

本発明に係るチップ部品の製造方法は、互いに異なる速度でバレル容器の回転数を上昇させる複数の段階でバレル容器の回転数を制御し、焼成前チップ部品をバレル研磨する。バレル容器の回転数を、焼成前チップの研磨状態に合わせて適切に調整することによって、研磨中にチップに過剰な負荷が加わることを抑制し、チッピングを防止することができる。また、本発明に係るチップ部品の製造方法は、焼成前チップ部品をバレル研磨するため、焼成前チップ部品を製造した後、焼成する工程までにおけるチッピングを防止できる。   In the chip part manufacturing method according to the present invention, the rotational speed of the barrel container is controlled at a plurality of stages in which the rotational speed of the barrel container is increased at different speeds, and the chip part before firing is barrel-polished. By appropriately adjusting the number of rotations of the barrel container according to the polishing state of the chip before firing, it is possible to suppress an excessive load from being applied to the chip during polishing and to prevent chipping. In addition, since the chip part manufacturing method according to the present invention barrel-polls the chip part before firing, chipping before the firing process can be prevented after the chip part before firing is manufactured.

また、本発明に係るチップ部品の製造方法では、前記研磨工程において、前記焼成前チップ部品は、乾式でバレル研磨されてもよい。   Moreover, in the chip component manufacturing method according to the present invention, in the polishing step, the chip component before firing may be dry-type and barrel-polished.

乾式でバレル研磨を行うことによって、湿式でバレル研磨を行う場合に比べて、バレル研磨中に液体成分等がチップ部品の内部に侵入することが抑制されるため、良好な電気的特性を有するチップ部品を得ることができる。また、本発明に係るチップ部品の製造方法は、バレル容器の回転数を焼成前チップの研磨状態に合わせて適切に調整できるため、乾式で研磨した場合でも、焼成前チップに加わる摩擦圧力を適切に調整して、研磨中のチッピングを防止することができる。   Chips with good electrical characteristics can be obtained by performing dry barrel polishing, compared to when wet barrel polishing is performed, because liquid components and the like are prevented from entering the chip components during barrel polishing. Parts can be obtained. In addition, since the chip container manufacturing method according to the present invention can appropriately adjust the number of rotations of the barrel container in accordance with the polishing state of the chip before firing, the friction pressure applied to the chip before firing is adequate even when dry polishing is performed. To prevent chipping during polishing.

また、本発明に係るチップ部品の製造方法では、前記研磨工程において、前記焼成前チップ部品は、メディアレスでバレル研磨されてもよい。   In the chip component manufacturing method according to the present invention, in the polishing step, the pre-fired chip component may be barrel-polished without a medium.

メディアを用いずにバレル研磨することによって、研磨後にメディアとチップ部品を分離する工程を省略することが可能であるため、チップ部品の製造が効率化できる。また、研磨中に、メディアを構成する物質が、チップ分の内部に侵入し、チップ部品の特性に悪影響を与えることを防止できる。   By barrel-polishing without using a medium, it is possible to omit the step of separating the media and the chip component after the polishing, so that the production of the chip component can be made more efficient. Further, it is possible to prevent a substance constituting the medium from entering the inside of the chip during polishing and adversely affecting the characteristics of the chip component.

また、前記第1段階における前記第1の速度は、1分間に750回転以下の割合で前記回転数を上昇させる速度であってもよい。特にバレル研磨を開始した直後におけるバレル容器の前記回転数の上昇速度を所定の値以下とすることによって、チッピング等の発生をさらに効果的に防止することができる。   The first speed in the first stage may be a speed that increases the number of revolutions at a rate of 750 revolutions per minute or less. In particular, the occurrence of chipping and the like can be more effectively prevented by setting the speed of increase in the rotational speed of the barrel container immediately after the start of barrel polishing to a predetermined value or less.

また、前記研磨工程では、前記第2段階の後に前記バレル容器の前記回転数を一定に保持する等速段階と、前記等速段階の後の前記バレル容器の前記回転数を下降させる減速段階とをさらに含む複数の段階で前記バレル容器の前記回転数を制御してもよい。等速段階や減速段階を含む複数の段階で前記バレル容器の前記回転数を制御することによって、チップ部品に加わる摩擦圧力をより適切に調整することができる。   Further, in the polishing step, a constant speed stage for keeping the rotational speed of the barrel container constant after the second stage, and a deceleration stage for lowering the rotational speed of the barrel container after the constant speed stage; The number of rotations of the barrel container may be controlled in a plurality of stages further including: By controlling the number of rotations of the barrel container in a plurality of stages including a constant speed stage and a deceleration stage, the friction pressure applied to the chip part can be adjusted more appropriately.

また、前記研磨工程では、前記第2段階の後に、前記バレル容器の前記回転数を上昇させる1以上の速度上昇段階をさらに含む複数の段階で前記バレル容器を制御し、当該速度上昇段階では、前記第1段階および前記第2段階を含む当該速度上昇段階より前に行われた段階において前記バレル容器の前記回転数を上昇させるいずれの速度よりも小さい速度で、前記バレル容器の前記回転数を上昇させてもよい。上昇速度が段階ごとに徐々に遅くなっていくように設定された多段階で、バレル容器の回転数を制御することによって、チップに加わる摩擦圧力をより適切に調整できる。   Further, in the polishing step, after the second stage, the barrel container is controlled in a plurality of stages further including one or more speed increasing stages for increasing the number of rotations of the barrel container, and in the speed increasing stage, The rotational speed of the barrel container is reduced at a speed smaller than any speed at which the rotational speed of the barrel container is increased in a stage performed before the speed increasing stage including the first stage and the second stage. It may be raised. The friction pressure applied to the tip can be adjusted more appropriately by controlling the number of rotations of the barrel container in multiple stages set so that the ascending speed gradually decreases with each stage.

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法によって製造されたセラミックコンデンサの一例を表す概略断面図、
図2(A)は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法に用いるバレル研磨工程前のグリーンチップの斜視図、
図2(B)は、図2(A)に示すバレル研磨工程前のグリーンチップを、II−II線に沿って切断した概略断面図、
図3(A)は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法に用いるグリーンシートを表す断面図、
図3(B)は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法に用いる内部電極パターン層を有するグリーンシートを表す断面図、
図4(A)は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造に用いるバレル研磨工程後のグリーンチップの斜視図、
図4(B)は、図3(A)に示すバレル研磨工程後のグリーンチップを、IVB−IVB線に沿って切断した概略断面図、
図5は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法に用いたバレル研磨装置の概略図、
図6は、第1実施形態および実施例1に係るチップ部品の製造方法において行われた研磨工程におけるバレル容器の回転数の時間変化を示すグラフ、
図7は、実施例2に係るチップ部品の製造方法おいて行われた研磨工程におけるバレル容器の回転数の時間変化を示すグラフ、
図8は、参考例1に係るチップ部品の製造方法において行われた研磨工程におけるバレル容器の回転数の時間変化を示すグラフ、
図9は、実施例3に係るチップ部品の製造方法について行われた研磨工程シミュレーションの結果を示すグラフ、
図10は、参考例2に係るチップ部品の製造方法について行われた研磨工程シミュレーションの結果を示すグラフである。
第1実施形態
Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a ceramic capacitor manufactured by a chip component manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2A is a perspective view of a green chip before the barrel polishing step used in the chip component manufacturing method according to one embodiment of the present invention,
FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the green chip before the barrel polishing step shown in FIG.
FIG. 3A is a cross-sectional view showing a green sheet used for a chip component manufacturing method according to an embodiment of the present invention,
FIG. 3B is a cross-sectional view showing a green sheet having an internal electrode pattern layer used in the chip component manufacturing method according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4A is a perspective view of a green chip after a barrel polishing step used for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
4B is a schematic cross-sectional view of the green chip after the barrel polishing step shown in FIG. 3A cut along the line IVB-IVB.
FIG. 5 is a schematic view of a barrel polishing apparatus used in a chip component manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a graph showing the change over time in the number of rotations of the barrel container in the polishing step performed in the chip component manufacturing method according to the first embodiment and Example 1.
FIG. 7 is a graph showing the change over time in the number of rotations of the barrel container in the polishing process performed in the method for manufacturing a chip part according to Example 2,
FIG. 8 is a graph showing the change over time in the number of rotations of the barrel container in the polishing step performed in the method of manufacturing a chip part according to Reference Example 1.
FIG. 9 is a graph showing the result of a polishing process simulation performed for the chip part manufacturing method according to Example 3,
FIG. 10 is a graph showing the results of a polishing process simulation performed for the chip component manufacturing method according to Reference Example 2.
First embodiment

図1は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法によって製造されたセラミックコンデンサ2の一例を表す概略断面図である。ただし、実施形態に係る方法によって製造されるチップ部品としては、セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品に限定されず、その他のチップ部品であってもよい。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a ceramic capacitor 2 manufactured by a chip component manufacturing method according to an embodiment of the present invention. However, the chip component manufactured by the method according to the embodiment is not limited to the multilayer ceramic electronic component such as a ceramic capacitor, and may be other chip components.

図1に示すように、本実施形態に係る製造方法によって製造された積層セラミックコンデンサ2は、コンデンサ素体4と、第1外部電極6と第2外部電極8とを有する。コンデンサ素体4は、内側誘電体層10と、内部電極層12とを有し、内側誘電体層10の間に、これらの内部電極層12が交互に積層してある。コンデンサ素体4は、その積層方向の両端面に、外側誘電体層11を有する。交互に積層される一方の内部電極層12は、コンデンサ素体4の第1端部の外側に形成してある第1外部電極6の内側に対して電気的に接続してある。また、交互に積層される他方の内部電極層12は、コンデンサ素体4の第2端部の外側に形成してある第2外部電極8の内側に対して電気的に接続してある。   As shown in FIG. 1, the multilayer ceramic capacitor 2 manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment includes a capacitor body 4, a first external electrode 6, and a second external electrode 8. The capacitor body 4 has inner dielectric layers 10 and internal electrode layers 12, and the internal electrode layers 12 are alternately stacked between the inner dielectric layers 10. The capacitor body 4 has outer dielectric layers 11 on both end faces in the stacking direction. One internal electrode layer 12 that is alternately stacked is electrically connected to the inside of the first external electrode 6 that is formed outside the first end of the capacitor body 4. The other internal electrode layers 12 that are alternately stacked are electrically connected to the inside of the second external electrode 8 formed outside the second end of the capacitor body 4.

内側誘電体層10および外側誘電体層11の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよび/またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される。各内側誘電体層10の厚みは、特に限定されないが、数μm〜数百μmのものが一般的である。また、外側誘電体層11からなる外層部の厚みは、特に限定されないが、10〜200μmの範囲とすることができる。   The material of the inner dielectric layer 10 and the outer dielectric layer 11 is not particularly limited, and is made of a dielectric material such as calcium titanate, strontium titanate and / or barium titanate. The thickness of each inner dielectric layer 10 is not particularly limited, but is generally several μm to several hundred μm. Further, the thickness of the outer layer portion made of the outer dielectric layer 11 is not particularly limited, but can be in the range of 10 to 200 μm.

外部電極6および8の材質も特に限定されないが、通常、Ni,Pd,Ag,Au,Cu,Pt,Rh,Ru,Ir等の少なくとも1種、又はそれらの合金を用いることができる。通常は、Cu,Cu合金、Ni又はNi合金等や、Ag,Ag−Pd合金、In−Ga合金等が使用される。外部電極6および8の厚みも特に限定されないが、通常10〜50μm程度である。積層セラミックコンデンサ2の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。   The material of the external electrodes 6 and 8 is not particularly limited, but usually at least one of Ni, Pd, Ag, Au, Cu, Pt, Rh, Ru, Ir, or an alloy thereof can be used. Usually, Cu, Cu alloy, Ni, Ni alloy, etc., Ag, Ag—Pd alloy, In—Ga alloy, etc. are used. The thickness of the external electrodes 6 and 8 is not particularly limited, but is usually about 10 to 50 μm. The shape and size of the multilayer ceramic capacitor 2 may be appropriately determined according to the purpose and application.

次に、本発明の一実施形態としての積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor as one embodiment of the present invention will be described.

本実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法では、まず、図2(A)および(B)に示すにように、グリーン積層体を所定の寸法に切断したグリーンチップ42を準備する。グリーンチップ42の製造方法としては特に限定されないが、例えば、以下のような方法によって製造することができる。   In the method for manufacturing a ceramic capacitor according to the present embodiment, first, as shown in FIGS. 2A and 2B, a green chip 42 in which a green laminate is cut to a predetermined size is prepared. Although it does not specifically limit as a manufacturing method of the green chip 42, For example, it can manufacture by the following methods.

グリーンチップ42を準備する工程では、まず、 図3(A)に示すように、ドクターブレード法などにより、支持体としてのキャリアシート20上に、内側グリーンシート用ペーストを塗布し、内側グリーンシート10aを形成する。形成された内側グリーンシート10aには、適切な乾燥処理が施される。    In the step of preparing the green chip 42, first, as shown in FIG. 3A, an inner green sheet paste is applied on a carrier sheet 20 as a support by a doctor blade method or the like. Form. The formed inner green sheet 10a is appropriately dried.

内側グリーンシート用ペーストは、通常、セラミック粉末と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。セラミック粉末の原料としては、複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。   The inner green sheet paste is usually composed of an organic solvent-based paste obtained by kneading ceramic powder and an organic vehicle, or an aqueous paste. The raw material for the ceramic powder is appropriately selected from various compounds to be composite oxides and oxides, such as carbonates, nitrates, hydroxides, organometallic compounds, and the like, and can be used as a mixture. An organic vehicle is obtained by dissolving a binder in an organic solvent. The binder used for the organic vehicle is not particularly limited, and may be appropriately selected from usual various binders such as ethyl cellulose and polyvinyl butyral.

次いで、図3(B)に示すように、上記にて形成した内側グリーンシート10aの表面に、内部電極パターン層用ペーストを用いて、内部電極パターン層12aを形成し、内部電極パターン層12aを有する内側グリーンシート10aを得る。内部電極パターン層12aの形成方法としては、特に限定されないが、印刷法、転写法などが例示される。   Next, as shown in FIG. 3 (B), the internal electrode pattern layer 12a is formed on the surface of the inner green sheet 10a formed above using the internal electrode pattern layer paste, and the internal electrode pattern layer 12a is formed. The inner green sheet 10a is obtained. A method for forming the internal electrode pattern layer 12a is not particularly limited, and examples thereof include a printing method and a transfer method.

内部電極パターン層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。なお、内部電極パターン層用ペーストには、必要に応じて、共材としてセラミック粉末が含まれていても良い。   The internal electrode pattern layer paste is obtained by kneading the above-mentioned organic vehicle with various conductive metals and alloys as described above, or various oxides, organometallic compounds, resinates, etc. that become the above-mentioned conductive materials after firing. Prepare. The internal electrode pattern layer paste may contain a ceramic powder as a co-material, if necessary.

次に、得られた内部電極パターン層12aを有する内側グリーンシート10aを交互に積層し、内部積層体30(図2(B))を得る。そして、得られた内部積層体30を、外側グリーンシート11aの上に積層し、さらに内部積層体30の上にも外側グリーンシート11aを積層して、グリーン積層体を得る。なお、外側グリーンシート11aに内部積層体30を積層するかわりに、外側グリーンシート11aに直接内側グリーンシート10aと内部電極パターン層12aとを交互に所定数積層してもよい。また、複数枚の内側グリーンシート10aと複数枚の内部電極パターン層12aとを交互に積層した積層体ユニットを予め作製しておき、それらを外側グリーンシート11aに所定数積層してもよい。   Next, the inner green sheets 10a having the obtained internal electrode pattern layers 12a are alternately stacked to obtain the internal stacked body 30 (FIG. 2B). And the obtained inner laminated body 30 is laminated | stacked on the outer side green sheet 11a, and also the outer side green sheet 11a is laminated | stacked also on the inner laminated body 30, and a green laminated body is obtained. Instead of laminating the inner laminate 30 on the outer green sheet 11a, a predetermined number of inner green sheets 10a and inner electrode pattern layers 12a may be alternately laminated on the outer green sheet 11a. Alternatively, a laminate unit in which a plurality of inner green sheets 10a and a plurality of internal electrode pattern layers 12a are alternately stacked may be prepared in advance, and a predetermined number of them may be stacked on the outer green sheet 11a.

外側グリーンシート11aは、内側グリーンシート10aと同様に、キャリアシート20上に、外側グリーンシート用ペーストを塗布した後、適切な乾燥処理を行うことによって得られる。外側グリーンシート用ペーストは、内側グリーンシート用ペーストと同様に、セラミック粉末と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。   Similar to the inner green sheet 10a, the outer green sheet 11a is obtained by applying an outer green sheet paste on the carrier sheet 20 and then performing an appropriate drying process. Similar to the inner green sheet paste, the outer green sheet paste is composed of an organic solvent-based paste obtained by kneading ceramic powder and an organic vehicle, or an aqueous paste.

得られたグリーン積層体を、所定の寸法に切断し、図2に示すグリーンチップ42を得る。この段階において、グリーンチップ42は、図2(A)に示すように、稜線部42aおよびコーナー部42bが尖った略直方体形状を有している。なお、グリーンチップ42を準備する工程において、各グリーンシート10a,11a、内部積層体30およびグリーンチップ42は、必要に応じて乾燥処理される。   The obtained green laminate is cut into a predetermined size to obtain a green chip 42 shown in FIG. At this stage, as shown in FIG. 2A, the green chip 42 has a substantially rectangular parallelepiped shape in which the ridge line portion 42a and the corner portion 42b are pointed. In the step of preparing the green chip 42, each of the green sheets 10a, 11a, the inner laminate 30 and the green chip 42 is dried as necessary.

次に、本実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法では、上述のようにして得られた複数のグリーンチップ42を、図5に示すバレル装置50におけるポット52に投入する。   Next, in the method for manufacturing a ceramic capacitor according to the present embodiment, the plurality of green chips 42 obtained as described above are put into the pot 52 in the barrel apparatus 50 shown in FIG.

図5に示すように、バレル装置50は、ポット52および支持部53等からなるバレル装置本体部を有しており、バレル本体部は、バレル装置外装54の内部に収納されている。本実施形態に係る製造方法に用いたバレル装置50は、遠心バレル装置であり、公転軸58を中心として回転させられる4つのポット52を有している。各ポット52は、公転軸58を中心とする円周上に、略等間隔(90度間隔)に配置されている(ただし、図5には2つのポット52のみが図示されている)。   As shown in FIG. 5, the barrel device 50 has a barrel device main body portion including a pot 52 and a support portion 53, and the barrel main body portion is housed inside a barrel device exterior 54. The barrel device 50 used in the manufacturing method according to the present embodiment is a centrifugal barrel device, and has four pots 52 that are rotated around a revolution shaft 58. The pots 52 are arranged at substantially equal intervals (90-degree intervals) on the circumference around the revolution axis 58 (however, only two pots 52 are shown in FIG. 5).

ポット52の形状は、通常、円筒状や多角柱状とされ、研磨条件により適宜変更すればよいが、本実施形態では、六角柱状である。また、ポット52には、ポット内部に投入されたグリーンチップ等を封止するための蓋60が取り付けられている。なお、本発明に係る製造方法に使用されるバレル装置50としては、遠心バレル装置に限定されず、回転バレル装置等のその他のバレル装置を使用してもよい。   The shape of the pot 52 is usually a cylindrical shape or a polygonal column shape, and may be appropriately changed depending on the polishing conditions. In the present embodiment, the shape is a hexagonal column shape. The pot 52 is provided with a lid 60 for sealing a green chip or the like put into the pot. In addition, as the barrel apparatus 50 used for the manufacturing method which concerns on this invention, it is not limited to a centrifugal barrel apparatus, You may use other barrel apparatuses, such as a rotation barrel apparatus.

バレル装置50の支持部53には、不図示の制御部によって回転数を制御可能な公転軸58が取り付けられている。公転軸58には、公転軸58と一体となって回転する公転板55が固定されている。さらに、公転板55の上面には、自転軸51を介して、ポットホルダ56取り付けられている。   A revolving shaft 58 whose rotational speed can be controlled by a control unit (not shown) is attached to the support unit 53 of the barrel device 50. A revolution plate 55 that rotates integrally with the revolution shaft 58 is fixed to the revolution shaft 58. Further, a pot holder 56 is attached to the upper surface of the revolution plate 55 via a rotation shaft 51.

グリーンチップ42を投入するポット52は、ポットホルダ56に取り付けられ、ポットホルダ56とともに公転軸58を中心として回転させられるため、グリーンチップ42に遠心力が加えられる。さらに、図5に示すポット52は、公転板55に取り付けられた自転軸51を中心として回転可能となっている。   The pot 52 into which the green chip 42 is inserted is attached to the pot holder 56 and is rotated about the revolution shaft 58 together with the pot holder 56, so that centrifugal force is applied to the green chip 42. Further, the pot 52 shown in FIG. 5 is rotatable around a rotation shaft 51 attached to the revolution plate 55.

すなわち、不図示の制御部は、公転軸58の回転数と、自転軸51の回転数とを、必要に応じて独立に制御することができる。したがって、バレル装置50は、各回転数を制御することによって、ポット52に投入されたグリーンチップ42に対して適切な遠心力を加え、バレル研磨を行うことができる。なお本願明細書および特許請求の範囲において、ポット52の回転は、自転軸51を中心とするポット52の自転と、公転軸58を中心とするポット52の公転とを含む。   That is, a control unit (not shown) can independently control the rotation speed of the revolution shaft 58 and the rotation speed of the rotation shaft 51 as necessary. Therefore, the barrel device 50 can perform barrel polishing by controlling the number of rotations to apply an appropriate centrifugal force to the green chip 42 put in the pot 52. In the present specification and claims, the rotation of the pot 52 includes the rotation of the pot 52 around the rotation axis 51 and the revolution of the pot 52 around the revolution axis 58.

本実施形態では、ポット52に水等の液体を投入せず、乾式にてバレル研磨を行う。乾式でバレル研磨を行うことによって、研磨中に水分等の液体成分がグリーンチップ42に侵入し、焼成後の電気的特性を悪化させることを防止できる。   In the present embodiment, liquid such as water is not poured into the pot 52, and barrel polishing is performed in a dry manner. By performing barrel polishing in a dry manner, it is possible to prevent liquid components such as moisture from entering the green chip 42 during polishing and deteriorating electrical characteristics after firing.

また、本実施形態に係るバレル研磨では、グリーンチップ42とともに、メディア(研磨媒体)を投入してもよい。メディアとしては、アルミナボール、シリカボールまたはジルコニアボール等を用いることができる。しかし、本実施形態に係るバレル研磨では、メディアをポット52に投入せず、メディアレスで研磨を行ってもよい。   In the barrel polishing according to the present embodiment, a medium (polishing medium) may be input together with the green chip 42. As the media, alumina balls, silica balls, zirconia balls, or the like can be used. However, in barrel polishing according to the present embodiment, media may be polished without putting media into the pot 52.

メディアレスで研磨を行うことによって、メディアを構成する物質が、グリーンチップ42内に侵入し、焼成後の電気的特性を悪化させることを防止できる。また、研磨後にグリーンチップ42とメディアとを分離させる工程を省略できるため、製造工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。   By performing medialess polishing, it is possible to prevent substances constituting the media from entering the green chip 42 and deteriorating electrical characteristics after firing. Moreover, since the process of separating the green chip 42 and the media after polishing can be omitted, the manufacturing process can be simplified and the productivity can be improved.

本実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法では、複数のグリーンチップ42を、図5に示すバレル装置50のポット52に投入した後、ポット52を回転させてバレル研磨を行い、図2(A)に示す稜線部42aやコーナー部42bに丸みをつける。図5に示すバレル装置50では、公転軸58と自転軸51のいずれか一方のみを回転させてバレル研磨をおこなってもよく、また、公転軸58と自転軸51の両方を回転させながらバレル研磨をおこなってもよい。   In the method for manufacturing a ceramic capacitor according to the present embodiment, after putting a plurality of green chips 42 into the pot 52 of the barrel apparatus 50 shown in FIG. 5, the pot 52 is rotated to perform barrel polishing. The ridgeline part 42a and the corner part 42b shown in FIG. In the barrel apparatus 50 shown in FIG. 5, barrel polishing may be performed by rotating only one of the revolution shaft 58 and the rotation shaft 51, or barrel polishing while rotating both the revolution shaft 58 and the rotation shaft 51. You may do.

本実施形態では、自転軸51を固定した状態で、公転軸58のみを回転させてバレル研磨を行う。図6は、図5に示す公転軸58に取り付けられたポット52の回転数の時間変化を表したものである。本実施形態における研磨工程では、公転軸58の回転数を、公転軸58(ポット52)の回転数の上昇速度が互いに異なる第1〜第4段階で制御しながら上昇させる。ポット52は、図5に示す公転板55およびポットホルダ56等を介して公転軸58に固定されているため、公転軸58と同一の回転数で、公転軸58の周りを回転する。   In the present embodiment, barrel polishing is performed by rotating only the revolution shaft 58 while the rotation shaft 51 is fixed. FIG. 6 shows the change over time of the rotational speed of the pot 52 attached to the revolution shaft 58 shown in FIG. In the polishing process in the present embodiment, the rotational speed of the revolution shaft 58 is increased while controlling the rotational speed of the revolution shaft 58 (pot 52) in the first to fourth stages, which are different from each other. Since the pot 52 is fixed to the revolution shaft 58 via the revolution plate 55 and the pot holder 56 shown in FIG. 5, the pot 52 rotates around the revolution shaft 58 at the same rotational speed as the revolution shaft 58.

すなわち、回転開始〜回転開始後3分までの第1段階61では、バレル装置50の制御部は、ポット52(公転軸58)の回転数を第1の速度で上昇させる。第1の速度は、ポット52の回転数を、一分間に略27回転の割合で上昇させる速度である。第1段階61によって、ポット52の回転数は、80rpmに到達する。   That is, in the first stage 61 from the start of rotation to 3 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 increases the rotation speed of the pot 52 (revolution shaft 58) at the first speed. The first speed is a speed at which the number of rotations of the pot 52 is increased at a rate of approximately 27 rotations per minute. By the first step 61, the rotation speed of the pot 52 reaches 80 rpm.

回転開始後3分から10分までの第2段階62では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第2の速度で上昇させる。第2の速度は、ポット52の回転数を、一分間に略9回転の割合で上昇させる速度である。第2段階62によって、ポット52の回転数は、140rpmに到達する。   In the second stage 62 from 3 minutes to 10 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 increases the rotation speed of the pot 52 at the second speed. The second speed is a speed at which the number of rotations of the pot 52 is increased at a rate of about 9 rotations per minute. By the second stage 62, the rotational speed of the pot 52 reaches 140 rpm.

回転開始後10分から15分までの第3段階63では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第3の速度で上昇させる。第3の速度は、ポット52の回転数を、一分間に略4回転の割合で上昇させる速度である。第3段階63によって、ポット52の回転数は、160rpmに到達する。   In the third stage 63 from 10 minutes to 15 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 increases the rotation speed of the pot 52 at the third speed. The third speed is a speed at which the number of rotations of the pot 52 is increased at a rate of about 4 rotations per minute. According to the third stage 63, the rotational speed of the pot 52 reaches 160 rpm.

回転開始後15分から25分までの第4段階64では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第4の速度で上昇させる。第4の速度は、ポット52の回転数を、一分間に略2回転の割合で上昇させる速度である。第4段階64によって、ポット52の回転数は、180rpmに到達する。   In the fourth stage 64 from 15 minutes to 25 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 increases the rotational speed of the pot 52 at the fourth speed. The fourth speed is a speed at which the number of rotations of the pot 52 is increased at a rate of approximately two rotations per minute. According to the fourth stage 64, the rotational speed of the pot 52 reaches 180 rpm.

回転開始後25分から45分までの等速段階65では、ポット52の回転数を180rpmに保持した後、回転開始後45分から50分までの減速段階66では、ポット52の回転数を第7の速度で下降させる。第7の速度は、ポット52の回転数を、一分間に略36回転の割合で下降させる速度である。減速段階66によって、ポット52の回転は停止させられ、バレル研磨工程が終了する。   In the constant speed phase 65 from 25 to 45 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is maintained at 180 rpm, and in the deceleration phase 66 from 45 to 50 minutes after the rotation starts, the rotation speed of the pot 52 is set to the seventh speed. Lower at speed. The seventh speed is a speed at which the number of rotations of the pot 52 is decreased at a rate of about 36 rotations per minute. The rotation of the pot 52 is stopped by the deceleration stage 66, and the barrel polishing process is completed.

図4は、図2に示すグリーンチップ42を、上述の研磨工程によって研磨することによって得られる研磨後のグリーンチップ43を表す斜視図である。グリーンチップ43の稜線部43aおよびコーナー部43bは、バレル研磨によって丸みを付けられている。   FIG. 4 is a perspective view showing a polished green chip 43 obtained by polishing the green chip 42 shown in FIG. 2 by the above-described polishing process. The ridge line portion 43a and the corner portion 43b of the green chip 43 are rounded by barrel polishing.

このように、本実施形態に係る製造方法では、グリーンチップ43の稜線部43aおよびコーナー部43b等が丸みを付けられているため、グリーンチップ42を焼成等するその後の工程において、グリーンチップ43に割れ、欠け、クラック等が発生することを防止できる。なお、グリーンチップ43の稜線部43aおよびコーナー部43bに形成された丸みRの半径寸法を、20μm〜40μm程度とすることで、その後の工程においてチッピング等が発生することを効果的に防止できる。   As described above, in the manufacturing method according to the present embodiment, since the ridge line portion 43a and the corner portion 43b of the green chip 43 are rounded, in the subsequent process of firing the green chip 42 or the like, It is possible to prevent cracks, chips, cracks and the like from occurring. In addition, it can prevent effectively that a chipping etc. generate | occur | produce in a subsequent process by making the radius dimension of the roundness R formed in the ridgeline part 43a and the corner part 43b of the green chip 43 into about 20 micrometers-40 micrometers.

また、本実施形態に係る研磨工程では、ポット52の回転数を第1の速度で上昇させる第1段階61と、第1段階61の後にポット52の回転数を第1の速度より小さい第2の速度で上昇させる第2段階62とを含む複数の段階で、バレルの回転数を制御する。このような制御を行うことによって、本実施形態に係る製造方法では、研磨中におけるグリーンチップ42にチッピングが発生することを効果的に防止するとともに、短時間で研磨を行うことができる。   In the polishing process according to the present embodiment, the first stage 61 for increasing the rotational speed of the pot 52 at the first speed and the second rotational speed of the pot 52 that is smaller than the first speed after the first stage 61 are second. The number of rotations of the barrel is controlled in a plurality of stages including a second stage 62 that increases at a speed of. By performing such control, the manufacturing method according to the present embodiment can effectively prevent the chipping of the green chip 42 during polishing and can perform polishing in a short time.

すなわち、本実施形態に係る研磨工程は、互いに異なる速度でポット52の回転数を上昇させる複数の段階でポット52の回転数を制御するため、研磨状態に合わせてグリーンチップ42に適切な負荷(遠心力)を加えることができる。適切な速度でポット52の回転数を上昇させることによって、回転数の急激な上昇に伴うグリーンチップ42への負荷の急上昇を抑制し、チッピングを防止できる。さらに、回転数の上昇速度を変化させることによって、グリーンチップ42の研磨状態に対して十分な遠心力が加わらない状態が続くことを防止し、研磨時間を短縮することができる。   That is, the polishing process according to the present embodiment controls the rotation speed of the pot 52 at a plurality of stages in which the rotation speed of the pot 52 is increased at different speeds. (Centrifugal force) can be applied. By increasing the rotation speed of the pot 52 at an appropriate speed, it is possible to suppress a sudden increase in load on the green chip 42 due to a rapid increase in the rotation speed and prevent chipping. Furthermore, by changing the increasing speed of the rotational speed, it is possible to prevent a state in which sufficient centrifugal force is not applied to the polishing state of the green chip 42 from continuing, and to shorten the polishing time.

さらに、ポット52の回転数を上昇させる上昇段階(例えば第1段階61および第2段階62)の間に、ポット52の回転数を一定時間保持する等速段階を挟みながら、ポット52の回転数を段階的に上昇させることもできる。しかし、グリーンチップ42の研磨は、等速段階でも進行するため、バレルの回転数は、間欠的に上昇させるのではなく、継続的に上昇させることが好ましい。すなわち、バレル研磨工程では、所定の回転数に到達するまでは、ポット52の回転数を継続的に上昇させることが、研磨状態に合わせてグリーンチップ42に適切な負荷を加える観点から好ましい。   Further, the rotation speed of the pot 52 is sandwiched between a rising stage for increasing the rotation speed of the pot 52 (for example, the first stage 61 and the second stage 62) with a constant speed stage for holding the rotation speed of the pot 52 for a certain time. Can be raised step by step. However, since the polishing of the green chip 42 proceeds even at a constant speed stage, it is preferable to increase the rotation speed of the barrel continuously rather than intermittently. That is, in the barrel polishing step, it is preferable to continuously increase the rotation speed of the pot 52 until a predetermined rotation speed is reached from the viewpoint of applying an appropriate load to the green chip 42 in accordance with the polishing state.

また、第1の速度より、第2の速度を小さくすることによって、研磨状態に合わせてグリーンチップ42に適切な負荷(遠心力)を加えることができる。第1段階61において、ポット52の内部でグリーンチップ42の流動が開始されて実質的に研磨が開始されるまでの間は、速やかにポット52の回転数を上昇させることが好ましいからである。   Further, by making the second speed smaller than the first speed, an appropriate load (centrifugal force) can be applied to the green chip 42 in accordance with the polishing state. This is because, in the first stage 61, it is preferable to quickly increase the rotational speed of the pot 52 until the flow of the green chip 42 is started inside the pot 52 and the polishing is substantially started.

したがって、第1段階61では速やかにポット52の回転数を上昇させ、第2段階62では、ポット52の回転数の上昇速度を第1段階61より小さくすることによって、グリーンチップ42に適切な負荷(遠心力)を加えることができる。したがって、本実施形態に係る研磨工程は、チッピングを防止しつつ、研磨に必要な時間を短縮することができる。このように、バレル研磨工程では、所定の回転数に到達するまでは、ポット52の回転数の上昇速度が次第に低下するように制御しながらポット52の回転数を継続的に上昇させることが、グリーンチップ42に適切な負荷を加える観点から好ましい。   Accordingly, in the first stage 61, the rotational speed of the pot 52 is quickly increased, and in the second stage 62, the speed of increase of the rotational speed of the pot 52 is made smaller than that in the first stage 61, thereby providing an appropriate load on the green chip 42. (Centrifugal force) can be applied. Therefore, the polishing process according to the present embodiment can reduce the time required for polishing while preventing chipping. Thus, in the barrel polishing step, the rotational speed of the pot 52 can be continuously increased while controlling the rotational speed of the pot 52 to gradually decrease until the predetermined rotational speed is reached. This is preferable from the viewpoint of applying an appropriate load to the green chip 42.

さらに、本実施形態に係る研磨工程によれば、ポット52の内部におけるグリーンチップ42同士が衝突する際に、衝撃を緩和する作用がある水を加えない乾式研磨であっても、チッピングを抑制した研磨を行うことができる。なぜなら、本実施形態に係る研磨工程は、グリーンチップ42に加わる負荷を、研磨状態に応じた適切な大きさに保ちながら、バレル研磨を行うことができるからである。なお、ポット52の回転数の上昇速度を、より細かく段階を分けて変化させてもよく、ポット52の回転数の上昇速度を遷移的に小さくするように制御してもよい。このように、乾式でバレル研磨を行うことによって、研磨中に水分等の液体成分がグリーンチップ42に侵入し、焼成後の電気的特性を悪化させることを防止できる。   Furthermore, according to the polishing step according to the present embodiment, when the green chips 42 in the pot 52 collide with each other, chipping is suppressed even in dry polishing that does not add water that has a function of relaxing the impact. Polishing can be performed. This is because the polishing process according to the present embodiment can perform barrel polishing while maintaining the load applied to the green chip 42 at an appropriate size according to the polishing state. It should be noted that the speed of increase in the rotational speed of the pot 52 may be changed in finer steps, or may be controlled so as to make the speed of increase in the rotational speed of the pot 52 small in a transitional manner. In this way, by performing barrel polishing in a dry manner, it is possible to prevent liquid components such as moisture from entering the green chip 42 during polishing and deteriorating electrical characteristics after firing.

また、本実施形態に係る研磨工程によれば、ポット52中にメディア(研磨媒体)を投入せずに研磨を行うことができる。なぜなら、本実施形態に係る研磨工程は、グリーンチップ42に加わる負荷を、研磨状態に応じた適切な大きさに保ちながら、バレル研磨を行うことができるため、メディアレスで研磨を行っても効率的な研磨が可能であるからである。   Further, according to the polishing step according to the present embodiment, polishing can be performed without putting a medium (polishing medium) into the pot 52. This is because the polishing process according to the present embodiment can perform barrel polishing while maintaining the load applied to the green chip 42 at an appropriate size according to the polishing state, and therefore it is efficient even if polishing is performed without media. This is because an effective polishing is possible.

また、メディアレスで研磨を行うことによって、メディアを構成する物質がグリーンチップ42内に侵入し、焼成後の電気的特性を悪化させることを防止できる。また、研磨後にグリーンチップ42とメディアとを分離させる工程を省略できるため、製造工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。   Further, by performing polishing without a medium, it is possible to prevent substances constituting the medium from entering the green chip 42 and deteriorating electrical characteristics after firing. Moreover, since the process of separating the green chip 42 and the media after polishing can be omitted, the manufacturing process can be simplified and the productivity can be improved.

研磨工程の後に、本実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法では、グリーンチップ43に対して、脱バインダ工程、焼成工程、必要に応じて行われるアニール工程等を行うことにより、図1に示すコンデンサ素体4を得る。本実施形態に係る製造方法では、焼成前のグリーンチップ42をバレル研磨するため、グリーンチップ42を作製した後、焼成する工程までにおけるチッピングを防止できる。   In the method for manufacturing a ceramic capacitor according to the present embodiment after the polishing process, the green chip 43 is subjected to a binder removal process, a firing process, an annealing process performed as necessary, and the like, so that the capacitor shown in FIG. An element body 4 is obtained. In the manufacturing method according to the present embodiment, since the green chip 42 before firing is barrel-polished, chipping can be prevented until the green chip 42 is produced and then fired.

以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例1
Hereinafter, the present invention will be described based on further detailed examples, but the present invention is not limited to these examples.
Example 1

本発明の実施例1に係る製造方法では、図2(A)に示すようなグリーンチップ42を準備した。グリーンチップ42は、実施形態において説明したように、表面に内部電極パターン層12aを有する内側グリーンシート10aを、外側グリーンシート11aの上に積層した後、さらに外側グリーンシート11aを積層することによってグリーン積層体を形成し、得られたグリーン積層体を切断することによって作製した。   In the manufacturing method according to Example 1 of the present invention, a green chip 42 as shown in FIG. 2A was prepared. As described in the embodiment, the green chip 42 is formed by laminating the inner green sheet 10a having the internal electrode pattern layer 12a on the surface on the outer green sheet 11a, and further laminating the outer green sheet 11a. A laminate was formed and the resulting green laminate was cut.

図2(B)に示す内側グリーンシート10aに用いた内側グリーンシート用ペーストとしては、セラミック粉末であるBaTiO系粉末と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペーストを用いた。有機ビヒクルに用いるバインダとしては、ポリビニルブチラール樹脂、溶剤としてはターピネオールを使用した。 As the inner green sheet paste used for the inner green sheet 10a shown in FIG. 2B, an organic solvent-based paste obtained by kneading BaTiO 3 -based powder as a ceramic powder and an organic vehicle was used. Polyvinyl butyral resin was used as the binder used in the organic vehicle, and terpineol was used as the solvent.

また、内部電極パターン層を形成するための内部電極用ペーストは、導電剤であるNi粒子と有機ビヒクルとを混練して調整したものを用いた。さらに、外側グリーンシート11aに用いた外側グリーンシート用ペーストとしては、内側グリーンシートペーストと同様に、セラミック粉末であるBaTiO系粉末と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペーストを用いた。 The internal electrode paste for forming the internal electrode pattern layer was prepared by kneading Ni particles as a conductive agent and an organic vehicle. Further, as the outer green sheet paste used for the outer green sheet 11a, an organic solvent-based paste obtained by kneading BaTiO 3 -based powder, which is a ceramic powder, and an organic vehicle is used in the same manner as the inner green sheet paste. It was.

なお、グリーン積層体を切断して得られたグリーンチップ42は、グリーンチップ42を焼成した後、図1に示す外部電極6,8を形成した状態において、横1.0mm、縦0.5mm、高さ0.5mmのセラミックコンデンサを得られる寸法とした。   The green chip 42 obtained by cutting the green laminate has a width of 1.0 mm, a length of 0.5 mm, in a state where the external electrodes 6 and 8 shown in FIG. The dimensions were such that a ceramic capacitor with a height of 0.5 mm could be obtained.

本発明の実施例1に係る製造方法では、上述のようにして得られた複数のグリーンチップ42を、図5に示すバレル装置50のポット52に投入した。実施例1に用いたポット52の容積は2リットルであり、グリーンチップ42のポット52への投入量はポット52の容積の50%とした。   In the manufacturing method according to Example 1 of the present invention, the plurality of green chips 42 obtained as described above were put into the pot 52 of the barrel apparatus 50 shown in FIG. The volume of the pot 52 used in Example 1 was 2 liters, and the input amount of the green chip 42 into the pot 52 was 50% of the volume of the pot 52.

さらに、本発明の実施例1に係る製造方法では、ポット52に、水、溶剤、分散材などの液体を投入することなく、ポット52の中にこれらの液体が実質的に存在しない条件、すなわち乾式でバレル研磨を行った。また、ポット52にメディアを投入せず、メディアレスでバレル研磨を行った。   Further, in the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, the liquids such as water, solvent, and dispersing material are not put into the pot 52, and these liquids are not substantially present in the pot 52, that is, Barrel polishing was performed dry. Further, media was not put into the pot 52, and barrel polishing was performed without using media.

次に、本発明の実施例1に係る製造方法では、グリーンチップ42が投入されたポット52を回転させてバレル研磨を行い、図2(A)に示す稜線部42aやコーナー部42bに丸みをつけた。   Next, in the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, the pot 52 in which the green chip 42 is inserted is rotated to perform barrel polishing, and the ridge line portion 42a and the corner portion 42b shown in FIG. Wearing.

図6は、図5に示すポット52の回転数の時間変化を表したものである。実施例1における研磨工程では、公転軸58(ポット52)の回転数を、公転軸58の上昇速度が互いに異なる第1〜第4段階で制御しながら上昇させた。なお、実施例1に係る製造方法では、自転軸51を固定した状態で、公転軸58のみを回転させてバレル研磨を行った。実施例1でも、ポット52は、図5に示す公転板55およびポットホルダ56等を介して公転軸58に固定されているため、公転軸58と同一の回転数で、公転軸58の周りを回転する。   FIG. 6 shows the change over time of the rotational speed of the pot 52 shown in FIG. In the polishing process in Example 1, the number of revolutions of the revolution shaft 58 (pot 52) was increased while being controlled in the first to fourth stages in which the ascent speed of the revolution shaft 58 was different from each other. In the manufacturing method according to Example 1, barrel polishing was performed by rotating only the revolution shaft 58 while the rotation shaft 51 was fixed. Also in the first embodiment, since the pot 52 is fixed to the revolution shaft 58 via the revolution plate 55 and the pot holder 56 shown in FIG. 5, the pot 52 rotates around the revolution shaft 58 at the same rotational speed as the revolution shaft 58. Rotate.

すなわち、図6に示すように、回転開始〜回転開始後3分までの第1段階61では、ポット52の回転数を第1の速度(ポット52の回転数を、一分間に略27回転の割合で上昇させる速度)で上昇させた。第1段階61によって、ポット52の回転数は、80rpmに到達した。   That is, as shown in FIG. 6, in the first stage 61 from the start of rotation to 3 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is set to the first speed (the rotation speed of the pot 52 is approximately 27 rotations per minute). The rate was increased at a rate). By the first step 61, the rotation speed of the pot 52 reached 80 rpm.

回転開始後3分から10分までの第2段階62では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第2の速度(ポット52の回転数を、一分間に略9回転の割合)で上昇させた。第2段階62によって、ポット52の回転数は、140rpmに到達した。   In the second stage 62 from 3 minutes to 10 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 sets the rotation speed of the pot 52 to the second speed (the rotation speed of the pot 52 is approximately 9 rotations per minute). ). By the second stage 62, the rotation speed of the pot 52 reached 140 rpm.

回転開始後10分から15分までの第3段階63では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第3の速度(ポット52の回転数を、一分間に略4回転の割合で上昇させる速度)で上昇させた。第3段階63によって、ポット52の回転数は、160rpmに到達した。   In the third stage 63 from 10 minutes to 15 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 sets the rotation speed of the pot 52 to the third speed (the rotation speed of the pot 52 is approximately 4 rotations per minute). The speed was raised at (). By the third stage 63, the rotation speed of the pot 52 reached 160 rpm.

回転開始後15分から25分までの第4段階64では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第4の速度(ポット52の回転数を、一分間に略2回転の割合で上昇させる速度)で上昇させる。第4段階64によって、ポット52の回転数は、180rpmに到達した。   In the fourth stage 64 from 15 minutes to 25 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 sets the rotation speed of the pot 52 to the fourth speed (the rotation speed of the pot 52 is approximately two rotations per minute). Increase the speed at (). By the fourth stage 64, the rotation speed of the pot 52 reached 180 rpm.

回転開始後25分から45分までの等速段階65では、ポット52の回転数を180rpmに保持した後、回転開始後45分から50分までの減速段階66では、ポット52の回転数を第7の速度(ポット52の回転数を、一分間に略36回転の割合で下降させる速度)で下降させた。減速段階66によって、ポット52の回転を停止させ、バレル研磨工程を終了した。   In the constant speed phase 65 from 25 to 45 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is maintained at 180 rpm, and in the deceleration phase 66 from 45 to 50 minutes after the rotation starts, the rotation speed of the pot 52 is set to the seventh speed. The speed was lowered at a speed (speed at which the number of revolutions of the pot 52 was lowered at a rate of about 36 revolutions per minute). The rotation of the pot 52 was stopped by the deceleration stage 66, and the barrel polishing process was completed.

実施例1では、以上のような研磨工程を行い、図2に示すグリーンチップ42をバレル研磨することによって、図4(A)および(B)に示すように、稜線部43aやコーナー部43bに丸みをつけたグリーンチップ43を得た。グリーンチップ43の稜線部43aおよびコーナー部43bに形成された丸みRの半径寸法は、10μm〜50μmであった。   In the first embodiment, the above-described polishing process is performed, and the green chip 42 shown in FIG. 2 is barrel-polished so that the ridge line portion 43a and the corner portion 43b are formed as shown in FIGS. 4 (A) and 4 (B). A rounded green chip 43 was obtained. The radius dimension of the roundness R formed in the ridge line portion 43a and the corner portion 43b of the green chip 43 was 10 μm to 50 μm.

さらに、実施例1では、グリーンチップ43に対して、脱バインダ工程、焼成工程を行うことにより、図1に示すコンデンサ素体4を得た。さらに、得られたセラミック素体4のうち、500個について割れ、欠けの有無を調査した。結果を表1に示す。   Furthermore, in Example 1, the capacitor body 4 shown in FIG. 1 was obtained by performing the binder removal step and the firing step on the green chip 43. Further, 500 pieces of the obtained ceramic body 4 were examined for cracks and chips. The results are shown in Table 1.

Figure 0004655117
Figure 0004655117

表1に示すように、実施例1では、調査した500個のセラミック素体4の中に、割れまたは欠けが発生していたものは無く、チッピング発生率は0%であった。
実施例2
As shown in Table 1, in Example 1, none of the 500 ceramic bodies 4 investigated had cracks or chips, and the chipping rate was 0%.
Example 2

実施例2に係る製造方法では、研磨工程におけるポット52の回転数の制御(時間変化)が異なる以外は、実施例1に係る製造方法と同様にしてコンデンサ素体4を作製した。図7は、実施例2に係る製造方法の研磨工程おけるポット52の回転数の時間変化を表したものである。実施例2における研磨工程では、図5に示す公転軸58(ポット52)の回転数を、公転軸58の上昇速度が互いに異なる第1〜第5段階で制御しながら上昇させた。   In the manufacturing method according to Example 2, the capacitor element body 4 was manufactured in the same manner as in the manufacturing method according to Example 1, except that the control (time change) of the rotation speed of the pot 52 in the polishing process was different. FIG. 7 shows a change over time in the number of rotations of the pot 52 in the polishing step of the manufacturing method according to the second embodiment. In the polishing process in Example 2, the number of revolutions of the revolution shaft 58 (pot 52) shown in FIG. 5 was increased while controlling the revolution speed of the revolution shaft 58 in the first to fifth stages different from each other.

すなわち、回転開始〜回転開始後0.2分までの第1段階67では、ポット52の回転数を第1の速度(ポット52の回転数を、一分間に略750回転の割合で上昇させる速度)で上昇させた。第1段階67によって、ポット52の回転数は、150rpmに到達した。   That is, in the first stage 67 from the start of rotation to 0.2 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is increased to the first speed (the speed at which the rotation speed of the pot 52 is increased at a rate of approximately 750 rotations per minute. ). By the first stage 67, the number of rotations of the pot 52 reached 150 rpm.

回転開始後0.2分から10分までの第2段階68では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第2の速度(ポット52の回転数を、一分間に略2回転の割合)で上昇させた。第2段階68によって、ポット52の回転数は、170rpmに到達した。   In the second stage 68 from 0.2 to 10 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 sets the rotation speed of the pot 52 to the second speed (the rotation speed of the pot 52 is approximately two rotations per minute). )). By the second stage 68, the rotation speed of the pot 52 reached 170 rpm.

回転開始後10分から15分までの第3段階69では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第3の速度(ポット52の回転数を、一分間に略1回転の割合で上昇させる速度)で上昇させた。第3段階69によって、ポット52の回転数は、175rpmに到達した。   In the third stage 69 from 10 minutes to 15 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 sets the rotation speed of the pot 52 to the third speed (the rotation speed of the pot 52 is approximately 1 rotation per minute). The speed was raised at (). By the third stage 69, the rotation speed of the pot 52 reached 175 rpm.

回転開始後15分から20分までの第4段階70では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第4の速度(ポット52の回転数を、五分間に略3回転の割合で上昇させる速度)で上昇させた。第4段階70によって、ポット52の回転数は、178rpmに到達した。   In the fourth stage 70 from 15 minutes to 20 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 sets the rotation speed of the pot 52 to the fourth speed (the rotation speed of the pot 52 is a rate of approximately 3 rotations in 5 minutes). The speed was raised at (). By the fourth stage 70, the rotation speed of the pot 52 reached 178 rpm.

回転開始後20分から25分までの第5段階71では、バレル装置50の制御部は、ポット52の回転数を、第5の速度(ポット52の回転数を、五分間に略2回転の割合で上昇させる速度)で上昇させた。第5段階71によって、ポット52の回転数は、180rpmに到達した。   In the fifth stage 71 from 20 minutes to 25 minutes after the start of rotation, the control unit of the barrel device 50 sets the rotation speed of the pot 52 to the fifth speed (the rotation speed of the pot 52 is a rate of approximately two rotations in five minutes). The speed was raised at (). By the fifth stage 71, the rotation speed of the pot 52 reached 180 rpm.

回転開始後25分から45分までの等速段階72では、ポット52の回転数を180rpmに保持した後、回転開始後45分から50分までの減速段階73では、ポット52の回転数を第7の速度(ポット52の回転数を、一分間に略36回転の割合で下降させる速度)で下降させた。減速段階73によって、ポット52の回転を停止させ、バレル研磨工程を終了した。   In the constant velocity stage 72 from the start of rotation to 45 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is maintained at 180 rpm, and in the deceleration stage 73 from 45 minutes to 50 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is changed to the seventh speed. The speed was lowered at a speed (speed at which the number of revolutions of the pot 52 was lowered at a rate of about 36 revolutions per minute). The rotation of the pot 52 was stopped by the deceleration stage 73, and the barrel polishing process was completed.

実施例2でも、実施例1と同様に、グリーンチップ43を焼成してセラミック素体4のうち、500個について、割れ、欠けの有無を調査した。結果を表1に示す。実施例2では、500個のセラミック素体4の中に、割れまたは欠けが発生していたものが5個あり、チッピング発生率は1%であった。
参考例1
In Example 2, as in Example 1, the green chip 43 was fired and 500 of the ceramic body 4 were examined for cracks and chips. The results are shown in Table 1. In Example 2, five of the 500 ceramic bodies 4 were cracked or chipped, and the chipping rate was 1%.
Reference example 1

参考例1に係る製造方法では、研磨工程におけるポット52の回転数の制御(時間変化)が異なる以外は、実施例1に係る製造方法と同様にしてコンデンサ素体4を作製した。図8は、参考例1に係る製造方法の研磨工程おけるポット52の回転数の時間変化を表したものである。参考例1における研磨工程では、公転軸58(ポット52)の回転数を1段階で上昇させた。なお、参考例1でも、ポット52は、公転軸58と同一の回転数で、公転軸58の周りを回転する。   In the manufacturing method according to Reference Example 1, the capacitor element body 4 was manufactured in the same manner as the manufacturing method according to Example 1, except that the control (time change) of the rotational speed of the pot 52 in the polishing process was different. FIG. 8 shows a change over time in the number of rotations of the pot 52 in the polishing process of the manufacturing method according to Reference Example 1. In the polishing process in Reference Example 1, the number of revolutions of the revolution shaft 58 (pot 52) was increased in one step. In Reference Example 1 as well, the pot 52 rotates around the revolution shaft 58 at the same rotational speed as the revolution shaft 58.

すなわち、回転開始〜回転開始後0.1分までの第1段階74では、ポット52の回転数を第1の速度(ポット52の回転数を、一分間に略1500回転の割合で上昇させる速度)で上昇させた。第1段階74によって、ポット52の回転数は、150rpmに到達した。   That is, in the first stage 74 from the start of rotation to 0.1 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is increased to the first speed (the rotation speed of the pot 52 is increased at a rate of approximately 1500 rotations per minute. ). By the first stage 74, the rotation speed of the pot 52 reached 150 rpm.

回転開始後0.1分から60分までの等速段階75では、ポット52の回転数を150rpmに保持した後、回転開始後60分から60.1分までの減速段階76では、ポット52の回転数を第7の速度(ポット52の回転数を、一分間に略1500回転の割合で下降させる速度)で下降させた。減速段階76によって、ポット52の回転を停止させ、バレル研磨工程を終了した。   In the constant speed stage 75 from the start of rotation to 0.1 to 60 minutes, the rotation speed of the pot 52 is maintained at 150 rpm, and in the deceleration stage 76 from the start of rotation to 60.1 minutes, the rotation speed of the pot 52 is reached. Was lowered at a seventh speed (the speed at which the rotational speed of the pot 52 was lowered at a rate of approximately 1500 revolutions per minute). The rotation of the pot 52 was stopped by the deceleration stage 76, and the barrel polishing process was completed.

参考例1でも、実施例1および2と同様に、グリーンチップ43を焼成して得たセラミック素体4のうち、500個について、割れ、欠けの有無を調査した。結果を表1に示す。参考例では、500個のセラミック素体4の中に、割れまたは欠けが発生していたものが20個あり、チッピング発生率は4%であった。
総合評価
In Reference Example 1, as in Examples 1 and 2, 500 of the ceramic body 4 obtained by firing the green chip 43 was examined for cracks and chips. The results are shown in Table 1. In the reference example, among the 500 ceramic body 4, there were 20 that were cracked or chipped, and the chipping rate was 4%.
Comprehensive evaluation

表1に示すように、実施例1および2に係る製造方法は、参考例1に比べてチッピング発生率が低いという結果が得られた。すなわち、実施例1および2に係る製造方法は、ポット52の回転数を上昇させる際に、回転数の上昇速度を多段階に、しかも時間とともに減少させながら制御しているため、研磨中にグリーンチップ42に過剰な負荷が加わることが効果的に防止されている。そのため、実施例1および2に係る製造方法では、研磨中において、グリーンチップ42に過剰な負荷がかからず、チッピング発生率が低下したものと考えられる。   As shown in Table 1, the manufacturing method according to Examples 1 and 2 has a lower chipping occurrence rate than that of Reference Example 1. That is, in the manufacturing methods according to the first and second embodiments, when the rotation speed of the pot 52 is increased, the increase speed of the rotation speed is controlled in multiple stages and while decreasing with time. It is effectively prevented that an excessive load is applied to the chip 42. Therefore, in the manufacturing methods according to Examples 1 and 2, it is considered that an excessive load is not applied to the green chip 42 during polishing, and the chipping occurrence rate is reduced.

また、チッピング発生率が0%であった実施例1では、最も回転数の上昇速度が高い第1の段階61においても、ポット52の回転数の上昇速度は、一分間に略26.7回転である。このため、グリーンチップ42の稜線部42aが研磨中において最も尖っており、グリーンチップ42に急激な負荷が加わりやすい研磨開始直後においても、グリーンチップ42に係る負荷が適切に調整され、チッピングが防止されていると考えられる。   Further, in Example 1 where the chipping occurrence rate was 0%, even in the first stage 61 where the rotational speed increase rate was the highest, the rotational speed increase speed of the pot 52 was approximately 26.7 rotations per minute. It is. For this reason, the ridge line portion 42a of the green chip 42 is sharpest during polishing, and even immediately after the start of polishing when a sudden load is easily applied to the green chip 42, the load related to the green chip 42 is appropriately adjusted to prevent chipping. It is thought that.

それに対して、チッピング発生率が1%であった実施例2では、第1段階67におけるポット52の回転数の上昇速度が、一分間に略750回転であり、これ以上回転数の上昇速度を上げると、チッピング発生率が悪化するものと考えられる。したがって、第1段階におけるポット52の回転数の上昇速度は、750回転以下とすることが好ましいと考えられる。   On the other hand, in Example 2 where the chipping occurrence rate was 1%, the increase speed of the pot 52 in the first stage 67 was approximately 750 rotations per minute, and the increase speed of the rotation speed was further increased. When it is raised, the chipping occurrence rate is considered to deteriorate. Therefore, it is considered that the rate of increase in the rotation speed of the pot 52 in the first stage is preferably 750 rotations or less.

チッピング発生率が4%であった参考例1では、1段階のみの上昇速度でポット52の回転数を上昇させており、この際にグリーンチップ42に過剰な負荷が加わり、研磨中にチッピングが発生したものと考えられる。実施例および参考例の研磨工程は、液体による衝撃緩和作用が働かない乾式で行われているため、実施例1および2において、グリーンチップ42に係る負荷が適切に調整されたことによる上述のような効果が、顕著に表れたものと考えられる。   In Reference Example 1 in which the chipping occurrence rate was 4%, the number of rotations of the pot 52 was increased at a one-step rising speed. At this time, an excessive load was applied to the green chip 42 and chipping occurred during polishing. It is thought that it occurred. Since the polishing process of the example and the reference example is performed by a dry method in which the impact mitigating action by the liquid does not work, in the first and second examples, the load on the green chip 42 is appropriately adjusted as described above. It is considered that the remarkable effect appears remarkably.

以下に示す実施例3および参考例2では、各実施例および参考例で行われるバレル研磨中において、グリーンチップ42に加わる摩擦圧力がどのように変化するのかをシミュレーションした。
実施例3
In Example 3 and Reference Example 2 described below, how the friction pressure applied to the green chip 42 changes during barrel polishing performed in each Example and Reference Example was simulated.
Example 3

実施例3では、研磨工程におけるポット52の回転数の制御(時間変化)が異なる以外は、実施例1に係る製造方法と同様にしてコンデンサ素体4を作製するという条件で、バレル研磨中における摩擦圧力をシミュレーションした。結果を図9に示す。   In Example 3, except that the control (rotational change) of the number of rotations of the pot 52 in the polishing process is different, the capacitor element body 4 is manufactured in the same manner as in the manufacturing method according to Example 1, and during barrel polishing. The friction pressure was simulated. The results are shown in FIG.

図9では、時間変化に対するポット52の回転数(すなわち公転軸58の回転数)の変化と、ポット52内で研磨されている摩擦圧力の変化を表している。図9において、ポット52の回転数の変化は点線で表されており、摩擦圧力の変化は実線で表されている。   FIG. 9 shows the change in the rotation speed of the pot 52 (that is, the rotation speed of the revolution shaft 58) with respect to the time change and the change in the friction pressure polished in the pot 52. In FIG. 9, the change in the rotational speed of the pot 52 is represented by a dotted line, and the change in the friction pressure is represented by a solid line.

実施例3では、ポット52の回転数の上昇速度が互いに異なる第1〜第6段階で、ポット52の回転数を制御しながらバレル研磨を行うという条件でシミュレーションを行った。すなわち、回転開始〜回転開始後2分までの第1段階77では、ポット52の回転数を第1の速度(ポット52の回転数を一分間に略40回転の割合で上昇させる速度)で上昇させ、回転開始2分後においてポット52の回転数は、80rpmに到達する。   In Example 3, the simulation was performed under the condition that barrel polishing is performed while controlling the rotational speed of the pot 52 in the first to sixth stages in which the increasing speed of the rotational speed of the pot 52 is different from each other. That is, in the first stage 77 from the start of rotation to 2 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is increased at a first speed (the speed at which the rotation speed of the pot 52 is increased at a rate of approximately 40 rotations per minute). 2 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 reaches 80 rpm.

さらに、回転開始後2分〜6分までの第2段階78では、ポット52の回転数を第2の速度(ポット52の回転数を一分間に略15回転の割合で上昇させる速度)で上昇させ、回転開始6分後においてポット52の回転数は、140rpmに到達する。回転開始後6分〜10分までの第3段階79では、ポット52の回転数を第3の速度(ポット52の回転数を一分間に略5回転の割合で上昇させる速度)で上昇させ、回転開始10分後においてポット52の回転数は、160rpmに到達する。   Further, in the second stage 78 from 2 minutes to 6 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is increased at a second speed (the speed at which the rotation speed of the pot 52 is increased at a rate of approximately 15 rotations per minute). 6 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 reaches 140 rpm. In the third stage 79 from 6 minutes to 10 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is increased at a third speed (the speed at which the rotation speed of the pot 52 is increased at a rate of approximately 5 rotations per minute), 10 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 reaches 160 rpm.

同様に、回転開始後10分〜15分までの第4段階80では、ポット52の回転数を第4の速度(ポット52の回転数を一分間に略4回転の割合で上昇させる速度)で上昇させ、回転開始15分後においてポット52の回転数は、180rpmに到達する。回転開始後15分〜25分までの第5段階81では、ポット52の回転数を第5の速度(ポット52の回転数を一分間に略2回転の割合で上昇させる速度)で上昇させ、回転開始25分後においてポット52の回転数は、200rpmに到達する。   Similarly, in the fourth stage 80 from 10 minutes to 15 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is increased at a fourth speed (the speed at which the rotation speed of the pot 52 is increased at a rate of approximately 4 rotations per minute). After 15 minutes from the start of rotation, the rotational speed of the pot 52 reaches 180 rpm. In the fifth stage 81 from 15 to 25 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is increased at a fifth speed (the speed at which the rotation speed of the pot 52 is increased at a rate of approximately 2 rotations per minute), The rotation speed of the pot 52 reaches 200 rpm 25 minutes after the start of rotation.

回転開始後25分〜45分までの第6段階82では、ポット52の回転数を第6の速度(ポット52の回転数を一分間に略1回転の割合で上昇させる速度)で上昇させ、回転開始45分後においてポット52の回転数は、220rpmに到達する。回転開始後45分〜50分までの減速段階83では、ポット52の回転数を第7の速度(ポット52の回転数を、一分間に略44回転の割合で下降させる速度)で下降させ、回転開始50分後においてポット52の回転を停止させた。   In the sixth stage 82 from 25 minutes to 45 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is increased at a sixth speed (speed at which the rotation speed of the pot 52 is increased at a rate of approximately one rotation per minute) After 45 minutes from the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 reaches 220 rpm. In the deceleration stage 83 from 45 minutes to 50 minutes after the start of rotation, the rotational speed of the pot 52 is decreased at a seventh speed (the rotational speed of the pot 52 is decreased at a rate of approximately 44 rotations per minute), The rotation of the pot 52 was stopped 50 minutes after the start of rotation.

ここで、ポット52に投入されたグリーンチップ42に対して、バレル研磨中に加わる摩擦圧力Pは、ポット52の回転によって発生する遠心力Fと、時間tの関数である接触面積S(t)を用いて、おおむね式(1)のように表すことができる。
P=F/S(t)・・・(1)
Here, the friction pressure P applied to the green chip 42 put into the pot 52 during barrel polishing is a contact area S (t) that is a function of the centrifugal force F generated by the rotation of the pot 52 and the time t. Can be generally expressed as in equation (1).
P = F / S (t) (1)

さらに、遠心力Fは、グリーンチップ42の質量mと、ポット52の回転半径rと、ポット52の回転数に比例する角速度ωを用いて、式(2)にように表される。
F=mrω・・・(2)
Further, the centrifugal force F is expressed as in Expression (2) using the mass m of the green chip 42, the rotation radius r of the pot 52, and the angular velocity ω proportional to the rotation speed of the pot 52.
F = mrω 2 (2)

式(1)に式(2)を代入すると、摩擦圧力Pは式(3)で表すことができる。
P=mrω/S(t)・・・(3)
すなわち、摩擦圧力Pは、接触面積Sに反比例し、回転数(角速度ω)の2乗に比例する。
When the formula (2) is substituted into the formula (1), the friction pressure P can be expressed by the formula (3).
P = mrω 2 / S (t) (3)
That is, the friction pressure P is inversely proportional to the contact area S and proportional to the square of the rotation speed (angular velocity ω).

図9において実線で示されている摩擦圧力は、式(3)に基づいて計算した。実施例3では、図9に示すように、摩擦圧力の急激な変動がなく、グリーンチップ42に対して安定した摩擦圧力が加えられることがわかる。すなわち、実施例3では、上昇速度が段階ごとに徐々に遅くなっていくように設定された多段階で、バレル容器の回転数を制御している。したがって、研磨の進行に伴い式(3)における接触面積Sが大きくなるのに対応して、ポット52の回転数(式(3)における角速度ω)が大きくなり、グリーンチップ42に対して安定した摩擦圧力Pが加えられる。   The friction pressure indicated by the solid line in FIG. 9 was calculated based on the equation (3). In Example 3, as shown in FIG. 9, it can be seen that there is no rapid fluctuation of the friction pressure, and a stable friction pressure is applied to the green chip 42. That is, in the third embodiment, the number of rotations of the barrel container is controlled in multiple stages that are set so that the ascending speed gradually decreases for each stage. Accordingly, the rotation speed of the pot 52 (the angular velocity ω in the expression (3)) increases corresponding to the increase in the contact area S in the expression (3) as the polishing progresses, and the green chip 42 is stabilized. A friction pressure P is applied.

図9に示すように、実施例3に係る製造方法によれば、摩擦圧力に急峻な変化が無く安定しているため、グリーンチップ42に加わる負荷を、研磨状態に応じた適切な大きさに保ちながらバレル研磨を行えることが解る。したがって、バレルの回転数を、上昇速度が異なる複数の段階で上昇させながらバレル研磨を行うことによって、摩擦圧力の急激な変動を抑制してチッピングを防止しつつ、研磨時間を短縮することが可能である。
参考例2
As shown in FIG. 9, according to the manufacturing method according to the third embodiment, the friction pressure is stable without a steep change, so that the load applied to the green chip 42 is set to an appropriate size according to the polishing state. It can be seen that barrel polishing can be performed while keeping. Therefore, by performing barrel polishing while increasing the number of rotations of the barrel in multiple stages with different rising speeds, it is possible to reduce the polishing time while suppressing rapid fluctuations in friction pressure and preventing chipping. It is.
Reference example 2

参考例2では、研磨工程におけるポット52の回転数の制御(時間変化)が異なる以外は、実施例3と同様にして、バレル研磨中における摩擦圧力をシミュレーションした。結果を図10に示す。   In Reference Example 2, the friction pressure during barrel polishing was simulated in the same manner as in Example 3 except that the control (time change) of the rotation speed of the pot 52 in the polishing process was different. The results are shown in FIG.

参考例1における研磨工程では、図10において点線で示すように、公転軸58の回転数を1段階で上昇させた。すなわち、回転開始〜回転開始後0.1分までの第1段階84では、公転軸58の回転数を第1の速度(ポット52の回転数を一分間に略1500回転の割合で上昇させる速度)で上昇させ、回転開始0.1分後においてポット52の回転数は、150rpmに到達する。   In the polishing process in Reference Example 1, as indicated by the dotted line in FIG. 10, the number of revolutions of the revolution shaft 58 was increased in one step. That is, in the first stage 84 from the start of rotation to 0.1 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the revolution shaft 58 is increased to the first speed (the speed at which the rotation speed of the pot 52 is increased at a rate of approximately 1500 rotations per minute. ), And the rotational speed of the pot 52 reaches 150 rpm 0.1 minutes after the start of the rotation.

転開始後0.1分から60分までの等速段階85では、ポット52の回転数を150rpmに保持した後、回転開始後60分から60.1分までの減速段階86では、ポット52の回転数を第7の速度(ポット52の回転数を、一分間に略1500回転の割合で下降させる速度)で下降させた。減速段階86によって、ポット52の回転を停止させ、バレル研磨工程を終了した。   In the constant speed stage 85 from 0.1 minute to 60 minutes after the start of rotation, the rotation speed of the pot 52 is maintained at 150 rpm, and then in the deceleration stage 86 from 60 minutes to 60.1 minutes after the rotation starts, the rotation speed of the pot 52. Was lowered at a seventh speed (the speed at which the rotational speed of the pot 52 was lowered at a rate of approximately 1500 revolutions per minute). The rotation of the pot 52 was stopped by the deceleration stage 86, and the barrel polishing process was completed.

参考例2では、図10に示すように、実線で示す摩擦圧力が、特に研磨開始直後において急激に大きくなり、その後急激に低下している。参考例2のように、1段階でポット52の回転数を上昇させた場合は、第1段階84において、グリーンチップ42に非常に大きな摩擦圧力が加わるため、グリーンチップ42に割れおよび欠けを発生させる危険性が高いことが解る。   In Reference Example 2, as shown in FIG. 10, the friction pressure indicated by the solid line increases rapidly immediately after the start of polishing, and then decreases rapidly. When the number of rotations of the pot 52 is increased in one stage as in Reference Example 2, a very large frictional pressure is applied to the green chip 42 in the first stage 84, so that the green chip 42 is cracked and chipped. It can be seen that there is a high risk of

図1は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法によって製造されたセラミックコンデンサの一例を表す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a ceramic capacitor manufactured by a chip component manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 図2(A)は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法に用いるバレル研磨工程前のグリーンチップの斜視図、図2(B)は、図2(A)に示すバレル研磨工程前のグリーンチップを、II−II線に沿って切断した概略断面図である。2A is a perspective view of the green chip before the barrel polishing process used in the chip part manufacturing method according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2B is the barrel polishing process shown in FIG. It is the schematic sectional drawing which cut | disconnected the front green chip along the II-II line. 図3(A)は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法に用いるグリーンシートを表す断面図、図3(B)は、図3(B)内部電極パターン層を有するグリーンシートを表す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view showing a green sheet used in a method for manufacturing a chip component according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B shows a green sheet having an internal electrode pattern layer in FIG. It is sectional drawing to represent. 図4(A)は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造に用いるバレル研磨工程後のグリーンチップの斜視図、図4(B)は、図3(A)に示すバレル研磨工程後のグリーンチップを、III−IIIB線に沿って切断した概略断面図である。4A is a perspective view of a green chip after a barrel polishing process used for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a barrel polishing process shown in FIG. 3A. It is the schematic sectional drawing which cut | disconnected the subsequent green chip along the III-IIIB line. 図5は、本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法に用いたバレル研磨装置の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a barrel polishing apparatus used in a chip part manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 図6は、第1実施形態および実施例1に係るチップ部品の製造方法において行われた研磨工程におけるバレルの回転数の時間変化を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing temporal changes in the number of rotations of the barrel in the polishing process performed in the chip component manufacturing method according to the first embodiment and Example 1. 図7は、実施例2に係るチップ部品の製造方法おいて行われた研磨工程におけるバレルの回転数の時間変化を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing a temporal change in the number of rotations of the barrel in the polishing process performed in the chip component manufacturing method according to the second embodiment. 図8は、参考例1に係るチップ部品の製造方法において行われた研磨工程におけるバレルの回転数の時間変化を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing temporal changes in the number of rotations of the barrel in the polishing process performed in the method of manufacturing the chip part according to Reference Example 1. 図9は、実施例3に係るチップ部品の製造方法について行われた研磨工程シミュレーションの結果を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing a result of a polishing process simulation performed for the chip part manufacturing method according to the third embodiment. 図10は、参考例2に係るチップ部品の製造方法について行われた研磨工程シミュレーションの結果を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing the results of a polishing process simulation performed for the chip component manufacturing method according to Reference Example 2.

符号の説明Explanation of symbols

2… セラミックコンデンサ
4… コンデンサ素体
42,43… グリーンチップ
50… バレル装置
51… 自転軸
52… ポット
58… 公転軸
61,67,77… 第1段階
62,68,78… 第2段階
2 ... Ceramic capacitor 4 ... Capacitor body 42, 43 ... Green chip 50 ... Barrel device 51 ... Spindle shaft 52 ... Pot 58 ... Revolving shaft 61, 67, 77 ... First stage 62, 68, 78 ... Second stage

Claims (7)

複数の焼成前チップ部品を準備する工程と、
前記複数の焼成前チップ部品をバレル容器に投入する工程と、
前記バレル容器の回転数を第1の速度で上昇させる第1段階と、前記第1段階の後に前記バレル容器の前記回転数を前記第1の速度より小さい第2の速度で上昇させる第2段階と、を含む複数の段階で前記バレル容器の前記回転数を制御し、前記焼成前チップ部品をバレル研磨する研磨工程と、
前記焼成前チップ部品を焼成する工程と、を有するチップ部品の製造方法。
Preparing a plurality of pre-fired chip parts;
Introducing the plurality of pre-fired chip parts into a barrel container;
A first stage of increasing the rotational speed of the barrel container at a first speed; and a second stage of increasing the rotational speed of the barrel container at a second speed smaller than the first speed after the first stage. A polishing step for controlling the number of rotations of the barrel container in a plurality of stages including, and barrel-polishing the chip part before firing, and
And a step of firing the pre-fired chip component.
前記研磨工程において、前記焼成前チップ部品は、乾式でバレル研磨されることを特徴とする請求項1に記載のチップ部品の製造方法。   2. The chip part manufacturing method according to claim 1, wherein in the polishing step, the pre-firing chip part is dry-type and barrel-polished. 前記研磨工程において、前記焼成前チップ部品は、メディアレスでバレル研磨されることを特徴とする請求項1または2に記載のチップ部品の製造方法。   3. The chip part manufacturing method according to claim 1, wherein in the polishing step, the pre-fired chip part is barrel-polished without a medium. 前記バレル容器の前記回転数を制御する前記複数の段階のうち、前記バレル容器の前記回転数を上昇させる段階の全ては、一分間に750回転以下の割合で前記回転数を上昇させることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のチップ部品の製造方法。   Of the plurality of steps for controlling the number of revolutions of the barrel container, all of the steps for increasing the number of revolutions of the barrel container increase the number of revolutions at a rate of 750 revolutions per minute or less. A method for manufacturing a chip part according to any one of claims 1 to 3. 前記研磨工程において、前記第1段階では、前記第2段階以下の摩擦圧力が前記焼成前チップ部品に加わることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のチップ部品の製造方法。   5. The chip part manufacturing method according to claim 1, wherein in the polishing step, in the first stage, a friction pressure equal to or lower than the second stage is applied to the chip part before firing. 6. 前記研磨工程では、前記第2段階の後に前記バレル容器の前記回転数を一定に保持する等速段階と、前記等速段階の後の前記バレル容器の前記回転数を下降させる減速段階とをさらに含む複数の段階で前記バレル容器の前記回転数を制御することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のチップ部品の製造方法。   The polishing step further includes a constant speed step for keeping the rotational speed of the barrel container constant after the second stage, and a deceleration stage for lowering the rotational speed of the barrel container after the constant speed stage. 6. The method of manufacturing a chip part according to claim 1, wherein the number of rotations of the barrel container is controlled in a plurality of stages. 前記研磨工程では、前記第2段階の後に、前記バレル容器の前記回転数を上昇させる1以上の速度上昇段階をさらに含む複数の段階で前記バレル容器を制御し、当該速度上昇段階では、前記第1段階および前記第2段階を含む当該速度上昇段階より前に行われた段階において前記バレル容器の前記回転数を上昇させるいずれの速度よりも小さい速度で、前記バレル容器の前記回転数を上昇させることを特徴とする請求項1から請求項6に記載のチップ部品の製造方法。   In the polishing step, after the second stage, the barrel container is controlled in a plurality of stages further including one or more speed increasing stages for increasing the number of rotations of the barrel container. In the speed increasing stage, The rotation speed of the barrel container is increased at a speed smaller than any speed at which the rotation speed of the barrel container is increased in a stage performed before the speed increase stage including the first stage and the second stage. The method for manufacturing a chip part according to claim 1, wherein:
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