JP4637636B2 - 放射線画像情報検出パネルおよび放射線画像情報読取装置 - Google Patents

放射線画像情報検出パネルおよび放射線画像情報読取装置 Download PDF

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Description

本発明は、放射線画像情報を蓄積記録する蓄積性蛍光体層と該蓄積性蛍光体層から画像情報を読み取る読取手段が一体化してなる放射線画像情報検出パネルおよび該パネルを備えた放射線画像情報読取装置に関するものである。
従来より、医療用Ｘ線撮影などにおける放射線画像を記録する画像記録媒体として、放射線画像情報に応じた放射線エネルギーを蓄積記録（一次励起）し、読取光が走査露光されることにより蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光光を発生（二次励起）する蓄積性蛍光体シートや、画像情報を静電潜像として記録し、読取光が走査露光されることにより静電潜像に応じた電流を発生する静電潜像記録シートが提案されている。
これらの画像記録媒体からの画像情報を読み取る際には、画像記録媒体に対して読取光あるいは二次励起光を走査露光して画像情報を読み取る方法が一般的である。
この二次励起光を発光する光源として、エレクトロルミネッセンス層（以下、「ＥＬ層」という）を備えたパネル状光源が静電潜像を記録するタイプの画像記録媒体と一体化して構成される画像読取装置が例えば特許文献１に提案されている。
蓄積性蛍光体シートからの画像読取りに関しては、読取り時間の短縮化、装置のコンパクト化およびコスト低減の観点から、蓄積性蛍光体シートと、該シートと略同じ面積を有し、輝尽発光光に感度を有する光導電層を一体的に構成した放射線画像検出パネルを使用して、該パネルをスポット光によって２次元走査あるいはライン光による線状走査により画像読取りを行うシステムが特許文献２に提案されている。特許文献２は、微弱な輝尽発光光を感度良く検出するために光導電層としてａ-Ｓｅを主成分とするものを使用し、アバランシェ増幅を生じさせる電界を加えるようにした画像情報読取装置に関するものである。また、この特許文献２には、二次励起光源として面状光源を蓄積性蛍光体シートと一体的に構成し、電気的に走査させて画像読取りを行ってもよいと記載されている（段落［００４０］参照）。さらに、特許文献２においては、赤色二次励起光は光導電層にほとんど吸収されることがないが、実際には、画像情報を有しない赤色の二次励起光に対しても若干感度を持つため、該二次励起光によって発生する微小電荷分だけのオフセット電流が発生するので、このオフセット電流の発生を抑制するために、蓄積性蛍光体シート側から二次励起光を照射する場合には、励起光カットフィルタを蓄積性蛍光体層と電極層、あるいは電極層と光導電層との間に挿入してもよいとしている（段落［００６７］参照）。
特開２０００−１６２７２６号公報 特開２０００−３３８２９７号公報
特許文献１に記載されている放射線画像情報を静電潜像として記録するタイプの画像情報検出シート（静電記録シート）からの画像読み出しは、読出光の照射により静電記録シート内に生じる電流を直接検出するものである。一方、特許文献２に記載されている放射線のエネルギーを蓄積して記録するタイプの画像情報検出シート（蓄積性蛍光体シート）からの画像読み出しは、二次励起光の照射により生じる輝尽発光光を読み取るものであり、読み出し時に２つの光が混在していることとなる。したがって、光導電層と蓄積性蛍光体層とを一体的に備えた放射線画像検出パネルにおいて画像読取りを精度よく（Ｓ／Ｎよく）行おうとする場合には、光導電層として輝尽発光光に感度を有するものを備えたとしても、現実的には二次励起光と輝尽発光光との２つの光を切り分け、二次励起光による影響（既述のオフセット電流）を抑制する必要がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、輝尽発光光と二次励起光との切り分けを十分に行いＳ／Ｎよく画像を検出することができる放射線画像情報検出パネルおよびこのパネルを備えた放射線画像情報読取装置を提供することを目的とするものである。
本発明の第1の放射線画像情報検出パネルは、放射線画像情報が蓄積記録され、二次励起光の照射を受けることにより前記放射線画像情報に応じた量の輝尽発光光を生じる蓄積性蛍光体層、前記輝尽発光光を該輝尽発光光の発光寿命より長い寿命の光に変換する応答速度変換蛍光体層、および、該応答速度変換蛍光体層により変換された光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を含有する積層体と、
前記蓄積性蛍光体層に対して照射される前記二次励起光を電圧の印加により発光するエレクトロルミネッセンス層とが積層されて一体的に構成されてなることを特徴とするものである。
なお、本明細書中において、「積層されて一体的に構成されている」とは、各層あるいは積層体の中間や前後（上下）に別の層が設けられていてもよい。また、積層体に含有される各層の積層順は、どのような順であってもよい。例えば、本発明の第１の放射線画像情報検出パネルの積層体においては、蓄積性蛍光体層、応答速度変換蛍光体層、および光導電層の三層がいかなる順に積層されていてもよい。なお、「この順に」と規定している場合は、相対的な位置関係がこの順に構成されていればよい。
応答速度変換蛍光体層は、輝尽発光光を受けて、該輝尽発光光量に比例した光を発光する蛍光体を含有する層であり、該蛍光体からの発光光は、輝尽発光光の寿命より長いものである。すなわち、「応答速度変換蛍光体層により変換された光」とは、該蛍光体層において発光した発光光に他ならない。
なお、ここで「・・層の発光寿命」と記載しているのは、いずれも当該層に含まれている発光体から発せられる発光光の発光寿命をいうものである。また、「発光寿命」とは、励起光を消灯した時点の発光光の強度が1/eになるまでの時間をいう。
上記本発明の第１の放射線画像検出パネルにおいては、エレクトロルミネッセンス層を、前記二次励起光として、応答速度変換蛍光体層の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するものとしてもよい。
本発明の第２の放射線画像情報検出パネルは、放射線画像情報が蓄積記録され、二次励起光の照射を受けることにより前記放射線画像情報に応じた量の輝尽発光光を生じる蓄積性蛍光体層、および、前記輝尽発光光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を含有する積層体と、前記蓄積性蛍光体層に対して照射する前記二次励起光として、電圧の印加により前記輝尽発光光の発光寿命よりも十分に発光寿命の短い光を発光するエレクトロルミネッセンス層とが積層されて一体的に構成されてなることを特徴とするものである。
本発明の第３の放射線画像情報検出パネルは、放射線画像情報が蓄積記録され、二次励起光の照射を受けることにより前記放射線画像情報に応じた量の輝尽発光光を生じる蓄積性蛍光体層と、該蓄積性蛍光体層に対して照射する前記二次励起光を電圧の印加により発光するエレクトロルミネッセンス層と、該エレクトロルミネッセンス層から発光された前記二次励起光をカットする光学フィルタ層と、前記輝尽発光光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層とが、この順に積層されて一体的に構成されてなることを特徴とするものである。
本発明の第４の放射線画像情報検出パネルは、放射線画像情報が蓄積記録され、二次励起光の照射を受けることにより前記放射線画像情報に応じた量の輝尽発光光を生じる蓄積性蛍光体層と、前記輝尽発光光をその発光寿命より長い寿命の光に変換する応答速度変換蛍光体層、および前記蓄積性蛍光体層に対して照射される前記二次励起光を電圧の印加により発光するエレクトロルミネッセンス層を含有する積層体と、前記応答速度変換蛍光体層により変換された光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層とが、この順に積層された一体的に構成されてなることを特徴とするものである。
上記本発明の第４の放射線画像検出パネルにおいては、エレクトロルミネッセンス層を、前記二次励起光として、応答速度変換蛍光体層の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するものとしてもよい。
本発明の第５の放射線画像検出パネルは、放射線画像情報が蓄積記録され、二次励起光の照射を受けることにより前記放射線画像情報に応じた量の輝尽発光光を生じる蓄積性蛍光体層と、該蓄積性蛍光体層に対して照射される前記二次励起光として、電圧の印加により前記輝尽発光光の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するエレクトロルミネッセンス層と、前記輝尽発光光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層とが、この順に積層されて一体的に構成されてなることを特徴とするものである。
上記本発明の第４および第５の放射線画像検出パネルにおいては、光導電層とエレクトロルミネッセンス層との間にエレクトロルミネッセンス層から発光される二次励起光をカットする光学フィルタ層をさらに備えてもよい。
本発明の放射線画像情報読取装置は、上記の本発明の放射線画像情報検出パネルと、
前記蓄積性蛍光体層に対して前記二次励起光による走査を行うように前記電圧の印加を制御する励起光源制御手段と、
前記走査に伴い前記光導電層で発生する電荷を検出して前記放射線画像情報を担持する画像信号を得る画像信号取得手段とを備えたことを特徴とするものである。
なお、「励起光による走査」は、線状の励起光を順次送っていく走査、いわゆる線順次走査が一般的である。そのとき、線光源と直交するストライプ電極を用い、それらの交点の情報を並列的に収録する形態をとる。しかし、本発明は必ずしもこの形態に限定されるものではない。
本発明の放射線画像情報読取装置においては、励起光源制御部が、所定の時間間隔で前記エレクトロルミネッセンス層をパルス発光させ、
前記画像信号取得手段が、前記パルス発光後の前記所定の時間間隔の間に前記光導電層で発生する電荷を検出して前記放射線画像情報を担持する画像信号を取得するものとすることができる。
本発明の第１の放射線画像情報検出パネルは、蓄積性蛍光体層から発光する輝尽発光光を受け該輝尽発光光の発光寿命より長い寿命の光を発光する応答速度変換蛍光体層を備えているので、画像読取時に、エレクトロルミネッセンス層からの二次励起光と、輝尽発光光との切り分けが可能となり二次励起光による影響を受けないＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。さらに、エレクトロルミネッセンス層を、二次励起光として、応答速度変換蛍光体層の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するものとすれば二次励起光と輝尽発光光との切り分けをより精度よく行うことができ、よりＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。
本発明の第２の放射線画像情報検出パネルは、蓄積性蛍光体層の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するエレクトロルミネッセンス層を備えているので、画像読取時に、エレクトロルミネッセンス層からの二次励起光と輝尽発光光との切り分けが可能となり二次励起光による影響を受けないＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。
本発明の第３から第５の放射線画像情報検出パネルは、蓄積性蛍光体層と光導電層との間にエレクトロルミネッセンス層を備えているため、エレクトロルミネッセンス層を含む励起光源と、蓄積性蛍光体層と光導電層とを相互に近接して配置することが可能であり、励起、記録、検出の機能を有する各層が近接することにより励起光や発光光の広がりを抑えることができるので、鮮鋭度の高い画像情報を検出できる。
また、本発明の第３の放射線画像情報検出パネルは、蓄積性蛍光体層にから発光された二次励起光をカットする光学フィルタ層を備えており、光導電層への二次励起光の侵入を防止することができるので、二次励起光による影響を受けないＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。
本発明の第４の放射線画像情報検出パネルは、蓄積性蛍光体層から発光する輝尽発光光を受け該輝尽発光光の発光寿命より長い寿命の光を発光する応答速度変換蛍光体層を備えているので、画像読取時に、エレクトロルミネッセンス層からの二次励起光と、輝尽発光光との切り分けが可能となり二次励起光による影響を受けないＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。さらに、エレクトロルミネッセンス層を、二次励起光として、応答速度変換蛍光体層の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するものとすれば二次励起光と輝尽発光光との切り分けをより精度よく行うことができ、よりＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。
本発明の第５の放射線画像情報検出パネルは、蓄積性蛍光体層の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するエレクトロルミネッセンス層を備えているので、画像読取時に、エレクトロルミネッセンス層からの二次励起光と輝尽発光光との切り分けが可能となり二次励起光による影響を受けないＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。
本発明の放射線画像情報読取装置は、上述した本発明の放射線画像情報検出パネルを備えているので、画像読取時に、エレクトロルミネッセンス層からの二次励起光と輝尽発光光との切り分けが可能となり二次励起光による影響を受けないＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
は本発明の第１の実施の形態による、放射線画像情報検出パネル１の斜視図を示すものである。放射線画像情報検出パネル１は、第1の支持体（ベース）11と、放射線画像情報が蓄積記録され、二次励起光の照射を受けることにより放射線画像情報に応じた量の輝尽発光光を生じる蓄積性蛍光体層12と、輝尽発光光をその発光寿命より長い寿命の光に変換する応答速度変換蛍光体層15と、多数の線状電極（エレメント）21ａをストライプ状に配列してなる第１ストライプ電極21Ａが形成された第１電極層21と、該応答速度変換蛍光体層15により変換された光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層23と、平板電極である第２電極層25と、蓄積性蛍光体層12に対して照射する二次励起光を発光するエレクトロルミネッセンス層（以下、ＥＬ層という）31と、多数の線状電極（エレメント）32ａをストライプ状に配列してなる第２ストライプ電極32Ａが形成された第３電極層32と、第2の支持体35がこの順に積層されて一体的に構成されたものである。なお、図中では省略されているが、ＥＬ層31と該ＥＬ層31を挟む第２電極層25と第３電極層32との間にはそれぞれ絶縁層が設けられてもよい。
すなわち、本放射線画像情報検出パネル１は、第１の支持体11と、蓄積性蛍光体層12を備えた画像記録シートとしての画像記録部10と、第１電極層21、光導電層23および第２電極層25からなる検出部20と、第２電極層25、ＥＬ層31および第３電極層32からなるパネル状光源30と、第２の支持体35が一体的に形成され、画像記録部10と検出部20との間に応答速度変換蛍光体層15を備えたことを特徴とするものである。なお、第２電極層25は検出部20と光源30の電極を兼ねている。検出部20とパネル状光源30との間に絶縁層を配し、それぞれ別個に電極層を設けてもよい。その場合、検出部20と光源30との間の絶縁層と、該絶縁層を挟んで電極層が２層配されるため光源と画像記録部との距離が広がり光源から蓄積性蛍光体層に照射される励起光が拡がるため画像の鮮鋭度が低下するので、本実施形態のように検出部と光源との電極を兼ねるものとすることが好ましい。一方、電極層を共通化せず、別個に設けることにより、ＥＬ駆動時に電極層内に流れる電流とその抵抗によって生じる電圧降下などの検出部への影響は抑えられるので、この電圧降下などの現象が問題になる条件下で使用する場合は絶縁層を配して別個に電極層を設けることが好ましい。
第1ストライプ電極21Ａのエレメント21ａと第２ストライプ電極32Ａのエレメント32ａとは平面図上において互いに略垂直になるように配設されている。第１ストライプ電極21Ａのエレメント21ａは矢印Ｙ方向にパネルの一端から他端まで延びる線状電極であり、矢印Ｘ方向に所定のピッチで配列（Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、・・・）されている。また、第２ストライプ電極32Ａのエレメント32ａは、矢印Ｘ方向にパネルの一端から他端まで延びる線状電極であり、矢印Ｙ方向に所定のピッチで配列（Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、・・・）されている。この第１ストライプ電極21Ａのエレメント21ａおよび第２ストライプ電極32Ａのエレメント32ａの配列ピッチが主走査方向（矢印Ｘ方向）および副走査方向（矢印Ｙ方向）の画素ピッチを規定するものであり、いずれも並び方向に所望の画素数と同数のエレメントが配列されている。例えば、ストライプ電極として、幅80μｍの線状電極（エレメント）が100μｍピッチで平行に並んだ構造を有していれば、画素ピッチは100μｍとなる。もちろん、複数の線状電極を１画素と対応させることも可能である。
第１電極層21および第２電極層25は、パネル状光源30から発光される励起光に対して透過性のあるものとする。そのようにするために、エレメント21ａおよび平板電極25ａとして、ITO(Indium Tin Oxide)膜、インジウムドープ酸化亜鉛膜、金薄膜、金属メッシュ電極、あるいはその組み合わせ等の周知の透明導電膜を使用することができる。また、第１電極層21は、応答変換蛍光体層15からの光に対しても透過性のあるものとする。
第１の支持体11は10〜1000μｍ程度であり、この支持体11側から画像情報を有するＸ線が照射される。
蓄積性蛍光体層12としては、50〜700μｍ程度の厚みのCsBr:Eu針状結晶蒸着膜が好適であるが、これに限るものではない。ただし、CsBr:Eu針状結晶蒸着膜は、画質および消去特性に優れているため特に好ましい。なお、この蓄積性蛍光体層を後述の第２の実施形態で示すＸ線蛍光体層と、その発光で一次励起され、放射線画像を蓄積する蓄積性蛍光体層との組み合わせで代替してもよい。その場合に用いる蓄積性蛍光体層とエレクトロルミネッセンス層と光導電層は、Ｘ線蛍光体層の一方の側に互いに近接して配置することにより、より鮮鋭度の高い画像を得ることができ好ましい。
光導電層21としては、ａ−Se（アモルファスセレン）、PbI2、Bi12(Ge,Si)O20、ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−プロピル）、ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−ネオペンチル）、ペンタセンなどのうち少なくとも１つを主成分とするものを用いることができる。なお、応答速度変換蛍光体層15で発光される光に対して感度を有するものを選択する必要がある。
応答速度変換蛍光体層15は、輝尽発光光を受けて、該輝尽発光光量に比例した光を発光する蛍光体を含有する層であり該蛍光体からの発光光が、輝尽発光光の寿命より長いものであり、２〜２０μｍ程度の厚みのLaAl11O18:Mn2+、La1-xAl11(2/3)+xO19:Mn2+x(但し0.1≦x≦0.99）、(La,Ce)Al11O19:Mn2+、(La,Ce)MgAl11O19:Mn2+、YBO3:Ce、Tb、ZnS:Cu,Al、BaMg2Al16O27:Mn2+、BaMgAl14O25:Mn2+、BaAl12O19:Mn2+、LiYF4:Pr、LiYF4:Er、Y3Al5O12:Pr,(Ho)、Y3Al5O12:Er、などのいずれかからなるものを用いることができる。例えば、CsBr:Eu輝尽性蛍光体からの青色の輝尽発光光を上記のようなｄ−ｄ遷移などに基づく発光を示す蛍光体により輝尽発光光よりも寿命の長い緑色光に変換することができる。なお、本発明において、応答速度変換蛍光体層の材料はこれらの例に限定されるものではなく、発光寿命が十分長く、励起および発光スペクトルが適当なものであればいかなる材料を使用してもよい。また、無機蛍光体に限られるものでもない。
パネル状光源30としては、例えば、国際公開第０２／０８０６２６号パンフレット記載のＥＬ素子がパネル状に形成されたものを用いることができる。具体的には、ＥＬ層として、エレクトロルミネッセンス発光粒子群が誘電体バインダー中に分散された発光層を備えたものが挙げられる。ここで、エレクトロルミネッセンス発光粒子群とは、蛍光体粒子、誘電体粒子表面に蛍光体層を有する粒子、蛍光体粒子表面に誘電体表面被覆層を有する粒子、誘電体粒子表面に蛍光体層と誘電体表面被覆層を有する粒子、またはこれらの組み合わせからなる粒子群をいうものである。ＥＬ層からの発光は、ＥＬ層を挟むように配置された第２電極層および第３電極層間に電圧が印加されることによりなされる。この発光光は、放射線画像情報読取りの際の二次励起光として用いられるのみならず、読取り後に蓄積性蛍光体層に残留するエネルギーを消去する際の消去光にも利用することができる。なお、パネル状光源30の基板である第２の支持体35は、10〜1000μｍ程度の厚みであることが好ましい。
パネル状光源30に用いられるＥＬ素子としては上記のもの以外にも以下のものを用いることもできる。
１）特開2004-311422号公報記載の、基板と、該基板状に形成されている第1の電極層と、誘電性を有する厚膜であって、第1の電極層が形成された基板に、誘電性を有する材料の粉体を噴射して堆積させることにより形成された絶縁層と、該絶縁膜の上に形成されたＥＬ層と、該ＥＬ層の上層に形成されている第２の電極層とを備えた素子。
２）特願2003-328355に記載の１対の電極間に、既述のエレクトロルミネッセンス発光粒子群と、該粒子群をなす粒子間の空隙を充填する充填材料とからなる発光層と、少なくとも前記発光層の片側に設けられた絶縁層とを有してなり、粒子群をなす粒子同士が互いに接触または融着しており、発光層中における粒子群の充填材料に対する体積比が1.0以上とされている素子。
３）特願2003-328356に記載の、ホットエレクトロンにより衝突励起される発光中心を含んだ蛍光体粒子が分散された、0.05ｍＶ／ｃｍ以上の電解強度で発光を開始する、15μｍ以下の層厚を有する発光層を備えてなる素子。
４）特願2003-328357に記載の、電界発光を示す発光層と、該発光層の少なくとも片側に設けられた絶縁層とを備えてなり、絶縁層が、平均粒子径が異なる少なくとも第1の高誘電体粒子群と第２の高誘電体粒子群を合計70％以上の充填率で含む層厚0.5μｍ以上、20μｍ以下の層であって、第1の高誘電体粒子群の平均粒子径が150ｎｍ以上であり、第２の高誘電体粒子群の平均粒子径が第１の高誘電体粒子群の平均粒子径の1/2以下である素子。
５）特願2004-184834に記載の、誘電体コアと、該誘電体コアの外側に設けられた蛍光体被覆層とを含む、多数のエレクトロルミネッセンス発光粒子が誘電体バインダー中に分散された発光層を有してなるエレクトロルミネッセンス素子であって、該エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加した際、多数のエレクトロルミネッセンス発光粒子の蛍光体被覆層にかかる平均電界強度が、発光層全体にかかる平均電界強度の1.5倍以上となる素子。
ＥＬ素子としては従来の分散型ＥＬ素子および薄膜層型ＥＬ素子を用いてもよいが、上記の素子を用いることにより、従来のＥＬ素子と比較して高輝度なものを得ることができ、二次励起光として高輝度なものを用いることにより鮮鋭度の高い画像取得が可能となり、また、高輝度な発光を行う素子を備えたパネル状光源を後述の消去光源として用いれば、消去効率の向上にも繋がる。また、有機ＥＬ素子も非常に短いパルス発光が可能なので有効である。
ただし、パネル光源30のＥＬ層31としては、発光寿命が100μｓ（好ましくは30μｓ）以下のものを用いることが望ましい。そのようなＥＬ層を構成するには、例えば、エレクトロルミネッセンス発光粒子中の蛍光体として(Ca,Sr)S:Euを用いればよい。（Ca,Sr)S:Euの発光寿命は、τ0＝40ｎｓ程度である。
なお、ＥＬ層の発光寿命が、例えば100μｓであるとき、その発光光の強度が12桁下がるには2.8ｍｓかかる（指数関数的な減衰を想定：(1/e）28＝7×10-13）。このようなＥＬ層を用いる場合、励起光の強度が12桁程度下がった段階から光導電層の電流検出を開始し、励起光の強度が12桁下がるに要する時間の２倍程度の時間電流検出を続けるとする。その場合、2.8×３倍程度の時間発光し続ける必要があり、応答速度変換蛍光体の発光寿命はＥＬ層の発光寿命の約80倍（2.8/0.1×３＝84）程度以上とする必要がある。
また、励起光の強度が12桁程度下がった段階から光導電層の電流検出を開始し、励起光の強度が12桁下がるに要する時間の２倍程度の時間、検出時間に要するとすると、１ライン（主走査方向）の読み取りに2.8×３の時間を要し、4000ライン（副走査方向に4000画素の画像）の読取りには34ｓかかる。同様に考えると、ＥＬ層の発光寿命が30μｓでは１枚の画像読取りに10ｓ、３μｓでは１ｓ、300ｎｓでは0.1ｓ、30ｎｓでは0.01ｓ程度かかるものとなる。
なお、ここで挙げた例は、ＥＬ層と応答速度変換蛍光体としてどのような組み合わせを選択するかの考え方を示すものであり、ＥＬ層の発光光の強度が12桁下がること、電流検出時間を、ＥＬ層の発光光の強度が12桁下がるのに要する時間の２倍とすることなどは、一例に過ぎず、適宜設定可能である。
第１の実施形態の放射線画像情報検出パネル１は、既述のように、蓄積性蛍光体層から発光する輝尽発光光を受け該輝尽発光光の発光寿命より長い寿命の光を発光する応答速度変換蛍光体層を備えているので、画像読取時に、エレクトロルミネッセンス層からの二次励起光と、輝尽発光光との切り分けが可能となり二次励起光による影響を受けないＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。さらに、エレクトロルミネッセンス層として、二次励起光として、応答速度変換蛍光体の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光する材料を利用すれば二次励起光と輝尽発光光との切り分けをより精度よく行うことができ、よりＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。
また、蓄積性蛍光体層12を備えた画像記録部10と、応答速度変換蛍光体層15と、光導電層23を備えた検出部20は、積層順は上記の順に限るものではなく、いかなる順に積層されていてもよい。さらには、光源30が画像記録部10と検出部20の間に積層された構成であってもよい。
図２は、上記放射線画像検出パネル１を備えた放射線画像読取装置２の概略構成を示すものであり、図３は放射線画像読取装置の光源制御手段および画像信号取得手段の概略構成を示す図である。
放射線画像読取装置２は、図１に示した上記放射線画像検出パネル１と、パネル状光源30を制御する励起光源制御手段40と、検出部20を制御する画像信号取得手段50とを備えている。なお、図２では明らかでないが、本放射線画像読取装置２は、放射線画像検出パネル１を内蔵したカセッテ型の装置として簡便な利用が可能である。なお、放射線画像撮影時には、線源や配置される撮影台と同期させて撮影、読取りおよび消去を行ってもよいし、検出部やパネル状光源を備えない従来の蓄積性蛍光体シートが装填されたカセッテ同様に非同期で撮影することもできる。
励起光源制御手段40は、第２電極層25と第３電極層32との間に、第３電極層32の各エレメント32ａ毎に、あるいは複数または全てのエレメント32ａに対して同時に、所定の電圧を印加するものであり、交流のパルス状の駆動電圧を出力する駆動電源部41と、該駆動電源部41から出力される駆動電圧を印加するエレメント32ａをスイッチングするスイッチング手段42とを備えている。なお、第２電極層25を構成する平板電極25ａは接地されている。
ここで、第３電極層32と駆動電源部41との電気的接続は、スイッチング手段42により制御されている。スイッチング手段42は、駆動電源部41に電気的に接続されており、第３電極層32を構成する第２ストライプ電極32Ａの各エレメント32ａ毎に接続されたスイッチ42ａを備えており、スイッチ42ａのＯＮ／ＯＦＦ動作により各エレメント32ａと駆動電源部41とを電気的に接続させる。
画像読取時には、スイッチング手段42は、走査方向（矢印Ｙ方向）に並ぶエレメント32ａと駆動電源部41とを順次電気的に接続するように、すなわち、エレメント32ａに図中Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3・・・で示した順に接続するように動作する。これにより、駆動電源部41から駆動電圧が矢印Ｙ方向に並ぶエレメント32ａに順次印加されていき、エレメント32ａと平板電極25とに挟まれた領域のＥＬ層31からの発光（ライン光）が矢印Ｙ方向に向かって走査することとなる。
画像信号取得手段50は、光導電層23に電界を生じさせるために光導電層23を挟む第１電極層21および第２電極層25間に所定の電圧を印加する電源51およびスイッチ52からなる電圧印加手段53と、第１ストライプ電極21Ａの各エレメント21ａが毎に接続された多数の電流検出アンプ55を有する電流検出手段56とを備えている。
電圧印加手段は不図示の制御手段からの指令により励起光の発光後、次の発光前の所定の時間、スイッチ52を接続し（ＯＮさせ）、両電極層21、25間に直流電圧を印加するものである。
電流検出手段56は、励起光の露光により各エレメント21ａに流れる電流をエレメント21ａ毎に並列的に検出するものである。第２電極層25は接続手段52を介して電源51の負極に接続されるようになっており、電源51の正極は各電流検出アンプ55に接続されている。電流検出アンプ55は、蓄積性蛍光体層12で発生した輝尽発光光により応答速度変換蛍光体層15で発生した発光光が光導電層23内に入射することによって発生する電荷により生じる電流を検出して、蓄積性蛍光体層12に蓄積されたエネルギーに応じた画像信号を取得する機能を有するものである。電流検出アンプ55の構成の詳細については、本発明の要旨に関係がないのでここでは説明を省略するが、周知の構成を種々適用することが可能である。なお、電流検出アンプ55の構成によっては、接続手段51および電源52の接続態様等が上記例とは異なるものとなるのは勿論である。
なお、電圧印加手段53のスイッチ52のＯｎ／Ｏｆｆのタイミングは、光源30から出射される励起光により光導電層23に生じる電荷をほとんど検出することなく、該励起光により蓄積性蛍光体層12から発光された輝尽発光光に応じて光導電層23に生じる電荷を検出するよう不図示の制御手段により制御される。
以下、上記構成の放射線画像検出読取装置２において、放射線画像を画像記録部に記録し、記録された放射線画像情報を読み出す方法について説明する。
まず、放射線画像撮影にあたっては、パネルの第1の支持体11側が被写体に対面するように配置する。
放射線源からＸ線等の放射線を被写体に曝射し、被写体を透過した放射線、すなわち被写体の放射線画像情報を担持する放射線は支持体を透過し、蓄積性蛍光体層12に入射する。蓄積性蛍光体層12は、入射した放射線量に応じたエネルギーを蓄積する。これにより、画像記録部10に放射線画像情報が記録される。なお、ここでは第1の支持体11側から記録光を照射するものとしたが、第２の支持体35側から照射するようにしてもよい。しかしながら、第２の支持体35側から記録光を照射すると、光源30や検出部20のストライプ電極32および21を経て蓄積性蛍光体に入射するため電極マトリクスによるアーチファクトの問題が生じる虞があり、本実施形態のように第1の支持体11側から記録光を照射する形態が好ましい。
画像記録部10に蓄積記録された放射線画像情報を読み出す際は、光源制御手段40が、エレメント32ａを矢印Ｙ方向に順次切り替えながら、夫々のエレメント32ａと平板電極25との間に所定の電圧を印加する。この電圧の印加によりエレメント32ａと平板電極25とに挟まれたＥＬ層31からＥＬ光が発せられる。エレメント32ａは矢印Ｘ方向にパネルの端から端まで延びる線状になっているから、ＥＬ光は線状の励起光として利用される。すなわちパネル状光源30としては、線状光源を面状に配列したものと等価となり、エレメント32ａを順次切り替えてＥＬ発光させることにより、Ｘ方向（主走査方向）に延びる線状の励起光で蓄積性蛍光体層12をＹ方向（副走査方向）に走査させることとなる。
励起光は検出部20および応答速度変換蛍光体層15を介して蓄積性蛍光体層12に入射する。励起光が入射した蓄積性蛍光体層12からは青色の輝尽発光光が発せられ、該輝尽発光光が応答速度変換蛍光体層15に入射する。応答速度変換蛍光体層15では、輝尽発光光の照射を受け、該輝尽発光光の発光寿命よりも長い緑色の蛍光が発せられ、該蛍光が光導電層23に入射する。光導電層23内では、蛍光の照射を受けて正負の電荷対が発生する。なお、ここでは発光色を分かりやすく色分けして説明したが、この組合せに限定されるものではない。
平板電極25ａと各エレメント32ａとの間に印加される電圧は正負に所定のパルス幅の矩形波で駆動するものとし、この光源30の駆動電圧が０となっているタイミングで画像取得手段50のスイッチ52がＯＮされる。光源制御手段による光源のＯｎ／Ｏｆｆのタイミングと画像検出手段による電荷検出のＯｎ／Ｏｆｆのタイミングは図４に示すようなものとなるが、図４の詳細は後述する。スイッチ52がＯｎされると光導電層23に電界が印加されるので、発生した電荷対のうち、負電荷は平板電極25ａ側に移動し、正電荷はエレメント21ａ側に移動する。
各エレメント21ａ毎に電流検出アンプが接続されているため、エレメント21ａの配列方向である主走査方向（矢印Ｘ方向）には同時読み出しがなされる。励起光の副走査、すなわちスイッチング手段41によるエレメント32ａの順次切換えに伴って、Ｙ方向に順次生じる電荷の移動による電流を検出して画像信号を得る。
なお、画像読取終了後、実際には完全に輝尽発光光に変換されず、蓄積性蛍光体層12にエネルギーが残留している。エネルギーが残留したまま次の撮影を行った場合、次の放射線画像情報に基づく蓄積エネルギーに先の残留エネルギーが加算されてしまい、読取り時に残像現象やＳ／Ｎ劣化などの問題を生じる。
そこで、画像読取終了後、次の撮影前の間に所定の光（消去光）を蓄積性蛍光体層12に照射し、残留エネルギーを放出させる処理を行う。
放射線画像検出読取装置１は、この消去光を発する消去光源としてパネル状光源30を用いることができる。具体的には、第２ストライプ電極32Ａの複数のエレメント32ａと平板電極25ａとの間に所定の電圧を同時に印加する。この際、電圧の印加によりＥＬ層31から発せられる光が蓄積性蛍光体層12に略一様に照射されればよい。このように励起光と消去光を同一の光源を使用して発するようにすれば、装置の部品点数を削減することができ、安価な装置にすることができる。
次に、読取り時の励起光発光パルス、輝尽発光光、および電荷検出のタイミングについて図４に示すタイミングチャートを参照しながら具体的な例を説明する。
図４において、（Ａ）はパネル光源駆動電圧、（Ｂ）は応答速度変換蛍光体層15により発光される光の強度、（Ｃ）は電荷検出状態のそれぞれ時間変化を示すものである。
ここで、ＥＬ蛍光体として発光寿命τ0＝40ｎs(ナノ秒）の（Ca,Sr)S:Euを備えたＥＬ層を用い、25ｋＨｚで正負のパルス幅が共に１μｓ（マイクロ秒）の矩形波で駆動電圧を印加するものとする。また、応答速度変換蛍光体として発光寿命τ1＝16μsの蛍光体（Y3Al5O12:Er）を用いる。
駆動電圧は図４（Ａ）のような矩形パルス波で印加された場合であっても、現実にはＥＬ発光は矩形状にはならず、発光光の強度は指数関数的な減衰を示すことが多い。したがって、駆動電圧印加後、所定時間（ここでは１μs）経ってから電流の検出を開始するようにして、励起光による影響（励起光により光導電層に発生する電荷の検出）を抑制する。ここでは、25ｋＨｚで正負のパルス幅が共に１μｓの矩形波の駆動電圧を印加しＥＬ発光させるものとしている。このとき輝尽発光光の発光強度に対応して応答速度変換蛍光体層15から発光する光の強度の時間変化は図４（Ｂ）に示すようなものとなる。
ここでは、光導電層23からの電流検出時間を、パルス駆動開始時刻を0とすると２μsから20μsまでの18μsとし、パルス駆動開始から電流検出終了までの１周期を20μsと設定している。この１周期中に検出される電流は、蛍光強度の図中斜線で示した部分の積分値と対応したものなる。
輝尽発光光の強度に対応した蛍光強度の時間変化をＩ(t)＝ａ・exp(-t/τ1）で表すと、図４に示した例で１周期中に検出される光量（図中斜線部）の積分値は全積分値に対して以下のようになる。
Figure 0004637636
この値は、従来の放射線画像情報読取装置において、蓄積性蛍光体シートの読取り時に集光光学系に入射する二次励起光と輝尽発光光の切り分けをするために配置される励起光分離フィルターの輝尽発光に対する光透過率と同様の意味を持つものである。
上記のように１パルスの発光と該発光に伴う検出までの１周期に20μs要する場合であって、Ｓ／Ｎの向上のため１ライン（主走査方向）について10パルス（10周期）分検出を行うとして、副走査方向に4000ラインある場合、
20μs×10×4000＝0.8ｓ
となり、１枚の画像の読取りに約0.8秒の時間がかかる。ここでは、例として１ラインについて10パルス分検出するものとしたが、必ずしも10パルスである必要はない。１パルスで十分な電荷検出が可能であれば、１ラインにつき１パルスのみとすることも可能である。
次に、読取り時の励起光発光パルス、輝尽発光光、および電荷検出のタイミングについて別の例を図５に示すタイミングチャートを参照して説明する。
図５において、（Ａ）はパネル光源駆動電圧、（Ｂ）は電荷検出状態のそれぞれ時間変化を示すものである。
ここでは、ＥＬ層に対して50ｋＨｚで正弦波で駆動電圧を印加するものとし、１ラインにつき30パルス分まとめて電圧印加を行い、該30パルス分の励起光により発生した輝尽発光光に応じて光導電層に発生した電荷を検出する。本例では、応答速度変換蛍光体として発光寿命τ1＝400μsの蛍光体（LiYF4:Er）を用いる。
光導電層23からの電流検出時間を、パルス駆動開始時刻を０とすると40μsから600μsまでの560μsとし、パルス駆動開始から電流検出終了までの１周期を600μsと設定する。
既述の例と同様に、輝尽発光光の強度に対応した蛍光強度の時間変化をＩ(t)＝ａ・exp(-t/τ1）で表すと、１周期中に検出される光量の積分値は全積分値に対して以下のようになる。
Figure 0004637636
この値は、従来の放射線画像情報読取装置において、蓄積性蛍光体シートの読取り時に集光光学系に入射する二次励起光と輝尽発光光の切り分けをするために配置される励起光分離フィルターの輝尽発光に対する光透過率と同様の意味を持つものである。
なお、上記計算は、輝尽発光光の発光が瞬間的に立ち上がって指数関数で減衰することを想定したものであるが、実際は立ち上がりが遅れるため減衰時間も遅れるので、上記数値より高い効率を得ることができる。
上記のように30パルスの発光と該発光に伴う検出までの１周期に600μs要し、副走査方向に4000ラインある場合、
600μs×4000＝2.4ｓ
となり、１枚の画像の読取りに約2.4秒の時間がかかる。
なお、駆動電圧を何パルス分まとめてＥＬ層に印加して発光させるかについては、ＥＬの駆動周波数、応答速度変換蛍光体の発光寿命、読取時間などを勘案して適宜設定すればよい。
上記実施形態においては、パネル状光源30と検出部20との共通電極である第２電極層25が平板電極25ａからなるものについて説明したが、パネル状光源30と検出部20との間に絶縁層を配し、それぞれ別個に電極層を設けてもよい。その場合、それぞれは対向するストライプ電極同志あるいはストライプ電極と平板電極の組み合わせでもよいが、その両者のストライプは平面図上で略垂直の関係にあるものとする。
なお、それぞれの電極構造の場合、既述の電流検出回路を適宜変更する必要があるのは勿論である。
次に、本発明の第２の実施形態の放射線画像情報検出パネルについて説明する。図６は、第２の実施形態の放射線画像情報検出パネル１’の斜視図である。なお、第１の実施形態と同等の層には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
本放射線画像情報検出パネル１’は第１の支持体11と、Ｘ線蛍光体層13と蓄積性蛍光体層12’を積層してなるいわゆる増感型の画像記録シートとしての画像記録部10’と、第１電極層21、蓄積性蛍光体層12からの輝尽発光光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層23’および第２電極層25からなる検出部20’と、第２電極層25、二次励起光として輝尽発光光の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するＥＬ層31’および第３電極層32からなるパネル状光源30’と、第２の支持体35とが一体的に形成されてなるものであり、蓄積性蛍光体層12’とＥＬ層31’とが、ＥＬ層31’で発光する発光光のパルス幅が輝尽発光光の発光寿命よりも十分に短いものとなるような材料の組み合わせで構成されていることを特徴とするものである。
そのような蓄積性蛍光体層12’とＥＬ層31’との組み合わせとしては、例えば、蓄積性蛍光体としてMn2+やTb3+などで付活された発光寿命の長いものを用い、ＥＬ蛍光体としてEu2+などで付活された発光寿命の短い蛍光体、例えば(Ca・Sr)S:Euを用いることができる。なお、この第２の実施形態で用いているＸ線蛍光体と蓄積性蛍光体の組み合わせを第１の実施形態のような、両蛍光体の機能を併せ持つ蓄積性蛍光体に置き換えてもよい。ただし、その場合も蓄積性蛍光体とＥＬ蛍光体の組み合わせは、蓄積性蛍光体層12’とＥＬ層31’とが、ＥＬ層31’で発光する発光光のパルス幅が輝尽発光光の発光寿命よりも十分に短いものとなるような材料の組み合わせとする。
このように、ＥＬ発光のパルス幅が蓄積性蛍光体の輝尽発光光の発光寿命より十分に短いものを用いれば、第１の実施形態で示したように応答速度変換蛍光体層を備えた場合と同様に、ＥＬ発光の終了後に該ＥＬ発光に伴う輝尽発光光により光導電層中に発生した電荷を検出することができ、輝尽発光光との切り分けが可能となり二次励起光による影響を受けないＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。すなわち、「輝尽発光光の発光寿命よりも十分に短い」とは、ＥＬ発光の終了後に該ＥＬ発光に伴う輝尽発光光により光導電層中に発生した電荷を十分に検出し画像信号を取得することができる程度にＥＬ発光のパルス幅が輝尽発光光の寿命より短いことをいう。具体的な二次励起光の発光と電荷検出とのタイミングチャートは、図４（Ｂ）の蛍光光強度を蓄積性蛍光体強度に置き換えれば、先の実施形態で説明したものと略同様である。
また、蓄積性蛍光体層12’およびＸ線蛍光体層13を備えた画像記録部10’と、光導電層23’を備えた検出部20’は、積層順は上記の順に限るものではなく、画像記録部10’が検出部20’および光源30’の間に積層された構成であってもよい。さらには、光源30’が画像記録部10’と検出部20’の間に積層された構成であってもよい。
この第２の実施形態の放射線画像情報検出パネル1’の検出部20’および光源30’は、第１の実施形態の検出部20および光源30と同一の電極構成であるので、放射線画像検出パネル１’を備えた放射線画像情報読取装置においては、第１の実施形態の放射線画像情報読取装置と同様の構成の図３に示す光源制御手段40および画像信号取得手段50を備えたものとすればよい。
なお、第１の実施形態および第２の実施形態のパネルにおいて、第２電極層を平板電極層と絶縁層と、ストライプ電極層とからなる３層構造とし、平板電極を検出部用電極層、ストライプ電極層を光源用電極層に、第３電極層を第２電極層のストライプ電極と平面図上で垂直なストライプ電極にすることも可能である。この場合、画像信号取得手段50の構成は適宜変更する必要がある。
このような電極構造の場合、パネル状光源30（30’）は、点状光源が面状に配列されたものと等価なものとなる。しかし、点状光源の２次元走査を短時間で行うには一点あたりの光量を非常に大きくする必要がありより好ましい形態とはいえない。
本実施形態においても励起光をパルス駆動させ、その発光が十分減衰して励起光による光導電層での電荷発生が抑制された後、輝尽発光光により発生した電荷を検出するように検出部20’の電極間に電圧の印加タイミングを図示しない制御部により制御する。
図７は本発明の第３の実施形態にかかる放射線画像情報検出パネルの断面図である。放射線像情報検出パネル１”は第１の支持体11と、反射層19と、蓄積性蛍光体層12からなる画像記録部10”と、応答速度変換蛍光体層15と、第3電極層32’、ＥＬ層31および光源用第２電極層25Ａからなるパネル状光源30”と、光学フィルタ層39と、検出部用第２電極層25Ｂ、光導電層23および第１電極層21からなる検出部20”と、第２の支持体35とがこの順に積層されてなる。本実施形態は、光源30”が画像記録部10”と検出部20”との間に積層されてなり、第２電極層が、光源用第２電極層25Ａと検出部用第２電極層25Ｂに分離されており、その間に光学フィルタ層39が配されていることを特徴とするものである。
この光学フィルタ層39は、ＥＬ層31から発せられる二次励起光をカットするものであり、検出部20”側に二次励起光が入射しない構成となっている。従って、二次励起光による影響を受けないＳ／Ｎのよい放射線画像の取得ができる。
本第３の実施形態の放射線画像情報検出パネル1”においては、応答速度変換蛍光体層15を備えているので、光学フィルタ層39のみの構成よりもさらにＳ／Ｎのよい放射線画像を得ることができる。
電極層32、25Ａおよび25Ｂはすべて光透過性電極である。電極層32、25Ａ、25Ｂおよび21は全て多数の線状電極を有するストライプ電極であり、光源30”の電極である第３電極層32と光源用第２電極層25Ａの線状電極が、互いに平行に、検出部20”の電極である検出部用第２電極層25Ｂと第１電極層21が、互いに平行に、かつ光源30”の電極と検出部20”の電極が平面図上で略垂直になるように構成されている。ただし、光源30”、検出部20”のそれぞれ対向するストライプ電極の一方を平面電極としてもよい。
なお、第１の支持体11と画像記録部10”と間に設けられた反射層19は省略することもできる。ただし、第１の支持体11としてカーボン板のような光反射率の低い素材を用いて高感度の放射線検出器（例えば被曝を最小限にすべき小児用の検出器）を作る場合は反射層を設ける方が好ましい。一方、高鮮鋭度タイプ放射線検出器（例えばマンモグラフィー用検出器）の場合は反射層は用いなくてよい。なお、各構成要素の機能については今までの説明と重複するので省略する。
また、さらに、第２の実施形態の放射線画像情報検出パネル1”において、第２の実施形態の放射線画像情報検出パネル１’のように、ＥＬ層として、発光パルスが十分に短いものを備えれば、さらに精度よく二次励起光と輝尽発光光とを分離することができる。
本発明の第1の実施形態にかかる放射線画像情報検出パネルの斜視図 本発明の第1の放射線画像情報読取装置の概略構成を示す図 図２の放射線画像情報読取装置の光源制御手段および信号取得手段の概略構成を示す図 励起光の発光タイミングと画像情報取得タイミングを示すチャート 励起光の発光タイミングと画像情報取得タイミングを示すチャートの別の例 本発明の第２の実施形態にかかる放射線画像情報検出パネルの斜視図 本発明の第３の実施形態にかかる放射線画像情報検出パネルの断面図
符号の説明
１、１’、１” 放射線画像情報検出パネル
２ 放射線画像情報読取装置
３ 放射線源
４ 被写体
10、10’、10” 画像情報記録部
11 支持体
12 蓄積性蛍光体層
15 応答速度変換蛍光体層
20、20’、20” 検出部
21 第１電極層
21Ａ 第１ストライプ電極
21ａ エレメント電極
23 光導電層
25 第２電極層
25ａ 平板電極
30、30’、30” パネル状光源
31 エレクトロルミネッセンス層（ＥＬ層）
32 第３電極層
32Ａ 第２ストライプ電極
32ａ エレメント電極
40 光源制御手段
50 画像信号取得手段

Claims (7)

  1. 放射線画像情報が蓄積記録され、二次励起光の照射を受けることにより前記放射線画像情報に応じた量の輝尽発光光を生じる蓄積性蛍光体層、前記輝尽発光光を該輝尽発光光の発光寿命より長い寿命の光に変換する応答速度変換蛍光体層、および、該応答速度変換蛍光体層により変換された光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を含有する積層体と、
    前記蓄積性蛍光体層に対して照射される前記二次励起光を電圧の印加により発光するエレクトロルミネッセンス層とが積層されて一体的に構成されてなることを特徴とする放射線画像情報検出パネル。
  2. 前記エレクトロルミネッセンス層が、前記二次励起光として、前記応答速度変換蛍光体層の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するものであることを特徴とする請求項１記載の放射線画像情報検出パネル。
  3. 放射線画像情報が蓄積記録され、二次励起光の照射を受けることにより前記放射線画像情報に応じた量の輝尽発光光を生じる蓄積性蛍光体層と、
    前記輝尽発光光をその発光寿命より長い寿命の光に変換する応答速度変換蛍光体層、および前記蓄積性蛍光体層に対して照射される前記二次励起光を電圧の印加により発光するエレクトロルミネッセンス層を含有する積層体と、
    前記応答速度変換蛍光体層により変換された光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層とが、この順に積層されて一体的に構成されてなることを特徴とする放射線画像情報検出パネル。
  4. 前記エレクトロルミネッセンス層が、前記二次励起光として、前記応答速度変換蛍光体層の発光寿命よりも十分に短いパルス幅の光を発光するものであることを特徴とする請求項３記載の放射線画像情報検出パネル。
  5. 前記光導電層と前記エレクトロルミネッセンス層との間に前記エレクトロルミネッセンス層から発光される前記二次励起光をカットする光学フィルタ層をさらに備えたことを特徴とする請求項３または４記載の放射線画像情報検出パネル。
  6. 請求項１から５いずれか１項記載の放射線画像情報検出パネルと、
    前記蓄積性蛍光体層に対して前記二次励起光による走査を行うように前記電圧の印加を制御する励起光源制御手段と、
    前記走査に伴い前記光導電層で発生する電荷を検出して前記放射線画像情報を担持する画像信号を得る画像信号取得手段とを備えたことを特徴とする放射線画像情報読取装置。
  7. 前記励起光源制御手段が、所定の時間間隔で前記エレクトロルミネッセンス層をパルス発光させ、
    前記画像信号取得手段が、前記パルス発光後の前記所定の時間間隔の間に前記光導電層で発生する電荷を検出して前記放射線画像情報を担持する画像信号を取得するものであることを特徴とする請求項６記載の放射線画像情報読取装置。
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