JP4639978B2 - 静電容量検出装置の製造方法 - Google Patents
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また、例えば、特許文献1には、薄膜半導体にて形成された静電容量型指紋センサにおいて、静電容量型指紋センサに指を接触させた時に人体に帯電した静電気が放電してトランジスタなどが破壊されることを防止するため、静電容量型指紋センサの誘電体膜上に静電気保護電極を設け、この静電気保護電極を接地させる方法が開示されている。
これにより、突出電極に電界集中を起こさせることが可能となり、人体に帯電した静電気を突出電極を介して静電気保護電極に効率よく放電させることができる。このため、静電気保護電極の配置面積を削減することができ、静電気保護電極に起因する寄生容量を減らすことが可能となることから、検出感度の低下を抑制しつつ、静電容量検出装置を静電破壊から保護することが可能となる。
これにより、寄生容量を増加させることなく、突出電極を配置することが可能となり、検出感度の低下を抑制しつつ、静電容量検出装置を静電破壊から保護することが可能となる。
これにより、突出電極に電界集中を効率よく起こさせることが可能となり、人体に帯電した静電気を突出電極を介して静電気保護電極に効率よく放電させることができる。
また、本発明の一態様に係る静電容量検出装置によれば、前記容量検出電極はマリトックス状に配置され、前記容量検出電極にて検出された静電容量を読み出すスイッチング素子と、前記スイッチング素子を選択する選択回路をさらに備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る静電容量検出装置によれば、前記静電気保護電極は2行に1本の割合または複数行に1本の割合で配置されていることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る静電容量検出装置によれば、前記突出電極は1列に1個の割合または少なくとも2列に1個の割合で配置されていることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る静電容量検出装置によれば、前記静電気保護電極は前記容量検出電極と重なり合わないように配置されていることを特徴とする。
これにより、容量検出電極による静電容量の検出が妨げられることを回避しつつ、静電気保護電極を配置することが可能となる。
これにより、誘電体膜上に静電気保護電極を設けた場合においても、静電容量の変化を効率よく検出することが可能となり、検出感度を向上させつつ、静電容量検出装置を静電破壊から保護することが可能となる。
これにより、静電気保護電極と補助電極とを同一工程内において一括形成することが可能となり、製造工程の煩雑化を抑制しつつ、検出感度を向上させることが可能となるとともに、静電容量検出装置を静電破壊から保護することが可能となる。
これにより、指が補助電極に触れる前に突出電極に触れるようにすることができる。このため、人体に帯電した静電気が静電気保護電極ではなく、補助電極に放電されることを防止することができ、静電容量検出装置を静電破壊から保護することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る静電容量検出装置の製造方法によれば、容量検出電極上に配置された誘電体膜上に導体層を形成する工程と、静電気保護電極および補助電極に対応して配置された第1レジストパターンを前記導体層上に形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして前記導体層の等方性エッチングを行うことにより、両側から迫り上がるように傾斜面が形成された第1導体パターンおよび平板状の第2導体パターンを形成する工程と、突出電極に対応して配置された第2レジストパターンを前記第1導体パターンに跨るように形成する工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして前記第1導体パターンおよび前記第2導体パターンの等方性エッチングを行うことにより、前記誘電体膜上に配置された静電気保護電極および補助電極を形成するとともに、前記第1傾斜面と異なる方向から迫り上がるように第2傾斜面が形成された突出電極を前記静電気保護電極上に形成する工程とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る静電容量検出装置の製造方法によれば、前記第1レジストパターンの幅は前記第2レジストパターンの幅よりも広いことを特徴とする。
図1は、本発明の一実施形態に係る静電容量検出装置の概略構成を示すブロック図である。
図1において、静電容量検出装置1にはセルアレイ2が設けられ、セルアレイ2には、行方向に延伸されたM本の走査線Y1〜YMおよび列方向に延伸されたN本の個別出力線X1〜XNが形成されている。そして、走査線Y1〜YMおよび個別出力線X1〜XNとの各交点には、ユニットセルUがマトリクス状に配置されている。ここで、各ユニットセルUには、指との間で形成された静電容量を検出する容量検出電極Dおよび容量検出電極Dにて検出された静電容量を読み出すトランジスタMが設けられている。そして、トランジスタMのゲートは容量検出電極Dに接続され、トランジスタMのドレインは走査線Yiに接続され、トランジスタMのソースは個別出力線Xjに接続されている。ここで、容量検出電極D上には誘電体膜が形成され、誘電体膜上に接触した指と容量検出電極Dとの間でキャパシタを構成することができる。
図2において、基材11上には半導体薄膜が形成され、半導体薄膜には、チャネル層12が形成されるとともに、チャネル層12を挟みこむように配置されたドレイン層13およびソース層14が形成されている。さらに、チャネル層12が形成された半導体薄膜には、ドレイン層13から延伸されるように配置された下部電極15が形成されている。また、上部電極18上には誘電体膜16が積層されるとともに、誘電体膜16から延伸されるように配置されたゲート絶縁膜17がチャネル層12上に形成されている。
ここで、突出電極29高さが補助電極27よりも高くなるようにすることにより、補助電極27に指が接触する前に突出電極29に指を接触させることができる。そして、指が突出電極29に接触すると、人体に帯電した静電気を突出電極29を介して静電気保護電極28に放電させることができ、静電容量検出装置を静電破壊から保護することが可能となる。
図3は、本発明の一実施形態に係る静電容量検出装置の補助電極31および突出電極33が形成された静電気保護電極32のレイアウト方法を示す平面図である。
図4は、図3の補助電極31および突出電極33が形成された静電気保護電極32の形成方法を示す断面図、図5は、図4(a)の工程におけるレジストパターンF1の形状を示す平面図、図6は、図4(c)の工程におけるレジストパターンF2の形状を示す平面図、図7は、図4(b)の工程における導体パターン35の形状を示す斜視図、図8は、図4(c)の工程におけるレジストパターンF2の形状を示す斜視図、図9は、図4(d)の工程における突出電極33が形成された静電気保護電極32の形状を示す斜視図である。
次に、図4(c)、図6および図8に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、突出電極33に対応して配置されたレジストパターンF2を導体パターン35aに跨るように形成する。
ここで、レジストパターンF1の幅はレジストパターンF2の幅よりも広くすることが好ましい。すなわち、1回目のエッチング後の導体パターン35aの高さをd、導体パターン35aの傾斜面K1、K2が底辺となす角をθ1、レジストパターンF1の幅をW1とすると、以下の(1)式の関係が成り立つ。
d=W1/2・tanθ1 ・・・(1)
また、2回目のエッチング後の静電気保護電極32の高さをh、静電気保護電極32の傾斜面K3、K4が底辺となす角をθ2、レジストパターンF2の幅をW2とすると、以下の(2)式の関係が成り立つ。
d=W2/2・tanθ2 ・・・(2)
そして、2回目のエッチング後に静電気保護電極32が残るためには、h<dの関係を満たす必要があり、θ1=θ2が成り立つものとすると、W2<W1となる。
Claims (3)
- 容量検出電極上に配置された誘電体膜上に導体層を形成する工程と、
静電気保護電極に対応して配置された第1レジストパターンを前記導体層上に形成する工程と、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記導体層の等方性エッチングを行うことにより、両側から迫り上がるように第1傾斜面が形成された導体パターンを形成する工程と、
突出電極に対応して配置された第2レジストパターンを前記導体パターンに跨るように形成する工程と、
前記第2レジストパターンをマスクとして前記導体パターンの等方性エッチングを行うことにより、前記誘電体膜上に配置された静電気保護電極を形成するとともに、前記第1傾斜面と異なる方向から迫り上がるように第2傾斜面が形成された突出電極を前記静電気保護電極上に形成する工程とを備えることを特徴とする静電容量検出装置の製造方法。 - 容量検出電極上に配置された誘電体膜上に導体層を形成する工程と、
静電気保護電極および補助電極に対応して配置された第1レジストパターンを前記導体層上に形成する工程と、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記導体層の等方性エッチングを行うことにより、両側から迫り上がるように傾斜面が形成された第1導体パターンおよび平板状の第2導体パターンを形成する工程と、
突出電極に対応して配置された第2レジストパターンを前記第1導体パターンに跨るように形成する工程と、
前記第2レジストパターンをマスクとして前記第1導体パターンおよび前記第2導体パターンの等方性エッチングを行うことにより、前記誘電体膜上に配置された静電気保護電極および補助電極を形成するとともに、前記第1傾斜面と異なる方向から迫り上がるように第2傾斜面が形成された突出電極を前記静電気保護電極上に形成する工程とを備えることを特徴とする静電容量検出装置の製造方法。 - 前記第1レジストパターンの幅は前記第2レジストパターンの幅よりも広いことを特徴とする請求項1または2記載の静電容量検出装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JPH04159962A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-06-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ巻き取り機用プール帯電除去装置 |
JP2001060261A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Sony Corp | 指紋認識用半導体装置 |
JP2003510587A (ja) * | 1999-09-24 | 2003-03-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 容量性感知アレイ装置 |
JP2004134453A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Funai Electric Co Ltd | 静電気保護パターンを有する回路基板 |
-
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