JP2000338298A - 蓄積性蛍光体を用いた画像情報読取方法および装置並びに固体画像検出器および画像検出シート - Google Patents

蓄積性蛍光体を用いた画像情報読取方法および装置並びに固体画像検出器および画像検出シート

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JP2000338298A
JP2000338298A JP2000050203A JP2000050203A JP2000338298A JP 2000338298 A JP2000338298 A JP 2000338298A JP 2000050203 A JP2000050203 A JP 2000050203A JP 2000050203 A JP2000050203 A JP 2000050203A JP 2000338298 A JP2000338298 A JP 2000338298A
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Shinji Imai
真二 今井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像記録シートを用いて放射線画像情報を読
み取る装置において、S/Nのよい高画質な画像を高速
に得られるようにする。 【解決手段】 蓄積性蛍光体層12を有する画像記録部10
と、a-Seからなる光導電層23および画素分割されたエレ
メント22a,26aからなるストライプ電極22,26を有す
る固体画像検出器としての画像読取部20とを備え、スト
ライプ電極26側が蛍光体層12に対面して積層された放射
線画像検出シート1を使用する。放射線L2を蛍光体層12
に照射して画像記録を行ない、電圧印加手段82により光
導電層23に電界を印加しながら、波長600nm近傍のラ
イン状の励起光L3でエレメント22aの長手方向に走査
し、蛍光体層12から発せられる波長400nm近傍の輝尽
発光光L4を光導電層23に入射させて光導電層23内に発生
する電荷をエレメント22aごとに検出することによっ
て、放射線画像信号を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、蓄積性蛍光体層を
有する画像記録シートを使用して、画像情報を担持する
画像信号を得る画像情報読取方法および装置、並びに該
方法および装置に用いられる固体画像検出器および画像
検出シートに関するものである。
【0002】
【従来の技術】放射線を照射するとこの放射線エネルギ
ーの一部が蓄積され、その後可視光等の励起光を照射す
ると蓄積されたエネルギーに応じて輝尽発光を示す蓄積
性蛍光体(輝尽性蛍光体)を利用して、人体等の被写体
の放射線画像情報を一旦、蓄積性蛍光体層を有するシー
ト状の蓄積性蛍光体(蓄積性蛍光体シート;画像記録シ
ートの一態様)に撮影記録し、このシートをレーザー光
等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得られた
輝尽発光光を光電的に読み取って放射線画像情報を担持
する画像信号を得る画像情報読取方法や装置が既によく
知られている。また、画像情報読取装置としては、励起
光の走査形態や光電変換手段の形態から種々のものが提
案されている。
【0003】例えば、“RADIOGRAPHIC PROCESS UTILIZI
NG A PHOTOCONDUCTIVE SOLID-STATEIMAGER(772/Researc
h disclosure・Oct 1992 /34264)”(以下文献1とい
う)には、励起光の照射を受けることにより蓄積された
エネルギーに応じた量の輝尽発光光を生じせしめる蓄積
性蛍光体層を有する画像記録シートと、該シートと略同
じ面積を有し、前記輝尽発光光に感度を有する光導電層
(2つの電極層に挟まれる)を一体的に構成した0次元
光電変換器としての放射線画像変換パネル(光電変換手
段の一態様)を使用して、該パネルをスポット光によっ
て2次元走査することで画像読取りを行なうシステムが
開示されている。前記パネルを構成する光導電層として
は、500nmの輝尽発光光波長に対しては感度が高く、
633nmの励起光波長に対して感度が低いものが良いと
され、アモルファスセレン(a−Se)が好適であるこ
とが開示されている。
【0004】a−Seは、波長500nm以下(例えば
300〜500nm程度の青色光域)に対して高感度で、
波長400nm近傍の輝尽発光光に対する量子効率が0次
元光電変換器としてのフォトマル(電子増倍管)に比べ
て高く、蓄積性蛍光体層から発せられる輝尽発光光の読
取りに適した効率のよい組合せとなっている。また、a
−Seは波長600nm以上(例えば600〜800nm
程度の赤色光域)に感度を殆ど有せず、輝尽発光光感度
/励起光感度比が大きく、基本的には励起光カットフィ
ルタを使用することなく、蓄積性蛍光体層の表面に発生
する輝尽発光光を光導電層で検出することができ、さら
に、a−Seは低温蒸着プロセスを用いることができる
ので、固体化(衝撃に強い)に適し、且つ薄型化、大面
積化が可能であるというメリットがある。
【0005】しかしながら、シートと略同じ面積を有す
る変換パネルとすると、光導電層の面積が大きくなるた
め、過大な暗電流発生が避けられず、またキャパシタン
ス(検出器の出力容量)も大きくなるため、S/Nの悪
い画像しか得らない。
【0006】また、輝尽発光光の発光が遅いため、スポ
ット光によって2次元走査して画像を読み取るのでは、
読み出しに時間がかかるという問題もある。
【0007】また、特公平 7-76800号(以下文献2とい
う)には、上記文献1と同様に、画像検出シートと略同
じ面積の光導電層で、蓄積性蛍光体層から発せられる輝
尽発光光を検出することが開示されている。光導電層と
しては、300〜500nmの輝尽発光光波長に対しては
感度が高く、600〜800nmの励起光波長に対して感
度が低いものが良いとされ、特にセレン系化合物が好ま
しいことが開示されている。また、光導電層を挟むよう
に設けられた電極の一部を分割して、それぞれ独立に電
流検出することで、暗電流の影響を低減することが開示
されている。
【0008】しかしながら、電極の一部を分割したとし
ても、その面積は依然として大きいため過大な暗電流発
生が依然として避けられず、またキャパシタンスも大き
いため、S/Nはさほど改善されない。また、電極の一
部を分割し、それぞれ独立にスポット光によって走査
(2次元走査)して画像を読み取ったとしても、大きな
読取り速度の改善効果を得ることはできない。
【0009】また、特開昭 58-121874号(以下文献3と
いう)にも、上記文献1,2と同様に、画像検出シート
と略同じ面積の光導電層で、蓄積性蛍光体層から発せら
れる輝尽発光光を検出すること、および光導電層として
セレン系化合物を用いることが開示されている。また、
光導電層を挟むように設けられた電極の一部を分割し
て、それぞれ独立に電流検出することで暗電流の影響を
低減することが開示される。そして、光導電層の容量が
大きく追加雑音が発生する場合には、電極を例えば平行
帯型に分割するとよいことが開示されている。
【0010】しかしながら、電極を分割しても、電極1
本と1画素が対応しているわけではなく、また1ライン
並列に読取りを行っているわけではないため、読取り速
度の改善は期待できない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みなされたものであって、固体画像検出器や画像検出
シートを用いて、S/Nの良好な画像を得ることがで
き、また高速読取りができる画像情報読取方法および装
置を提供することを目的とするものである。
【0012】また、本発明は蓄積性蛍光体層を有する画
像記録シートから発せられる微弱な輝尽発光光を検出す
るための光電変換手段として、検出器の出力容量が小さ
く、良好なS/Nを得ることができ、また読取り速度の
大幅な向上を図ることのできる固体画像検出器や画像検
出シートを提供することを目的とするものである。
【0013】また、本発明は、衝撃に強く、検出器の薄
型化が容易であり、また輝尽発光光に対する量子効率や
青/赤感度比がフォトマル以上に高く、また光電変換素
子の暗抵抗が大きく、良好なS/Nを得ることが可能で
あり、さらに大面積の検出器であっても製造が容易で低
コストにできる固体画像検出器や画像検出シートを提供
することを目的とするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の画像情報読取方
法は、励起光の照射を受けることにより蓄積されたエネ
ルギーに応じた量の輝尽発光光を生ぜしめる蓄積性蛍光
体層を有する画像記録シートと、輝尽発光光の照射を受
けることにより導電性を呈する光導電層、および該光導
電層の両側に設けられた該光導電層で発生する電荷を検
出するための電極が形成されてなる2つの電極層を有す
る固体画像検出器とを使用して、画像情報が記録された
画像記録シートを励起光で走査することにより発せられ
た輝尽発光光を光導電層に入射せしめ、該入射に伴って
光導電層で発生する電荷を該光導電層に電界を加えて検
出することにより、画像情報を担持する画像信号を得る
画像情報読取方法であって、画像記録シートとして、蓄
積性蛍光体層が、600nm以上(好ましくは600〜
800nmの赤色光域)の波長の励起光で励起され且つ5
00nm以下(好ましくは300〜500nmの青色光
域)の波長の輝尽発光光を生ぜしめるものを使用し、固
体画像検出器として、光導電層がa−Seを主成分とす
るものであり、且つ、2つの電極層の内の一方の電極層
の電極が、画素ピッチで分割された線状電極を多数配列
してなるストライプ電極であるものを使用することを特
徴とするものである。
【0015】「画素ピッチで分割」とは、線状電極の配
列方向において、線状電極1本と1画素が対応するよう
に、画素ピッチで且つ該画素ピッチの範囲内の所望の幅
で前記電極を分割すること、換言すれば、各線状電極が
画素分割可能な幅を有するように分割されることを意味
する。なお、各線状電極の間には絶縁体(前記光導電層
でもよい)を設ける。
【0016】本発明の画像情報読取方法においては、励
起光として、一方の電極層の線状電極の長手方向に交差
するライン光を使用し、一方の電極層の各線状電極と他
方の電極層との間の光導電層に電界を加えて、ライン光
で、一方の電極層の線状電極の長手方向に固体画像検出
器を走査し、該走査に伴って光導電層で発生する電荷
を、一方の電極層の各線状電極ごとに検出することが望
ましい。
【0017】また、さらに、固体画像検出器として、2
つの電極層の内の他方の電極層の電極が、各々が前記一
方の電極層の各線状電極と交差するように配設された線
状電極が多数配列してなるストライプ電極であるものを
使用し、他方の電極層の線状電極のうち、前記走査に伴
って切り換えられる読出ラインの線状電極と、一方の電
極層の各線状電極との間の光導電層に電界を加えること
が望ましい。
【0018】この場合、他方の電極層のストライプ電極
についても、線状電極の配列方向において、線状電極1
本と1画素が対応するように画素分割するのが望ましい
(以下同様)。
【0019】前記固体画像検出器の光導電層の厚さは、
輝尽発光光を十分に吸収し、取り出し得る信号レベルを
大きくするには0.1μm以上であるのが好ましく、ま
た、分布容量を小さくして固定ノイズを抑制するにはよ
り厚い方が好ましいが、膜厚が厚すぎると電界を印加す
るための電源電圧が大きくなるデメリットがある。した
がって、電源電圧を考慮しつつ、固定ノイズが小さくな
るように、固体画像検出器として、光導電層の厚さが
0.1μm以上100μm以下のものを使用することが
望ましい。
【0020】また、本発明の画像情報読取方法において
は、前記電界として、光導電層内でアバランシェ増幅を
生ぜしめる電界を加えることが望ましい。なお、アバラ
ンシェ増幅を効果的に作用させるためには、光導電層の
厚さが1μm以上、好ましくは10μm以上であるのが
望ましい。一方、アバランシェ増幅作用を働かせるため
には高電界を光導電層に印加する必要があり、膜厚が厚
すぎると電界を印加するための電源電圧が大きくなる。
したがって、電源電圧を考慮しつつ、アバランシェ増幅
が効果的に作用するように、固体画像検出器として、光
導電層の厚さが1μm以上(好ましくは10μm以上)
50μm以下のものを使用することが望ましい。
【0021】なお、a−Seを主成分とする光導電層を
アバランシェ増幅する電界下で使用すると、電界分布変
動(例えば電源電圧変動による)に対して敏感になり、
画像信号が変動してしまうので、この電界分布変動に起
因する画像信号の変動を抑制することが好ましい。抑制
方法としては、例えば、電源電圧変動を極力抑え電圧の
安定化を図る方法や、電圧安定化に加えて、電源電圧変
動に対する出力データの変動に関する電源電圧変動デー
タを取得して記憶しておくと共に、画像読取中の電源電
圧変動を監視し、画像読取中の電圧変動に応じて、例え
ばソフトウェア処理などによって画像信号を補正する方
法を用いることができる。
【0022】また、本発明の画像情報読取方法において
は、固体画像検出器として、光導電層が画像情報を担持
する記録光または該記録光の照射により蓄積性蛍光体層
から発せられる瞬時光の照射を受けることにより導電性
を呈するものを使用し、記録光または瞬時光が光導電層
内に入射することにより該光導電層内で発生する電荷を
検出して、画像情報を担持する先読み画像信号を得るこ
とが望ましい。つまり、本読みに際して用いられる固体
画像検出器を用いて先読み画像信号を得るということで
ある。この点に鑑みれば、この方法は、画像記録用の装
置と画像読取り用の装置を一体にしたシステムに適用す
るのが好ましく、さらには、蓄積性蛍光体層を有する画
像記録シートと光導電層を有する固体画像検出器とが一
体となった画像検出シートに適用するのが好適である。
【0023】なお、さらに精度のよい先読み画像信号が
得られるように、固体画像検出器として、2つの電極層
の内の他方の電極層の電極が、各々が前記一方の電極層
の各線状電極と交差するように配設された線状電極を多
数配列してなるストライプ電極であるものを使用し、記
録光または瞬時光が光導電層内に入射した際に該光導電
層内で発生する電荷を、他方の電極層の各線状電極ごと
にも検出することが望ましい。
【0024】この場合、前記一方の電極層の各線状電極
ごとに検出した先読み画像信号と、該一方の電極層の線
状電極の長さ方向に配列された、他方の電極層の各線状
電極ごとに検出した先読み画像信号とが得られるので、
この2つの先読み画像信号を用いることで、より詳細な
先読み情報が得られることになる。
【0025】なお、2つの先読み画像信号をどのように
用いるかは、記録光の照射条件によっても異なる。例え
ば、いわゆる爆射の形態を取ったときには、一方の電極
層の線状電極からは、該一方の電極層の線状電極の長さ
方向に積分された1次元圧縮情報が得られ、該一方の電
極層の線状電極の長さ方向と直交する方向に積分された
1次元圧縮情報が、他方の電極層の各線状電極から得ら
れることになる。これにより、得られた2つの1次元圧
縮情報に基づいてより詳細な先読み情報を得ることが可
能となる。
【0026】本発明の画像情報読取装置は、励起光を発
する励起光光源を有し、該励起光の照射を受けることに
より蓄積されたエネルギーに応じた量の輝尽発光光を生
ぜしめる蓄積性蛍光体層を有する画像記録シートを前記
励起光で走査する励起光走査手段と、輝尽発光光の照射
を受けることにより導電性を呈する光導電層、および該
光導電層の両側に設けられた該光導電層で発生する電荷
を検出するための電極が形成されてなる2つの電極層を
有する固体画像検出器と、光導電層に電界を発生せしめ
るための電圧を印加する電圧印加手段と、画像情報が記
録された画像記録シートを励起光で走査して得られた輝
尽発光光を光導電層に入射せしめることにより光導電層
で発生する電荷を前記電界が印加された状態で検出する
ことにより、画像情報を担持する画像信号を得る画像信
号取得手段とを備えてなる画像情報読取装置であって、
画像記録シートは、蓄積性蛍光体層が、600nm以上
(好ましくは600〜800nmの赤色光域)の波長の前
記励起光で励起され且つ500nm以下(好ましくは3
00〜500nmの青色光域)の波長の前記輝尽発光光を
生ぜしめるものであり、固体画像検出器は、光導電層が
a−Seを主成分とするものであり、且つ、2つの電極
層の内の一方の電極層の電極が、画素ピッチで分割され
た線状電極を多数配列してなるストライプ電極であるも
のであることを特徴とする。
【0027】本発明の画像情報読取装置においては、励
起光走査手段を、前記一方の電極層の線状電極の長手方
向に交差するライン光で、該一方の電極層の線状電極の
長手方向に固体画像検出器を走査するものとし、電圧印
加手段を、前記一方の電極層の各線状電極と他方の電極
層との間の光導電層に電界を発生せしめるように両電極
層間に電圧を印加するものとし、画像信号取得手段を、
励起光走査手段によるライン光の走査に伴って光導電層
で発生する電荷を、前記一方の電極層の各線状電極ごと
に検出するものとするのが望ましい。
【0028】また、さらに、固体画像検出器を、2つの
電極層の内の他方の電極層の電極が、各々が前記一方の
電極層の各線状電極と交差するように配設された線状電
極を多数配列してなるストライプ電極であるものとする
と共に、電圧印加手段を、他方の電極層の線状電極のう
ち、前記走査に伴って切り換えられる読出ラインの線状
電極と、一方の電極層の各線状電極との間の光導電層に
電界を発生せしめるように、両線状電極間に電圧を印加
するものとするのが望ましい。
【0029】本発明の画像情報読取装置において使用さ
れる固体画像検出器は、光導電層の厚さが0.1μm以
上100μm以下であることが望ましい。
【0030】また本発明の画像情報読取装置において
は、電圧印加手段を、光導電層内でアバランシェ増幅を
生ぜしめるための電界を光導電層に発生せしめる電圧を
印加するものとするのが望ましい。
【0031】この場合、固体画像検出器は、光導電層の
厚さが10μm以上50μm以下であることが望まし
い。
【0032】さらに、この場合、画像信号の取得中にお
ける、光導電層に印加されている電界の変動に起因する
画像信号の変動を抑制する抑制手段を備えたものとする
のが望ましい。
【0033】また、本発明の画像情報読取装置において
は、固体画像検出器を、光導電層が、画像情報を担持す
る記録光または該記録光の照射により蓄積性蛍光体層か
ら発せられる瞬時光の照射を受けることにより導電性を
呈するものとすると共に、記録光または瞬時光が光導電
層内に入射することにより該光導電層内で発生する電荷
を検出して、画像情報を担持する先読み画像信号を得る
先読み画像信号取得手段をさらに備えたものとすること
が望ましい。
【0034】本発明の固体画像検出器は、上記画像情報
読取方法および装置に用いられる2次元状の検出器であ
って、輝尽発光光の照射を受けることにより導電性を呈
する光導電層、および該光導電層の両側に設けられた該
光導電層で発生する電荷を検出するための電極が形成さ
れてなる2つの電極層を有する固体画像検出器におい
て、光導電層がa−Seを主成分とするものであり、且
つ、2つの電極層の内の一方の電極層の電極が、画素分
割可能な幅を有する線状電極を多数配列してなるストラ
イプ電極であることを特徴とするものである。
【0035】本発明の固体画像検出器においては、2つ
の電極層の内の他方の電極層の電極が、各々が一方の電
極層の各線状電極と交差するように配設された線状電極
を多数配列してなるストライプ電極であることが望まし
い。
【0036】また、本発明の固体画像検出器において
は、光導電層の厚さが0.1μm以上100μm以下、
さらにアバランシェ増幅作用を効果的に働かせるため
に、好ましくは、10μm以上50μm以下であること
が望ましい。
【0037】なお、画像記録シートと固体画像検出器
は、一体物であってもよいし、別体物であってもよい。
比較的薄い、蓄積性蛍光体層と固体画像検出器とを対面
・積層させて両者を一体物とした画像検出シートとすれ
ば、軽薄な検出シートを形成することができる。また輝
尽発光光の集光効率も飛躍的に向上し、高画質の画像を
得ることができる。輝尽発光光を検出するためのフォト
マルを使用する必要がないので、装置全体を小型にする
こともできる。
【0038】本発明の画像検出シートは、この観点から
得られたものである。すなわち、本発明の画像検出シー
トは、励起光の照射を受けることにより蓄積されたエネ
ルギーに応じた量の輝尽発光光を生ぜしめる蓄積性蛍光
体層を有する前記画像記録シートに相当する画像記録部
と、該画像記録部に対面して配された、前記輝尽発光光
の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層、お
よび該光導電層の両側に設けられた該光導電層で発生す
る電荷を検出するための電極が形成されてなる2つの電
極層を有する、前記固体画像検出器に相当する画像読取
部とを備えてなる画像検出シートにおいて、画像記録部
は、蓄積性蛍光体層が、600nm以上の波長の前記励
起光で励起され且つ500nm以下の波長の前記輝尽発
光光を生ぜしめるものであり、画像読取部は、光導電層
がa−Seを主成分とするものであり、且つ、2つの電
極層の内の一方の電極層の電極が、画素分割可能な幅を
有する線状電極を多数配列してなるストライプ電極であ
ることを特徴とするものである。
【0039】本発明の画像検出シートにおいては、画像
読取部を、2つの電極層の内の他方の電極層の電極が、
各々が前記一方の電極層の各線状電極と交差するように
配設された線状電極を多数配列してなるストライプ電極
であるものとするのが望ましい。
【0040】本発明の画像検出シートにおいては、画像
読取部を、光導電層の厚さが0.1μm以上100μm
以下、さらにアバランシェ増幅作用を効果的に働かせる
ために、好ましくは、10μm以上50μm以下である
ことが望ましい。
【0041】
【発明の効果】本発明の画像情報読取方法および装置
は、上述のように、600nm以上の励起光で励起され
且つ500nm以下の輝尽発光光を生ぜしめる蓄積性蛍
光体層を有する画像記録シートと、a−Seを主成分と
する光導電層を有する固体画像検出器との組み合わせ使
用とすると共に、固体画像検出器として、さらに、光導
電層の両側に設けられた2つの電極層の内の一方の電極
層の電極が、画素ピッチで分割された線状電極を多数配
列してなるストライプ電極であるものとしている。
【0042】a−Seは、膜厚が0.1μm以上であれ
ば、500nm以下の青色光域に対して高感度(青光を
十分吸収する)で、例えば波長400nm近傍の輝尽発光
光に対する量子効率が60〜70%と高く(電荷発生効
率がよい)、蓄積性蛍光体層から発せられる青色光域の
輝尽発光光の読取りに適した効率のよい組合せとなる。
加えて、電荷検出用の電極を、線状電極1本と1画素が
対応するように画素分割したことにより、光導電層がシ
ートと略同面積(2次元状)であっても、各線状電極に
ついては、面積が大幅に低下することになるので、暗電
流ノイズや容量ノイズが低減し、S/Nを大幅に向上さ
せることができ、高画質な画像を得ることができる。
【0043】また、画素分割された一方の電極層の線状
電極の長手方向に交差するライン光で走査しながら線状
電極ごとに電荷を検出するようにすれば、線状電極の並
び方向については、並列読取り(同時読出し)ができる
ので、読取りの高速化を図ることができる。また、例え
ば、蛍光灯、LEDあるいは有機ELなど、比較的薄型
のものを用いてライン光を発する励起光源(ライン光
源)を作ることができるので装置の薄型化が可能であ
る。
【0044】さらに、他方の電極層の電極を、各々が前
記一方の電極層の各線状電極と交差するように配設され
た線状電極が多数配列してなるストライプ電極とすれ
ば、この他方の電極層のストライプ電極の各線状電極を
読出ラインごとに切り換えることができるので、分布容
量を小さくして、固定ノイズを低減することもできる。
【0045】また、a−Seは600nm以上の波長の
光に感度を殆ど有せず透過させるので、輝尽発光光(4
00nm近傍)感度/励起光(600〜700nm)感度比
が大きい。例えば、アバランシェ増幅作用を働かせない
状態で、且つa−Seの膜圧が10μmでは青感度(@
470nm)/赤感度(@680nm)=3.5桁程度とな
る。なお、a−Se膜厚を薄くする方が赤感度が低下
し、青/赤感度比はさらに増大し、アバランシェ増幅作
用を働かせると、該青/赤感度比は一層大きくなる。し
たがって、基本的には励起光カットフィルタを使用する
必要が殆ど無く、蓄積性蛍光体層を励起し得る600n
m以上の波長の光を励起光として使用し、該励起光をa
−Seの光導電層を介して蓄積性蛍光体層に照射するよ
うにすれば、蓄積性蛍光体層の表面に発生する輝尽発光
光を光導電層で検出することができ、画質がよくなる。
また、a−SeはSiアバランシェフォトダイオードな
どと比べて暗抵抗が極めて高いためS/Nがよい。
【0046】また、Siアバランシェフォトダイオード
を用いた場合には、Siは結晶のものであり、大面積の
ものを作ることは困難で、2次元状のものを製造するの
が難しいが、a−Seは低温蒸着プロセスを用いること
ができるので、ガラスなどを用いたものよりも衝撃に強
く固体化に適し、且つ薄型化、大面積化が可能であり、
例えば17インチ×17インチ(1インチは約25.4
cm)の固体画像検出器であっても、製造が容易である。
【0047】また、電荷増倍作用としてのアバランシェ
増幅作用が働くような電界を光導電層に印加すれば、取
り出し得る電荷量を飛躍的に多くすることができる。こ
れにより、画像信号のS/Nが向上し、高画質の画像を
得ることができる。
【0048】また、電界分布変動に起因する画像信号の
変動を抑制するようにすれば、安定した画像信号を得る
ことができ、より高画質の画像を得ることができる。
【0049】また、固体画像検出器として、光導電層が
記録光や瞬時光の照射を受けることにより導電性を呈す
るものを使用すると共に、記録光が画像記録シートに照
射されることによる、固体画像検出器の光導電層内で発
生する電荷を検出して先読み画像信号を得るようにすれ
ば、先読み専用の検出器を設けることなく、蓄積性蛍光
体層に画像情報を記録している間にも、本読み用の検出
器から電荷を取り出して先読み画像信号を得ることがで
きる。これにより、先読み専用の検出器を必要とせず、
先読みを行なってもコストアップを招かない。
【0050】また、この先読みは、蓄積性蛍光体層に画
像情報を記録している間(画像記録時)に行なわれるも
のであり、画像記録後の本読みに先立って行われる先読
みとは異なり、本読みにおいて得られる情報量を少なく
することが全くなく、S/N劣化等、本読みに影響を与
えることがない。
【0051】また、画像記録時の先読みであるので、先
読みのための励起光走査が不要であり、画像読取時に時
間ロスが生じない。
【0052】さらに、シートの略全面についての先読み
情報を得ることができるので、精度良く、読取条件や画
像処理条件を設定することができる。
【0053】また、本発明の固体画像検出器は、a−S
eを主成分とする光導電層を有すると共に、光導電層の
両側に設けられた2つの電極層の内の一方の電極層の電
極が、画素分割ストライプ電極であり、各線状電極につ
いては、面積が大幅に低下することになるので、暗電流
や出力容量を低減させることができる。
【0054】また、本発明の画像検出シートは、上述の
各効果が得られるように形成された、前記画像記録シー
トに相当する画像記録部と前記固体画像検出器に相当す
る画像読取部とを対面させて構成した一体物であり、上
述の各効果に加えて、軽薄な検出シートを形成すること
ができる。また輝尽発光光の集光効率も飛躍的に向上
し、高画質の画像を得ることができる。輝尽発光光を検
出するためのフォトマルを使用する必要がないので、装
置全体を小型にすることもできる。
【0055】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
【0056】図1は本発明の画像情報読取装置を適用し
た記録読取装置に使用される、放射線画像検出シートの
第1実施形態の概略構成を示す図であり、図1(A)は
斜視図、図1(B)はP矢指部のXY断面図、図1
(C)はQ矢指部のXZ断面図である。
【0057】この検出シート1は、励起光の照射を受け
ることにより、蓄積されたエネルギーに応じた量の輝尽
発光光を生ぜしめる蓄積性蛍光体層12をベース(支持
体)11上に積層して成る画像記録シートとしての画像
記録部10と、多数の平板状のエレメント(線状電極)
22aをストライプ状に配列して成る第1ストライプ電
極22が形成された第1電極層21、輝尽発光光の照射
を受けることにより導電性を呈する光導電層23、多数
の平板状のエレメント26aをストライプ状に配列して
成る第2ストライプ電極26が形成された第2電極層2
5をこの順に積層してなる固体画像検出器としての画像
読取部20とを備え、画像読取部20の第2電極層25
と蓄積性蛍光体層12とが対面して積層されているもの
である。
【0058】画像記録部10は、蓄積性蛍光体層12
が、600nm以上の波長の赤色の励起光で励起され、
且つ500nm以下(好ましくは400nm〜450n
m)の青色の輝尽発光光を生ぜしめるものであれば、ど
のようなものであってもよく、周知の蓄積性蛍光体シー
トを利用することができる。なお、図示していないが、
蓄積性蛍光体層12以外に、例えば、保護層や増感層な
どが設けられる。
【0059】光導電層23の物質としては、蓄積性蛍光
体層12から発せられる輝尽発光光L4だけでなく、放射
線(記録光L2)、あるいは該放射線の照射により蓄積性
蛍光体層12から発せられる瞬時光の照射を受けること
によっても導電性を呈するものを使用する。また、本読
みのためには、蓄積性蛍光体層12から発せられる輝尽
発光光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電
性物質であればよい。以上から、上述した500nm以
下(例えば400nm近傍)の青色の輝尽発光光を発生す
る蓄積性蛍光体層12との組合せにおいては、a−Se
を主成分とする光導電性物質が好適である。この光導電
層23の厚さは、輝尽発光光を十分に吸収し、且つアバ
ランシェ増幅作用が働くようにして、取り出し得る信号
レベルを大きくするには1μm以上であるのが好まし
く、また、分布容量を小さくして固定ノイズを抑制する
にはより厚い方が好ましいが、膜厚が厚すぎると電源電
圧が大きくなるデメリットがあるので、電源電圧を考慮
しつつ、アバランシェ増幅効果と固定ノイズとの比が大
きくなるように、例えば1μm以上100μm以下、さ
らに好ましくは10μm以上50μm以下に設定する。
【0060】なお、光導電層23にa−Seを使用すれ
ば、励起光としての赤色光に対して透過性を持たせるこ
ともできるので、該光導電層23を介して励起光を蓄積
性蛍光体層12に照射することもできる。
【0061】第1ストライプ電極22の各エレメント2
2aは、第2ストライプ電極26の各エレメント26a
に対して略直交するように配設されている。何れも、並
び方向の画素数と同じ数のエレメントが設けられる。エ
レメントの配列ピッチが画素ピッチを規定する。このよ
うに、電極層21を、各エレメント22a1本と1画素
が対応するように画素分割すると、電極層全体を平板電
極とした場合に比べて各エレメントの面積が大幅に低下
するので暗電流や出力容量が低減し、画像読取りに際し
ては暗電流ノイズや容量ノイズが低減し、S/Nのよい
画像を得ることができる。
【0062】励起光を画像読取部20側から照射する場
合には、両電極層21,25を励起光に対して透過性の
あるものとする。透過性を持つものとするには、両エレ
メント22a,26aとしては、ITO(Indium Tin O
xide)膜等の周知の透明導電膜を使用するのが好適であ
る。なお、両エレメント22a,26aに透過性を持た
せない場合には、少なくとも各エレメント22a,26
aの隙間21a,25aを透過性のあるものとし、この
隙間21a,25aから励起光L3が蓄積性蛍光体層12
に入射するようにする。
【0063】また、第2電極層25は、蓄積性蛍光体層
12から発せられる輝尽発光光L4に対しても透過性のあ
るものとする。透過性を持つものとするには、エレメン
ト26aとして、上述したITO膜等の透明導電膜を使
用するのが好適である。
【0064】図2および図3は、放射線画像情報記録
(撮影)装置と放射線画像情報読取装置を一体にした、
上記放射線固体検出シート1を用いた記録読取装置11
0の概略構成図を示すものであり、図2は検出シート1
の斜視図と共に示した図、図3は検出シート1のQ矢指
部のXZ断面図と共に示した図である。
【0065】この記録読取装置110は、検出シート1
と、電流検出回路80と、A/D変換器86と、データ
補正部87とROMテーブル88とを備えている。デー
タ補正部87とROMテーブル88は、光導電層23に
印加される電界の変動に起因する信号変動を抑制するた
めに設けられたものであって、本発明に係る抑制手段と
して機能する物である。また、X線等の放射線L1を発し
て被写体9を透過した放射線(以下記録光という)L2を
検出シート1に照射する放射線照射手段90、および検
出シート1に励起光L3を照射する励起光照射手段(励起
光走査手段)92が設けられている。
【0066】放射線照射手段90および励起光照射手段
92は、共に画像読取部20の第1電極層21側に配さ
れ、また励起光照射手段92、特に励起光光源92a
は、放射線照射時には、記録光L2の検出シート1への入
射の妨げとならないように退避可能に構成されている。
【0067】励起光照射手段92は、ライン状に略一様
な600nm以上の波長の赤色の励起光L3を、ストライ
プ電極22の各エレメント22aと略直交させつつ、エ
レメント22aの長手方向、すなわち副走査方向に、一
方の端から他方の端まで走査露光するものである。励起
光L3を発する励起光源92aとしては、細長い形状の蛍
光灯、LEDあるいは有機EL等を用いることができ、
励起光照射手段92は、このLED等を検出シート1に
対して、相対的に移動させることによって、励起光L3を
走査するものとすればよい。また、液晶や有機EL等、
線状光源を面状に配した面状光源を検出シート1と一体
的に構成し、線状光源を電気的に走査する、すなわち線
状光源を順次切り換えることによって、エレメントの長
手方向に走査するものとしてもよい。上記いずれの態様
をとっても、励起光照射手段92として、非常に薄型の
ものを構成でき、装置全体としても薄型化が可能であ
る。
【0068】なお、ライン状の励起光に限らず、エレメ
ント22aの長手方向とは直交する方向、すなわち主走
査方向に、ビーム光でストライプ電極22を順次走査し
ながら副走査方向にも走査するようにしてもよい。ま
た、この励起光L3は、連続的に発せられる連続光であっ
てもよいし、パルス状に発せられるパルス光であっても
よいが、高出力のパルス光の方がより大きな電流を検出
することができ、画像のS/Nを改善することができ、
有利であるので、本実施の形態では、読出ライン毎に約
100μsecの高出力のパルス光を照射するようにし
ている。
【0069】電流検出回路80は、オペアンプ81a、
積分コンデンサ81b、およびスイッチ81cから構成
される電流検出アンプ81を多数有している。ストライ
プ電極22の各エレメント22aが、それぞれ各別に、
オペアンプ81aの反転入力端子(−)に接続されてい
る。
【0070】また、電流検出回路80は、画像読取部2
0の両電極層21,25の間に所定の電圧を印加して、
光導電層23に電界を生ぜしめる電源82,スイッチ8
3、スイッチ部84から成る電圧印加手段85を有して
いる。スイッチ部84は、第2ストライプ電極26のエ
レメント26aの1つずつと各別に接続されたスイッチ
ング素子84aを多数有している。各スイッチング素子
84aの他方の端子は電源82の負極側に共通に接続さ
れている。電源82の正極側は、スイッチ83を介して
オペアンプ81aの各非反転端子(+)に共通に接続さ
れている。
【0071】この、電圧印加手段85は、不図示の制御
手段からの指令により、第2電極層25の多数のエレメ
ント26aのうち、励起光L3の走査露光と連動して、該
走査露光によってライン状の励起光L3が照射される読出
ラインのエレメント26aが電源82の負極側に接続さ
れるように、スイッチ部84のスイッチング素子84a
のいずれかがオンにするように順次切り換える。これに
より、読出ラインのエレメント26aと全エレメント2
2aとの間に、スイッチ83およびオペアンプ81aの
イマジナリショートを介して電源82から電圧が印加さ
れ、読出ラインのエレメント26aとエレメント22a
とに挟まれた部分の光導電層23に電界が印加されるよ
うに構成される。なお、読出ラインのエレメント26a
に限らず、その周辺の数ラインのエレメント26aを含
めて、全エレメント22aとの間に電圧が印加されるよ
うにしてもよい。
【0072】なお、電源82の電圧の大きさは、光導電
層23内でアバランシェ増幅作用が生じるように、光導
電層23内の電位勾配が10V/cm以上となるよ
うに設定する。
【0073】電流検出アンプ81は、蓄積性蛍光体層1
2で発生した輝尽発光光L4が光導電層23内に入射する
ことによって発生する電荷が画像読取部20の外部に読
み出されるときに生じる電流を検出して、蓄積性蛍光体
層12に蓄積された蓄積エネルギーに応じた画像信号を
得る画像信号取得手段として機能するものである。
【0074】電流検出回路80の後流側に配置されたA
/D変換器86、データ補正部87およびROMテーブ
ル88は、電源82の電圧変動に起因する出力データ変
動を補正するために設けられたものである。a−Seを
主成分とする光導電層23をアバランシェ増幅する電界
下で使用すると電源電圧変動に対して敏感になるので、
電源電圧変動を極力抑え電圧の安定化を図るだけでな
く、電源電圧変動に対する出力データの変動に関する電
源電圧変動データを取得してROMテーブル88に記憶
しておくと共に、データ補正部87において、画像読取
中の電源電圧変動(詳しくは電極間電圧)を監視し、画
像読取中の電圧変動に応じて、例えばソフトウェア処理
などによって出力データを補正するようにしている。
【0075】以下、上記構成の記録読取装置110にお
いて、被写体9に放射線L1を照射し、被写体を透過した
記録光L2を検出シート1に照射して、放射線画像情報を
画像記録部10に記録し、その後、記録された画像放射
線画像情報を画像記録部20により読み出す方法につい
て、図4に示すタイミングチャートを参照して説明す
る。
【0076】検出シート1の画像記録部10に放射線画
像情報を記録する際には、先ずスイッチ83をオフにし
て、画像読取部20の光導電層23に電界が印加されな
いようにする。なお、スイッチ83によらず、スイッチ
部84の全スイッチング素子84aをオフにしてもよ
い。
【0077】次に放射線L1を被写体9に爆射し、被写体
9を通過した被写体9の放射線画像情報を担持する記録
光L2を検出シート1の第1電極層21側に約1秒間照射
する。記録光L2は、検出シート1の画像読取部20を透
過し、蓄積性蛍光体層12に入射する。蓄積性蛍光体層
12は、入射した放射線の線量に応じたエネルギ−を蓄
積する。これにより、検出シートの画像記録部10に放
射線画像情報が記録される。
【0078】次に、放射線L1の照射を停止するととも
に、読出しに先立ち、スイッチ83およびスイッチ部8
4の全スイッチング素子84aをオンさせて、オペアン
プ81aのイマジナリショートを介して、両ストライプ
電極22,26間に電圧を印加して光導電層23に高電
界を印加する。
【0079】次いで、励起光L3をエレメント26aの長
手方向に、一方の端から他方の端に向けて、エレメント
22aに対応するように相対的に移動させて(副走査に
相当する)、各副走査位置において100μsec期間
だけ励起光L3を発する。この副走査の際には、スイッチ
部84のスイッチング素子84aを、励起光L3の副走査
と連動して、エレメント26aの長手方向に、順次切り
換えて1つずつ(或いは複数)オンさせて、励起光L3が
照射されるエレメント26a、つまり読出ラインのエレ
メント26aのみと、或いは読出ラインとその周辺ライ
ンのエレメント26aと、全エレメント22aとの間に
電圧が印加されるようにし、その他のエレメント26a
についてはオープンとしておく。こうすることにより、
エレメント22a,26a間に形成される分布容量が小
さくなり、固定ノイズを非常に小さくすることができ
る。
【0080】また、各エレメント22aごとに電流検出
アンプ81が接続され、エレメント22aの配列方向で
ある主走査方向には同時読み出しができるので、輝尽発
光光L4の読取り時間の短縮化を図ることができる。な
お、ライン状の励起光ではなく、ビーム光で、エレメン
ト22aの長手方向とは直交する主走査方向に順次走査
することもできるが、この場合には、主走査方向の同時
読み出しにはならい分だけ読取り時間がかかる。
【0081】励起光L3は、波長600nm以上の赤色光
であり、a−Seを主成分とする光導電層23には殆ど
吸収されることなく蓄積性蛍光体層12に入射する。励
起光L3が入射した蓄積性蛍光体層12からは青色の輝尽
発光光L4が発せられ、該輝尽発光光L4が光導電層23に
入射する。光導電層23内では、輝尽発光光L4の照射を
受けて、正負の電荷対が発生する。
【0082】また、読出ラインの両エレメント22a,
26a間の光導電層23には10 V/cm以上の高電
界が印加されており、アバランシェ増幅作用が働くよう
になり、光導電層23内で正負の電荷対の発生が急激に
増大する。蛍光体層12の量子効率は低く、蛍光体層1
2から発せられる輝尽発光光L4は低光量であるので、輝
尽発光光L4の直接照射によって発生する電荷対の量(信
号フォトン数)は少ないが、アバランシェ増幅作用を働
かせることによって発生電荷量を増幅させる(電荷増倍
機能を働かせる)ことが可能となり、十分大きな信号を
得、S/Nを向上させることができる。
【0083】光導電層23には電界が印加されているの
で、発生した電荷対のうち、負電荷はエレメント22a
側に移動し、正電荷はエレメント26a側に移動する。
【0084】両エレメント22a,26a間には、オペ
アンプ81aが設けられており、各電流検出アンプ81
は、励起光L3の副走査およびスイッチ部84の順次切換
えに伴って生じる、上述した電荷の移動による電流を各
エレメント22a毎に同時に検出して画像信号を得る、
つまり放射線画像情報を読み取ることができる。ここ
で、上述のように、a−Seを主成分とする光導電層2
3の厚さを1μm以上100μm以下に設定しているの
で、例えば波長400nm近傍の青光である輝尽発光光に
対する量子効率を、60〜70%というように、フォト
マルやSiを用いたアバランシェフォトダイオードより
も大きくすることができ、さらにアバランシェ増幅作用
が働くような電界を光導電層23に印加して読取りを行
なうと共に電源電圧変動の補正を行なっているので、画
像のS/Nを格段に向上させることができる。
【0085】また、データ補正部87およびROMテー
ブル88を設け、電源82の電圧変動に起因する出力デ
ータ変動を補正するようにしているので、電源電圧変動
の影響を受けることなく安定したデータを得ることもで
き、信号のS/Nを一層向上させることができる。
【0086】また、a−Seを主成分とする光導電層2
3としており、波長400nm近傍の輝尽発光光に対する
感度と波長600〜700nm程度の励起光に対する感度
の比を十分大きくすることができる。例えば、a−Se
の膜厚が10μのとき、アバランシェ増幅作用を働かせ
ない状態では、青感度(@470nm)/赤感度(@68
0nm)=3.5桁程度となる。この値は、光電変換手段
としてフォトマルを用いたとき2桁程度となるのと比べ
て、非常に大きな値である。なお、a−Se膜厚を薄く
する方が赤感度が低下し、青/赤感度比はさらに増大す
る。勿論、アバランシェ増幅作用を働かせると、該青/
赤感度比は一層大きくなる。また、Siは赤色光に対す
る感度が高く青色光に対する感度は低いので、主に青色
光を発する輝尽発光光との組み合わせでは、使用に適し
ない(マッチングが悪い)のと著しい違いがある。
【0087】また、a−Seを用いた光導電層23と蓄
積性蛍光体層12とを組み合わせているので、検出シー
ト1を固体化させて耐衝撃性を持たせることができる。
また、a−Seを主成分とする光導電層23は低温蒸着
で積層させて製造することができるので、薄型で且つ大
面積の検出シート1を容易に製造することができる。
【0088】また、上記検出シート1は、放射線照射時
に暗潜像を記録しない蓄積性蛍光体層12を使用してお
り、また、画像読取部20の光導電層23は、層内で発
生する電荷を蓄積する蓄電部が形成されることがなく、
記録時に光導電層23に電界を印加しておいても、暗電
流による暗潜像が記録されるという問題は生じない。換
言すれば、Siを用いたアバランシェフォトダイオード
と比べて暗抵抗を極めて高く(例えば1015Ω・cm
以上に)することができる。仮に、暗電流が生じたとし
ても、直ちに電流検出アンプ81側に吐き出され、電流
検出アンプ81が、この電流を吐き捨てることで、暗潜
像の影響を排除することができる。
【0089】また、光導電層23には、上述のように、
蓄積性蛍光体層12から発せられる輝尽発光光L4だけで
なく、放射線(記録光L2)、あるいは該放射線の照射に
より蓄積性蛍光体層12から発せられる瞬時光の照射を
受けることによっても導電性を呈するものを使用してい
る。そこで、光導電層23に電界を印加しながら記録光
L2を検出シート1に照射して、記録光L2や瞬時光を光導
電層23内に入射せしめ、該光導電層23内で発生する
電荷を検出することにより、蓄積性蛍光体層12に画像
記録を行ないながら、放射線画像情報を担持する先読み
画像信号を得ることもできる。この先読み画像信号を得
る装置としては、先読み画像信号取得手段として電流検
出回路80を使用する等、上述した記録読取装置110
をそのまま使用することができる。得られた先読み画像
信号は、本読みの際の画像処理条件の設定等に利用する
ことができる。また、フォトタイマ代わりに利用して、
放射線の照射タイミングを設定したり、放射線の線量を
監視することもできる。
【0090】なお、記録読取装置110を先読みのため
にそのまま使用する場合、エレメント22a方向に積分
された1次元圧縮情報が先読み情報として各電流検出ア
ンプ81から得られることになるので、必ずしも十分な
情報とならない場合がある。この場合、例えば、図5に
示すように、電流検出回路80を、エレメント22aか
ら直接オペアンプ81aの反転入力端子(−)に入力し
且つ非反転入力端子(+)をグランド(接地)にする構
成(コンデンサ81b等はそのまま)とすると共に、例
えばオペアンプ81aに対応するオペアンプ281a、
電源82に対応する個別電源282a、スイッチング素
子84aに対応するスイッチング素子284a、オペア
ンプ281aの反転入力端子(−)と出力端子間に接続
された抵抗285aからなる信号検出アンプ281を、
分割された各エレメント26aそれぞれとグランド(接
地)との間に設けるとよい。これにより、電流検出アン
プ81によるエレメント22a方向に積分された前記1
次元圧縮情報に加えて、エレメント22aの長さ方向と
直交する方向に積分された1次元圧縮情報が、追加した
各信号検出アンプ281から得られる。これにより、得
られた2つの1次元圧縮情報に基づいてより詳細な先読
み情報を得ることが可能となる。
【0091】なお、先読みおよび記録が終了し、本読み
を行なうときには、この先読み画像信号が不要であれ
ば、吐き捨てるとよい。また、この先読み画像信号と、
本読みによって得られた本読み画像信号とを加算しても
よい。
【0092】さらに、上記第1実施形態においては、画
像読取部20の第2電極層25側が蓄積性蛍光体層12
に対面するように、画像記録部10と画像読取部20と
を積層した検出シート1とし、記録光L2および励起光L3
を画像読取部20の第1電極層21側から照射する場合
について説明したものであるが、記録光L2や励起光L3を
画像記録部10のベース11側から照射するようにして
もよい。
【0093】なお、励起光L3を第1電極層21側から照
射すると、蓄積性蛍光体層12の表面で発光する輝尽発
光光L4を検出することができるので、ベース11側から
照射する場合よりも画質がよくなる。
【0094】また、記録光L2や励起光L3をベース11側
から照射すると、画像読取部20のストライプ電極2
2,26を通過させることなく蓄積性蛍光体層12に入
射させることができ、電極マトリクスによるアーチファ
クトの問題が発生しない。
【0095】また、励起光L3をベース11側から照射す
る場合には、蓄積性蛍光体層12と電極層25、或い
は、電極層25と光導電層23との間に、励起光カット
フィルタを挿入することもできる。上述の説明において
は、赤色の励起光L3は光導電層23には殆ど吸収される
ことがないと説明したが、実際には、画像情報を有しな
い赤色の励起光L3に対しても、若干感度を持つため、該
励起光L3によって発生する微小電荷分だけのオフセット
電流を発生する。そこで、上述のように励起光カットフ
ィルタを挿入すると、蓄積性蛍光体層12から発せられ
る青色光(400nm付近)は透過させ、赤色光(60
0nm以上)を吸収させて、青色の輝尽発光光のみが光
導電層23内に入射するようにできるので、オフセット
電流を抑制することができるようになる。
【0096】また、画像読取部20の第1電極層21側
が蓄積性蛍光体層12に対面するように、画像記録部1
0と画像読取部20とを積層した検出シートとしてもよ
い。
【0097】図6は第2実施形態による放射線固体検出
シートの概略構成を、図1(C)と同様の方法により示
した図である。なお、図6においては、図1に示す第1
実施形態による検出シート1の要素と同等の要素には同
番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限
り省略する(後述する各実施形態においても同様)。
【0098】この検出シート2は、上記検出シート1の
ベース11側に、更に画像読取部30の第2電極層35
側がベース11に対面するように、画像記録部10と画
像読取部30とを積層したものである。ベース11は、
輝尽発光光L4に対して透過性を有するものとする。画像
読取部30の各層の構造は、参照番号を“30”番台か
ら“20”番台に置き換えた画像読取部20のものと同
じである。なお、画像読取部30の第1電極層31側が
ベース11に対面するように積層してもよい。
【0099】なお、第1実施形態と同様に、光導電層1
2には、蓄積性蛍光体層12から発せられる輝尽発光光
L4だけでなく、放射線(記録光L2)、あるいは該放射線
の照射により蓄積性蛍光体層12から発せられる瞬時光
の照射を受けることによっても導電性を呈するものを使
用する(後述する各実施形態においても同様)。
【0100】この検出シート2を使用する場合の記録読
取装置としては、上述した装置110に、電流検出回路
80と同様の電流検出回路を画像読取部30側に更に設
けた構成とすればよい。そして、ベース11を透過した
輝尽発光光L4を画像読取部30側でも検出するように
し、画像記録部10の両側において、1つの蓄積性蛍光
体層12から発せられた輝尽発光光L4に基づく画像信号
を夫々独立に得るようにする。このようにして得られた
2つの本読み用の画像信号をデジタル化し、2つの画像
データに基づいて加算処理を行なうと、S/Nを改善す
ることができる。
【0101】なお、先読み情報としても、本読み用に設
けた2つの電流検出回路80を用いて2つの先読み画像
信号を得ることができるので、得られた2つの先読み画
像信号に対して加算処理を行なうと、S/Nのよい先読
み画像信号を得ることができる。
【0102】なお、この実施の形態においても、励起光
カットフィルタを挿入することができる。例えば、励起
光L3を画像読取部30側から照射する場合には、上述し
た検出シート1と同様の場所に挿入することで画像読取
部20にオフセット電流抑制効果を持たせることがで
き、一方、励起光L3を画像読取部20側から照射する場
合には、蓄積性蛍光体層12とベース11、ベース11
と第2電極層35、或いは、第2電極層35と光導電層
33との間に挿入したり、さらには、ベース11を着色
して励起光L3を吸収させることで、画像読取部30にオ
フセット電流抑制効果を持たせることができる。
【0103】図7は第3実施形態による放射線固体検出
シートの概略構成を、図1(C)と同様の方法により示
した図である。
【0104】この検出シート3は、上記検出シート1の
第1電極層21に、更に画像記録部40の蓄積性蛍光体
層42が対面するように、画像記録部40と画像読取部
20とを積層したものである。画像読取部20の第1電
極層21は、蓄積性蛍光体層42から発せられる輝尽発
光光L4に対して透過性を有するものとする。画像記録部
40の各層の構造は、参照番号を“40”番台から“1
0”番台に置き換えた画像記録部10のものと同じであ
る。なお、画像記録部40のベース41が第1電極層2
1に対面するように積層してもよい。
【0105】この検出シート3を使用する場合の記録読
取装置としては、上述した検出シート1を使用する装置
110をそのまま使用することができる。また、励起光
カットフィルタを蓄積性蛍光体層12と電極層25、或
いは、電極層25と光導電層23との間に挿入すると共
に、蓄積性蛍光体層42と電極層21、或いは、電極層
21と光導電層23との間に挿入して、別々の励起光を
各画像記録部10,40の外側から同時に照射する構成
としてもよい。
【0106】なお、2つの蓄積性蛍光体層12,42か
ら発せられる電荷を検出することになるので、S/Nの
よい先読み画像信号を得ることができる。
【0107】図8は第4実施形態による放射線固体検出
シートの概略構成を、図1と同様の方法により示した図
である。
【0108】この検出シート4は、上記検出シート1の
第2電極層25のストライプ電極26を、平板電極26
cに変更したものである。なお、この第4実施形態によ
る検出シートにおいても、上述した第2および第3実施
形態の検出シートと同様に、画像記録部若しくは画像読
取部を複数重ねた構造の検出シートとすることもでき
る。
【0109】この検出シート4を使用する場合の記録読
取装置は、図示しないが、上述した電流検出回路80の
スイッチ部84を取り除いて、平板電極26cと電源8
2の負極側を直接接続した構成の電流検出回路とする。
読取りに際しては、励起光L3の走査に連動して、スイッ
チング素子84aを順次切り換えるということを行なわ
ない点が異なるが、その他は上述した装置110の作用
と同じである。
【0110】この検出シート4を使用すると、スイッチ
ング素子84aを切り換える必要がないので、スイッチ
ングノイズの影響を受けることがない。なお、電荷検出
の主要電極層である第1電極層21は、エレメント22
aが多数配列されたストライプ電極であり、1本のエレ
メント22aと1画素が対応するように画素分割されて
いるので、電極層21全体を平板電極とした場合に比べ
て、各エレメント22aは面積が大幅に低下することに
なり、両電極層が平板電極である場合に比べて、暗電流
ノイズや容量ノイズが低減し、S/Nを向上させること
ができる。
【0111】なお、いうまでもないが、光導電層23を
挟む電極層の一方が平板電極26cであるので、先読み
の精度を向上させるために、図5に示した態様とするこ
とはできない。
【0112】以上、本発明の画像情報読取方法を実施す
る画像情報読取装置としての記録読取装置と、該記録読
取装置に使用される放射線画像検出シートの好適な実施
の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に
限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限り
において、種々変更することが可能である。
【0113】図9は、本発明の画像情報読取方法に用い
られる放射線画像検出シートの変更態様の組み合わせ例
を示す図である。放射線画像検出シートは、電荷検出の
主要電極層である第1電極層が、常に、線状電極1本と
1画素が対応するように画素分割されたストライプ電極
である以外は、図示する、検出シートを構成するその他
の各要素のバリエーションを、夫々任意に組み合わせ
て、1つの検出シートを形成することができる。いずれ
のバリエーションの組み合わせにおいても、電荷検出の
主要電極層である第1電極層は、常に、画素分割された
ストライプ電極であり、平板電極の場合よりも、暗電流
ノイズや容量ノイズが低減し、S/Nを向上する。
【0114】また記録読取装置も、放射線や励起光の態
様を種々選択できるので、検出シートとの組合せによっ
て、使用用途や、使用形態に合わせて、好適な検出シー
トを利用することができる。例えば、画像記録部を2層
にすると共に両者間にエネルギー吸収部材を挿入し、ま
た各画像記録部からの輝尽発光光が夫々独立に入射する
ように画像読取部を2層設けた構成の検出シートとすれ
ば、エネルギーサブトラクション処理を行なうことがで
きる。
【0115】なお、この図9に示したバリエーション
は、一例であって、その他の変更が可能なのは勿論であ
る。例えば、画像記録部のベースを取り除き、画像読取
部上に、蓄積性蛍光体層を積層してもよい。
【0116】また、いずれの変更態様においても、画像
読取りに際しては、ライン光で電荷検出の主要電極層で
ある第1電極層の線状電極の長手方向に走査するものと
すれば、該線状電極の配列方向である主走査方向には同
時読み出しができるので、読取り時間の短縮化を図るこ
とができる。
【0117】また、光導電層層に、例えば10V/
cm以上の高電界を印加して、アバランシェ増幅作用が
働くようにし、これにより、光導電層内で発生する電荷
量を増幅させて、S/Nを向上させることもできる。
【0118】さらに、光導電層として、蓄積性蛍光体層
から発せられる輝尽発光光だけでなく、放射線(記録
光)、あるいは該放射線の照射により蓄積性蛍光体層か
ら発せられる瞬時光の照射を受けることによっても導電
性を呈するものを使用すれば、画像記録時には、光導電
層内で発生する電荷を検出して先読み画像信号を得るこ
ともできる。
【0119】また、上記説明においては、画像記録部と
画像読取部、より詳しくは、蓄積性蛍光体シートと固体
画像検出器とを一体とした放射線画像検出シートを用い
た画像情報読取方法について説明したが、必ずしも一体
のものに限らず、別体のものであってもよい。この場
合、画像読取りに際しては、上述した各実施形態のもの
において、画像記録部と画像読取部との間にスペースを
設けただけの、蓄積性蛍光体シート(画像検出シート)
と固体画像検出器とを1対1に(略同面積で)対面させ
たものとすることができる。
【0120】図10は、別体ものとした状態の固体画像
検出器の一態様の概略構成を示す斜視図(A)、P矢指
部のXY断面図(B)、XZ断面図(C)であり、図1
に示した放射線画像検出シートの画像記録部を取り除い
画像読取部と同様である。他の態様の放射線画像検出シ
ートにおいても、同様に画像記録部を取り除いたものを
固体画像検出器とすることができる。
【0121】また、画像検出シートと固体画像検出器と
を別体とするものの場合、例えば、画像記録シートとし
ての蓄積性蛍光体シートを用いて放射線画像情報を読み
取る、従来より公知のシステムにおいて、光電読取手段
(光電変換手段)を2次元状の固体画像検出器に置き換
えた態様とすることもできる。この場合、蓄積性蛍光体
シートの励起光が走査される面(表面)とは反対側の
面、すなわち裏面側に、蓄積性蛍光体シート(裏面側)
と対面させて、光導電層がシートと略同面積もしくはそ
れ以上の2次元状の固体画像検出器を配置させ、前記裏
面側から発せられる輝尽発光光を検出する配置形態に限
らず、励起光が走査される表面側から発せられる輝尽発
光光を検出する配置形態とすることもできる。また、例
えば記録済みの蓄積性蛍光体シートを、固体画像検出器
や励起光光源を備えた読取装置の読取位置まで搬送し、
蓄積性蛍光体シートを、該シートと略同面積もしくはそ
れ以上の固体画像検出器上に載置・密着させて読取りを
行なうようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した記録読取装置に使用される固
体画像検出器の一態様である放射線画像検出シートの第
1実施形態の概略構成を示す斜視図(A)、P矢指部の
XY断面図(B)、XZ断面図(C)
【図2】第1実施形態の放射線画像検出シートを用いた
記録読取装置の概略構成を示す図(その1)
【図3】第1実施形態の放射線画像検出シートを用いた
記録読取装置の概略構成を示す図(その2)
【図4】第1実施形態の放射線画像検出シートを用い
て、放射線画像情報を記録し、読み取る方法を説明する
タイミングチャート
【図5】先読みに対応した記録読取装置の変更態様を示
す概略構成を示す図
【図6】第2実施形態の放射線画像検出シートの概略構
成を示すXZ断面図
【図7】第3実施形態の放射線画像検出シートの概略構
成を示すXZ断面図
【図8】第4実施形態の放射線画像検出シートの概略構
成を示す斜視図(A)、P矢指部のXY断面図(B)、
Q矢指部のXZ断面図(C)
【図9】放射線画像検出シートの変更態様の組み合わせ
例を示す図
【図10】固体画像検出器の一態様の概略構成を示す斜
視図(A)、P矢指部のXY断面図(B)、XZ断面図
(C)
【符号の説明】
1 放射線画像検出シート 10 画像記録部(画像記録シート) 11 ベース(支持体) 12 蓄積性蛍光体層 20 画像読取部(固体画像検出器) 21 第1電極層 22 第1ストライプ電極 23 光導電層 25 第2電極層 26 第2ストライプ電極 80 電流検出回路(先読み画像信号取得手段を兼
用) 81 電流検出アンプ(画像信号取得手段) 85 電圧印加手段 90 放射線照射手段 92 励起光照射手段(励起光走査手段) 110 放射線画像記録読取装置 L2 記録用の放射線(記録光) L3 励起光 L4 輝尽発光光

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 励起光の照射を受けることにより蓄積
    されたエネルギーに応じた量の輝尽発光光を生ぜしめる
    蓄積性蛍光体層を有する画像記録シートと、前記輝尽発
    光光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電
    層、および該光導電層の両側に設けられた該光導電層で
    発生する電荷を検出するための電極が形成されてなる2
    つの電極層を有する固体画像検出器とを使用して、画像
    情報が記録された前記画像記録シートを前記励起光で走
    査することにより発せられた輝尽発光光を前記光導電層
    に入射せしめ、該入射に伴って前記光導電層で発生する
    電荷を該光導電層に電界を加えて検出することにより、
    前記画像情報を担持する画像信号を得る画像情報読取方
    法であって、 前記画像記録シートとして、前記蓄積性蛍光体層が、6
    00nm以上の波長の前記励起光で励起され且つ500
    nm以下の波長の前記輝尽発光光を生ぜしめるものを使
    用し、 前記固体画像検出器として、前記光導電層がa−Seを
    主成分とするものであり、且つ、前記2つの電極層の内
    の一方の電極層の電極が、画素ピッチで分割された線状
    電極を多数配列してなるストライプ電極であるものを使
    用することを特徴とする画像情報読取方法。
  2. 【請求項2】 前記励起光として、前記一方の電極層
    の線状電極の長手方向に交差するライン光を使用し、 前記一方の電極層の各線状電極と他方の電極層との間の
    前記光導電層に前記電界を加えて、前記ライン光で、前
    記一方の電極層の線状電極の長手方向に前記固体画像検
    出器を走査し、該走査に伴って前記光導電層で発生する
    電荷を、前記一方の電極層の各線状電極ごとに検出する
    ことを特徴とする請求項1記載の画像情報読取方法。
  3. 【請求項3】 前記固体画像検出器として、前記2つ
    の電極層の内の他方の電極層の電極が、各々が前記一方
    の電極層の各線状電極と交差するように配設された線状
    電極が多数配列してなるストライプ電極であるものを使
    用し、 前記他方の電極層の線状電極のうち、前記走査に伴って
    切り換えられる読出ラインの線状電極と、前記一方の電
    極層の各線状電極との間の前記光導電層に、前記電界を
    加えることを特徴とする請求項2記載の画像情報読取方
    法。
  4. 【請求項4】 前記固体画像検出器として、前記光導
    電層の厚さが0.1μm以上100μm以下のものを使
    用することを特徴とする請求項1から3いずれか1項記
    載の画像情報読取方法。
  5. 【請求項5】 前記電界として、前記光導電層内でア
    バランシェ増幅を生ぜしめる電界を加えることを特徴と
    する請求項1から4いずれか1項記載の画像情報読取方
    法。
  6. 【請求項6】 前記固体画像検出器として、前記光導
    電層の厚さが10μm以上50μm以下のものを使用す
    ることを特徴とする請求項5記載の画像情報読取方法。
  7. 【請求項7】 前記画像信号の取得中における、前記
    光導電層に印加されている前記電界の変動に起因する前
    記画像信号の変動を抑制することを特徴とする請求項5
    または6記載の画像情報読取方法。
  8. 【請求項8】 前記固体画像検出器として、前記光導
    電層が、前記画像情報を担持する記録光または該記録光
    の照射により前記蓄積性蛍光体層から発せられる瞬時光
    の照射を受けることにより導電性を呈するものを使用
    し、 前記記録光または前記瞬時光が前記光導電層内に入射す
    ることにより該光導電層内で発生する電荷を検出して、
    前記画像情報を担持する先読み画像信号を得ることを特
    徴とする請求項1から7いずれか1項記載の画像情報読
    取方法。
  9. 【請求項9】 励起光を発する励起光光源を有し、該
    励起光の照射を受けることにより蓄積されたエネルギー
    に応じた量の輝尽発光光を生ぜしめる蓄積性蛍光体層を
    有する画像記録シートを前記励起光で走査する励起光走
    査手段と、 前記輝尽発光光の照射を受けることにより導電性を呈す
    る光導電層、および該光導電層の両側に設けられた該光
    導電層で発生する電荷を検出するための電極が形成され
    てなる2つの電極層を有する固体画像検出器と、 前記光導電層に電界を発生せしめるための電圧を印加す
    る電圧印加手段と、 画像情報が記録された前記画像記録シートを前記励起光
    で走査して得られた輝尽発光光を前記光導電層に入射せ
    しめることにより前記光導電層で発生する電荷を前記電
    界が印加された状態で検出することにより、前記画像情
    報を担持する画像信号を得る画像信号取得手段とを備え
    てなる画像情報読取装置において、 前記画像記録シートは、前記蓄積性蛍光体層が、600
    nm以上の波長の前記励起光で励起され且つ500nm
    以下の波長の前記輝尽発光光を生ぜしめるものであり、 前記固体画像検出器は、前記光導電層がa−Seを主成
    分とするものであり、且つ、前記2つの電極層の内の一
    方の電極層の電極が、画素ピッチで分割された線状電極
    を多数配列してなるストライプ電極であることを特徴と
    する画像情報読取装置。
  10. 【請求項10】 前記励起光走査手段が、前記一方の
    電極層の線状電極の長手方向に交差するライン光で、該
    一方の電極層の線状電極の長手方向に前記固体画像検出
    器を走査するものであり、 前記電圧印加手段が、前記一方の電極層の各線状電極と
    他方の電極層との間の前記光導電層に電界を発生せしめ
    るように両電極層間に電圧を印加するものであり、 前記画像信号取得手段が、前記励起光走査手段による前
    記ライン光の走査に伴って前記光導電層で発生する電荷
    を、前記一方の電極層の各線状電極ごとに検出するもの
    であることを特徴とする請求項9記載の画像情報読取装
    置。
  11. 【請求項11】 前記固体画像検出器は、前記2つの
    電極層の内の他方の電極層の電極が、各々が前記一方の
    電極層の各線状電極と交差するように配設された線状電
    極を多数配列してなるストライプ電極であり、 前記電圧印加手段が、前記他方の電極層の線状電極のう
    ち、前記走査に伴って切り換えられる読出ラインの線状
    電極と、前記一方の電極層の各線状電極との間の前記光
    導電層に電界を発生せしめるように、両線状電極間に電
    圧を印加するものであることを特徴とする請求項10記
    載の画像情報読取装置。
  12. 【請求項12】 前記固体画像検出器は、前記光導電
    層の厚さが0.1μm以上100μm以下であることを
    特徴とする請求項9から11いずれか1項記載の画像情
    報読取装置。
  13. 【請求項13】 前記電圧印加手段が、前記光導電層
    内でアバランシェ増幅を生ぜしめるための電界を前記光
    導電層に発生せしめる電圧を印加するものであることを
    特徴とする請求項9から12いずれか1項記載の画像情
    報読取装置。
  14. 【請求項14】 前記固体画像検出器は、前記光導電
    層の厚さが10μm以上50μm以下であることを特徴
    とする請求項13記載の画像情報読取装置。
  15. 【請求項15】 前記画像信号の取得中における、前
    記光導電層に印加されている前記電界の変動に起因する
    前記画像信号の変動を抑制する抑制手段をさらに備えた
    ことを特徴とする請求項13または14記載の画像情報
    読取装置。
  16. 【請求項16】 前記固体画像検出器は、前記光導電
    層が、前記画像情報を担持する記録光または該記録光の
    照射により前記蓄積性蛍光体層から発せられる瞬時光の
    照射を受けることにより導電性を呈するものであり、 前記記録光または前記瞬時光が前記光導電層内に入射す
    ることにより該光導電層内で発生する電荷を検出して、
    前記画像情報を担持する先読み画像信号を得る先読み画
    像信号取得手段をさらに備えたことを特徴とする請求項
    9から15いずれか1項記載の画像情報読取装置。
  17. 【請求項17】 輝尽発光光の照射を受けることによ
    り導電性を呈する光導電層、および該光導電層の両側に
    設けられた該光導電層で発生する電荷を検出するための
    電極が形成されてなる2つの電極層を有する固体画像検
    出器において、 前記光導電層がa−Seを主成分とするものであり、且
    つ、前記2つの電極層の内の一方の電極層の電極が、画
    素分割可能な幅を有する線状電極を多数配列してなるス
    トライプ電極であることを特徴とする固体画像検出器。
  18. 【請求項18】 前記2つの電極層の内の他方の電極
    層の電極が、各々が前記一方の電極層の各線状電極と交
    差するように配設された線状電極を多数配列してなるス
    トライプ電極であることを特徴とする請求項17記載の
    固体画像検出器。
  19. 【請求項19】 前記光導電層の厚さが0.1μm以
    上100μm以下であることを特徴とする請求項17ま
    たは18記載の固体画像検出器。
  20. 【請求項20】 励起光の照射を受けることにより蓄
    積されたエネルギーに応じた量の輝尽発光光を生ぜしめ
    る蓄積性蛍光体層を有する画像記録部と、該画像記録部
    に対面して配された、前記輝尽発光光の照射を受けるこ
    とにより導電性を呈する光導電層、および該光導電層の
    両側に設けられた該光導電層で発生する電荷を検出する
    ための電極が形成されてなる2つの電極層を有する画像
    読取部とを備えてなる画像検出シートにおいて、 前記画像記録部は、前記蓄積性蛍光体層が、600nm
    以上の波長の前記励起光で励起され且つ500nm以下
    の波長の前記輝尽発光光を生ぜしめるものであり、 前記画像読取部は、前記光導電層がa−Seを主成分と
    するものであり、且つ、前記2つの電極層の内の一方の
    電極層の電極が、画素分割可能な幅を有する線状電極を
    多数配列してなるストライプ電極であることを特徴とす
    る画像検出シート。
  21. 【請求項21】 前記画像読取部は、前記2つの電極
    層の内の他方の電極層の電極が、各々が前記一方の電極
    層の各線状電極と交差するように配設された線状電極を
    多数配列してなるストライプ電極であることを特徴とす
    る請求項20記載の画像検出シート。
  22. 【請求項22】 前記画像読取部は、前記光導電層の
    厚さが0.1μm以上100μm以下であることを特徴
    とする請求項20または21記載の画像検出シート。
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