JP2000338297A - 画像記録シートを用いた画像情報読取方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像記録シートを用いて放射線画像情報を読
み取る装置において、Ｓ／Ｎのよい高画質な画像が得ら
れるようにする。 【解決手段】 蓄積性蛍光体層１２がベース１１上に積
層された画像記録部１０と、ａ−Ｓｅからなる光導電層
２３およびその両側に配されたストライプ電極２２，２
６を有する固体画像検出器としての画像読取部２０とを
備え、ストライプ電極２６側が蛍光体層１２に対面して
積層された放射線画像検出シート１を使用する。放射線
L2を蛍光体層１２に照射して画像記録を行ない、光導電
層内２３でアバランシェ増幅作用が働くだけの電界を電
圧印加手段８２により印加しながら、波長６００nm近傍
の励起光L3を蛍光体層１２に照射し、蛍光体層１２から
発せられる波長４００nm近傍の輝尽発光光L4を光導電層
２３に入射させて光導電層２３内に発生する電荷を画像
読取部２０から取り出すことによって、放射線画像信号
を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蓄積性蛍光体層を
有する画像記録シートを使用して、画像情報を担持する
画像信号を得る画像情報読取方法および装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】放射線を照射するとこの放射線エネルギ
ーの一部が蓄積され、その後可視光等の励起光を照射す
ると蓄積されたエネルギーに応じて輝尽発光を示す蓄積
性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、人体等の被写体
の放射線画像情報を一旦、蓄積性蛍光体層を有するシー
ト状の蓄積性蛍光体（蓄積性蛍光体シート；画像記録シ
ートの一態様）に撮影記録し、このシートをレーザー光
等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得られた
輝尽発光光を光電的に読み取って放射線画像情報を担持
する画像信号を得る画像情報読取方法や装置が既によく
知られている。また、画像情報読取装置としては、励起
光の走査形態や光電変換手段の形態から種々のものが提
案されている。

【０００３】例えば、励起光としてレーザビームなどの
スポット光を発する励起光光源と、スポット光照射によ
りシートから発せられた輝尽発光光を輝尽発光光を電気
信号に変換する電子増倍機能を有した０次元光電変換器
としてフォトマル（電子増倍管）と、スポット光をシー
トに対して主走査方向に照射しつつ（スポット照射によ
るライン状照射に相当）、照射された励起光とフォトマ
ル（光ガイドを用いるときには該光ガイドも）を前記シ
ート表面に沿って該シートに対して相対的に副走査方向
に移動させる励起光走査光学系とを備え、前記スポット
光でシートを走査しながら、シートから発せられた輝尽
発光光をフォトマルで順次読み取る画像読取方法および
装置が開示されている。

【０００４】光電変換器としてのフォトマルは、外部光
電効果を利用した光電陰極面と、電子増倍部から構成さ
れ、光電陰極面は、３００〜５００nm程度（青色光域と
いう）の輝尽発光光波長に対しては感度が高く、６００
〜７００nm程度（赤色光域という）の励起光波長に対し
て感度が低いものが好ましく用いられ、微弱な輝尽発光
光による微小信号を前記外部光電効果により増幅して電
気的なノイズに対して強くしている点で優れている。

【０００５】また、フォトマルは、円形状あるいは多角
形状の光電陰極面を有するものを「ちりとり状」の集光
ガイドとともに用いたり、またシート幅と略同等の長さ
を有する光電陰極面を有する長尺状フォトマルとして用
いられ、いずれも０次元検出器として使用されている。

【０００６】しかしながら、フォトマルを用いたもの
は、以下のような問題を有する。 １）フォトマルは、ガラス管で構成され、中は真空であ
るため、衝撃に対しては弱い。 ２）フォトマルは電子増倍のために複雑な構成の多段ダ
イノードを使用するので、薄型化が難しく、また１７イ
ンチ幅等の長尺なフォトマルの製造コストは高くなって
しまう。 ３）外部光電効果を利用した光電陰極の量子効率は低
く、波長３００〜５００nm（青色光域）の輝尽発光光に
対する量子効率は、通常約１０〜２０％と低い。一方
で、波長６００〜７００nm（赤色光域）の励起光に対す
る量子効率は比較的大きく、通常０．１〜２％程度であ
る。このため、良好なＳ／Ｎを得るためには特別な励起
光カットフィルタが必要になりコストアップとなる。 ４）フォトマルは、複雑な構成の多段ダイノードを使用
するため、１００μｍ程度の小さな画素サイズを有する
１７インチ幅等の長尺な１次元検出器（ラインセンサ）
を構成することは困難である。

【０００７】また、輝尽発光光の読取り時間の短縮化、
装置のコンパクト化およびコスト低減の観点から、蓄積
性蛍光体層を有する画像記録シートに対し励起光をライ
ン状（線状）に照射する、蛍光灯、冷陰極蛍光灯または
ＬＥＤアレイ等の励起光光源としてのライン光源と、該
ライン光源によりライン光（励起光）が照射された前記
シートの線状の部分の長さ方向に沿って多数の固体光電
変換素子が配列されてなる光電変換器としてのラインセ
ンサと、ライン光源とラインセンサを前記シート表面に
沿ってシートに対して相対的に、前記線状の部分の長さ
方向と略直交する副走査方向に移動させる走査手段とを
備え、前記ライン光でシートを走査しながら、シートか
ら発せられた輝尽発光光をラインセンサで順次（主走査
方向は同時読出し）読み取る画像読取方法および装置が
昭60−111568号などに提案されている。

【０００８】しかしながら、ここで用いられるラインセ
ンサとなる固体光電変換素子として、光導電体が開示さ
れているが、特別な限定はなく、固体光電変換撮像素子
のバンドギャップＥが励起光波長λの光子エネルギーｈ
ｃ／λより大きい（Ｅ＞ｈｃ／λ）ものと、小さい（Ｅ
＜ｈｃ／λ）もののいずれもが使用される。例えば、Ｅ
＞ｈｃ／λなるものとしては、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，Ｃｄ
Ｓ，ＴｉＯ_２，Ｚｎ０などがある。また、Ｅ＜ｈｃ／λ
なるものとしては、ａ−ＳｉＨ，ＣｄＳ（Ｃｕ），Ｚｎ
Ｓ（Ａｌ），ＣｄＳｅ，ＰｂＯなどがある。なお、「ａ
−」はアモルファス（非晶質）を意味する。また、Ｓｉ
フォトダイオードのラインセンサを用いることも提案し
ている。

【０００９】しかしながら、上述の各種物質を用いたラ
インセンサを用いるものは以下の問題点を有する。すな
わち、輝尽発光光は微弱であるため、固体光電変換素子
そのものが電子増倍機能を有することが有利であるが、
Ｓｉフォトダイオード以外はいずれも電子増倍機能とし
てのアバランシェ増幅作用を示し得ない。一方、Ｓｉフ
ォトダイオードを用いたラインセンサは、特に紫外光〜
青色光域での量子効率（感度）が小さく（略ゼロ）、逆
に赤色光域での量子効率が高く、十分な青／赤感度比を
得られない。また暗電流も大きいため、青色光域の微弱
な輝尽発光光を検出するには不十分であり、Ｓ／Ｎの極
めて悪い低画質の画像しか得られない。さらにＳｉフォ
トダイオードで例えば１７インチの長尺ラインセンサを
作れば高コストな物になってしまう。

【００１０】また、励起光としてレーザビームなどのス
ポット光を発する励起光光源と、スポット光をシートに
対して主走査方向に照射しつつ（スポット照射によるラ
イン状照射に相当）、照射された励起光とラインセンサ
を前記シート表面に沿って該シートに対して相対的に副
走査方向に移動させる励起光走査光学系とを備え、前記
スポット光でシートを走査しながら、シートから発せら
れた輝尽発光光をラインセンサで順次読み取る画像読取
方法および装置が特開昭 60-236354号などに提案されて
いる。しかし、ここで用いられるラインセンサを構成す
る固体光電変換素子は、前記特開昭 60-111568号に記載
のものと同じであり、上述同様の問題を有する。

【００１１】また、“RADIOGRAPHIC PROCESS UTILIZING
A PHOTOCONDUCTIVE SOLID-STATE IMAGER(772/Research
disclosure・Oct 1992 /34264）”、特公平 7-76800
号、特開昭 58-121874号には、励起光の照射を受けるこ
とにより蓄積されたエネルギーに応じた量の輝尽発光光
を生じせしめる蓄積性蛍光体層を有する画像記録シート
と、該シートと略同じ面積を有し、前記輝尽発光光に感
度を有する光導電層（２つの電極層に挟まれる）を一体
的に構成した０次元光電変換器としての放射線画像変換
パネルを使用して、該パネルをスポット光によって２次
元走査することで画像読取り行を行なうシステムが開示
されている。

【００１２】前記パネルを構成する光導電層としては、
輝尽発光光波長（３００〜５００nm）に対しては感度が
高く、励起光波長（６００〜８００nm）に対して感度が
低いものが良いとされ、セレン系化合物が好ましく、特
にアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）が好適であることが
開示されている。

【００１３】しかしながら、セレン系化合物を光導電層
としては用いた場合、以下の問題点を有する。すなわ
ち、輝尽発光光は微弱であるため、固体光電変換素子そ
のものが電子増倍機能を有することが有利であるが、上
記引例では、セレン系化合物に電子増倍機能を持たせて
使用することについて触れていないため、Ｓ／Ｎは必ず
しもよいとはいえない。なお、ａ−Ｓｅなどのセレン系
化合物は一般に電子増倍のために用いられるわけでなく
（フォトマルとこの点で異なる）、電子増倍機能を上記
光導電層に想定していると考えることはできない。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたものであって、蓄積性蛍光体層を有する画像
記録シートから発せられる青色光域の微弱な輝尽発光光
に対する検出効率を向上させ、Ｓ／Ｎのよい画像を読み
取ることのできる画像情報読取方法および装置を提供す
ることを目的とするものである。また、本発明は、衝撃
に強く、検出器の薄型化が容易であり、また輝尽発光光
に対する量子効率がフォトマル以上に高くて、青色光域
の輝尽発光光波長の感度が高く且つ赤色光域の励起光波
長の感度は低くて青／赤感度比がフォトマル以上に高
く、また光電変換素子の暗抵抗が大きく、良好なＳ／Ｎ
を得ることが可能であり、さらに１７インチ幅等の長尺
な０次元あるいは１次元の検出器であっても製造が容易
で低コストにできる画像情報読取方法および装置を提供
することを目的とするものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の画像情報読取方
法は、励起光の照射を受けることにより蓄積されたエネ
ルギーに応じた量の輝尽発光光を生ぜしめる蓄積性蛍光
体層を有する画像記録シートと前記輝尽発光光の照射を
受けることにより導電性を呈する光導電層を有する固体
画像検出器とを使用して、画像情報が記録された画像記
録シートを励起光で走査することにより得られた輝尽発
光光を光導電層に入射せしめ、該入射に伴って光導電層
で発生する電荷を該光導電層に電界を加えて検出するこ
とにより、画像情報を担持する画像信号を得る画像読取
方法であって、画像記録シートとして、蓄積性蛍光体層
が６００ｎｍ以上（好ましくは６００〜８００nmの赤色
光域）の波長の励起光で励起され且つ５００ｎｍ以下
（好ましくは３００〜５００nmの青色光域）の波長の輝
尽発光光を生ぜしめるものを使用すると共に、固体画像
検出器としてａ−Ｓｅを主成分とする光導電層を有する
ものを使用し、且つ光導電層内でアバランシェ増幅を生
ぜしめる電界を加えることを特徴とするものである。

【００１６】なお、画像記録シートと固体画像検出器
は、一体物であってもよいし、別体物であってもよい。
比較的薄い、蓄積性蛍光体層と固体画像検出器とを対面
・積層させて両者を一体物とした画像検出シートとすれ
ば、軽薄な検出シートを形成することができる。また輝
尽発光光の集光効率も飛躍的に向上し、高画質の画像を
得ることができる。輝尽発光光を検出するためのフォト
マルを使用する必要がないので、装置全体を小型にする
こともできる。

【００１７】なお、固体画像検出器は、２次元検出器
（面状）に限らず、１次元検出器（ライン状）あるいは
０次元検出器（長尺状あるいはシートよりも小面積）と
して構成することもできる。

【００１８】また、励起光のシートに対する走査形態
は、ビーム光によるスポット照射やライン光による線状
照射など、どのようなものであってもよい。

【００１９】前記固体画像検出器の光導電層の厚さは、
輝尽発光光を十分に吸収し、且つアバランシェ増幅作用
が働くようにして、取り出し得る信号レベルを大きくす
るには１μｍ以上であるのが好ましく、また、分布容量
を小さくして固定ノイズを抑制するにはより厚い方が好
ましいが、膜厚が厚すぎると電界を印加するための電源
電圧が大きくなるデメリットがある。したがって、電源
電圧を考慮しつつ、アバランシェ増幅効果と固定ノイズ
との比が大きくなるように、固体画像検出器として、光
導電層の厚さが１μｍ以上１００μｍ以下のもの、より
好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下のものを使用する
ことが望ましい。

【００２０】なお、ａ−Ｓｅを主成分とする光導電層を
アバランシェ増幅する電界下で使用すると、電界分布変
動（例えば電源電圧変動による）に対して敏感になり、
画像信号が変動してしまうので、この電界分布変動に起
因する画像信号の変動を抑制することが好ましい。抑制
方法としては、例えば、電源電圧変動を極力抑え電圧の
安定化を図る方法や、電圧安定化に加えて、電源電圧変
動に対する出力データの変動に関する電源電圧変動デー
タを取得して記憶しておくと共に、画像読取中の電源電
圧変動を監視し、画像読取中の電圧変動に応じて、例え
ばソフトウェア処理などによって画像信号を補正する方
法を用いることができる。

【００２１】本発明の画像情報読取装置は、６００ｎｍ
以上（好ましくは６００〜８００nmの赤色光域）の波長
の励起光を発する励起光光源を有し、該励起光の照射を
受けることにより蓄積されたエネルギーに応じた量の５
００ｎｍ以下（好ましくは３００〜５００nmの青色光
域）の波長の輝尽発光光を生ぜしめる蓄積性蛍光体層を
有する画像記録シートを前記励起光で走査する励起光走
査手段と、ａ−Ｓｅを主成分とする、前記輝尽発光光の
照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を有す
る固体画像検出器と、固体画像検出器の光導電層内でア
バランシェ増幅を生ぜしめる電界を発生せしめるための
電圧を印加する電圧印加手段と、画像情報が記録された
画像記録シートを励起光で走査して得られた輝尽発光光
を光導電層に入射せしめることにより光導電層で発生す
る電荷を、光導電層に電界を加えて検出することによ
り、画像情報を担持する画像信号を得る画像信号取得手
段とを備えてなることを特徴とするものである。

【００２２】本発明の画像情報読取装置において使用さ
れる固体画像検出器は、光導電層の厚さが１μｍ以上１
００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以
下であることが望ましい。

【００２３】また本発明の画像情報読取装置において
は、画像信号の取得中における、光導電層に印加されて
いる電界の変動に起因する画像信号の変動を抑制する抑
制手段を備えたものとするのが望ましい。

【００２４】

【発明の効果】本発明の画像情報読取方法および装置
は、上述のように、６００ｎｍ以上の励起光で励起され
且つ５００ｎｍ以下の輝尽発光光を生ぜしめる蓄積性蛍
光体層を有する画像記録シートと、ａ−Ｓｅを主成分と
する光導電層を有する固体画像検出器との組み合わせ使
用とすると共に、光導電層内でアバランシェ増幅作用が
働くような電界を光導電層に印加して画像読取りを行な
うようにしている。ａ−Ｓｅは、５００ｎｍ以下の青色
光域に対して高感度で、例えば波長４００nm近傍の輝尽
発光光に対する量子効率が６０〜７０％と高く（電荷発
生効率がよい）、蓄積性蛍光体層から発せられる青色光
域の輝尽発光光の読取りに適した効率のよい組合せとな
る。加えて、電荷増倍作用としてのアバランシェ増幅作
用によって、取り出し得る電荷量を飛躍的に多くするこ
とができる。これにより、画像信号のＳ／Ｎが向上し、
高画質の画像を得ることができる。

【００２５】また、電界分布変動に起因する画像信号の
変動を抑制するようにすれば、安定した画像信号を得る
ことができ、より高画質の画像を得ることができる。

【００２６】また、ａ−Ｓｅは６００ｎｍ以上の波長の
光に感度を殆ど有せず透過させるので、輝尽発光光（４
００nm近傍）感度／励起光（６００〜７００nm）感度比
が大きい。例えば、アバランシェ増幅作用を働かせない
状態で、且つａ−Ｓｅの膜圧が１０μｍでは青感度（＠
４７０nm）／赤感度（＠６８０nm）＝３．５桁程度とな
る。なお、ａ−Ｓｅ膜厚を薄くする方が赤感度が低下
し、青／赤感度比はさらに増大し、アバランシェ増幅作
用を働かせると、該青／赤感度比は一層大きくなる。し
たがって、基本的には励起光カットフィルタを使用する
必要が殆ど無く、蓄積性蛍光体層を励起し得る６００ｎ
ｍ以上の波長の光を励起光として使用し、該励起光をａ
−Ｓｅの光導電層を介して蓄積性蛍光体層に照射するよ
うにすれば、蓄積性蛍光体層の表面に発生する輝尽発光
光を光導電層で検出することができ、画質がよくなる。
また、ａ−ＳｅはＳｉアバランシェフォトダイオードな
どと比べて暗抵抗が極めて高いためＳ／Ｎがよい。

【００２７】また、固体画像検出器としてＳｉアバラン
シェフォトダイオードを用いた場合には、Ｓｉは結晶の
ものであり、大面積のものを作ることは困難で、１次元
センサ（ラインセンサ）や２次元センサ（エリアセン
サ）を製造するのが難しいが、ａ−Ｓｅは低温蒸着プロ
セスを用いることができるので、固体化（衝撃に強い）
に適し、且つ薄型化、大面積化が可能であり、長尺の１
次元センサや２次元センサを製造するのが容易になる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。

【００２９】図１は本発明の画像情報読取装置を適用し
た記録読取装置に使用される、放射線画像検出シートの
第１実施形態の概略構成を示す図であり、図１（Ａ）は
斜視図、図１（Ｂ）はＰ矢指部のＸＹ断面図、図１
（Ｃ）はＱ矢指部のＸＺ断面図である。

【００３０】この検出シート１は、励起光の照射を受け
ることにより、蓄積されたエネルギーに応じた量の輝尽
発光光を生ぜしめる蓄積性蛍光体層１２をベース（支持
体）１１上に積層して成る画像記録シートとしての画像
記録部１０と、多数の平板状のエレメント（線状電極）
２２ａをストライプ状に配列して成る第１ストライプ電
極２２が形成された第１電極層２１、輝尽発光光の照射
を受けることにより導電性を呈する光導電層２３、多数
の平板状のエレメント２６ａをストライプ状に配列して
成る第２ストライプ電極２６が形成された第２電極層２
５をこの順に積層してなる固体画像検出器としての画像
読取部２０とを備え、画像読取部２０の第２電極層２５
と蓄積性蛍光体層１２とが対面して積層されているもの
である。

【００３１】画像記録部１０は、蓄積性蛍光体層１２
が、６００ｎｍ以上の波長の赤色の励起光で励起され、
且つ５００ｎｍ以下（好ましくは４００ｎｍ〜４５０ｎ
ｍ）の青色の輝尽発光光を生ぜしめるものであれば、ど
のようなものであってもよく、周知の蓄積性蛍光体シー
トを利用することができる。なお、図示していないが、
蓄積性蛍光体層１２以外に、例えば、保護層や増感層な
どが設けられる。

【００３２】光導電層２３の物質としては、蓄積性蛍光
体層１２から発せられる輝尽発光光の照射を受けること
により導電性を呈する光導電性物質であればよく、上述
した、５００ｎｍ以下（例えば４００nm近傍）の青色の
輝尽発光光を発生する蓄積性蛍光体層１２との組合せに
おいては、ａ−Ｓｅを主成分とする光導電性物質が好適
である。この光導電層２３の厚さは、輝尽発光光を十分
に吸収し、且つアバランシェ増幅作用が働くようにし
て、取り出し得る信号レベルを大きくするには１μｍ以
上であるのが好ましく、また、分布容量を小さくして固
定ノイズを抑制するにはより厚い方が好ましいが、膜厚
が厚すぎると電源電圧が大きくなるデメリットがあるの
で、電源電圧を考慮しつつ、アバランシェ増幅効果と固
定ノイズとの比が大きくなるように、例えば１μｍ以上
１００μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上５０μ
ｍ以下に設定する。

【００３３】なお、光導電層２３にａ−Ｓｅを使用すれ
ば、励起光としての赤色光に対して透過性を持たせるこ
ともできるので、該光導電層２３を介して励起光を蓄積
性蛍光体層１２に照射することもできる。

【００３４】第１ストライプ電極２２の各エレメント２
２ａは、第２ストライプ電極２６の各エレメント２６ａ
に対して略直交するように配設されている。何れも、並
び方向の画素数と同じ数のエレメントが設けられる。エ
レメントの配列ピッチが画素ピッチを規定する。

【００３５】励起光を画像読取部２０側から照射する場
合には、両電極層２１，２５を励起光に対して透過性の
あるものとする。透過性を持つものとするには、両エレ
メント２２ａ，２６ａとしては、ＩＴＯ（Indium Tin O
xide）膜等の周知の透明導電膜を使用するのが好適であ
る。なお、両エレメント２２ａ，２６ａに透過性を持た
せない場合には、少なくとも各エレメント２２ａ，２６
ａの隙間２１ａ，２５ａを透過性のあるものとし、この
隙間２１ａ，２５ａから励起光L3が蓄積性蛍光体層１２
に入射するようにする。

【００３６】また、第２電極層２５は、蓄積性蛍光体層
１２から発せられる輝尽発光光L4に対しても透過性のあ
るものとする。透過性を持つものとするには、エレメン
ト２６ａとして、上述したＩＴＯ膜等の透明導電膜を使
用するのが好適である。

【００３７】図２および図３は、放射線画像情報記録
（撮影）装置と放射線画像情報読取装置を一体にした、
上記放射線固体検出シート１を用いた記録読取装置１１
０の概略構成図を示すものであり、図２は検出シート１
の斜視図と共に示した図、図３は検出シート１のＱ矢指
部のＸＺ断面図と共に示した図である。

【００３８】この記録読取装置１１０は、検出シート１
と、電流検出回路８０と、Ａ／Ｄ変換器８６と、データ
補正部８７とＲＯＭテーブル８８とを備えている。デー
タ補正部８７とＲＯＭテーブル８８は、光導電層２３に
印加される電界の変動に起因する信号変動を抑制するた
めに設けられたものであって、本発明に係る抑制手段と
して機能する物である。また、Ｘ線等の放射線L1を発し
て被写体９を透過した放射線（以下記録光という）L2を
検出シート１に照射する放射線照射手段９０、および検
出シート１に励起光L3を照射する励起光照射手段（励起
光走査手段）９２が設けられている。

【００３９】放射線照射手段９０および励起光照射手段
９２は、共に画像読取部２０の第１電極層２１側に配さ
れ、また励起光照射手段９２、特に励起光光源９２ａ
は、放射線照射時には、記録光L2の検出シート１への入
射の妨げとならないように退避可能に構成されている。

【００４０】励起光照射手段９２は、ライン状に略一様
な６００ｎｍ以上の波長の赤色の励起光L3を、ストライ
プ電極２２の各エレメント２２ａと略直交させつつ、エ
レメント２２ａの長手方向、すなわち副走査方向に、一
方の端から他方の端まで走査露光するものである。励起
光L3を発する励起光源９２ａとしては、細長い形状のＬ
ＥＤ等を用いることができ、励起光照射手段９２は、こ
のＬＥＤを検出シート１に対して、相対的に移動させる
ことによって、励起光L3を走査するものとすればよい。
また、液晶や有機ＥＬ等、線状光源を面状に配した面状
光源を検出シート１と一体的に構成し、線状光源を電気
的に走査する、すなわち線状光源を順次切り換えること
によって、エレメントの長手方向に走査するものとして
もよい。

【００４１】なお、ライン状の励起光に限らず、エレメ
ント２２ａの長手方向とは直交する方向、すなわち主走
査方向に、ビーム光でストライプ電極２２を順次走査し
ながら副走査方向にも走査するようにしてもよい。ま
た、この励起光L3は、連続的に発せられる連続光であっ
てもよいし、パルス状に発せられるパルス光であっても
よいが、高出力のパルス光の方がより大きな電流を検出
することができ、画像のＳ／Ｎを改善することができ、
有利であるので、本実施の形態では、読出ライン毎に約
１００μｓｅｃの高出力のパルス光を照射するようにし
ている。

【００４２】電流検出回路８０は、オペアンプ８１ａ、
積分コンデンサ８１ｂ、およびスイッチ８１ｃから構成
される電流検出アンプ８１を多数有している。ストライ
プ電極２２の各エレメント２２ａが、それぞれ各別に、
オペアンプ８１ａの反転入力端子（−）に接続されてい
る。

【００４３】また、電流検出回路８０は、画像読取部２
０の両電極層２１，２５の間に所定の電圧を印加して、
光導電層２３に電界を生ぜしめる電源８２，スイッチ８
３、スイッチ部８４から成る電圧印加手段８５を有して
いる。スイッチ部８４は、第２ストライプ電極２６のエ
レメント２６ａの１つずつと各別に接続されたスイッチ
ング素子８４ａを多数有している。各スイッチング素子
８４ａの他方の端子は電源８２の負極側に共通に接続さ
れている。電源８２の正極側は、スイッチ８３を介して
オペアンプ８１ａの各非反転端子（＋）に共通に接続さ
れている。

【００４４】この、電圧印加手段８５は、不図示の制御
手段からの指令により、第２電極層２５の多数のエレメ
ント２６ａのうち、励起光L3の走査露光と連動して、該
走査露光によってライン状の励起光L3が照射される読出
ラインのエレメント２６ａが電源８２の負極側に接続さ
れるように、スイッチ部８４のスイッチング素子８４ａ
のいずれかがオンにするように順次切り換える。これに
より、読出ラインのエレメント２６ａと全エレメント２
２ａとの間に、スイッチ８３およびオペアンプ８１ａの
イマジナリショートを介して電源８２から電圧が印加さ
れ、読出ラインのエレメント２６ａとエレメント２２ａ
とに挟まれた部分の光導電層２３に電界が印加されるよ
うに構成される。なお、読出ラインのエレメント２６ａ
に限らず、その周辺の数ラインのエレメント２６ａを含
めて、全エレメント２２ａとの間に電圧が印加されるよ
うにしてもよい。

【００４５】なお、電源８２の電圧の大きさは、光導電
層２３内でアバランシェ増幅作用が生じるように、光導
電層２３内の電位勾配が１０^６ Ｖ／ｃｍ以上となるよ
うに設定する。

【００４６】電流検出アンプ８１は、蓄積性蛍光体層１
２で発生した輝尽発光光L4が光導電層２３内に入射する
ことによって発生する電荷が画像読取部２０の外部に読
み出されるときに生じる電流を検出して、蓄積性蛍光体
層１２に蓄積された蓄積エネルギーに応じた画像信号を
得る画像信号取得手段として機能するものである。

【００４７】電流検出回路８０の後流側に配置されたＡ
／Ｄ変換器８６、データ補正部８７およびＲＯＭテーブ
ル８８は、電源８２の電圧変動に起因する出力データ変
動を補正するために設けられたものである。ａ−Ｓｅを
主成分とする光導電層２３をアバランシェ増幅する電界
下で使用すると電源電圧変動に対して敏感になるので、
電源電圧変動を極力抑え電圧の安定化を図るだけでな
く、電源電圧変動に対する出力データの変動に関する電
源電圧変動データを取得してＲＯＭテーブル８８に記憶
しておくと共に、データ補正部８７において、画像読取
中の電源電圧変動（詳しくは電極間電圧）を監視し、画
像読取中の電圧変動に応じて、例えばソフトウェア処理
などによって出力データを補正するようにしている。

【００４８】以下、上記構成の記録読取装置１１０にお
いて、被写体９に放射線L1を照射し、被写体を透過した
記録光L2を検出シート１に照射して、放射線画像情報を
画像記録部１０に記録し、その後、記録された画像放射
線画像情報を画像記録部２０により読み出す方法につい
て、図４に示すタイミングチャートを参照して説明す
る。

【００４９】検出シート１の画像記録部１０に放射線画
像情報を記録する際には、先ずスイッチ８３をオフにし
て、画像読取部２０の光導電層２３に電界が印加されな
いようにする。なお、スイッチ８３によらず、スイッチ
部８４の全スイッチング素子８４ａをオフにしてもよ
い。

【００５０】次に放射線L1を被写体９に爆射し、被写体
９を通過した被写体９の放射線画像情報を担持する記録
光L2を検出シート１の第１電極層２１側に約１秒間照射
する。記録光L2は、検出シート１の画像読取部２０を透
過し、蓄積性蛍光体層１２に入射する。蓄積性蛍光体層
１２は、入射した放射線の線量に応じたエネルギ−を蓄
積する。これにより、検出シートの画像記録部１０に放
射線画像情報が記録される。

【００５１】次に、放射線L1の照射を停止するととも
に、読出しに先立ち、スイッチ８３およびスイッチ部８
４の全スイッチング素子８４ａをオンさせて、オペアン
プ８１ａのイマジナリショートを介して、両ストライプ
電極２２，２６間に電圧を印加して光導電層２３に高電
界を印加する。

【００５２】次いで、励起光L3をエレメント２６ａの長
手方向に、一方の端から他方の端に向けて、エレメント
２２ａに対応するように相対的に移動させて（副走査に
相当する）、各副走査位置において１００μｓｅｃ期間
だけ励起光L3を発する。この副走査の際には、スイッチ
部８４のスイッチング素子８４ａを、励起光L3の副走査
と連動して、エレメント２６ａの長手方向に、順次切り
換えて１つずつ（或いは複数）オンさせて、励起光L3が
照射されるエレメント２６ａ、つまり読出ラインのエレ
メント２６ａのみと、或いは読出ラインとその周辺ライ
ンのエレメント２６ａと、全エレメント２２ａとの間に
電圧が印加されるようにし、その他のエレメント２６ａ
についてはオープンとしておく。こうすることにより、
エレメント２２ａ，２６ａ間に形成される分布容量が小
さくなり、固定ノイズを非常に小さくすることができ
る。また、各エレメント２２ａごとに電流検出アンプ８
１が接続され、エレメント２２ａの配列方向である主走
査方向には同時読み出しができるので、輝尽発光光L4の
読取り時間の短縮化を図ることができる。

【００５３】励起光L3は、波長６００ｎｍ以上の赤色光
であり、ａ−Ｓｅを主成分とする光導電層２３には殆ど
吸収されることなく蓄積性蛍光体層１２に入射する。励
起光L3が入射した蓄積性蛍光体層１２からは青色の輝尽
発光光L4が発せられ、該輝尽発光光L4が光導電層２３に
入射する。光導電層２３内では、輝尽発光光L4の照射を
受けて、正負の電荷対が発生する。

【００５４】また、読出ラインの両エレメント２２ａ，
２６ａ間の光導電層２３には１０^６ Ｖ／ｃｍ以上の高電
界が印加されており、アバランシェ増幅作用が働くよう
になり、光導電層２３内で正負の電荷対の発生が急激に
増大する。蛍光体層１２の量子効率は低く、蛍光体層１
２から発せられる輝尽発光光L4は低光量であるので、輝
尽発光光L4の直接照射によって発生する電荷対の量（信
号フォトン数）は少ないが、アバランシェ増幅作用を働
かせることによって発生電荷量を増幅させる（電荷増倍
機能を働かせる）ことが可能となり、十分大きな信号を
得、Ｓ／Ｎを向上させることができる。

【００５５】光導電層２３には電界が印加されているの
で、発生した電荷対のうち、負電荷はエレメント２２ａ
側に移動し、正電荷はエレメント２６ａ側に移動する。

【００５６】両エレメント２２ａ，２６ａ間には、オペ
アンプ８１ａが設けられており、各電流検出アンプ８１
は、励起光L3の副走査およびスイッチ部８４の順次切換
えに伴って生じる、上述した電荷の移動による電流を各
エレメント２２ａ毎に同時に検出して画像信号を得る、
つまり放射線画像情報を読み取ることができる。ここ
で、上述のように、ａ−Ｓｅを主成分とする光導電層２
３の厚さを１μｍ以上１００μｍ以下に設定しているの
で、例えば波長４００nm近傍の青光である輝尽発光光に
対する量子効率を、６０〜７０％というように、フォト
マルやＳｉを用いたアバランシェフォトダイオードより
も大きくすることができ、さらにアバランシェ増幅作用
が働くような電界を光導電層２３に印加して読取りを行
なうと共に電源電圧変動の補正を行なっているので、画
像のＳ／Ｎを格段に向上させることができる。

【００５７】また、データ補正部８７およびＲＯＭテー
ブル８８を設け、電源８２の電圧変動に起因する出力デ
ータ変動を補正するようにしているので、電源電圧変動
の影響を受けることなく安定したデータを得ることもで
き、信号のＳ／Ｎを一層向上させることができる。

【００５８】また、ａ−Ｓｅを主成分とする光導電層２
３としており、波長４００nm近傍の輝尽発光光に対する
感度と波長６００〜７００nm程度の励起光に対する感度
の比を十分大きくすることができる。例えば、ａ−Ｓｅ
の膜厚が１０μのとき、アバランシェ増幅作用を働かせ
ない状態では、青感度（＠４７０nm）／赤感度（＠６８
０nm）＝３．５桁程度となる。この値は、光電変換手段
としてフォトマルを用いたとき２桁程度となるのと比べ
て、非常に大きな値である。なお、ａ−Ｓｅ膜厚を薄く
する方が赤感度が低下し、青／赤感度比はさらに増大す
る。勿論、アバランシェ増幅作用を働かせると、該青／
赤感度比は一層大きくなる。また、Ｓｉは赤色光に対す
る感度が高く青色光に対する感度は低いので、主に青色
光を発する輝尽発光光との組み合わせでは、使用に適し
ない（マッチングが悪い）のと著しい違いがある。

【００５９】また、ａ−Ｓｅを用いた光導電層２３と蓄
積性蛍光体層１２とを組み合わせているので、検出シー
ト１を固体化させて耐衝撃性を持たせることができる。
また、ａ−Ｓｅを主成分とする光導電層２３は低温蒸着
で積層させて製造することができるので、薄型で且つ大
面積の検出シート１を容易に製造することができる。

【００６０】また、上記検出シート１は、放射線照射時
に暗潜像を記録しない蓄積性蛍光体層１２を使用してお
り、また、画像読取部２０の光導電層２３は、層内で発
生する電荷を蓄積する蓄電部が形成されることがなく、
記録時に光導電層２３に電界を印加しておいても、暗電
流による暗潜像が記録されるという問題は生じない。換
言すれば、Ｓｉを用いたアバランシェフォトダイオード
と比べて暗抵抗を極めて高く（例えば１０^１５Ω・ｃｍ
以上に）することができる。仮に、暗電流が生じたとし
ても、直ちに電流検出アンプ８１側に吐き出され、電流
検出アンプ８１が、この電流を吐き捨てることで、暗潜
像の影響を排除することができる。

【００６１】また、光導電層２３は、一般に、蓄積性蛍
光体層１２から発せられる輝尽発光光L4だけでなく、放
射線（記録光L2）や該放射線の照射により蓄積性蛍光体
層１２から発せられる瞬時光の照射を受けることによっ
ても導電性を呈する。そこで、光導電層２３に電界を印
加しながら記録光L2を検出シート１に照射して、記録光
L2や瞬時光を光導電層２３内に入射せしめ、該光導電層
２３内で発生する電荷を検出することにより、蓄積性蛍
光体層１２に画像記録を行ないながら、放射線画像情報
を担持する先読み画像信号を得ることもできる。この先
読み画像信号を得る装置としては、先読み画像信号取得
手段として電流検出回路８０を使用する等、上述した記
録読取装置１１０をそのまま使用することができる。得
られた先読み画像信号は、本読みの際の画像処理条件の
設定等に利用することができる。また、フォトタイマ代
わりに利用して、放射線の照射タイミングを設定した
り、放射線の線量を監視することもできる。

【００６２】なお、記録読取装置１１０を先読みのため
にそのまま使用する場合、エレメント２２ａ方向に積分
された１次元圧縮情報が先読み情報として各電流検出ア
ンプ８１から得られることになるので、必ずしも十分な
情報とならない場合がある。この場合、例えば、図５に
示すように、電流検出回路８０を、エレメント２２ａか
ら直接オペアンプ８１ａの反転入力端子（−）に入力し
且つ非反転入力端子（＋）をグランド（接地）にする構
成（コンデンサ８１ｂ等はそのまま）とすると共に、例
えばオペアンプ８１ａに対応するオペアンプ２８１ａ、
電源８２に対応する個別電源２８２ａ、スイッチング素
子８４ａに対応するスイッチング素子２８４ａ、オペア
ンプ２８１ａの反転入力端子（−）と出力端子間に接続
された抵抗２８５ａからなる信号検出アンプ２８１を、
分割された各エレメント２６ａそれぞれとグランド（接
地）との間に設けるとよい。これにより、電流検出アン
プ８１によるエレメント２２ａ方向に積分された前記１
次元圧縮情報に加えて、エレメント２２ａの長さ方向と
直交する方向に積分された１次元圧縮情報が、追加した
各信号検出アンプ２８１から得られる。これにより、得
られた２つの１次元圧縮情報に基づいてより詳細な先読
み情報を得ることが可能となる。

【００６３】なお、先読みおよび記録が終了し、本読み
を行なうときには、この先読み画像信号が不要であれ
ば、吐き捨てるとよい。また、この先読み画像信号と、
本読みによって得られた本読み画像信号とを加算しても
よい。

【００６４】さらに、上記第１実施形態においては、画
像読取部２０の第２電極層２５側が蓄積性蛍光体層１２
に対面するように、画像記録部１０と画像読取部２０と
を積層した検出シート１とし、記録光L2および励起光L3
を画像読取部２０の第１電極層２１側から照射する場合
について説明したものであるが、記録光L2や励起光L3を
画像記録部１０のベース１１側から照射するようにして
もよい。

【００６５】なお、励起光L3を第１電極層２１側から照
射すると、蓄積性蛍光体層１２の表面で発光する輝尽発
光光L4を検出することができるので、ベース１１側から
照射する場合よりも画質がよくなる。

【００６６】また、記録光L2や励起光L3をベース１１側
から照射すると、画像読取部２０のストライプ電極２
２，２６を通過させることなく蓄積性蛍光体層１２に入
射させることができ、電極マトリクスによるアーチファ
クトの問題が発生しない。

【００６７】また、励起光L3をベース１１側から照射す
る場合には、蓄積性蛍光体層１２と電極層２５、或い
は、電極層２５と光導電層２３との間に、励起光カット
フィルタを挿入することもできる。上述の説明において
は、赤色の励起光L3は光導電層２３には殆ど吸収される
ことがないと説明したが、実際には、画像情報を有しな
い赤色の励起光L3に対しても、若干感度を持つため、該
励起光L3によって発生する微小電荷分だけのオフセット
電流を発生する。そこで、上述のように励起光カットフ
ィルタを挿入すると、蓄積性蛍光体層１２から発せられ
る青色光（４００ｎｍ付近）は透過させ、赤色光（６０
０ｎｍ以上）を吸収させて、青色の輝尽発光光のみが光
導電層２３内に入射するようにできるので、オフセット
電流を抑制することができるようになる。

【００６８】また、画像読取部２０の第１電極層２１側
が蓄積性蛍光体層１２に対面するように、画像記録部１
０と画像読取部２０とを積層した検出シートとしてもよ
い。

【００６９】図６は第２実施形態による放射線固体検出
シートの概略構成を、図１（Ｃ）と同様の方法により示
した図である。なお、図６においては、図１に示す第１
実施形態による検出シート１の要素と同等の要素には同
番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限
り省略する（後述する各実施形態においても同様）。

【００７０】この検出シート２は、上記検出シート１の
ベース１１側に、更に画像読取部３０の第２電極層３５
側がベース１１に対面するように、画像記録部１０と画
像読取部３０とを積層したものである。ベース１１は、
輝尽発光光L4に対して透過性を有するものとする。画像
読取部３０の各層の構造は、参照番号を“３０”番台か
ら“２０”番台に置き換えた画像読取部２０のものと同
じである。なお、画像読取部３０の第１電極層３１側が
ベース１１に対面するように積層してもよい。

【００７１】この検出シート２を使用する場合の記録読
取装置としては、上述した装置１１０に、電流検出回路
８０と同様の電流検出回路を画像読取部３０側に更に設
けた構成とすればよい。また、光導電層２３に、例えば
１０^６ Ｖ／ｃｍ以上の高電界を印加して、アバランシ
ェ増幅作用が働くようにする（後述する各実施形態にお
いても同様）。そして、ベース１１を透過した輝尽発光
光L4を画像読取部３０側でも検出するようにし、画像記
録部１０の両側において、１つの蓄積性蛍光体層１２か
ら発せられた輝尽発光光L4に基づく画像信号を夫々独立
に得るようにする。このようにして得られた２つの画像
信号をデジタル化し、２つの画像データに基づいて加算
処理を行なうと、Ｓ／Ｎを改善することができる。ま
た、光導電層２３には、アバランシェ増幅作用が働くだ
けの電界が印加されてるので、該アバランシェ増幅作用
によって発生電荷量を増幅させることが可能となり、十
分大きな信号を得、Ｓ／Ｎを向上させることができるの
は勿論である（後述する各実施形態においても同様）。
なお、電源電圧変動の補正を行なって、画像のＳ／Ｎを
さらに向上させることもできる（後述する各実施形態も
同様）。

【００７２】なお、この実施の形態においても、励起光
カットフィルタを挿入することができる。例えば、励起
光L3を画像読取部３０側から照射する場合には、上述し
た検出シート１と同様の場所に挿入することで画像読取
部２０にオフセット電流抑制効果を持たせることがで
き、一方、励起光L3を画像読取部２０側から照射する場
合には、蓄積性蛍光体層１２とベース１１、ベース１１
と第２電極層３５、或いは、第２電極層３５と光導電層
３３との間に挿入したり、さらには、ベース１１を着色
して励起光L3を吸収させることで、画像読取部３０にオ
フセット電流抑制効果を持たせることができる。

【００７３】図７は第３実施形態による放射線固体検出
シートの概略構成を、図１（Ｃ）と同様の方法により示
した図である。

【００７４】この検出シート３は、上記検出シート１の
第１電極層２１に、更に画像記録部４０の蓄積性蛍光体
層４２が対面するように、画像記録部４０と画像読取部
２０とを積層したものである。画像読取部２０の第１電
極層２１は、蓄積性蛍光体層４２から発せられる輝尽発
光光L4に対して透過性を有するものとする。画像記録部
４０の各層の構造は、参照番号を“４０”番台から“１
０”番台に置き換えた画像記録部１０のものと同じであ
る。なお、画像記録部４０のベース４１が第１電極層２
１に対面するように積層してもよい。

【００７５】この検出シート３を使用する場合の記録読
取装置としては、上述した検出シート１を使用する装置
１１０をそのまま使用することができる。また、励起光
カットフィルタを蓄積性蛍光体層１２と電極層２５、或
いは、電極層２５と光導電層２３との間に挿入すると共
に、蓄積性蛍光体層４２と電極層２１、或いは、電極層
２１と光導電層２３との間に挿入して、別々の励起光を
各画像記録部１０，４０の外側から同時に照射する構成
としてもよい。

【００７６】なお、２つの蓄積性蛍光体層１２，４２か
ら発せられる電荷を検出することになるので、Ｓ／Ｎの
よい画像信号を得ることができる。

【００７７】図８は第４実施形態による放射線固体検出
シートの概略構成を、図１と同様の方法により示した図
である。

【００７８】この検出シート４は、上記検出シート１の
第２電極層２５のストライプ電極２６を、平板電極２６
ｃに変更したものである。なお、この第４実施形態によ
る検出シートにおいても、上述した第２および第３実施
形態の検出シートと同様に、画像記録部若しくは画像読
取部を複数重ねた構造の検出シートとすることもでき
る。

【００７９】この検出シート４を使用する場合の記録読
取装置は、図示しないが、上述した電流検出回路８０の
スイッチ部８４を取り除いて、平板電極２６ｃと電源８
２の負極側を直接接続した構成の電流検出回路とする。
読取りに際しては、励起光L3の走査に連動して、スイッ
チング素子８４ａを順次切り換えるということを行なわ
ない点が異なるが、その他は上述した装置１１０の作用
と同じである。

【００８０】この検出シート４を使用すると、スイッチ
ング素子８４ａを切り換える必要がないので、スイッチ
ングノイズの影響を受けることがない。

【００８１】図９は第５実施形態による放射線固体検出
シートの概略構成を、図１と同様の方法により示した図
である。

【００８２】この検出シート５は、上記検出シート１の
第２電極層２５のストライプ電極２６を平板電極２６ｃ
に変更すると共に、第１電極層２１のストライプ電極２
２を平板電極２２ｃに変更したものである。なお、この
第５実施形態に用いられる検出シートにおいても、上述
した第２および第３実施形態の検出シートと同様に、画
像記録部若しくは画像読取部を複数重ねた構造の検出シ
ートとすることもできる。

【００８３】図１０は、この検出シート５を用いた記録
読取装置１２０の概略構成図を示すものであり、検出シ
ート５のＱ矢指部のＸＺ断面図と共に示した図である。

【００８４】上述した記録読取装置１１０の電流検出回
路８０には、電流検出アンプ８１がエレメント２２ａに
対応して、多数設けられていたが、検出シート５を使用
する装置１２０の電流検出回路８０ａには、電流検出ア
ンプ８１が１つのみ設けられている。この電流検出アン
プ８１と他の構成要素との接続関係は、上述した電流検
出回路８０におけるものと同じである。また、上記検出
シート４を使用する場合と同様に、電流検出回路８０の
スイッチ部８４に対応するものは設けられておらず、平
板電極２６ｃと電源８２の負極側を直接接続した構成の
電圧印加手段８５ａとなっている。なお、後述する各実
施の形態（別体構成のもの）において、電流検出回路８
０ａと同様の構成にかかる部分については、図中に示し
た簡略図で示す。

【００８５】また、励起光照射手段９３には、６００ｎ
ｍ以上の波長の赤色のビーム状の励起光を発する励起光
光源９３ａが用いられている。この励起光照射手段９３
は、ビーム状の励起光L3’で、平板電極２２ｃの全面を
走査露光するものである。この励起光照射手段９３とし
ては、レーザ走査光学系を用いることができる。また、
液晶や有機ＥＬ等、微小点状光源を面状に配した面状光
源を検出シート５と一体的に構成し、微小点状光源を電
気的に走査する、すなわち微小点状光源を順次切り換え
ることによって、平板電極２２ｃの全面を照射するもの
としてもよい。また、この励起光L3’は、連続光であっ
てもよいし、パルス光であってもよい。

【００８６】なお、上述した各実施形態のライン光走査
を、このビーム状の励起光L3’で走査露光する手法に置
き換えてもよい。

【００８７】次に、検出シート５の画像記録部１０に記
録された放射線画像情報を画像記録部２０により読み出
す方法について、上記検出シート１を使用する場合と異
なる点について、簡単に説明する。なお、画像記録部１
０に放射線画像情報を記録する方法は、検出シート１を
使用する場合と同じである。

【００８８】検出シート５から放射線画像情報を読み取
る際には、まず、スイッチ８３をオンさせて、オペアン
プ８１ａのイマジナリショートを介して、両平板電極２
２ｃ，２６ｃ間に電圧を印加して光導電層２３に電界を
印加する。

【００８９】次いで、光導電層２３に高電界を印加した
まま、ビーム状の励起光L3’で平板電極２２ｃの全面を
走査する。

【００９０】この励起光L3’の走査露光により、走査位
置に対応する励起光L3’が入射した蓄積性蛍光体層１２
から輝尽発光光L4が発せられ、該輝尽発光光L4が光導電
層２３に入射する。そして、光導電層２３内で、正負の
電荷対が発生する。

【００９１】次いで、上述の検出シート１を使用する場
合と同様に、オペアンプ８１ａのイマジナリショートを
介して流れる電流を電流検出アンプ８１で検出すること
により、放射線画像情報を担持する画像信号を得る。

【００９２】なお、光導電層２３内に１０^６ Ｖ／ｃｍ
以上の高電界が発生するように、両平板電極２２ｃ，２
６ｃ間に電圧を印加するようにすれば、アバランシェ増
幅作用を働かせて、十分大きな信号を得ることもでき
る。

【００９３】以上、本発明の画像情報読取方法を実施す
る画像情報読取装置としての記録読取装置と、該記録読
取装置に使用される放射線画像検出シートの好適な実施
の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に
限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限り
において、種々変更することが可能である。

【００９４】図１１は、本発明の画像情報読取方法に用
いられる放射線画像検出シートの変更態様の組み合わせ
例を示す図である。放射線画像検出シートは、図示す
る、検出シートを構成する各要素のバリエーションを、
夫々任意に組み合わせて、１つの検出シートを形成する
ことができる。また記録読取装置も、放射線や励起光の
態様を種々選択できるので、検出シートとの組合せによ
って、使用用途や、使用形態に合わせて、好適な検出シ
ートを利用することができる。例えば、画像記録部を２
層にすると共に両者間にエネルギー吸収部材を挿入し、
また各画像記録部からの輝尽発光光が夫々独立に入射す
るように画像読取部を２層設けた構成の検出シートとす
れば、エネルギーサブトラクション処理を行なうことが
できる。

【００９５】なお、この図１０に示したバリエーション
は、一例であって、その他の変更が可能なのは勿論であ
る。例えば、画像記録部のベースを取り除き、画像読取
部上に、蓄積性蛍光体層を積層してもよい。なお、いず
れの変更態様においても、画像読取りに際しては、光導
電層層に、例えば１０^６ Ｖ／ｃｍ以上の高電界を印加
して、アバランシェ増幅作用が働くようにし、これによ
り、光導電層内で発生する電荷量を増幅させて、Ｓ／Ｎ
を向上させる。

【００９６】また、上記説明においては、画像記録部と
画像読取部、より詳しくは、蓄積性蛍光体シートと固体
画像検出器とを一体とした放射線画像検出シートを用い
た画像情報読取方法について説明したが、必ずしも一体
のものに限らず、別体のものであってもよい。この場
合、上述した各実施形態のものにおいて、画像記録部と
画像読取部との間にスペースを設けただけの、蓄積性蛍
光体シート（画像検出シート）と固体画像検出器とを１
対１に（略同面積で）対向させたものとすることができ
る。励起光光源としては、ストライプ状のものや平板状
のものなど電極の形態に合わせて、ライン光源やビーム
光光源（レーザ光源など）を用いる。勿論、アバランシ
ェ増幅作用が働くような電界を、固体画像検出器の光導
電層に印加して読取りを行なう。

【００９７】また、画像検出シートと固体画像検出器と
を別体とするものの場合、例えば、蓄積性蛍光体シート
を用いて放射線画像情報を読み取る、従来より公知のシ
ステムにおいて、光電読取手段（光電変換手段）を固体
画像検出器に置き換えた態様とすることもできる。以下
に、この形態について説明する。

【００９８】図１２（Ａ）は、本願出願人が特開昭55-1
2492号や特開昭56-11395号などで提案した、画像記録シ
ートとしての蓄積性蛍光体シートを利用した放射線画像
読取装置において、蓄積性蛍光体シートから発せられる
輝尽発光光を検出する光電読取手段としてのフォトマル
（光電子増倍管）を固体画像検出器に置き換えた態様の
ものを示す概略斜視図であり、図１２（Ｂ）は該装置に
使用される固体画像検出器の断面図を電流検出回路と共
に示した図である。なお、蓄積性蛍光体シートを構成す
る蓄積性蛍光体層や励起光光源としては、上記第１実施
形態と同様の波長特性のものを用いる（以下同様）。

【００９９】固体画像検出器２２３は、２枚の平板電極
２２３ａ，２２３ｂと、該平板電極２２３ａ，２２３ｂ
に挟まれた、輝尽発光光L4の照射を受けることにより導
電性を呈する光導電層２２３ｃとからなり、０次元セン
サとして機能するものである。図１２に示すように、光
ガイド２２２の射出端面２２２ｂと固体画像検出器２２
３の入射端面側の電極２２３ａとの間には、励起光カッ
トフィルタ２２５が設けられている。上述のように、光
導電層２２３ｃは波長６００ｎｍ以上の赤色の励起光に
対しては感度が低いのでフォトマルを用いた従来のもの
よりも励起光カットフィルタ２２５を薄くできる。輝尽
発光光L4が入射する側の平板電極２２３ａは、励起光カ
ットフィルタ２２５を経由して入射する輝尽発光光L4に
対して透過性を持たせるべく、ＩＴＯ膜等の周知の透明
導電膜を使用する。一方平板電極２２３ｂは透過性を有
している必要がなく、例えばアルミ電極などとすること
ができる。光導電層２２３ｃの物質としては、上述同様
に、５００ｎｍ以下の青色の輝尽発光光L4を発生するシ
ート２１１との組合せから、ａ−Ｓｅを主成分とする光
導電性物質が用いられる。光導電層２２３ｃ（ａ−Ｓｅ
光導電膜）の大きさ（検出面積）はシート２１１のサイ
ズ(例えば430mm×430mm)に比べて十分小さくする。例え
ば、50mm四方以下とする。このように、光導電膜の面積
を小さくすると、過大な暗電流の発生を避けられ、また
負荷容量も小さくできるために、蓄積性蛍光体層１２と
光導電層２３とが略１対１に対向した検出シート１に比
べて良好なＳ／Ｎ比を得ることができる。また、光導電
層２２３ｃの厚さは、輝尽発光光L4を十分に吸収し、さ
らにアバランシェ増幅作用が働き且つ分布容量を小さく
して固定ノイズを抑制するするために、上述同様に、１
μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以
上５０μｍ以下に設定する。なお、電源８２の電圧の大
きさは、上述同様に、光導電層２２３ｃ内でアバランシ
ェ増幅作用が生じるように、光導電層２２３ｃ内の電位
勾配が１０^６ Ｖ／ｃｍ以上となるように設定する。

【０１００】読取部２１０の所定位置にセットされた放
射線画像が記録された蓄積性蛍光体シート２１１は、不
図示の駆動手段により駆動されるエンドレスベルトなど
のシート搬送手段２１５により矢印Ｙ方向に搬送（副走
査）される。一方、レーザー光源２１６から発せられた
励起光としての光ビームL3はモータ２２４により駆動さ
れ矢印方向に高速回転する回転多面鏡２１８によって反
射偏向され、ｆθレンズなどの集束レンズ２１９を通過
した後、ミラー２２０により光路を変えてシート２１１
に入射し副走査の方向（矢印Ｙ方向）と略直角な矢印Ｘ
方向に主走査する。シート２１１の光ビームL3が照射さ
れた箇所からは、蓄積記録されている放射線画像情報に
応じた光量の輝尽発光光L4が発散され、この輝尽発光光
L4は光ガイド２２２の入射端面２２２ａに入射し、該ガ
イド２２２内の内部を全反射を繰り返して進み、射出端
面２２２ｂから射出して固体画像検出器２２３に入射す
る。以下上述同様に、固体画像検出器２２３の光導電層
２２３ｃ内で輝尽発光光L4の光量に応じた電荷が発生
し、この電荷が電流検出回路８０ａにより検出される。

【０１０１】固体画像検出器２２３は従来のフォトマル
に比べて小型・軽量にできるので、従来のフォトマルを
固体画像検出器２２３に置き換えた上記装置全体として
も小型・軽量にできる。

【０１０２】また、光導電層２２３ｃの厚さを１μｍ以
上１００μｍ以下に設定し且つアバランシェ増幅作用が
働くような電界を光導電層２２３ｃに印加して読取りを
行ない画像のＳ／Ｎを向上させる、あるいは青／赤感度
比を増大させるなど、上記第１実施形態と同様の効果を
得ることもできる。

【０１０３】次に、蓄積性蛍光体シート２１１から発せ
られる輝尽発光光L4を検出する光電読取手段としての長
尺フォトマルを固体画像検出器に置き換えた態様につい
て説明する。図１３（Ａ）は長尺フォトマルを固体画像
検出器に置き換えた態様の放射線画像読取装置を示す概
略斜視図、図１３（Ｂ）は固体画像検出器の配置態様を
示した概略図、図１４は該装置に使用される固体画像検
出器の断面図、図１５は固体画像検出器の配置態様の変
更例を示した概略図である。図１３（Ｂ）、図１４、お
よび図１５において、図中奥行き方向が、主走査方向
（長尺方向）である。

【０１０４】図１３に示す放射線画像読取装置は、不図
示のモータにより回転せしめられる２つのエンドレスベ
ルト２１５ａ，２１５ｂ上に蓄積性蛍光体シート２１１
が配置され、シート２１１の上方には、シート２１１を
励起するレーザ光L3を発するレーザ光源２１６と、その
レーザ光L3を反射偏向する、不図示のモータにより回転
駆動される回転多面鏡２１８と、回転多面鏡２１８で反
射偏向されたレーザ光L3をシート２１１上に収束し、か
つ等速度で走査させる走査レンズ（ｆθレンズ）２１９
が配されている。シート２１１は、矢印Ｘ方向にレーザ
光L3により主走査されるとともに、エンドレスベルト２
１５ａ，２１５ｂにより矢印Ｙ方向に搬送されるため、
結果的にシート２１１の全面がレーザ光L3により走査さ
れる。

【０１０５】さらに、レーザ光L3が走査されるシート２
１１の表面（励起光が入射する側の面）の上方には、そ
のレーザ光L3による励起でシート２１１の表面から発せ
られた、シート２１１に記録されている放射線画像情報
に応じた輝尽発光光L4を検出する、長尺状の固体画像検
出器２２３が配設されている。これにより、図１２に示
したものと同様に、固体画像検出器２２３の光導電層２
２３ｃ内で輝尽発光光L4の光量に応じた電荷が発生し、
この電荷が電流検出回路８０ａにより検出される。

【０１０６】上記構成の放射線画像読取装置において
は、図１４に示すようなガラス基板２２６上に配された
長尺タイプの固体画像検出器を使用することができる。
この固体画像検出器２２３は、シート２１１の表面を走
査するレーザ光L3の主走査方向（矢印Ｘ方向）に沿って
光検出面が延びた長尺状のものであり、２枚の長尺平板
電極２２３ａ，２２３ｂと、該平板電極２２３ａ，２２
３ｂに挟まれた、ガラス基板２２６を介して入射する輝
尽発光光L4の照射を受けることにより導電性を呈する光
導電層２２３ｃとからなり、長尺状ではあるが、０次元
センサとして機能するものである。光導電層２２３ｃ
（ａ−Ｓｅ光導電膜）の長さ（主走査方向）はシート２
１１と略同サイズとする一方、幅はシート２１１のサイ
ズ（例えば430mm×430mm）に比べて十分小さくなるよう
に、例えば５０mm以下とする。図１２の態様と同じよう
に、光導電膜の面積を小さくすると、過大な暗電流の発
生を避けられ、また負荷容量も小さくできるために、蓄
積性蛍光体層１２と光導電層２３とが略１対１に対向し
た検出シート１に比べて良好なＳ／Ｎ比を得ることがで
きる。また、ガラス基板２２６の輝尽発光光L4の入射側
（平板電極２２３ａと反対側）には、励起光カットフィ
ルタ２２５が設けられ、該励起光カットフィルタ２２５
とガラス基板２２６の側面には遮光部材２２７が設けら
れている。上述のように、光導電層２２３ｃは波長６０
０ｎｍ以上の赤色の励起光に対しては感度が低いのでフ
ォトマルを用いた従来のものよりも励起光カットフィル
タ２２５を薄くできる。輝尽発光光L4が入射する側の平
板電極２２３ａは、励起光カットフィルタ２２５および
ガラス基板２２６を経由して入射する輝尽発光光L4に対
して透過性を持たせるべく、ＩＴＯ膜等の周知の透明導
電膜を使用する。図１２に示したものと同様に、１μｍ
以上１００μｍ以下（さらに好ましくは１０μｍ以上５
０μｍ以下）のａ−Ｓｅを主成分とする光導電性物質が
光導電層２２３ｃに用いられ、また該光導電層２２３ｃ
内でアバランシェ増幅作用が生じるように、光導電層２
２３ｃ内の電位勾配が１０^６ Ｖ／ｃｍ以上に設定され
る。なお、図１４（Ｂ）に示すように、固体画像検出器
２２３は全体としてシリンドリカルに製造してもよい。

【０１０７】この長尺状の固体画像検出器２２３は、従
来の長尺フォトマルに比べて小型・軽量にでき、従来の
長尺フォトマルを図１４に示す長尺状の固体画像検出器
２２３に置き換えた上記装置全体としても薄型・軽量に
できる。また長尺フォトマルやＳｉアバランシェフォト
ダイオードなどを用いたセンサは高価であるのに対し
て、長尺状の固体画像検出器２２３は製造が容易であ
り、例えば、長さが１７インチ（１インチ＝約２５．４
mm）程度の長尺な０次元センサであってもコストを低減
することができる。

【０１０８】また、光導電層２２３ｃの厚さを１μｍ以
上１００μｍ以下に設定し且つアバランシェ増幅作用が
働くような電界を光導電層２２３ｃに印加して読取りを
行ない画像のＳ／Ｎを向上させる、あるいは青／赤感度
比を増大させるなど、上記第１実施形態と同様の効果を
得ることもできる。

【０１０９】なお、図１４に示した固体画像検出器２２
３を用いて画像読取りを行なう場合、図１３（Ｂ）に示
した配置態様だけでなく、例えば図１５（Ａ）に示すよ
うに、シート２１１より発せられ固体画像検出器２２３
に直接入射する輝尽発光光L4以外の輝尽発光光L5を効率
よく固体画像検出器２２３に導くシリンドリカル状の集
光ミラー２３５を設ける構成としてもよい。この集光ミ
ラー２３５は、該集光ミラー２３５同様にレーザ光Ｌの
主走査方向Ｘに延びたミラーマウント２３６に取り付け
られると共に、輝尽発光光L5を効率よく固体画像検出器
２２３に導くことができるように、励起光カットフィル
タ２３５の入射面２３５ａに対向し且つ端面２３５ａ近
傍に配置される。

【０１１０】また、図１５（Ｂ）に示すように、図１５
（Ａ）に示した集光ミラー２３５の配置されていた場所
に、図１４に示す固体画像検出器２２３を配置させるこ
ともできる。この場合、２つの固体画像検出器２２３で
発生する電荷をそれぞれ各別の電流検出回路８０ａで検
出した後、加算手段８９で２つの信号を加算することに
より、検出効率を高めＳ／Ｎ向上を図ることができる。

【０１１１】また、図１５（Ｃ）に示すように、図１５
（Ａ）に示したものに加えて、シート２１１の裏面側に
図１４に示す固体画像検出器２２３を近接配置させ、２
つの固体画像検出器２２３で発生する電荷をそれぞれ各
別の電流検出回路８０ａで検出した後加算手段８９で２
つの信号を加算する、いわゆる両面読取構成とすること
もできる。この場合、裏面側に発せられる輝尽発光光L6
をも検出することができるのでＳ／Ｎが向上する。

【０１１２】また、長尺状の固体画像検出器２２３は、
図１６に示すように、２枚の長尺平板電極２２３ａ，２
２３ｂおよび該平板電極２２３ａ，２２３ｂに挟まれた
光導電層２２３ｃとからなる２つの固体画像検出部２２
３ｄを、長尺状のガラス基板２２６上の図中左右に、平
板電極２２３ｂがガラス基板２２６側となるように配置
させた構成とすることもできる。各固体画像検出部２２
３ｄは、基本的には図１４に示す固体画像検出器２２３
と同じであり、輝尽発光光L4の入射側である平板電極２
２３ａ側には、励起光カットフィルタ２２５が設けられ
る。図１６に示した固体画像検出器２２３を用いて画像
読取りを行なう場合、同図に示すように、固体画像検出
部２２３ｄが設けられていない部分のガラス基板２２６
を介して励起光としてのレーザ光Ｌをシート２１１に入
射させ走査する。そして、該レーザ光Ｌによる励起でシ
ート２１１の表面から発せられた輝尽発光光L4を、両側
に配された固体画像検出部２２３ｄで検出する。これに
より、図１５（Ｂ）に示したものと略同様に、２つの固
体画像検出部２２３ｄで発生する電荷をそれぞれ各別の
電流検出回路８０ａで検出した後２つの信号を加算する
ことにより、検出効率を高めることができる。なお、図
１５（Ｂ）に示した配置態様に比べて、固体画像検出部
２２３ｄをシート２１１に近接させることができるの
で、検出効率やＳ／Ｎの向上を一層図ることができる。

【０１１３】次に、蓄積性蛍光体シート２１１から発せ
られる輝尽発光光L4を検出する光電読取手段としてのラ
インセンサを、ライン状の固体画像検出器に置き換えた
態様について説明する。図１７および図１８は、固体画
像検出器の主走査方向の断面図（Ａ）と電極２２３ａに
着目した切断平面図（Ｂ）、図１９および図２０は各固
体画像検出器の配置態様の一例を示した概略図である。
なお、図１９および図２０において、図中奥行き方向
が、主走査方向（長尺方向）である。

【０１１４】図１７に示す固体画像検出器２２３は、上
記図１３に示した長尺状の固体画像検出器２２３を、長
手方向において、平板電極２２３ａを画素ピッチで且つ
該画素ピッチの範囲内での所定幅で分割（以下画素分割
という）した構成としている。一方、図１８に示す固体
画像検出器２２３は、上記図１６に示した長尺状の固体
画像検出器２２３を、長手方向において、平板電極２２
３ａを画素分割した構成としている。電極２２３ｂは、
長尺状の平板電極のままである。幅はシート２１１のサ
イズ（例えば430mm×430mm）に比べて十分小さくなるよ
うに、上述同様、例えば５０mm以下とする。これによ
り、いずれも、多数の微小固体画像検出部２２３ｄがラ
イン状に配列された１次元センサ（ラインセンサ）とし
て使用することができる。各固体画像検出部２２３ｄの
各電極２２３ａは、第１実施形態に示した検出シート１
のエレメント２２ａと同様に、各別に電流検出アンプ８
１が接続される。この点では、第１実施形態に示した電
流検出回路８０と同様である。

【０１１５】図１７および図１８に示す１次元センサと
しての各固体画像検出器２２３を用いて画像読取りを行
なう場合、固体画像検出器２２３は、図１３（Ａ）に示
した長尺状の固体画像検出器２２３と同様に配置する。
一方、励起光光源としては、シート２１１に対して主走
査方向に線状に励起光L3’を照射する、蛍光灯、冷陰極
蛍光灯または有機ＥＬアレイやＬＥＤアレイ等のライン
光源２９３とする。あるいは、図１２（Ａ）に示したも
のと同様に、スポット光を主走査方向に走査するものと
してもよい。そして、光源および１次元センサとしての
固体画像検出器２２３をシート２１１に対して相対的
に、主走査方向Ｘと略直交する副走査方向Ｙに移動させ
て画像を読み取る。各固体画像検出部２２３ｄの各電極
２２３ａごとに電流検出アンプ８１が接続され、電極２
２３ａの配列方向である主走査方向には同時読み出しが
できるので、輝尽発光光L4の読取り時間の短縮化を図る
ことができる。

【０１１６】また、図１９（Ａ）に示すように、例え
ば、有機ＥＬアレイやＬＥＤアレイ等のライン光源２９
３をシート２１１の表面側に配置すると共に、ライン状
の固体画像検出器２２３をシート２１１の裏面側に配置
する構成とすると、装置を非常に薄くできる。また、Ｓ
ｉアバランシェフォトダイオードなどを用いたラインセ
ンサは高価であるのに対して、ライン状の固体画像検出
器２２３は製造が容易であり、例えば、長さが１７イン
チ（１インチ＝約２５．４mm）程度の１次元センサであ
ってもコストを低減することができる。

【０１１７】なお、図１９（Ａ）に示す配置構成より大
きくなるが、図１９（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、図１
５に示した長尺状の固体画像検出器２２３と同様の配置
構成や信号取出しとすることもできる。なお、図１９
（Ｂ）に示した態様は、集光ミラー２３５を用いて表面
側で検出を行なっている分だけ信号が大きくＳ／Ｎがよ
い。また、図１９（Ｃ）、（Ｄ）に示した態様は、対応
する２つの固体画像検出部２２３ｄで発生する電荷をそ
れぞれ各別の電流検出アンプ８１で検出した後２つの信
号を加算することができるのでＳ／Ｎが一層向上する。

【０１１８】また、図１８に示す固体画像検出器２２３
を用いる場合には、図２０（Ａ）に示すように、シート
２１１の表面側にのみ固体画像検出器２２３を配置する
だけでなく、図２０（Ｂ）に示すように、シート２１１
の裏面側にも固体画像検出器２２３（例えば図１７に示
したもの）を配置することもできる。図１７に示したも
のを裏面側に配置した場合、対応する３つの信号成分を
加算することができるのでＳ／Ｎが一層向上する。な
お、このような配置態様は、上述の図１６に示した長尺
タイプ（０次元）の固体画像検出器２２３を用いる場合
にも適用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した記録読取装置に使用される固
体画像検出器の一態様である放射線画像検出シートの第
１実施形態の概略構成を示す斜視図（Ａ）、Ｐ矢指部の
ＸＹ断面図（Ｂ）、ＸＺ断面図（Ｃ）

【図２】第１実施形態の放射線画像検出シートを用いた
記録読取装置の概略構成を示す図（その１）

【図３】第１実施形態の放射線画像検出シートを用いた
記録読取装置の概略構成を示す図（その２）

【図４】第１実施形態の放射線画像検出シートを用い
て、放射線画像情報を記録し、読み取る方法を説明する
タイミングチャート

【図５】先読みに対応した記録読取装置の変更態様を示
す概略構成を示す図

【図６】第２実施形態の放射線画像検出シートの概略構
成を示すＸＺ断面図

【図７】第３実施形態の放射線画像検出シートの概略構
成を示すＸＺ断面図

【図８】第４実施形態の放射線画像検出シートの概略構
成を示す斜視図（Ａ）、Ｐ矢指部のＸＹ断面図（Ｂ）、
Ｑ矢指部のＸＺ断面図（Ｃ）

【図９】第５実施形態の放射線画像検出シートの概略構
成を示す斜視図（Ａ）、Ｐ矢指部のＸＹ断面図（Ｂ）、
Ｑ矢指部のＸＺ断面図（Ｃ）

【図１０】第５実施形態の放射線画像検出シートを用い
た記録読取装置の概略構成を示す図

【図１１】放射線画像検出シートの変更態様の組み合わ
せ例を示す図

【図１２】フォトマルを固体画像検出器に置き換えた態
様の放射線画像読取装置を示す概略斜視図（Ａ）、該装
置に使用される固体画像検出器の断面図を電流検出回路
と共に示した図（Ｂ）

【図１３】長尺フォトマルを固体画像検出器に置き換え
た態様の放射線画像読取装置を示す概略斜視図（Ａ）、
固体画像検出器の配置態様を示した概略図（Ｂ）

【図１４】長尺状の固体画像検出器の断面図

【図１５】固体画像検出器の配置態様の変更例を示した
概略図（Ａ）〜（Ｃ）

【図１６】長尺状の固体画像検出器の変更態様を示す断
面図

【図１７】１次元センサとしての固体画像検出器の主走
査方向の断面図（Ａ）、電極に着目した切断平面図
（Ｂ）

【図１８】１次元センサとしての固体画像検出器の主走
査方向の断面図（Ａ）、電極に着目した切断平面図
（Ｂ）

【図１９】１次元センサとしての固体画像検出器の配置
態様の一例を示した概略図（Ａ）〜（Ｄ）

【図２０】１次元センサとしての固体画像検出器の配置
態様の一例を示した概略図（Ａ），（Ｂ）

【符号の説明】

１ 放射線画像検出シート １０ 画像記録部（画像記録シート） １１ ベース（支持体） １２ 蓄積性蛍光体層 ２０ 画像読取部（固体画像検出器） ２１ 第１電極層 ２２ 第１ストライプ電極 ２３ 光導電層 ２５ 第２電極層 ２６ 第２ストライプ電極 ８０ 電流検出回路（先読み画像信号取得手段を兼
用） ８１ 電流検出アンプ（画像信号取得手段） ８５ 電圧印加手段 ９０ 放射線照射手段 ９２，９３ 励起光照射手段 １１０，１２０ 放射線画像記録読取装置 L2 記録用の放射線（記録光） L3 励起光 L4〜L6 輝尽発光光

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 励起光の照射を受けることにより蓄積
   されたエネルギーに応じた量の輝尽発光光を生ぜしめる
   蓄積性蛍光体層を有する画像記録シートと前記輝尽発光
   光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を
   有する固体画像検出器とを使用して、画像情報が記録さ
   れた前記画像記録シートを励起光で走査することにより
   得られた輝尽発光光を前記光導電層に入射せしめ、該入
   射に伴って前記光導電層で発生する電荷を該光導電層に
   電界を加えて検出することにより、前記画像情報を担持
   する画像信号を得る画像情報読取方法であって、前記画
   像記録シートとして、前記蓄積性蛍光体層が６００ｎｍ
   以上の波長の前記励起光で励起され且つ５００ｎｍ以下
   の波長の前記輝尽発光光を生ぜしめるものを使用すると
   共に、前記固体画像検出器としてａ−Ｓｅを主成分とす
   る光導電層を有するものを使用し、且つ該光導電層内で
   アバランシェ増幅を生ぜしめる電界を加えることを特徴
   とする画像情報読取方法。
2. 【請求項２】 前記固体画像検出器として、前記光導
   電層の厚さが１μｍ以上１００μｍ以下のものを使用す
   ることを特徴とする請求項１記載の画像情報読取方法。
3. 【請求項３】 前記固体画像検出器として、前記光導
   電層の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下のものを使用す
   ることを特徴とする請求項２記載の画像情報読取方法。
4. 【請求項４】 前記画像信号の取得中における、前記
   光導電層に印加されている前記電界の変動に起因する前
   記画像信号の変動を抑制することを特徴とする請求項１
   から３いずれか１項記載の画像情報読取方法。
5. 【請求項５】 ６００ｎｍ以上の波長の励起光を発す
   る励起光光源を有し、該励起光の照射を受けることによ
   り蓄積されたエネルギーに応じた量の５００ｎｍ以下の
   波長の輝尽発光光を生ぜしめる蓄積性蛍光体層を有する
   画像記録シートを前記励起光で走査する励起光走査手段
   と、 ａ−Ｓｅを主成分とする、前記輝尽発光光の照射を受け
   ることにより導電性を呈する光導電層を有する固体画像
   検出器と、 前記固体画像検出器の前記光導電層内でアバランシェ増
   幅を生ぜしめる電界を発生せしめるための電圧を印加す
   る電圧印加手段と、 画像情報が記録された前記画像記録シートを前記励起光
   で走査して得られた輝尽発光光を前記光導電層に入射せ
   しめることにより前記光導電層で発生する電荷を、該光
   導電層に電界を加えて検出することにより、前記画像情
   報を担持する画像信号を得る画像信号取得手段とを備え
   てなることを特徴とする画像情報読取装置。
6. 【請求項６】 前記固体画像検出器は、前記光導電層
   の厚さが１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴と
   する請求項５記載の画像情報読取装置。
7. 【請求項７】 前記固体画像検出器は、前記光導電層
   の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴と
   する請求項６記載の画像情報読取装置。
8. 【請求項８】 前記画像信号の取得中における、前記
   光導電層に印加されている前記電界の変動に起因する前
   記画像信号の変動を抑制する抑制手段を備えたことを特
   徴とする請求項５から７いずれか１項記載の画像情報読
   取装置。