JP4650244B2 - Circuit module and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、部品内蔵基板を用いた回路モジュール、特に電磁シールド機能を備えた回路モジュールおよびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a circuit module using a component-embedded substrate, and more particularly to a circuit module having an electromagnetic shielding function and a method for manufacturing the same.

従来、携帯電話、自動車電話などの無線機器やその他の各種通信機器に用いられる電圧制御発振器（ＶＣＯ）やアンテナスイッチなどの回路モジュールにおいて、モジュール基板の上に搭載された回路部品から発生する電磁波の漏洩を防止し、あるいは外部から侵入する電磁波を遮蔽するために、周囲をシールドケースで覆った構造の回路モジュールが知られている。また、１つの回路モジュール内で回路部品間の干渉を防止するために、間にシールド板を設ける構造も知られている。 Conventionally, in a circuit module such as a voltage controlled oscillator (VCO) and an antenna switch used for wireless devices such as a mobile phone and a car phone and other various communication devices, an electromagnetic wave generated from a circuit component mounted on a module substrate is used. A circuit module having a structure in which the periphery is covered with a shield case in order to prevent leakage or shield electromagnetic waves entering from the outside is known. In addition, a structure in which a shield plate is provided in order to prevent interference between circuit components in one circuit module is also known.

一方、近年、回路部品を絶縁樹脂層に埋没する部品内蔵基板を用いた回路モジュールも利用が進んでいる。このような回路モジュールにおいても、シールドの必要性は変わらない。一般に部品内蔵基板を用いた回路モジュールは、集合基板状態で部品の埋没などを行い、最後に子基板に分割して個々の回路モジュールになる。その際、部品内蔵基板の上面にシールド用の電極を形成するのは比較的容易だが、例えば回路モジュールの側面シールドのような水平方向の電磁波に対するシールドの形成は容易ではない。 On the other hand, in recent years, circuit modules using a component-embedded substrate in which circuit components are buried in an insulating resin layer are also being used. Even in such a circuit module, the necessity for shielding does not change. In general, a circuit module using a component-embedded substrate is embedded in a state of a collective substrate, and finally is divided into child substrates to be individual circuit modules. At that time, it is relatively easy to form a shield electrode on the upper surface of the component-embedded substrate, but it is not easy to form a shield against horizontal electromagnetic waves such as a side shield of a circuit module.

図１９は電磁シールド機能を持つ回路モジュールの一例であり、配線基板６０の表面にグランド電極６１や入出力電極６２が形成され、裏面に端子電極６３が形成されている。配線基板６０の内部にはインナービア６４や内部配線６５が形成されている。回路部品６６をグランド電極６１や入出力電極６２にはんだまたは導電性接着剤などの導電性接合材６７で接合した後、回路部品６６を包み込むように配線基板６０の上を絶縁樹脂層６８で覆い、絶縁樹脂層６８の外表面および配線基板６０の周面を電磁シールド層６９で覆ったものである。 FIG. 19 shows an example of a circuit module having an electromagnetic shielding function. A ground electrode 61 and an input / output electrode 62 are formed on the front surface of the wiring board 60, and a terminal electrode 63 is formed on the back surface. Inner vias 64 and internal wirings 65 are formed inside the wiring board 60. After the circuit component 66 is bonded to the ground electrode 61 or the input / output electrode 62 with a conductive bonding material 67 such as solder or conductive adhesive, the wiring substrate 60 is covered with an insulating resin layer 68 so as to wrap the circuit component 66. The outer surface of the insulating resin layer 68 and the peripheral surface of the wiring substrate 60 are covered with an electromagnetic shield layer 69.

このような構造の回路モジュールを製造するには、集合基板状態の配線基板６０を準備し、その配線基板６０に回路部品６６を搭載し、絶縁樹脂層６８で封止した後、子基板に分割し、最後に電磁シールド層６９を設けることになる。絶縁樹脂層６８の上面については、集合基板状態でシールド層６９を形成することが可能であるが、絶縁樹脂層６８と配線基板６０の側面については、子基板に分割した後で形成しなければならない。その結果、生産性が悪く、品質ばらつきも発生しやすいという問題がある。 In order to manufacture a circuit module having such a structure, a wiring board 60 in a collective substrate state is prepared, a circuit component 66 is mounted on the wiring board 60, sealed with an insulating resin layer 68, and then divided into child boards. Finally, the electromagnetic shield layer 69 is provided. Although it is possible to form the shield layer 69 on the upper surface of the insulating resin layer 68 in a collective substrate state, the side surfaces of the insulating resin layer 68 and the wiring substrate 60 must be formed after being divided into sub-substrates. Don't be. As a result, there is a problem that productivity is poor and quality variations are likely to occur.

特許文献１には、部品搭載面の四方を覆うシールド層が形成され、かつ生産性に優れた回路モジュールが提案されている。
図２０は特許文献１に示された回路モジュールの製造工程の一例である。
まず集合基板状態の多層配線基板７０を準備し（ａ）、この配線基板７０に対してはんだまたは導電性接着剤７１を印刷し（ｂ）、回路部品７２を実装し（ｃ）、絶縁樹脂層７３を形成し（ｄ）、上面にシールド層７４を形成した後、熱処理にて絶縁樹脂層７３を硬化させ（ｅ）、配線基板７０上のグランド電極７５が露出する高さまで絶縁樹脂層７３に切断溝７６を設け（ｆ）、切断溝７６に導電性物質７７を充填して熱硬化させ（ｇ）、その後で切断溝７６にそって切断することで、個片化するものである。 Patent Document 1 proposes a circuit module in which a shield layer covering four sides of a component mounting surface is formed and which is excellent in productivity.
FIG. 20 shows an example of a manufacturing process of the circuit module disclosed in Patent Document 1.
First, a multilayer wiring board 70 in a collective board state is prepared (a), solder or conductive adhesive 71 is printed on the wiring board 70 (b), circuit components 72 are mounted (c), and an insulating resin layer 73 is formed (d), and the shield layer 74 is formed on the upper surface. Then, the insulating resin layer 73 is cured by heat treatment (e), and the insulating resin layer 73 is formed to a height at which the ground electrode 75 on the wiring substrate 70 is exposed. A cutting groove 76 is provided (f), and the cutting groove 76 is filled with a conductive material 77 and thermally cured (g), and then cut along the cutting groove 76 to be separated into individual pieces.

上記構造の回路モジュールでは、幅狭な切断溝７６の中に導電性物質７７を隙間なく充填することが容易ではなく、溝７６の内部に空気溜まりなどが発生して充填不良となることがある。その結果、シールド性に悪影響を及ぼす可能性があった。
また、子基板分割（個片化）時の切断工程に加えて、シールド層形成時の切断溝７６の加工工程が追加されるため、工程数が増え、生産性を低下させる可能性があった。特に、切断溝７６によってグランド電極７５の電極面を露出させているが、切断溝７６の加工時に電極７５も同時に切断される可能性があるため、切断溝７６の深さを精密に管理する必要があり、生産性をさらに低下させる原因となっていた。
なお、回路モジュール内で回路部品間にシールドを設ける構成を部品内蔵基板に適用した例は見当たらない。
特開２００５−１５９２２７号公報 In the circuit module having the structure described above, it is not easy to fill the narrow cut groove 76 with the conductive material 77 without gaps, and an air pocket or the like may be generated inside the groove 76, resulting in poor filling. . As a result, there is a possibility that the shielding performance may be adversely affected.
Further, in addition to the cutting process at the time of dividing the sub-board (individualization), a process for forming the cutting groove 76 at the time of forming the shield layer is added, which may increase the number of processes and reduce the productivity. . In particular, the electrode surface of the ground electrode 75 is exposed by the cutting groove 76. However, since the electrode 75 may be cut at the same time when the cutting groove 76 is processed, it is necessary to precisely control the depth of the cutting groove 76. This has caused productivity to be further reduced.
There is no example in which a configuration in which a shield is provided between circuit components in a circuit module is applied to a component-embedded substrate.
JP 2005-159227 A

そこで、本発明の目的は、製造が容易で水平方向のシールド性を有する回路モジュールおよびその製造方法を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a circuit module that is easy to manufacture and has a horizontal shielding property, and a method for manufacturing the circuit module.

請求項１に係る回路モジュールは、上面に回路部品を実装したモジュール基板と、上記モジュール基板の外周部上面に形成されたグランド電極と、上記回路部品を包み込むように上記モジュール基板の上面全面に形成された絶縁樹脂層と、上記回路部品の周囲を取り囲むように上記グランド電極上に実装され、外周面が上記絶縁樹脂層で覆われた状態で上記絶縁樹脂層の中に埋設され、上記モジュール基板の外形寸法より微小寸法だけ小さい外形寸法を持ちかつ上記回路部品より高さが高い枠状の側面シールド板と、上記絶縁樹脂層の上面に形成され、上記側面シールド板の上端部と接続された上面シールド層と、を備えたことを特徴とする。 Circuit module according to claim 1, formed with the module board mounted with circuit components on the top surface, and a ground electrode formed on an outer peripheral portion upper surface of the module substrate, the entire upper surface of the module substrate so as to enclose said circuit component an insulating resin layer which is being implemented on the ground electrode so as to surround the periphery of the circuit component, the outer peripheral surface is embedded in the insulating resin layer in a state covered with the insulating resin layer, the module substrate A frame-shaped side shield plate having an outer dimension that is smaller than the outer dimension and having a height higher than that of the circuit component , formed on the upper surface of the insulating resin layer, and connected to the upper end of the side shield plate And an upper shield layer.

請求項３に係る回路モジュールは、上面に複数の回路部品を実装し、かつ上記複数の回路部品の間にグランド電極が形成されたモジュール基板と、上記複数の回路部品を包み込むように上記モジュール基板の上面全面に形成された絶縁樹脂層と、上記複数の回路部品の間を仕切るように上記グランド電極に実装され、上記絶縁樹脂層の中に埋設された中間シールド板と、上記絶縁樹脂層の上面であって、上記中間シールド板で仕切られた一方の領域のみに形成され、上記中間シールド板の上端部と接続された上面シールド層と、を備えたことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a circuit module having a plurality of circuit components mounted on an upper surface thereof , and a module substrate having a ground electrode formed between the plurality of circuit components, and the module substrate so as to enclose the plurality of circuit components. An insulating resin layer formed on the entire upper surface of the substrate, and an intermediate shield plate mounted on the ground electrode so as to partition the plurality of circuit components, and embedded in the insulating resin layer, and the insulating resin layer And an upper surface shield layer formed on only one region partitioned by the intermediate shield plate and connected to the upper end portion of the intermediate shield plate .

請求項５に係る回路モジュールの製造方法は、上面に配線電極とその配線電極の周囲を取り囲むグランド電極とが形成された集合基板状態のモジュール基板を準備する工程と、上記モジュール基板の配線電極上に回路部品を実装する工程と、上記回路部品の周囲を取り囲むように上記グランド電極上に子基板状態の上記モジュール基板の外形寸法より微小寸法だけ小さい外形寸法を持ちかつ上記回路部品より高さが高い枠状の側面シールド板を実装する工程と、上記回路部品を包み込み、かつ上記側面シールド板が埋設されるように上記モジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成する工程であって、上記側面シールド板の外周面が上記絶縁樹脂層で覆われた状態とする工程と、上記絶縁樹脂層の上面に、上記側面シールド層と接続された上面シールド層を形成する工程と、上記集合基板状態のモジュール基板及び絶縁樹脂層を子基板状態に分割する工程と、を含むことを特徴とする。 Method of manufacturing a circuit module according to claim 5 includes the steps of: preparing a module substrate of the aggregate substrate state and the ground electrode surrounding are formed wiring electrodes and their wiring electrode on the upper surface, the module substrate wiring electrodes on A circuit component is mounted on the ground electrode, and has an outer dimension smaller than the outer dimension of the module substrate in a child board state on the ground electrode so as to surround the circuit component, and the height is higher than the circuit component. a step of mounting a high frame-shaped side surface shield plate, wraps the circuit component, and a step of forming an insulating resin layer on the entire upper surface of the module substrate so that the side shield plate is embedded, the side a step of the outer peripheral surface of the shield plate is the state of being covered with the insulating resin layer, the upper surface of the insulating resin layer, which is connected to the side surface shield layer Forming a surface shield layer, characterized in that it comprises a and a step of dividing the module substrate and an insulating resin layer of the assembly substrate state to the daughter board state.

請求項８に係る回路モジュールの製造方法は、上面に配線電極とその配線電極の間にグランド電極とが形成された集合基板状態のモジュール基板を準備する工程と、上記モジュール基板の配線電極上に複数の回路部品を実装する工程と、上記複数の回路部品の間を仕切るように上記グランド電極上に中間シールド板を実装する工程と、上記複数の回路部品を包み込み、かつ上記中間シールド板が埋設されるように上記モジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成する工程と、上記絶縁樹脂層の上面であって、上記中間シールド板で仕切られた一方の領域のみに、上記中間シールド板の上端部と接続された上面シールド層を形成する工程と、上記集合基板状態のモジュール基板及び絶縁樹脂層を子基板状態に分割する工程と、を含むことを特徴とする。 Method of manufacturing a circuit module according to claim 8 includes the steps of: preparing a module substrate of the aggregate substrate state and the ground electrode is formed between the wiring electrodes and the wiring electrode on the upper surface, on the wiring electrodes of the module substrate wrap a step of mounting a plurality of circuit components, the step of mounting the intermediate shield plate on the ground electrode so as to partition the plurality of circuit components, the plurality of circuit components, and said intermediate shield plate embedded Forming an insulating resin layer over the entire upper surface of the module substrate, and an upper surface of the intermediate shield plate only on one region of the upper surface of the insulating resin layer and partitioned by the intermediate shield plate. JP forming a top surface shield layer that is connected to the part, and the step of dividing the module substrate and an insulating resin layer of the assembly substrate state to the daughter board state, to include To.

本発明にかかる回路モジュールの製造方法について説明する。
まずモジュール基板を準備し、モジュール基板上に回路部品を実装し、回路部品の周囲を取り囲むようにモジュール基板上に枠状の側面シールド板を搭載する。回路部品の実装と側面シールド板の搭載とを同時に実施してもよい。集合基板状態のモジュール基板を使用した場合には、井桁状に組まれた側面シールド板をモジュール基板の子基板上にそれぞれ搭載してもよい。搭載方法として、例えばはんだ付けや導電性接着剤により固定してもよい。次に、回路部品を包み込み、かつ側面シールド板が埋設されるようにモジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成し、絶縁樹脂層の上面に、側面シールド板の上端部と接続されるように上面シールド層を形成する。絶縁樹脂層の形成方法としては、例えばプリプレグ（未硬化）状態の絶縁樹脂層をモジュール基板上に圧着し、硬化させてもよいし、モジュール基板上に絶縁樹脂をモールドし、硬化させてもよい。絶縁樹脂層の形成により、絶縁樹脂層と側面シールド板とが密着する。その後、絶縁樹脂層の上面に上面シールド層となる電極をめっき等によって形成する。なお、絶縁樹脂層および上面シールド層の形成方法は任意である。
本発明における側面シールド板とは、金属材料で形成されたものに限らず、樹脂などの絶縁性枠体の内面または外面に電極膜を形成したものでもよい。側面シールド板が、網目状あるいは多数の貫通穴を備えた材料で形成されていてもよい。 A method for manufacturing a circuit module according to the present invention will be described.
First, a module substrate is prepared, circuit components are mounted on the module substrate, and a frame-shaped side shield plate is mounted on the module substrate so as to surround the circuit components. The circuit component mounting and the side shield plate mounting may be performed simultaneously. When the module substrate in the collective substrate state is used, the side shield plates assembled in a cross pattern may be mounted on the sub-substrates of the module substrate. As a mounting method, for example, it may be fixed by soldering or a conductive adhesive. Next, an insulating resin layer is formed on the entire upper surface of the module substrate so as to wrap the circuit components and the side shield plate is embedded, and the upper surface of the side shield plate is connected to the upper surface of the insulating resin layer. An upper shield layer is formed. As a method for forming the insulating resin layer, for example, an insulating resin layer in a prepreg (uncured) state may be pressure-bonded on the module substrate and cured, or the insulating resin may be molded and cured on the module substrate. . By forming the insulating resin layer, the insulating resin layer and the side shield plate are brought into close contact with each other. Thereafter, an electrode serving as a top shield layer is formed on the upper surface of the insulating resin layer by plating or the like. In addition, the formation method of an insulating resin layer and an upper surface shield layer is arbitrary.
The side shield plate in the present invention is not limited to one formed of a metal material, but may be one in which an electrode film is formed on the inner surface or outer surface of an insulating frame such as resin. The side shield plate may be formed of a mesh or a material having a large number of through holes.

上記のように、絶縁樹脂層の上面は上面シールド層によって覆われており、側面は側面シールド板によって覆われているため、従来のように切断溝に導電性物質を充填する方法と異なり、充填不良によるシールド性の低下といった不具合がなく、絶縁樹脂層が厚い場合でも高いシールド効果を得ることができる。
また、集合基板状態のモジュール基板を用いて製造する場合、回路部品の実装、側面シールド板の搭載、絶縁樹脂層の形成、上面シールド層の形成といったすべての工程を集合基板状態で実施できるので、子基板に分割した後で側面シールド層を形成する必要がなく、生産性が良好となる。 As described above, the top surface of the insulating resin layer is covered with the top shield layer, and the side surfaces are covered with the side shield plates. Therefore, unlike the conventional method of filling the cut groove with the conductive material, the filling is performed. There is no inconvenience such as a decrease in shielding property due to defects, and a high shielding effect can be obtained even when the insulating resin layer is thick.
In addition, when manufacturing using a module substrate in a collective substrate state, all processes such as mounting circuit components, mounting side shield plates, forming an insulating resin layer, and forming a top shield layer can be performed in the collective substrate state. It is not necessary to form a side shield layer after dividing the substrate, and productivity is improved.

上記製造方法では、回路部品の周囲を取り囲むようにモジュール基板上に枠状の側面シールド板を搭載したが、複数の回路部品をモジュール基板に搭載した場合には、複数の回路部品の間を仕切るようにモジュール基板に中間シールド板を搭載してもよい。例えば、いずれかの回路部品がノイズを発生しやすい部品または輻射の影響を受けやすい部品である場合、その回路部品を中間シールド板によって他の部品から隔離することができるので、回路部品同士の電磁波による相互干渉を防止できる。なお、上面シールド層は少なくとも中間シールド板で仕切られた一方の領域にのみ形成してもよい。
中間シールド板は、それ単独で用いてもよいが、側面シールド板と併用することもできる。この場合には、側面シールド板の内側に中間シールド板を配置することで、側面シールド板と中間シールド板の両方の効果を発揮できる。 In the above manufacturing method, the frame-shaped side shield plate is mounted on the module substrate so as to surround the periphery of the circuit component. However, when a plurality of circuit components are mounted on the module substrate, the plurality of circuit components are partitioned. Thus, an intermediate shield plate may be mounted on the module substrate. For example, if any circuit component is a component that easily generates noise or a component that is susceptible to radiation, the circuit component can be isolated from other components by an intermediate shield plate. Mutual interference due to can be prevented. The top shield layer may be formed only in at least one region partitioned by the intermediate shield plate.
The intermediate shield plate may be used alone or in combination with the side shield plate. In this case, by arranging the intermediate shield plate inside the side shield plate, the effects of both the side shield plate and the intermediate shield plate can be exhibited.

絶縁樹脂層を形成したとき、絶縁樹脂層の一部が側面シールド板あるいは中間シールド板の上端部を覆ってしまい、その上面に上面シールド層を形成しても、上面シールド層と側面シールド板あるいは中間シールド板の上端とが安定して接続されるとは限らない。
そこで、絶縁樹脂層を形成する工程と上面シールド層を形成する工程との間に、絶縁樹脂層の上面を研磨して側面シールド板あるいは中間シールド板の上端部を露出させる工程を設けるのがよい。絶縁樹脂層の上面を研磨することで露出した側面シールド板あるいは中間シールド板の上端部は新鮮な断面であるため、その上に上面シールド層を形成すれば、上面シールド層と側面シールド板あるいは中間シールド板とを確実に接続することができる。 When the insulating resin layer is formed, a part of the insulating resin layer covers the upper end of the side shield plate or the intermediate shield plate, and even if the upper shield layer is formed on the upper surface, the upper shield layer and the side shield plate or The upper end of the intermediate shield plate is not always stably connected.
Therefore, it is preferable to provide a step of polishing the upper surface of the insulating resin layer to expose the upper end portion of the side shield plate or the intermediate shield plate between the step of forming the insulating resin layer and the step of forming the upper shield layer. . Since the upper end portion of the side shield plate or intermediate shield plate exposed by polishing the upper surface of the insulating resin layer has a fresh cross section, if the upper shield layer is formed thereon, the upper shield layer and the side shield plate or intermediate The shield plate can be securely connected.

モジュール基板の上面にグランド電極を形成し、側面シールド板あるいは中間シールド板の下端部をグランド電極と接続してもよい。
モジュール基板の上面にグランド電極が形成されている場合、そのグランド電極と側面シールド板あるいは中間シールド板とを接続することで、側面シールド板や中間シールド板および上面シールド層をグランド電位に接続できるので、シールド性がさらに向上する。また、グランド電極と側面シールド板あるいは中間シールド板との接続にはんだを使用すれば、側面シールド板あるいは中間シールド板の固定も同時に行うことができる。 A ground electrode may be formed on the upper surface of the module substrate, and the lower end portion of the side shield plate or the intermediate shield plate may be connected to the ground electrode.
If a ground electrode is formed on the top surface of the module board, the side shield plate, intermediate shield plate, and top shield layer can be connected to the ground potential by connecting the ground electrode to the side shield plate or intermediate shield plate. , Shielding properties are further improved. Further, if solder is used to connect the ground electrode to the side shield plate or the intermediate shield plate, the side shield plate or the intermediate shield plate can be fixed at the same time.

モジュール基板の下面にグランド端子電極を形成し、グランド端子電極をビアホール導体を介してモジュール基板の上面のグランド電極と接続してもよい。
回路モジュールをマザーボード等の実装基板に実装したとき、回路モジュールのグランド端子電極はマザーボードのグランド用ランドに接続される。したがって、回路モジュールの側面シールド板や中間シールド板および上面シールド層を確実にグランド電位に接続でき、シールド性が向上する。 A ground terminal electrode may be formed on the lower surface of the module substrate, and the ground terminal electrode may be connected to the ground electrode on the upper surface of the module substrate via a via-hole conductor.
When the circuit module is mounted on a mounting board such as a motherboard, the ground terminal electrode of the circuit module is connected to the ground land of the motherboard. Therefore, the side shield plate, intermediate shield plate, and top shield layer of the circuit module can be reliably connected to the ground potential, and the shielding performance is improved.

以上のように、本発明に係る回路モジュールによれば、回路部品の周囲を取り囲む枠状の側面シールド板をモジュール基板上に搭載し、側面シールド板を絶縁樹脂層に埋設したので、絶縁樹脂層を形成した後で側面シールド層を形成する場合に比べて容易に製造できるとともに、従来のように切断溝の中に導電性物質を充填して側面シールド層を形成する場合のようなシールド不良を防止できる。
また、複数の回路部品の間を仕切る中間シールド板をモジュール基板上に搭載し、中間シールド板を絶縁樹脂層に埋設したので、絶縁樹脂層を形成した後で中間シールド層を形成する場合に比べて容易に製造できる。 As described above, according to the circuit module of the present invention, the frame-shaped side shield plate surrounding the periphery of the circuit component is mounted on the module substrate, and the side shield plate is embedded in the insulating resin layer. Compared to the case where the side shield layer is formed after forming, the shield defect as in the case where the side shield layer is formed by filling the cut groove with a conductive material as in the prior art is possible. Can be prevented.
In addition, since the intermediate shield plate that divides the plurality of circuit components is mounted on the module substrate and the intermediate shield plate is embedded in the insulating resin layer, compared to the case where the intermediate shield layer is formed after the insulating resin layer is formed. And can be manufactured easily.

以下に、本発明の実施の形態を、実施例を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to examples.

図１〜図４は本発明にかかる回路モジュールの第１実施例を示す。
回路モジュールＡは、樹脂多層基板などの絶縁性基板よりなる四角形のモジュール基板１を備えている。モジュール基板１の上面には入出力用などの配線電極２とグランド電極３とが形成され、配線電極２に対して複数の回路部品４（４ａ〜４ｃ）が接続されている。この例では、回路部品４ａ，４ｂがパワーアンプ用トランジスタのような能動部品であり、回路部品４ｃはチップコンデンサのような受動部品であるが、これに限定されるものではない。回路部品４ａは配線電極２に対してバンプを介してフェースダウン実装されており、回路部品４ｂ，４ｃは配線電極２にはんだ付けされている。 1 to 4 show a first embodiment of a circuit module according to the present invention.
The circuit module A includes a square module substrate 1 made of an insulating substrate such as a resin multilayer substrate. A wiring electrode 2 for input / output and a ground electrode 3 are formed on the upper surface of the module substrate 1, and a plurality of circuit components 4 (4 a to 4 c) are connected to the wiring electrode 2. In this example, the circuit components 4a and 4b are active components such as a power amplifier transistor, and the circuit component 4c is a passive component such as a chip capacitor, but is not limited thereto. The circuit component 4 a is mounted face-down on the wiring electrode 2 via bumps, and the circuit components 4 b and 4 c are soldered to the wiring electrode 2.

グランド電極３は配線電極２を取り囲むように枠状に形成されており、その上に枠状の側面シールド板５が搭載され、電気的かつ機械的に接合されている。側面シールド板５は例えば導電性の金属板で矩形枠状に形成されており、その外形寸法はモジュール基板１の外形寸法よりやや小さく設定されている。なお、図２に示す配線電極２のパターン形状は一例に過ぎず、配線電極２に接続される回路部品４も図示のものに限るものではない。また、モジュール基板１は単層構造であってもよい。 The ground electrode 3 is formed in a frame shape so as to surround the wiring electrode 2, and a frame-shaped side shield plate 5 is mounted thereon and is electrically and mechanically joined. The side shield plate 5 is made of, for example, a conductive metal plate and has a rectangular frame shape, and its outer dimension is set slightly smaller than the outer dimension of the module substrate 1. In addition, the pattern shape of the wiring electrode 2 shown in FIG. 2 is only an example, and the circuit component 4 connected to the wiring electrode 2 is not limited to the illustrated one. The module substrate 1 may have a single layer structure.

配線電極２のうちグランド用の配線電極は、図３に示すようにビアホール導体６を介してモジュール基板１の裏面中央部に形成されたシールド電極７に接続されている。モジュール基板１の裏面外周部には、シールド電極７を取り囲むように複数の端子電極８が環状に配列されており、一部の端子電極８はビアホール導体９ａ，９ｂおよび、内部電極１０を介して他の配線電極２と接続されている。さらに、枠状のグランド電極３は、ビアホール導体１１を介して他の端子電極８と接続されている。なお、モジュール基板１の内部配線構造は、図３に示すものに限るものではない。 Of the wiring electrodes 2, the ground wiring electrode is connected to a shield electrode 7 formed in the center of the back surface of the module substrate 1 through a via-hole conductor 6 as shown in FIG. 3. A plurality of terminal electrodes 8 are annularly arranged on the outer periphery of the back surface of the module substrate 1 so as to surround the shield electrode 7, and some of the terminal electrodes 8 are connected via via-hole conductors 9 a and 9 b and the internal electrode 10. It is connected to another wiring electrode 2. Further, the frame-shaped ground electrode 3 is connected to another terminal electrode 8 through a via-hole conductor 11. The internal wiring structure of the module substrate 1 is not limited to that shown in FIG.

モジュール基板１の上面には、全ての回路部品４を包み込むように絶縁樹脂層２０が形成されている。絶縁樹脂層２０は例えば熱硬化性樹脂または熱硬化性樹脂と無機フィラーとの混合物よりなる樹脂組成物であり、絶縁樹脂層２０の厚み（＝側面シールド板５の高さ）は回路部品４の最大高さより厚く、上面は平坦面に形成されている。絶縁樹脂層２０の上面には、銅箔などよりなる上面シールド層２１が形成され、上面シールド層２１は側面シールド板５の上端部に電気的に接続されている。 An insulating resin layer 20 is formed on the upper surface of the module substrate 1 so as to enclose all the circuit components 4. The insulating resin layer 20 is a resin composition made of, for example, a thermosetting resin or a mixture of a thermosetting resin and an inorganic filler, and the thickness of the insulating resin layer 20 (= the height of the side shield plate 5) is the same as that of the circuit component 4. It is thicker than the maximum height and the upper surface is formed as a flat surface. An upper shield layer 21 made of copper foil or the like is formed on the upper surface of the insulating resin layer 20, and the upper shield layer 21 is electrically connected to the upper end portion of the side shield plate 5.

上記のように、モジュール基板１の上面に搭載された回路部品４の周囲および上面が側面シールド板５と上面シールド層２１とで覆われているので、回路部品４や内部配線等からの輻射及び外来ノイズに対して十分なシールド効果が得られる。さらに、回路モジュールＡの裏面中央部にもシールド電極７が形成されているので、さらにシールド性が良好となる。 As described above, since the periphery and top surface of the circuit component 4 mounted on the top surface of the module substrate 1 are covered with the side shield plate 5 and the top surface shield layer 21, radiation from the circuit component 4 and internal wiring and the like A sufficient shielding effect against external noise can be obtained. Furthermore, since the shield electrode 7 is also formed in the center of the back surface of the circuit module A, the shielding property is further improved.

ここで、上記構成よりなる回路モジュールの製造方法の一例を、図５，図６を参照して説明する。
図５の（ａ）は、モジュール基板１を準備した状態を示す。なお、図５では単一のモジュール基板１を例にして説明するが、実際には図６に示すように複数の子基板を集合した集合基板１Ｍを準備する。
図５の（ｂ）および図６は、モジュール基板１上の配線電極２に対して回路部品４を実装すると同時に、グランド電極３の上に側面シールド板５を実装した状態を示す。側面シールド板５は、図６に示すようにモジュール基板１Ｍの各子基板上に１個ずつ実装される。図６において、子基板の境界線ＢＬを破線で示す。なお、回路部品４の実装方法は、はんだ付けに限らず、バンプを用いてフェースダウン実装してもよいし、回路部品４を固定した後、ワイヤボンディングしてもよい。また、側面シールド板５とグランド電極３との接合方法は、はんだ付けや導電性接着剤など任意の電気的かつ機械的接合方法を用いることができる。
図５の（ｃ）は、モジュール基板１の上面全面に回路部品４および側面シールド板５を包み込むように絶縁樹脂層２０を形成した状態を示す。絶縁樹脂層２０の形成方法としては、例えばプリプレグ（未硬化）状態の絶縁樹脂層２０をモジュール基板１上に圧着し、その後で硬化させてもよいし、モジュール基板１上に絶縁樹脂をモールドし、硬化させてもよい。絶縁樹脂層２０を形成することにより、回路部品４および側面シールド板５が絶縁樹脂層２０の中に埋設される。すなわち、絶縁樹脂層２０の一部は側面シールド板５の外側にも回り込む。この状態で、絶縁樹脂層２０を熱硬化させる。
図５の（ｄ）は、絶縁樹脂層２０の上面を研磨して側面シールド板５の上端部を露出させた状態を示す。絶縁樹脂層２０の上面を研磨することで、側面シールド板５の上端部の一部も研磨されるので、露出した側面シールド板５の上端部は酸化されていない新鮮な断面となる。
図５の（ｅ）は、研磨後の絶縁樹脂層２０の上面に上面シールド層２１を形成した状態を示す。上面シールド層２１の形成方法としては、例えばめっき法、導電ペーストの塗布・焼き付け、スパッタ、蒸着など任意の方法で形成できる。図５の（ｄ）のように絶縁樹脂層２０の上面を研磨することで、側面シールド板５の上端部の新鮮な断面が現れるので、上面シールド２１と確実に接続することができる。
上面シールド層２１を形成した後、集合基板状態のモジュール基板１および絶縁樹脂層２０をダイシングなどにより子基板に分割することにより、回路モジュールＡを得ることができる。 Here, an example of a manufacturing method of the circuit module having the above configuration will be described with reference to FIGS.
FIG. 5A shows a state in which the module substrate 1 is prepared. In FIG. 5, a single module substrate 1 will be described as an example, but actually, as shown in FIG. 6, a collective substrate 1M in which a plurality of sub-substrates are assembled is prepared.
5B and 6 show a state in which the circuit component 4 is mounted on the wiring electrode 2 on the module substrate 1 and at the same time the side shield plate 5 is mounted on the ground electrode 3. One side shield plate 5 is mounted on each sub-board of the module board 1M as shown in FIG. In FIG. 6, the boundary line BL of the daughter board is indicated by a broken line. The mounting method of the circuit component 4 is not limited to soldering, and may be face-down mounted using bumps, or may be wire-bonded after the circuit component 4 is fixed. Moreover, as a method for joining the side shield plate 5 and the ground electrode 3, any electrical and mechanical joining method such as soldering or conductive adhesive can be used.
FIG. 5C shows a state in which the insulating resin layer 20 is formed on the entire upper surface of the module substrate 1 so as to wrap the circuit component 4 and the side shield plate 5. As a method for forming the insulating resin layer 20, for example, the insulating resin layer 20 in a prepreg (uncured) state may be pressure-bonded on the module substrate 1 and then cured, or an insulating resin is molded on the module substrate 1. It may be cured. By forming the insulating resin layer 20, the circuit component 4 and the side shield plate 5 are embedded in the insulating resin layer 20. That is, a part of the insulating resin layer 20 also goes outside the side shield plate 5. In this state, the insulating resin layer 20 is thermally cured.
FIG. 5D shows a state where the upper surface of the side shield plate 5 is exposed by polishing the upper surface of the insulating resin layer 20. By polishing the upper surface of the insulating resin layer 20, a part of the upper end portion of the side shield plate 5 is also polished, so that the exposed upper end portion of the side shield plate 5 has a fresh unoxidized cross section.
FIG. 5E shows a state in which the top shield layer 21 is formed on the top surface of the insulating resin layer 20 after polishing. The upper shield layer 21 can be formed by any method such as plating, conductive paste application / baking, sputtering, or vapor deposition. By polishing the upper surface of the insulating resin layer 20 as shown in FIG. 5D, a fresh cross section of the upper end portion of the side shield plate 5 appears, so that the upper surface shield 21 can be reliably connected.
After forming the top shield layer 21, the circuit module A can be obtained by dividing the module substrate 1 and the insulating resin layer 20 in a collective substrate state into sub-substrates by dicing or the like.

上記のように、側面シールド板５を集合基板状態のモジュール基板１に搭載した後で絶縁樹脂層２０を形成するので、絶縁樹脂層２０を形成した後で側面シールドを形成する方法に比べて、容易に側面シールドを形成することができ、生産性を大幅の向上させることができる。
しかも、側面シールド板５は外部からのノイズを遮蔽すべき部品あるいはノイズを発生する可能性のある部品の周囲を取り囲んでいるので、シールド性に優れた回路モジュールを実現できる。 As described above, since the insulating resin layer 20 is formed after the side shield plate 5 is mounted on the module substrate 1 in the collective substrate state, compared to the method of forming the side shield after forming the insulating resin layer 20, Side shields can be easily formed, and productivity can be greatly improved.
In addition, since the side shield plate 5 surrounds a part that should block external noise or a part that may generate noise, a circuit module having excellent shielding performance can be realized.

図７，図８は第２実施例にかかる回路モジュールＢを示し、特に側面シールド板の形成方法の他の例を示す。
第１実施例では、図６に示すようにモジュール基板１Ｍの子基板上に枠状に形成された側面シールド板５を個別に搭載した例を示したが、絶縁樹脂層２０の圧着時（プリプレグを用いた場合）に側面シールド板５が位置ずれを起こす可能性がある。そこで、第２実施例では、井桁状に組まれた側面シールド板５Ｍを使用することで、絶縁樹脂層２０の圧着時の側面シールド板の位置ずれを抑制できる方法を提案している。 7 and 8 show a circuit module B according to the second embodiment, and particularly show another example of a method for forming a side shield plate.
In the first embodiment, as shown in FIG. 6, an example in which the side shield plate 5 formed in a frame shape is individually mounted on the sub-board of the module substrate 1M is shown. However, when the insulating resin layer 20 is pressed (prepreg) The side shield plate 5 may be displaced. Therefore, the second embodiment proposes a method that can suppress the positional deviation of the side shield plate when the insulating resin layer 20 is pressure-bonded by using the side shield plate 5M assembled in a cross beam shape.

図７は、集合基板状態のモジュール基板１Ｍの上に井桁状に組まれた側面シールド板５Ｍを搭載した状態を示す。
図７において、子基板の境界線ＢＬを破線で示す。側面シールド板５Ｍの最外周を取り囲む板材は１枚板で構成されているが、子基板同士の間を仕切る板材は微小な間隔をあけて平行配置した２枚板で構成されている。側面シールド板５Ｍをモジュール基板１Ｍに接合し、絶縁樹脂層２０を圧着固定し、上面研磨、上面シールドを形成した後、境界線ＢＬに沿って子基板に分割する。子基板同士の間を分割する境界線ＢＬは２枚板の中間を通っているので、子基板に分割する際に、側面シールド板５Ｍの一部も切断され、図８に示すように、絶縁樹脂層２０のコーナー部に側面シールド板５ｂの切断端面１２が露出することになる。 FIG. 7 shows a state in which the side shield plate 5M assembled in a cross pattern is mounted on the module substrate 1M in the collective substrate state.
In FIG. 7, the boundary line BL of the daughter board is indicated by a broken line. The plate material surrounding the outermost periphery of the side shield plate 5M is composed of a single plate, but the plate material that partitions between the sub-boards is composed of two plates arranged in parallel with a minute interval. The side shield plate 5M is bonded to the module substrate 1M, the insulating resin layer 20 is pressure-bonded and fixed, and the upper surface is polished and the upper surface shield is formed, and then divided into sub-substrates along the boundary line BL. Since the boundary line BL dividing between the sub-boards passes through the middle of the two boards, when dividing into the sub-boards, a part of the side shield plate 5M is also cut and insulated as shown in FIG. The cut end face 12 of the side shield plate 5b is exposed at the corner portion of the resin layer 20.

この実施例では、側面シールド板５Ｍを井桁状に組んだ状態で集合基板状態のモジュール基板１Ｍに搭載し、その後で子基板に分割するため、側面シールド板５ｂの倒れや位置ずれを防止でき、生産性よく回路モジュールＢを得ることができる。 In this embodiment, the side shield plate 5M is mounted on the module substrate 1M in a collective substrate state in a state where the side shield plate 5M is assembled, and then divided into sub-substrates, so that the side shield plate 5b can be prevented from falling or misaligned. The circuit module B can be obtained with high productivity.

図９は第３実施例にかかる回路モジュールＣを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＣでは、多数の貫通穴１３を持つ側面シールド板５ｃを使用した点を特徴としている。未硬化状態の絶縁樹脂層２０を側面シールド板５ｃの上方より圧着したとき、側面シールド板５ｃの外側の絶縁樹脂層２０と内側の絶縁樹脂層２０とが貫通穴１３を介して結合されるので、絶縁樹脂層２０と側面シールド板５ｃとの連結強度が高くなり、絶縁樹脂層２０と側面シールド板５ｃとの剥離を防止できる。
なお、側面シールド板５ｃに多数の貫通穴１３が形成されていても、穴径が電磁波の波長に対して十分小さければシールド性に影響はない。 FIG. 9 shows a circuit module C according to the third embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part same as a 1st Example, or a corresponding part, and duplication description is abbreviate | omitted.
This circuit module C is characterized in that a side shield plate 5c having a large number of through holes 13 is used. When the uncured insulating resin layer 20 is pressure-bonded from above the side shield plate 5c, the outer insulating resin layer 20 and the inner insulating resin layer 20 of the side shield plate 5c are coupled through the through hole 13. Further, the connection strength between the insulating resin layer 20 and the side shield plate 5c is increased, and the separation between the insulating resin layer 20 and the side shield plate 5c can be prevented.
Even if a large number of through holes 13 are formed in the side shield plate 5c, the shielding properties are not affected if the hole diameter is sufficiently small with respect to the wavelength of the electromagnetic wave.

図１０は第４実施例にかかる回路モジュールＤを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＤでは、平面視Ｌ字形の枠状側面シールド板５ｄを使用している。側面シールド板５ｄの内側に回路部品４が配置され、外側には回路部品４が搭載されていない。なお、側面シールド板５ｄの外側に、ノイズを発生しにくい部品または輻射の影響を受けにくい部品を搭載してもよい。 FIG. 10 shows a circuit module D according to the fourth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part same as a 1st Example, or a corresponding part, and duplication description is abbreviate | omitted.
In this circuit module D, a frame-shaped side shield plate 5d having an L shape in plan view is used. The circuit component 4 is disposed inside the side shield plate 5d, and the circuit component 4 is not mounted outside. Note that a component that hardly generates noise or a component that is not easily affected by radiation may be mounted outside the side shield plate 5d.

このように、回路部品４の実装位置に応じて側面シールド板５ｄを任意の形に形成できるので、ノイズを発生しやすい回路部品４や輻射の影響を受けやすい回路部品４だけを容易にシールドできる。
なお、図１０に示す側面シールド板５ｄは単なる一例に過ぎず、例えば平面視コ字形やクランク形など任意に変更できる。 Thus, since the side shield plate 5d can be formed in an arbitrary shape according to the mounting position of the circuit component 4, it is possible to easily shield only the circuit component 4 that easily generates noise or the circuit component 4 that is easily affected by radiation. .
Note that the side shield plate 5d shown in FIG. 10 is merely an example, and can be arbitrarily changed, for example, a U shape in a plan view or a crank shape.

図１１，図１２は第５実施例にかかる回路モジュールＥを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＥでは、枠型の側面シールド板５の内側に、追加の中間シールド板１４をノイズ発生源となる部品あるいは輻射の影響を受けやすい部品４ａを取り囲むように取り付けてある。中間シールド板１４の上端も上面シールド層２１と接続されている。中間シールド板１４の例えばコーナー部に相当するモジュール基板１には、グランド電極として機能するビアホール導体１５が形成され、シールド板１４はビアホール導体１５を介して裏面のシールド電極７に接続されている。 11 and 12 show a circuit module E according to the fifth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part same as a 1st Example, or a corresponding part, and duplication description is abbreviate | omitted.
In this circuit module E, an additional intermediate shield plate 14 is attached to the inside of the frame-shaped side shield plate 5 so as to surround a component that is a noise generation source or a component 4a that is susceptible to radiation. The upper end of the intermediate shield plate 14 is also connected to the upper shield layer 21. A via-hole conductor 15 that functions as a ground electrode is formed on the module substrate 1 corresponding to, for example, a corner portion of the intermediate shield plate 14, and the shield plate 14 is connected to the shield electrode 7 on the back surface via the via-hole conductor 15.

この実施例の回路モジュールＥでは、側面シールド板５の内側に、回路部品４ａ〜４ｃ間を仕切る中間シールド板１４が追加されているため、モジュールＥの外周にのみ側面シールド板５を設ける場合と比べ、ノイズをモジュールＥ外に放射しにくくなり、モジュール基板１上に実装された回路部品４ａ〜４ｃ同士のノイズや輻射による相互干渉を防止できる。
なお、第５実施例では、絶縁樹脂層２０の上面全面に上面シールド層２１を形成したが、上面シールド層２１をノイズ発生源となる部品あるいは輻射の影響を受けやすい部品４ａの上面にのみ設けてもよい。つまり、側面シールド板５と中間シールド板１４とで囲まれた領域のみ上面シールド層２１を設けてもよい。 In the circuit module E of this embodiment, the intermediate shield plate 14 that partitions the circuit components 4a to 4c is added inside the side shield plate 5, and therefore the side shield plate 5 is provided only on the outer periphery of the module E. In comparison, it becomes difficult to radiate noise to the outside of the module E, and mutual interference due to noise and radiation between the circuit components 4a to 4c mounted on the module substrate 1 can be prevented.
In the fifth embodiment, the top shield layer 21 is formed on the entire top surface of the insulating resin layer 20. However, the top shield layer 21 is provided only on the top surface of a component that is a noise source or a component 4a that is susceptible to radiation. May be. That is, the top shield layer 21 may be provided only in the region surrounded by the side shield plate 5 and the intermediate shield plate 14.

図１３，図１４は第６実施例にかかる回路モジュールＦを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＦは、第５実施例の回路モジュールＥの変形例であり、中間シールド板１４に代えて、回路部品４ａを取り囲むように複数のビアホール導体１６を設けたものである。これらビアホール導体１６は、モジュール基板１だけでなく絶縁樹脂層２０も貫通しており、上端は上面シールド層２１に、下端はシールド電極７にそれぞれ接続されている。
この実施例の効果は、第５実施例と同様である。 13 and 14 show a circuit module F according to the sixth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part same as a 1st Example, or a corresponding part, and duplication description is abbreviate | omitted.
This circuit module F is a modification of the circuit module E of the fifth embodiment, and is provided with a plurality of via-hole conductors 16 so as to surround the circuit component 4a instead of the intermediate shield plate. These via-hole conductors 16 penetrate not only the module substrate 1 but also the insulating resin layer 20, and the upper end is connected to the upper shield layer 21 and the lower end is connected to the shield electrode 7.
The effect of this embodiment is the same as that of the fifth embodiment.

図１５，図１６は第７実施例にかかる回路モジュールＧを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＧは、第５実施例の回路モジュールＥの変形例であり、側面シールド板５を省略し、回路部品４ａと回路部品４ｂ，４ｃ間を仕切る平面視Ｌ字形の中間シールド板１４を設け、回路部品４ａの上部にのみ中間シールド板１４と接続された上面シールド層２１ａを設けたものである。この場合には、外部からの電磁波の侵入や外部への電磁波の漏洩は防止できないが、モジュール基板１上に実装された回路部品４ａ〜４ｃ同士のノイズや輻射による相互干渉を防止できる。
なお、図１５では平面視Ｌ字形の中間シールド板１４を用いたが、一部の部品を他の部品と仕切ることができるものであれば、平面視Ｉ形やコ字形など任意の形状とすることができる。また、回路部品４ａの上部にのみ上面シールド層２１ａを設けたが、全面的に上面シールド層を設けてもよい。 15 and 16 show a circuit module G according to a seventh embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part same as a 1st Example, or a corresponding part, and duplication description is abbreviate | omitted.
This circuit module G is a modification of the circuit module E of the fifth embodiment, and the side shield plate 5 is omitted, and an L-shaped intermediate shield plate 14 in plan view that partitions between the circuit component 4a and the circuit components 4b and 4c is provided. The upper shield layer 21a connected to the intermediate shield plate 14 is provided only on the upper part of the circuit component 4a. In this case, intrusion of electromagnetic waves from the outside and leakage of electromagnetic waves to the outside cannot be prevented, but mutual interference due to noise or radiation between the circuit components 4a to 4c mounted on the module substrate 1 can be prevented.
In FIG. 15, the L-shaped intermediate shield plate 14 in plan view is used. However, as long as some parts can be partitioned from other parts, any shape such as I-shape or U-shape in plan view can be used. be able to. Further, although the upper shield layer 21a is provided only on the circuit component 4a, the upper shield layer may be provided over the entire surface.

上記の各実施例においては、側面シールド板あるいは中間シールド板の上端部を上面シールド層と接続しているが、わずかな隙間を空けて両者を配置してもほぼ同等の効果を得ることができる。但し、その場合は上面シールド層をビアホールなどの何らかの別の手段でグランドに接続する必要がある。 In each of the above embodiments, the upper end portion of the side shield plate or the intermediate shield plate is connected to the upper shield layer, but substantially the same effect can be obtained even if both are arranged with a slight gap. . However, in that case, it is necessary to connect the top shield layer to the ground by some other means such as a via hole.

図１７，図１８は第８実施例にかかる回路モジュールＨを示す。
この回路モジュールＨは、配線層（モジュール基板）３０と部品実装層４０との２層で構成されている。下層の配線層３０は、底面に配線電極３１を備えるとともに、配線電極３１を取り囲む枠状の側面シールド板３２を備え、配線電極３１および側面シールド板３２が絶縁樹脂層３３の中に埋設されている。なお、ここでは配線層３０の配線電極３１が１層にのみ設けられた例を示したが、多層に設けられていてもよいことは勿論である。一方、上層の部品実装層４０は、底面に配線電極４１を備え、配線電極４１の上に複数の回路部品４２が実装され、配線電極４１および回路部品４２を取り囲むように枠状の側面シールド板４３が設けられている。配線電極４１、回路部品４２および側面シールド板４３は、絶縁樹脂層４４の中に埋設されている。絶縁樹脂層４４の上面には、側面シールド板４３と導通する上面シールド層４５が形成されている。 17 and 18 show a circuit module H according to the eighth embodiment.
The circuit module H is composed of two layers of a wiring layer (module substrate) 30 and a component mounting layer 40. The lower wiring layer 30 includes a wiring electrode 31 on the bottom surface and a frame-shaped side shield plate 32 surrounding the wiring electrode 31. The wiring electrode 31 and the side shield plate 32 are embedded in the insulating resin layer 33. Yes. Here, the example in which the wiring electrode 31 of the wiring layer 30 is provided in only one layer is shown, but it is needless to say that the wiring electrode 31 may be provided in multiple layers. On the other hand, the upper component mounting layer 40 includes a wiring electrode 41 on the bottom surface, a plurality of circuit components 42 mounted on the wiring electrode 41, and a frame-shaped side shield plate surrounding the wiring electrode 41 and the circuit component 42. 43 is provided. The wiring electrode 41, the circuit component 42, and the side shield plate 43 are embedded in the insulating resin layer 44. On the upper surface of the insulating resin layer 44, an upper shield layer 45 that is electrically connected to the side shield plate 43 is formed.

上記構造の回路モジュールＨでは、配線層３０と部品実装層４０とにそれぞれ側面シールド板３２，４３を設けるとともに、上面に上面シールド層４５を設けることで、回路部品４２から発生する電磁波の漏洩を防止し、あるいは外部から侵入する電磁波を遮蔽できる。特に、部品実装層４０だけでなく、配線層３０にも側面シールド板３２を設けたので、高さ方向の全域に亘ってかつ全周の側面シールドを行うことができ、シールド性がさらに向上する。 In the circuit module H having the above-described structure, the side shield plates 32 and 43 are provided on the wiring layer 30 and the component mounting layer 40, respectively, and the upper surface shield layer 45 is provided on the upper surface, thereby preventing leakage of electromagnetic waves generated from the circuit component 42. It can prevent or shield electromagnetic waves that enter from the outside. In particular, since the side shield plate 32 is provided not only on the component mounting layer 40 but also on the wiring layer 30, the side shield can be performed over the entire area in the height direction, and the shielding performance is further improved. .

本発明にかかる回路モジュールの第１実施例を示し、絶縁樹脂層の内部を透視した斜視図である。It is the perspective view which showed 1st Example of the circuit module concerning this invention, and saw through the inside of the insulating resin layer. 図１に示す回路モジュールの絶縁樹脂層を省略した平面図である。It is the top view which abbreviate | omitted the insulating resin layer of the circuit module shown in FIG. 図２の階段状切断線III −III に沿った断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along a stepped cutting line III-III in FIG. 2. 図１に示す回路モジュールのモジュール基板の底面図である。It is a bottom view of the module substrate of the circuit module shown in FIG. 図１に示す回路モジュールの製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the circuit module shown in FIG. 集合基板状態のモジュール基板に回路部品と側面シールド板とを実装した状態の平面図である。It is a top view of the state which mounted the circuit component and the side surface shield board on the module board of an aggregate substrate state. 本発明の第２実施例における集合基板状態のモジュール基板に回路部品と側面シールド板とを実装した状態の平面図である。It is a top view of the state which mounted the circuit components and the side shield board on the module board of the assembly board state in 2nd Example of this invention. 図７に示す集合基板から作製された回路モジュールの斜視図である。It is a perspective view of the circuit module produced from the aggregate substrate shown in FIG. 本発明にかかる回路モジュールの第３実施例の斜視図である。It is a perspective view of 3rd Example of the circuit module concerning this invention. 本発明にかかる回路モジュールの第４実施例の斜視図である。It is a perspective view of 4th Example of the circuit module concerning this invention. 本発明にかかる回路モジュールの第５実施例の絶縁樹脂層を省略した平面図である。It is the top view which abbreviate | omitted the insulating resin layer of 5th Example of the circuit module concerning this invention. 図１１に示す回路モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the circuit module shown in FIG. 本発明にかかる回路モジュールの第６実施例の絶縁樹脂層を省略した平面図である。It is the top view which abbreviate | omitted the insulating resin layer of 6th Example of the circuit module concerning this invention. 図１３に示す回路モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the circuit module shown in FIG. 本発明にかかる回路モジュールの第７実施例の絶縁樹脂層を省略した平面図である。It is the top view which abbreviate | omitted the insulating resin layer of 7th Example of the circuit module concerning this invention. 図１５に示す回路モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the circuit module shown in FIG. 本発明にかかる回路モジュールの第８実施例の内部を透視した斜視図である。It is the perspective view which saw through the inside of the 8th Example of the circuit module concerning this invention. 図１５に示す回路モジュールの分解斜視図である。FIG. 16 is an exploded perspective view of the circuit module shown in FIG. 15. 従来の回路モジュールの一例の断面図である。It is sectional drawing of an example of the conventional circuit module. 従来の回路モジュールの他の例の製造工程図である。It is a manufacturing process figure of the other example of the conventional circuit module.

符号の説明Explanation of symbols

Ａ〜Ｈ 回路モジュール
１ モジュール基板
２ 配線電極
３ グランド電極
４，４ａ〜４ｃ 回路部品
５ 側面シールド板
８ 端子電極
２０ 絶縁樹脂層
２１ 上面シールド層 A to H circuit module 1 module substrate 2 wiring electrode 3 ground electrodes 4, 4a to 4c circuit component 5 side shield plate 8 terminal electrode 20 insulating resin layer 21 top shield layer

Claims (9)

上面に回路部品を実装したモジュール基板と、
上記モジュール基板の外周部上面に形成されたグランド電極と、
上記回路部品を包み込むように上記モジュール基板の上面全面に形成された絶縁樹脂層と、
上記回路部品の周囲を取り囲むように上記グランド電極上に実装され、外周面が上記絶縁樹脂層で覆われた状態で上記絶縁樹脂層の中に埋設され、上記モジュール基板の外形寸法より微小寸法だけ小さい外形寸法を持ちかつ上記回路部品より高さが高い枠状の側面シールド板と、
上記絶縁樹脂層の上面に形成され、上記側面シールド板の上端部と接続された上面シールド層と、を備えたことを特徴とする回路モジュール。 A module board with circuit components mounted on the top surface ;
A ground electrode formed on the upper surface of the outer periphery of the module substrate;
An insulating resin layer formed on the entire upper surface of the module substrate so as to enclose the circuit component;
It is mounted on the ground electrode so as to surround the circuit component, and is embedded in the insulating resin layer with its outer peripheral surface covered with the insulating resin layer, and is smaller than the outer dimensions of the module substrate. A frame-shaped side shield plate having a small external dimension and a height higher than the circuit component ;
A circuit module comprising: an upper shield layer formed on an upper surface of the insulating resin layer and connected to an upper end portion of the side shield plate . 上記回路部品は複数の回路部品よりなり、
上記複数の回路部品の間を仕切るように上記側面シールド板の内側であって、かつモジュール基板上に中間シールド板が配置され、
上記中間シールド板は上記絶縁樹脂層の中に埋設されていることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。 The circuit component comprises a plurality of circuit components,
Inside the side shield plate so as to partition between the plurality of circuit components, and an intermediate shield plate is disposed on the module substrate,
The circuit module according to claim 1, wherein the intermediate shield plate is embedded in the insulating resin layer. 上面に複数の回路部品を実装し、かつ上記複数の回路部品の間にグランド電極が形成されたモジュール基板と、
上記複数の回路部品を包み込むように上記モジュール基板の上面全面に形成された絶縁樹脂層と、
上記複数の回路部品の間を仕切るように上記グランド電極に実装され、上記絶縁樹脂層の中に埋設された中間シールド板と、
上記絶縁樹脂層の上面であって、上記中間シールド板で仕切られた一方の領域のみに形成され、上記中間シールド板の上端部と接続された上面シールド層と、を備えたことを特徴とする回路モジュール。 A module substrate having a plurality of circuit components mounted on the upper surface and a ground electrode formed between the plurality of circuit components ;
An insulating resin layer formed on the entire upper surface of the module substrate so as to enclose the plurality of circuit components;
An intermediate shield plate mounted on the ground electrode so as to partition the plurality of circuit components, and embedded in the insulating resin layer;
It is an upper surface of the insulating resin layer, and is formed only in one region partitioned by the intermediate shield plate , and includes an upper shield layer connected to the upper end portion of the intermediate shield plate. Circuit module. 上記モジュール基板の下面にグランド端子電極が形成され、
上記グランド端子電極がビアホール導体を介して上記グランド電極と接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の回路モジュール。 A ground terminal electrode is formed on the lower surface of the module substrate,
The circuit module according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the ground terminal electrode is connected to the ground electrode via the via-hole conductor. 上面に配線電極とその配線電極の周囲を取り囲むグランド電極とが形成された集合基板状態のモジュール基板を準備する工程と、
上記モジュール基板の配線電極上に回路部品を実装する工程と、
上記回路部品の周囲を取り囲むように上記グランド電極上に子基板状態の上記モジュール基板の外形寸法より微小寸法だけ小さい外形寸法を持ちかつ上記回路部品より高さが高い枠状の側面シールド板を実装する工程と、
上記回路部品を包み込み、かつ上記側面シールド板が埋設されるように上記モジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成する工程であって、上記側面シールド板の外周面が上記絶縁樹脂層で覆われた状態とする工程と、
上記絶縁樹脂層の上面に、上記側面シールド層と接続された上面シールド層を形成する工程と、
上記集合基板状態のモジュール基板及び絶縁樹脂層を子基板状態に分割する工程と、を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。 A step of preparing a module substrate in a collective substrate state in which a wiring electrode and a ground electrode surrounding the wiring electrode are formed on the upper surface ;
Mounting circuit components on the wiring electrodes of the module substrate;
A frame-shaped side shield plate is mounted on the ground electrode so as to surround the circuit component. The frame-shaped side shield plate has an outer dimension that is smaller than the outer dimension of the module substrate in a child substrate state and is higher than the circuit component. And a process of
Forming an insulating resin layer on the entire upper surface of the module substrate so as to enclose the circuit component and burying the side shield plate, the outer peripheral surface of the side shield plate being covered with the insulating resin layer; A process of setting
Forming a top shield layer connected to the side shield layer on the top surface of the insulating resin layer;
Dividing the module substrate in the collective substrate state and the insulating resin layer into sub-substrate states, and a method for manufacturing a circuit module. 上記回路部品は複数の回路部品よりなり、
上記複数の回路部品の間を仕切るように上記側面シールド板の内側であって、かつモジュール基板上に中間シールド板を配置する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の回路モジュールの製造方法。 The circuit component comprises a plurality of circuit components,
6. The circuit module manufacturing method according to claim 5 , further comprising a step of disposing an intermediate shield plate on the module substrate inside the side shield plate so as to partition the plurality of circuit components. Method. 上記絶縁樹脂層を形成する工程と上記上面シールド層を形成する工程との間に、
上記絶縁樹脂層の上面を研磨して上記側面シールド板の上端部を露出させる工程を設け、
上記側面シールド板の上端部が露出した上記絶縁樹脂層の上面に上記上面シールド層を形成することで、上記上面シールド層を上記側面シールド板の上端部と接続することを特徴とする請求項５または６に記載の回路モジュールの製造方法。 Between the step of forming the insulating resin layer and the step of forming the top shield layer,
Providing a step of polishing the upper surface of the insulating resin layer to expose the upper end of the side shield plate;
By forming the top surface shield layer on the upper surface of the insulating resin layer the upper end of the side surface shield plate is exposed, claim, characterized in that the top shield layer connected to the upper end of the side surface shield plate 5 Or the manufacturing method of the circuit module of 6 . 上面に配線電極とその配線電極の間にグランド電極とが形成された集合基板状態のモジュール基板を準備する工程と、
上記モジュール基板の配線電極上に複数の回路部品を実装する工程と、
上記複数の回路部品の間を仕切るように上記グランド電極上に中間シールド板を実装する工程と、
上記複数の回路部品を包み込み、かつ上記中間シールド板が埋設されるように上記モジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成する工程と、
上記絶縁樹脂層の上面であって、上記中間シールド板で仕切られた一方の領域のみに、上記中間シールド板の上端部と接続された上面シールド層を形成する工程と、
上記集合基板状態のモジュール基板及び絶縁樹脂層を子基板状態に分割する工程と、を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。 Preparing a module substrate in a collective substrate state in which a wiring electrode and a ground electrode are formed between the wiring electrodes on the upper surface ;
Mounting a plurality of circuit components on the wiring electrodes of the module substrate;
Mounting an intermediate shield plate on the ground electrode so as to partition the plurality of circuit components;
Forming an insulating resin layer on the entire upper surface of the module substrate so as to enclose the plurality of circuit components and embed the intermediate shield plate;
Forming an upper shield layer connected to the upper end of the intermediate shield plate only on one region partitioned by the intermediate shield plate on the upper surface of the insulating resin layer;
Dividing the module substrate in the collective substrate state and the insulating resin layer into sub-substrate states, and a method for manufacturing a circuit module. 上記絶縁樹脂層を形成する工程と上記上面シールド層を形成する工程との間に、
上記絶縁樹脂層の上面を研磨して上記中間シールド板の上端部を露出させる工程を設け、
上記中間シールド板の上端部が露出した上記絶縁樹脂層の上面に上記上面シールド層を形成することで上記上面シールド層を上記中間シールド板の上端部と接続することを特徴とする請求項８に記載の回路モジュールの製造方法。 Between the step of forming the insulating resin layer and the step of forming the top shield layer,
Providing a step of polishing the upper surface of the insulating resin layer to expose the upper end of the intermediate shield plate;
To claim 8, characterized in that connecting said top shield layer and the upper end portion of the intermediate shield plate by forming the upper surface shield layer on the upper surface of the insulating resin layer the upper end of the intermediate shield plate is exposed The manufacturing method of the circuit module of description.
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