JP4623305B2 - Manufacturing method of laminated electronic component - Google Patents

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Description

本発明は、積層電子部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a laminated electronic component.

一般に、積層セラミックコンデンサなどの積層電子部品は、次のような工程によって製造される。まず、セラミックグリーンシートに、導体ペーストでなる内部電極パターンを形成する。次に、内部電極パターンを有するセラミックグリーンシートを複数枚積層し、シート積層体を作る。そして、シート積層体を加圧した後、複数の一チップ領域に切断して積層チップを得る。更に、その積層チップに対して、脱バインダ、焼成及び端子電極形成などの周知の工程を行い、積層電子部品を得る。   In general, a multilayer electronic component such as a multilayer ceramic capacitor is manufactured by the following process. First, an internal electrode pattern made of a conductive paste is formed on a ceramic green sheet. Next, a plurality of ceramic green sheets having internal electrode patterns are laminated to form a sheet laminate. And after pressing a sheet | seat laminated body, it cut | disconnects to a several chip area | region, and a laminated chip is obtained. Furthermore, well-known processes such as binder removal, firing, and terminal electrode formation are performed on the multilayer chip to obtain a multilayer electronic component.

このような積層電子部品の製造工程では、内部電極パターンの層厚による段差に起因して、積層チップが変形する問題を無視することができない。変形した積層チップは、回路基板に積層電子部品を実装する際の装着不良を招く原因となる。   In such a multilayer electronic component manufacturing process, the problem that the multilayer chip is deformed due to a step due to the thickness of the internal electrode pattern cannot be ignored. The deformed multilayer chip causes a mounting failure when the multilayer electronic component is mounted on the circuit board.

そこで、セラミックグリーンシート上で内部電極パターンの周囲にセラミックペーストを塗布して段差吸収層を形成し、上述した積層チップの変形を防止しようとする技術が知られている。   Therefore, a technique is known in which a step absorption layer is formed by applying a ceramic paste around the internal electrode pattern on a ceramic green sheet to prevent the above-described deformation of the multilayer chip.

段差吸収層の態様としては、特許文献1の図15に開示されているように、内部電極パターンの周囲全面に段差吸収層を形成する態様がある。しかし、この態様では、段差吸収層の形成領域が大きくなる。段差吸収層の形成領域が大きいと、次のような問題点が生じる。
(1)段差吸収層用のセラミックペーストを塗布する面積も大きくなり、段差吸収層を形成するためのコストが上昇する恐れがある。
(2)後にシート積層体を切断する際、切断刃で段差吸収層を切断する距離が大きくなる。このため、切断刃の負荷が増大し、切断刃の寿命が短くなる恐れがある。
(3)段差吸収層の面積が大きいので、後にシート積層体を加圧する際、段差吸収層に、単位面積でみて高い圧力をかけることが難しい。デラミネーションを防止する観点からは、段差吸収層に高い圧力をかけることが好ましい。
(4)後に積層チップを脱バインダする際、脱バイガスを排気させるための経路を確保するのが難しい。
特開平6−96991号公報
As an aspect of the step absorption layer, as disclosed in FIG. 15 of Patent Document 1, there is an aspect in which the step absorption layer is formed on the entire surface around the internal electrode pattern. However, in this aspect, the step absorption layer is formed in a larger area. When the step absorption layer is formed in a large area, the following problems occur.
(1) The area where the ceramic paste for the step absorption layer is applied also increases, which may increase the cost for forming the step absorption layer.
(2) When the sheet laminate is cut later, the distance for cutting the step absorption layer with the cutting blade is increased. For this reason, the load of a cutting blade increases and there exists a possibility that the lifetime of a cutting blade may become short.
(3) Since the area of the step absorption layer is large, it is difficult to apply high pressure to the step absorption layer in terms of unit area when the sheet laminate is pressed later. From the viewpoint of preventing delamination, it is preferable to apply a high pressure to the step absorption layer.
(4) When removing the laminated chip later, it is difficult to secure a route for exhausting the degassing gas.
JP-A-6-96991

本発明の課題は、段差吸収層の形成領域を極力少なくしながら、積層チップの変形を防止することができる積層電子部品の製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer electronic component capable of preventing the deformation of the multilayer chip while minimizing the formation region of the step absorption layer.

上述した課題を解決するため、本発明は、セラミックグリーンシート上の一チップ領域に内部電極パターン及び段差吸収層を形成し、前記内部電極パターン及び段差吸収層が形成された前記セラミックグリーンシートを少なくとも一層含むシート積層体を作製する積層電子部品の製造方法であって、前記セラミックグリーンシート上の前記一チップ領域のうち、少なくとも、前記内部電極パターンの引き出し部と反対側の隅部に前記段差吸収層を形成する積層電子部品の製造方法を提供する。   In order to solve the above-described problem, the present invention provides an internal electrode pattern and a step absorption layer formed in one chip region on a ceramic green sheet, and at least the ceramic green sheet on which the internal electrode pattern and the step absorption layer are formed. A method of manufacturing a laminated electronic component for producing a sheet laminate including one layer, wherein the step absorption is at least in a corner opposite to the lead-out portion of the internal electrode pattern in the one chip region on the ceramic green sheet. Provided is a method for manufacturing a laminated electronic component for forming a layer.

上述した積層電子部品の製造方法では、セラミックグリーンシート上の一チップ領域に内部電極パターン及び段差吸収層を形成する。そして、内部電極パターン及び段差吸収層が形成されたセラミックグリーンシートを少なくとも一層含むシート積層体を作製する。このシート積層体を加圧した後、複数の一チップ領域に切断すると、積層チップが得られる。   In the method for manufacturing a laminated electronic component described above, an internal electrode pattern and a step absorption layer are formed in one chip region on a ceramic green sheet. Then, a sheet laminate including at least one ceramic green sheet on which the internal electrode pattern and the step absorption layer are formed is produced. After pressing this sheet laminate, it is cut into a plurality of one-chip regions to obtain a laminated chip.

本発明の重要な特徴は、セラミックグリーンシート上の一チップ領域のうち、少なくとも、内部電極パターンの引き出し部と反対側の隅部に段差吸収層を形成することにある。発明者が検討したところ、一チップ領域のうち、内部電極パターンの引き出し部と反対側の隅部に形成された段差吸収層は、積層チップの変形を防止するための領域として効果的に働くことがわかった。よって、セラミックグリーンシート上における段差吸収層の形成領域を極力少なくしながら、積層チップの変形を防止することができる。   An important feature of the present invention is that a step-absorbing layer is formed at least in the corner opposite to the lead-out portion of the internal electrode pattern in one chip region on the ceramic green sheet. The inventors have examined that the step absorption layer formed in the corner on the side opposite to the lead portion of the internal electrode pattern in one chip region effectively works as a region for preventing the deformation of the multilayer chip. I understood. Therefore, deformation of the multilayer chip can be prevented while minimizing the formation region of the step absorption layer on the ceramic green sheet.

一つの実施態様では、セラミックグリーンシート上において、一チップ領域に基づいて定められる切断予定線の交差部分に段差吸収層を形成する。   In one embodiment, the step absorption layer is formed on the ceramic green sheet at the intersection of the planned cutting lines determined based on one chip region.

もう一つの実施態様では、セラミックグリーンシート上の一チップ領域のうち、4つの隅部に段差吸収層を形成する。   In another embodiment, step absorption layers are formed at four corners of one chip region on the ceramic green sheet.

更にもう一つの実施態様では、セラミックグリーンシート上において、一チップ領域に基づいて定められる切断予定線の切り代幅を除いた領域に段差吸収層を形成する。   In yet another embodiment, the step absorbing layer is formed on the ceramic green sheet in a region excluding the cutting margin width of the planned cutting line determined based on one chip region.

以上述べたように、本発明によれば、段差吸収層の形成領域を極力少なくしながら、積層チップの変形を防止し得る積層電子部品の製造方法を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a multilayer electronic component capable of preventing the deformation of the multilayer chip while minimizing the formation region of the step absorption layer.

以下、本発明に係る積層電子部品の製造方法の実施形態について説明する。まず、積層電子部品について説明する。   Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a multilayer electronic component according to the present invention will be described. First, the multilayer electronic component will be described.

図1は、本発明に係る積層電子部品の製造方法を適用し得る積層電子部品の一例を示す模式的断面図である。図示の積層電子部品は、セラミック基体1と、n層の内部電極21〜2nとを備える。図示実施形態において、本発明に係る製造方法は、積層セラミックコンデンサに適用されているが、他の積層電子部品、例えばインダクタなどに適用することもできる。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminated electronic component to which the laminated electronic component manufacturing method according to the present invention can be applied. The illustrated multilayer electronic component includes a ceramic substrate 1 and n layers of internal electrodes 21 to 2n. In the illustrated embodiment, the manufacturing method according to the present invention is applied to a multilayer ceramic capacitor, but may be applied to other multilayer electronic components such as inductors.

セラミック基体1は、例えばチタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料などで構成される。セラミック基体1は、長さ方向X、幅方向Y及び厚さ方向Zを有する略直方体形状となっている。セラミック基体1の、長さ方向Xでみた両端面160、170には、端子電極41、42が設けられている。   The ceramic substrate 1 is made of, for example, a dielectric material mainly composed of barium titanate. The ceramic substrate 1 has a substantially rectangular parallelepiped shape having a length direction X, a width direction Y, and a thickness direction Z. Terminal electrodes 41 and 42 are provided on both end surfaces 160 and 170 of the ceramic substrate 1 as viewed in the length direction X.

内部電極21〜2nは、Cu、Niなどの導電材料で構成され、セラミック基体1の内部において厚さ方向Zに間隔を隔てて積層されている。詳しくは、内部電極21〜2nは、長さ方向Xでみた位置を交互にずらして配置され、セラミック基体1の両端面160、170に交互に引き出されている。   The internal electrodes 21 to 2 n are made of a conductive material such as Cu or Ni, and are laminated inside the ceramic base 1 with a gap in the thickness direction Z. Specifically, the internal electrodes 21 to 2n are arranged by alternately shifting the positions viewed in the length direction X, and are alternately drawn to both end surfaces 160 and 170 of the ceramic substrate 1.

具体的に説明すると、内部電極21は、平面で見て長さ方向X及び幅方向Yを有する長方形状となっており、長さ方向Xでみた一辺が、セラミック基体1の端面160に引き出され、端子電極41に接続されている。長さ方向Xでみた他辺は、セラミック基体1のもう一つの端面170から長さ方向Xに間隔を隔てている。   More specifically, the internal electrode 21 has a rectangular shape having a length direction X and a width direction Y when viewed in plan, and one side viewed in the length direction X is drawn out to the end face 160 of the ceramic substrate 1. Are connected to the terminal electrode 41. The other side viewed in the length direction X is spaced from the other end face 170 of the ceramic substrate 1 in the length direction X.

次の内部電極22も、平面で見て長さ方向X及び幅方向Yを有する長方形状となっており、長さ方向Xでみた一辺が、セラミック基体1の端面160から長さ方向Xに間隔を隔てており、長さ方向Lでみた他辺が、セラミック基体1の端面170に引き出され、端子電極42に接続されている。残りの内部電極23〜2nについても同様である。   The next internal electrode 22 also has a rectangular shape having a length direction X and a width direction Y when viewed in plan, and one side viewed in the length direction X is spaced from the end surface 160 of the ceramic substrate 1 in the length direction X. The other side viewed in the length direction L is drawn out to the end face 170 of the ceramic substrate 1 and connected to the terminal electrode 42. The same applies to the remaining internal electrodes 23-2n.

次に、このような積層電子部品の製造方法について説明する。
図2は、本発明に係る積層電子部品の製造方法の一実施形態を説明する図である。図2を参照すると、セラミックグリーンシート(未焼成セラミックシート)11が示されている。セラミックグリーンシート11は、セラミック粉末、溶剤及びバインダなどを混合したセラミックペーストで構成され、一定の厚さとなっている。セラミックグリーンシート11は、可撓性プラスチックフィルムなどの支持体(図示せず)に付着される。
Next, a method for manufacturing such a multilayer electronic component will be described.
FIG. 2 is a diagram illustrating an embodiment of a method for manufacturing a multilayer electronic component according to the present invention. Referring to FIG. 2, a ceramic green sheet (unfired ceramic sheet) 11 is shown. The ceramic green sheet 11 is made of a ceramic paste in which ceramic powder, a solvent, a binder, and the like are mixed, and has a certain thickness. The ceramic green sheet 11 is attached to a support (not shown) such as a flexible plastic film.

次に、図2に示すように、セラミックグリーンシート11上に設定された複数の一チップ領域Q1に、内部電極パターン20を形成する。図示実施形態では、内部電極パターン20は、それぞれ、長さ方向X及び幅方向Yを有する長方形状となっており、長さ方向Xに隣り合う2つの一チップ領域Q1ごとに、それぞれ、一つの内部電極パターン20を形成する。更に、図示実施形態では、内部電極パターン20を長さ方向Xに整列させた内部電極パターンの行を、複数設けるとともに、幅方向Yに隣り合う内部電極パターン行を、長さ方向Xでみた位置を揃えた態様で配置する。すなわち、内部電極パターン20を、長さ方向X及び幅方向Yに沿って行列状に配置する。   Next, as shown in FIG. 2, the internal electrode pattern 20 is formed in a plurality of one-chip regions Q <b> 1 set on the ceramic green sheet 11. In the illustrated embodiment, each of the internal electrode patterns 20 has a rectangular shape having a length direction X and a width direction Y, and one internal electrode pattern 20 is provided for each of two one chip regions Q1 adjacent to each other in the length direction X. The internal electrode pattern 20 is formed. Furthermore, in the illustrated embodiment, a plurality of internal electrode pattern rows in which the internal electrode patterns 20 are aligned in the length direction X are provided, and the internal electrode pattern rows adjacent in the width direction Y are viewed in the length direction X. Are arranged in an aligned manner. That is, the internal electrode patterns 20 are arranged in a matrix along the length direction X and the width direction Y.

一チップ領域Q1は、それぞれ、図1に示した積層部品を形成するための領域であり、長さ方向Xに沿った切断予定線C1、C2、及び、幅方向Yに沿った切断予定線C3、C4によって画定することができる。切断予定線C1は、幅方向Yに隣り合う内部電極パターン行の間を通る。同様に、切断予定線C2も、幅方向Yに隣り合う内部電極パターン行の間を通る。切断予定線C3は、内部電極パターン20を跨って延びる。切断予定線C4は、長さ方向Xに隣り合う内部電極パターン20の間を通って延びる。   The one-chip region Q1 is a region for forming the laminated component shown in FIG. 1, and each of the planned cutting lines C1 and C2 along the length direction X and the planned cutting line C3 along the width direction Y. , C4. The planned cutting line C1 passes between adjacent internal electrode pattern rows in the width direction Y. Similarly, the planned cutting line C2 also passes between adjacent internal electrode pattern rows in the width direction Y. The planned cutting line C <b> 3 extends across the internal electrode pattern 20. The planned cutting line C4 extends between the internal electrode patterns 20 adjacent in the length direction X.

図3は、図2に示された一チップ領域Q1を拡大して示す図である。図3を参照すると、一チップ領域Q1は、切断予定線C1、C2で与えられる長さ方向Xの二辺61、62と、切断予定線C3、C4で与えられる幅方向Yの二辺63、64とを有する。更に、一チップ領域Q1は、辺61、63が合する位置に在る隅部51と、辺62、63が合する位置に在る隅部52と、辺61、64が合する位置に在る隅部53と、辺62、64が合する位置に在る隅部54とを有する。   FIG. 3 is an enlarged view showing one chip region Q1 shown in FIG. Referring to FIG. 3, one chip region Q1 includes two sides 61 and 62 in the length direction X given by the planned cutting lines C1 and C2, and two sides 63 in the width direction Y given by the planned cutting lines C3 and C4. 64. Further, the one chip region Q1 is located at a position where the corners 51, 61 and 63 meet, the corner 51 where the edges 62, 63 meet, and the corner 52, where the edges 61, 64 meet. And a corner 54 located at a position where the sides 62 and 64 meet.

内部電極パターン20は、幅方向Yでみた両側の辺201、202が一チップ領域Q1の辺61、62から間隔を隔て、かつ、長さ方向Xでみた一方側の辺204が一チップ領域Q1の辺64から間隔を隔てた態様で配置される。内部電極パターン20の引き出し部205は、一チップ領域Q1の辺63に接する。   In the internal electrode pattern 20, the sides 201 and 202 on both sides viewed in the width direction Y are spaced from the sides 61 and 62 of the one chip region Q1, and the one side 204 viewed in the length direction X is one chip region Q1. It arrange | positions in the aspect spaced apart from the edge | side 64 of this. The lead portion 205 of the internal electrode pattern 20 is in contact with the side 63 of the one chip region Q1.

内部電極パターン20は、導体粉末、溶剤及びバインダなどを混合した導体ペーストを、所定のパターンで印刷することにより形成することができる。印刷手法としては、スクリーン印刷法、グラビア印刷法またはオフセット印刷法などが挙げられる。内部電極パターン20の層厚は、例えば1μmに設定される。   The internal electrode pattern 20 can be formed by printing a conductor paste mixed with conductor powder, a solvent, a binder, and the like in a predetermined pattern. Examples of the printing method include screen printing, gravure printing, and offset printing. The layer thickness of the internal electrode pattern 20 is set to 1 μm, for example.

次に、図2に示すように、セラミックグリーンシート上に段差吸収層31を、切断予定線C1、C2と切断予定線C4との交差部分に跨った態様で形成する。   Next, as shown in FIG. 2, the step absorption layer 31 is formed on the ceramic green sheet in such a manner as to straddle the intersection of the planned cutting lines C <b> 1 and C <b> 2 and the planned cutting line C <b> 4.

図3を参照し、一チップ領域Q1でみると、段差吸収層31は、内部電極パターン20の引き出し部205と反対側の隅部53、54に形成される。例えば、隅部53について代表的に説明すると、段差吸収層31は、幅方向Yでみて、内部電極パターン20の辺201を延長した線L1よりも切断予定線C1の側に、かつ、長さ方向Xでみて、内部電極パターン20の辺204を延長した線L4よりも切断予定線C4の側に形成される。段差吸収層31は、長さ方向Xの二辺が切断予定線C4に跨り、かつ、幅方向Yの二辺が切断予定線C1に跨る四辺形の形状である。   Referring to FIG. 3, when viewed in one chip region Q <b> 1, the step absorption layer 31 is formed at corners 53 and 54 on the opposite side of the lead part 205 of the internal electrode pattern 20. For example, the corner portion 53 will be described representatively. The step absorption layer 31 has a length that is closer to the cutting line C1 than the line L1 extending the side 201 of the internal electrode pattern 20 in the width direction Y. When viewed in the direction X, it is formed closer to the planned cutting line C4 than the line L4 obtained by extending the side 204 of the internal electrode pattern 20. The step absorption layer 31 has a quadrilateral shape in which two sides in the length direction X straddle the planned cutting line C4 and two sides in the width direction Y straddle the planned cutting line C1.

段差吸収層31は、セラミックペーストを所定のパターンで印刷することにより形成することができる。印刷手法としては、スクリーン印刷法、グラビア印刷法またはオフセット印刷法などが挙げられる。段差吸収層31は、基本的には、セラミックグリーンシート11と同様な構成のセラミックペーストで構成される。また、段差吸収層31の層厚については、内部電極パターン20の層厚と実質的に同じ値に設定されることが好ましいが、異なる値に設定することも可能である。   The step absorption layer 31 can be formed by printing a ceramic paste in a predetermined pattern. Examples of the printing method include screen printing, gravure printing, and offset printing. The step absorption layer 31 is basically composed of a ceramic paste having the same configuration as the ceramic green sheet 11. In addition, the layer thickness of the step absorption layer 31 is preferably set to substantially the same value as the layer thickness of the internal electrode pattern 20, but may be set to a different value.

本実施形態では、内部電極パターン20の形成の後に、段差吸収層31の形成を行っているが、内部電極パターン20の形成及び段差吸収層31の形成について時間的な順序関係は任意である。例えば、段差吸収層の形成の後に内部電極パターンの形成を行ってもよいし、内部電極パターンの形成と、段差吸収層の形成とを同時に行ってもよい。   In the present embodiment, the step absorption layer 31 is formed after the internal electrode pattern 20 is formed, but the temporal order relationship between the formation of the internal electrode pattern 20 and the formation of the step absorption layer 31 is arbitrary. For example, the internal electrode pattern may be formed after the step absorption layer is formed, or the internal electrode pattern and the step absorption layer may be formed simultaneously.

次に、内部電極パターン20及び段差吸収層31が形成されたセラミックグリーンシート11を少なくとも一層備えたシート積層体を作製する。詳しくは、内部電極パターン20及び段差吸収層31が形成されたセラミックグリーンシート11を複数積層した態様のシート積層体を作製する。更に詳しくは、複数のセラミックグリーンシート11を、長さ方向Xでみた内部電極パターン20の位置を交互にずらし、かつ、幅方向Yでみた内部電極パターン20の位置を揃えて積層した態様である。   Next, a sheet laminate including at least one ceramic green sheet 11 on which the internal electrode pattern 20 and the step absorption layer 31 are formed is manufactured. Specifically, a sheet laminate in which a plurality of ceramic green sheets 11 on which the internal electrode pattern 20 and the step absorption layer 31 are formed is laminated. More specifically, a plurality of ceramic green sheets 11 are laminated in such a manner that the positions of the internal electrode patterns 20 viewed in the length direction X are alternately shifted and the positions of the internal electrode patterns 20 viewed in the width direction Y are aligned. .

シート積層体を作製するための手法としては、内部電極パターン20及び段差吸収層31を備えたセラミックグリーンシート11を複数用意し、これらのセラミックグリーンシート11を順次に積層する手法を採用することができる。このほか、セラミックグリーンシートの形成工程や、内部電極パターン及び段差吸収層の印刷工程などを、必要な回数だけ可撓性支持体上で繰り返すことによりシート積層体を作製する手法を採用することもできる。   As a method for producing the sheet laminate, a method of preparing a plurality of ceramic green sheets 11 including the internal electrode pattern 20 and the step absorption layer 31 and sequentially laminating these ceramic green sheets 11 is adopted. it can. In addition, it is also possible to adopt a technique for producing a sheet laminate by repeating the ceramic green sheet forming process, the internal electrode pattern and the step absorption layer printing process, etc. on the flexible support as many times as necessary. it can.

また、本実施形態では、シート積層体の態様として、内部電極パターン20及び段差吸収層31が形成されたセラミックグリーンシート11を複数積層した態様が採用されているが、かようなシート積層体の態様に限定されることはない。例えば、シート積層体の態様として、内部電極パターン20及び段差吸収層31が形成されたセラミックグリーンシート11のほかに、内部電極パターンがあっても段差吸収層がないセラミックグリーンシートを含んで積層した態様を採用することもできる。   Moreover, in this embodiment, the aspect which laminated | stacked the ceramic green sheet 11 in which the internal electrode pattern 20 and the level | step difference absorption layer 31 were formed is employ | adopted as an aspect of a sheet | seat laminated body, It is not limited to an aspect. For example, as an aspect of the sheet laminated body, in addition to the ceramic green sheet 11 in which the internal electrode pattern 20 and the step absorption layer 31 are formed, the ceramic green sheet having no step absorption layer even if the internal electrode pattern is provided is laminated. An aspect can also be employ | adopted.

次に、このようにして得られたシート積層体に加圧処理を施す。詳しくは、シート積層体を、少なくとも、その積層方向に加圧する。このような加圧処理の例としては、金型プレス、等方静水圧による加圧などが挙げられる。   Next, a pressure treatment is performed on the sheet laminate obtained in this manner. Specifically, the sheet laminate is pressurized at least in the laminating direction. Examples of such pressurizing treatment include a die press and pressurization by isotropic hydrostatic pressure.

次に、シート積層体を、複数の一チップ領域Q1に裁断する。具体的には、長さ方向Xに沿った裁断については、切断予定線C1、C2に従い、幅方向Yに沿った裁断については、切断予定線C3、C4に従って行えばよい。   Next, the sheet laminate is cut into a plurality of one-chip regions Q1. Specifically, the cutting along the length direction X may be performed according to the planned cutting lines C1 and C2, and the cutting along the width direction Y may be performed according to the planned cutting lines C3 and C4.

このようにしてシート積層体を裁断すると、積層チップが得られる。この積層チップに対して、バインダを除去する脱バインダ処理を行い、所定条件で焼成する。そして、焼成された積層チップに端子電極を形成すると、図1に示した積層電子部品が得られる。   When the sheet laminate is cut in this manner, a laminated chip is obtained. The laminated chip is subjected to a binder removal process for removing the binder and fired under predetermined conditions. When terminal electrodes are formed on the fired laminated chip, the laminated electronic component shown in FIG. 1 is obtained.

既に述べたように、積層電子部品の製造工程では、内部電極パターンの層厚による段差に起因して、積層チップが例えば丸みを帯びた形状になるなど、変形する問題を無視することができない。   As described above, in the manufacturing process of the laminated electronic component, the problem of deformation such as a rounded shape of the laminated chip due to a step due to the thickness of the internal electrode pattern cannot be ignored.

本発明では、図3を参照して説明したように、セラミックグリーンシート11上の一チップ領域Q1のうち、内部電極パターン20の引き出し部205と反対側の隅部53、54に段差吸収層31を形成する。隅部53、54に形成された段差吸収層31は、上述した積層チップの変形を防止するための領域として効果的に働く。よって、セラミックグリーンシート11上における段差吸収層の形成領域を極力少なくしながら、積層チップの変形を防止することができる。   In the present invention, as described with reference to FIG. 3, the step absorbing layer 31 is formed in the corners 53 and 54 on the opposite side of the lead portion 205 of the internal electrode pattern 20 in the one chip region Q1 on the ceramic green sheet 11. Form. The step absorption layer 31 formed at the corners 53 and 54 effectively functions as a region for preventing the above-described deformation of the laminated chip. Therefore, it is possible to prevent the deformation of the multilayer chip while reducing the formation region of the step absorption layer on the ceramic green sheet 11 as much as possible.

更に、段差吸収層の形成領域を少なくすることにより、次のような効果を得ることができる。
(1)段差吸収層用のセラミックペーストを塗布する面積が小さくなるので、段差吸収層を形成するためのコストを削減することができる。
(2)シート積層体を切断する際、切断刃で段差吸収層を切断する距離が小さくなる。これにより、切断刃の負荷を軽減し、切断刃の寿命を延ばすことができる。
(3)段差吸収層の面積が小さいので、後にシート積層体を加圧する際、段差吸収層に、単位面積でみて高い圧力をかけることが容易となる。デラミネーションを防止する観点からは、段差吸収層に高い圧力をかけることが好ましい。
(4)積層チップに脱バインダ処理を施す際、脱バイガスを排気させるための経路を確保するのが容易となる。
Furthermore, the following effects can be obtained by reducing the formation region of the step absorption layer.
(1) Since the area for applying the ceramic paste for the step absorption layer is reduced, the cost for forming the step absorption layer can be reduced.
(2) When cutting a sheet laminated body, the distance which cut | disconnects a level | step difference absorption layer with a cutting blade becomes small. Thereby, the load of a cutting blade can be reduced and the lifetime of a cutting blade can be extended.
(3) Since the area of the step absorption layer is small, it becomes easy to apply a high pressure to the step absorption layer in terms of the unit area when the sheet laminate is pressed later. From the viewpoint of preventing delamination, it is preferable to apply a high pressure to the step absorption layer.
(4) When the binder removal process is performed on the multilayer chip, it is easy to secure a path for exhausting the degassing gas.

更に、図3では、段差吸収層31を、切断予定線C1、C2と切断予定線C4との交差部分に形成している。かかる段差吸収層31の形成態様によれば、積層チップの変形を防止する効果を高めることができる。   Further, in FIG. 3, the step absorption layer 31 is formed at the intersection of the planned cutting lines C1 and C2 and the planned cutting line C4. According to such an aspect of forming the step absorption layer 31, the effect of preventing the deformation of the laminated chip can be enhanced.

図4は、本発明に係る積層電子部品の製造方法の別の実施形態を説明する図、図5は、図4に示された一チップ領域Q1を拡大して示す図である。この実施形態において、先の図2及び図3に示した実施形態と重複する点については説明を省略する。   FIG. 4 is a diagram for explaining another embodiment of the method for manufacturing a multilayer electronic component according to the present invention, and FIG. 5 is an enlarged view of one chip region Q1 shown in FIG. In this embodiment, the description of the same points as those of the embodiment shown in FIGS. 2 and 3 is omitted.

図4を参照すると、この実施形態では、切断予定線C1、C2と切断予定線C4との交差部分に段差吸収層31を形成するほかに、切断予定線C1、C2と切断予定線C3との交差部分にも段差吸収層32を形成する。詳しくは、段差吸収層32は、切断予定線C1、C2と切断予定線C3との交差部分に跨った態様で形成される。   Referring to FIG. 4, in this embodiment, in addition to forming the step absorption layer 31 at the intersection of the planned cutting lines C1, C2 and the planned cutting line C4, the cutting planned lines C1, C2 and the planned cutting line C3 A step absorption layer 32 is also formed at the intersection. Specifically, the step absorption layer 32 is formed in such a manner as to straddle the intersection of the planned cutting lines C1 and C2 and the planned cutting line C3.

図5を参照し、一チップ領域Q1でみると、段差吸収層32は、内部電極パターン20の引き出し部205と同じ側の隅部51、52に形成される。段差吸収層32の形状、形成手法、材料、層厚などについては、先に説明した段差吸収層31と基本的に同じである。   Referring to FIG. 5, when viewed in one chip region Q <b> 1, the step absorption layer 32 is formed at the corners 51 and 52 on the same side as the lead portion 205 of the internal electrode pattern 20. The shape, formation method, material, layer thickness, and the like of the step absorption layer 32 are basically the same as those of the step absorption layer 31 described above.

この実施形態では、図5に示すように、一チップ領域Q1のうち、内部電極パターン20の引き出し部205と反対側の隅部53、54に段差吸収層31を形成するほかに、引き出し部205と同じ側の隅部51、52に段差吸収層32を形成する。すなわち、一チップ領域Q1の4つの隅部51〜54に段差吸収層31、32を形成するので、積層チップの変形を防止する効果を高めることができる。   In this embodiment, as shown in FIG. 5, in addition to forming the step absorption layer 31 in the corners 53 and 54 on the opposite side of the lead part 205 of the internal electrode pattern 20 in one chip region Q1, the lead part 205 The step absorption layer 32 is formed in the corners 51 and 52 on the same side. That is, since the step absorption layers 31 and 32 are formed at the four corners 51 to 54 of the one chip region Q1, the effect of preventing the deformation of the multilayer chip can be enhanced.

図6は、本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。この実施形態において、先の図4及び図5に示した実施形態と重複する点については説明を省略する。   FIG. 6 is a diagram for explaining still another embodiment of the method for manufacturing a laminated electronic component according to the present invention. In this embodiment, a description of the same points as those of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5 is omitted.

図6に示した実施形態では、段差吸収層31、32を、一チップ領域Q1の隅部51〜54で扇形状の領域を占めるような態様で形成する。切断予定線の交差部分でみると、段差吸収層31、32を、切断予定線の交点上に中心を有する円形の形状で形成する。例えば、切断予定線C1、C4の交差部分について代表的に説明すると、段差吸収層31を、切断予定線C1、C4の交点上に中心を有する円形の形状で形成する。   In the embodiment shown in FIG. 6, the step absorption layers 31 and 32 are formed in such a manner that the corner portions 51 to 54 of the one-chip region Q1 occupy a fan-shaped region. When viewed at the intersection of the planned cutting line, the step absorption layers 31 and 32 are formed in a circular shape having a center on the intersection of the planned cutting line. For example, the intersection of the planned cutting lines C1 and C4 will be described as a representative example. The step absorption layer 31 is formed in a circular shape having a center on the intersection of the planned cutting lines C1 and C4.

図7は、本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。この実施形態において、先の図4及び図5に示した実施形態と重複する点については説明を省略する。   FIG. 7 is a diagram for explaining still another embodiment of the method for manufacturing a laminated electronic component according to the present invention. In this embodiment, a description of the same points as those of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5 is omitted.

図7に示した実施形態では、一チップ領域Q1の4つの隅部51〜54に段差吸収層31、32を形成するほかに、一チップ領域Q1の辺の中央部にも段差吸収層33を形成する。詳しくは、一チップ領域Q1の、隅部51、53を結ぶ辺61の中央部、隅部52、54を結ぶ辺62の中央部、及び、隅部53、54を結ぶ辺64の中央部に段差吸収層33を形成する。かかる態様によれば、積層チップの変形を防止する効果を更に高めることができる。   In the embodiment shown in FIG. 7, in addition to forming the step absorption layers 31 and 32 at the four corners 51 to 54 of the one chip region Q1, the step absorption layer 33 is also formed at the center of the side of the one chip region Q1. Form. Specifically, in the center of the side 61 connecting the corners 51, 53, the center of the side 62 connecting the corners 52, 54, and the center of the side 64 connecting the corners 53, 54 of one chip region Q 1. A step absorption layer 33 is formed. According to this aspect, the effect of preventing the deformation of the laminated chip can be further enhanced.

図8は、本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。この実施形態において、先の図7に示した実施形態と重複する点については説明を省略する。   FIG. 8 is a view for explaining still another embodiment of the method for manufacturing a laminated electronic component according to the present invention. In this embodiment, a description of the same points as those of the embodiment shown in FIG. 7 is omitted.

図8に示した実施形態では、段差吸収層31、32を、一チップ領域Q1の隅部51〜54で三角形状の領域を占めるような態様で形成する。切断予定線の交差部分でみると、段差吸収層31、32を、長さ方向Xに対向する二頂点が一方の切断予定線上にあり、幅方向Yに対向する二頂点が他方の切断予定線上にある四角形の形状で形成する。例えば、切断予定線C1、C4の交差部分について代表的に説明すると、段差吸収層31を、長さ方向Xに対向する二頂点が切断予定線C1上にあり、幅方向Yに対向する二頂点が切断予定線C4上にある四角形の形状で形成する。また、残りの段差吸収層33についても、四角形の形状で形成する。   In the embodiment shown in FIG. 8, the step absorption layers 31 and 32 are formed in such a manner that the corner portions 51 to 54 of the one-chip region Q1 occupy a triangular region. When viewed at the intersection of the planned cutting line, the step absorption layers 31 and 32 have two vertices facing the length direction X on one cutting planned line and the two vertices facing the width direction Y on the other cutting planned line. It is formed in a quadrangular shape. For example, the intersection of the planned cutting lines C1 and C4 will be described representatively. In the step absorption layer 31, the two vertices whose two vertices facing the length direction X are on the planned cutting line C1 and facing the width direction Y are shown. Is formed in a square shape on the planned cutting line C4. The remaining step absorption layer 33 is also formed in a square shape.

図9は、本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。この実施形態において、先の図4及び図5に示した実施形態と重複する点については説明を省略する。   FIG. 9 is a diagram for explaining still another embodiment of the method for manufacturing a laminated electronic component according to the present invention. In this embodiment, a description of the same points as those of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5 is omitted.

図9に示した実施形態の場合、セラミックグリーンシート11上でみて切断予定線C1〜C4の切り代幅を除いた領域に段差吸収層31、32を形成する。例えば、切断予定線C1、C4の交差部分でみて、段差吸収層31を、切断予定線C1の切り代幅W1及び切断予定線C4の切り代幅W4を除いた態様で形成する。切断予定線の他の交差部分についても同様である。   In the case of the embodiment shown in FIG. 9, the step absorbing layers 31 and 32 are formed in a region on the ceramic green sheet 11 excluding the cutting margin widths of the planned cutting lines C1 to C4. For example, the step absorption layer 31 is formed in a form excluding the cutting margin width W1 of the planned cutting line C1 and the cutting margin width W4 of the planned cutting line C4 when viewed at the intersection of the planned cutting lines C1 and C4. The same applies to the other intersections of the planned cutting line.

図9に示すように、セラミックグリーンシート11上でみて切断予定線C1〜C4の切り代幅を除いた領域に段差吸収層31、32を形成する態様によれば、この後のシート積層体の切断工程で段差吸収層31、32が切断される箇所を減らすことができる。従って、切断刃の負荷を軽減し、切断刃の寿命を延ばすことができる。   As shown in FIG. 9, according to the aspect in which the step absorption layers 31 and 32 are formed in the region excluding the cutting margin width of the planned cutting lines C <b> 1 to C <b> 4 on the ceramic green sheet 11, The location where the step absorption layers 31 and 32 are cut in the cutting process can be reduced. Therefore, the load on the cutting blade can be reduced and the life of the cutting blade can be extended.

図10は、本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。この実施形態において、先の図4及び図5に示した実施形態と重複する点については説明を省略する。   FIG. 10 is a diagram for explaining still another embodiment of the method for manufacturing a laminated electronic component according to the present invention. In this embodiment, a description of the same points as those of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5 is omitted.

図10に示すように、段差吸収層31、32を、一チップ領域Q1の隅部51〜54において長さ方向Xの辺から間隔を隔てた態様で形成してもよい。必ずしも、段差吸収層31、32が長さ方向Xの辺に接している必要はない。例えば、隅部53に形成される段差吸収層31について代表的に説明すると、段差吸収層31を、長さ方向Xの辺61から幅方向Yの間隔d1を隔てた態様で形成する。また、図示の態様と異なり、段差吸収層を、隅部において幅方向Yの辺から長さ方向Xの間隔を隔てた態様で形成することもできる。   As shown in FIG. 10, the step absorption layers 31 and 32 may be formed in a form spaced from the side in the length direction X at the corners 51 to 54 of the one chip region Q1. The step absorption layers 31 and 32 are not necessarily in contact with the sides in the length direction X. For example, the step-absorbing layer 31 formed at the corner 53 will be described as a representative example. The step-absorbing layer 31 is formed in such a manner that the gap 61 in the width direction Y is separated from the side 61 in the length direction X. In addition, unlike the illustrated embodiment, the step absorption layer can be formed in a manner in which the interval in the length direction X is separated from the side in the width direction Y at the corner.

図11は、本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。この実施形態において、先の図4及び図5に示した実施形態と重複する点については説明を省略する。   FIG. 11 is a diagram illustrating still another embodiment of the method for manufacturing a laminated electronic component according to the present invention. In this embodiment, a description of the same points as those of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5 is omitted.

図11に示すように、段差吸収層31、32を、一チップ領域Q1の隅部51〜54において長さ方向Xの辺及び幅方向Yの辺から間隔を隔てた態様で形成してもよい。例えば、隅部53に形成される段差吸収層31について代表的に説明すると、段差吸収層31を、辺61から幅方向Yの間隔d1を隔て、かつ、辺64から長さ方向Xの間隔d4を隔てた態様で形成する。   As shown in FIG. 11, the step absorption layers 31 and 32 may be formed in a manner spaced from the side in the length direction X and the side in the width direction Y at the corners 51 to 54 of one chip region Q1. . For example, the step absorption layer 31 formed at the corner 53 will be described as a representative. The step absorption layer 31 is separated from the side 61 by a distance d1 in the width direction Y and from the side 64 by a distance d4 in the length direction X. Are formed in a separated manner.

図12は、本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。この実施形態において、先の図4及び図5に示した実施形態と重複する点については説明を省略する。   FIG. 12 is a diagram illustrating still another embodiment of the method for manufacturing a laminated electronic component according to the present invention. In this embodiment, a description of the same points as those of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5 is omitted.

図12に示すように、セラミックグリーンシート11上に設定された複数の一チップ領域Q1に、内部電極パターン20を形成する。本実施形態では、内部電極パターン20を長さ方向Xに整列させた内部電極パターンの行を、複数設けるとともに、複数の内部電極パターン行を、長さ方向Xでみた位置を互いにずらした態様で配置する。   As shown in FIG. 12, the internal electrode pattern 20 is formed in a plurality of one-chip regions Q1 set on the ceramic green sheet 11. In the present embodiment, a plurality of rows of internal electrode patterns in which the internal electrode patterns 20 are aligned in the length direction X are provided, and the positions of the plurality of internal electrode pattern rows in the length direction X are shifted from each other. Deploy.

一チップ領域Q1は、長さ方向Xに沿った切断予定線C1、C2、及び、幅方向Yに沿った切断予定線C3、C4によって画定される。本実施形態では、切断予定線C3は、一つの内部電極パターン行については内部電極パターン20の間を通るとともに、その内部電極パターン行に隣り合う別の内部電極パターン行については内部電極20を跨って延び、切断予定線C4も、切断予定線C3と同じである。   One chip region Q1 is defined by planned cutting lines C1 and C2 along the length direction X and planned cutting lines C3 and C4 along the width direction Y. In the present embodiment, the planned cutting line C3 passes between the internal electrode patterns 20 for one internal electrode pattern row, and straddles the internal electrode 20 for another internal electrode pattern row adjacent to the internal electrode pattern row. The planned cutting line C4 is also the same as the planned cutting line C3.

本実施形態における一チップ領域Q1の拡大図については、先の図5と同様であり、図示を省略する。   An enlarged view of one chip region Q1 in the present embodiment is the same as FIG.

その後、段差吸収層31、32を形成する工程については、図4及び図5に示した実施形態と同様である。その他の点、例えば、シート積層体の作製、加圧及び裁断については、図2及び図3に示した実施形態と同様である。   Thereafter, the steps of forming the step absorption layers 31 and 32 are the same as those in the embodiment shown in FIGS. Other points, for example, the production, pressurization, and cutting of the sheet laminate are the same as those in the embodiment shown in FIGS.

なお、図12の実施形態で示された内部電極パターンの配置に、他の実施形態で示された段差吸収層の態様を組み合わせることもできる。例えば、図12の実施形態で示された内部電極パターンの配置に、図9の実施形態で示された段差吸収層の態様を組み合わせた実施形態が存在する。   In addition, the arrangement | positioning of the level | step difference absorption layer shown by other embodiment can also be combined with arrangement | positioning of the internal electrode pattern shown by embodiment of FIG. For example, there is an embodiment in which the arrangement of the internal electrode pattern shown in the embodiment of FIG. 12 is combined with the aspect of the step absorption layer shown in the embodiment of FIG.

また、以上説明した各実施形態の間にも、任意の組み合わせが存在することは言うまでもない。   Needless to say, any combination exists between the embodiments described above.

本発明に係る積層電子部品の製造方法を適用し得る積層電子部品の一例を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows an example of the multilayer electronic component which can apply the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention. 本発明に係る積層電子部品の製造方法の一実施形態を説明する図である。It is a figure explaining one Embodiment of the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention. 図2に示された一チップ領域Q1を拡大して示す図である。FIG. 3 is an enlarged view showing one chip area Q1 shown in FIG. 2. 本発明に係る積層電子部品の製造方法の別の実施形態を説明する図である。It is a figure explaining another embodiment of the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention. 図4に示された一チップ領域Q1を拡大して示す図である。FIG. 5 is an enlarged view of one chip region Q1 shown in FIG. 本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。It is a figure explaining another embodiment of the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention. 本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。It is a figure explaining another embodiment of the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention. 本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。It is a figure explaining another embodiment of the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention. 本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。It is a figure explaining another embodiment of the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention. 本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。It is a figure explaining another embodiment of the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention. 本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。It is a figure explaining another embodiment of the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention. 本発明に係る積層電子部品の製造方法の更に別の実施形態を説明する図である。It is a figure explaining another embodiment of the manufacturing method of the multilayer electronic component which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

11 セラミックグリーンシート
Q1 一チップ領域
20 内部電極パターン
31〜33 段差吸収層
11 Ceramic green sheet Q1 One chip area 20 Internal electrode pattern 31-33 Step absorption layer

Claims (7)

セラミックグリーンシートを複数積層し、裁断する工程を含む積層電子部品の製造方法であって、
前記セラミックグリーンシートは、一面上に、内部電極パターンと、複数の第1の段差吸収層とを含み、
前記内部電極パターンは、長さ方向及び幅方向を有する長方形状となっており、複数が前記長さ方向及び前記幅方向に沿って行列状に配置され、前記長さ方向に沿った行は、前記幅方向に隣り合う前記行と、前記長さ方向でみた位置が揃えられており、
前記第1の段差吸収層のそれぞれは、前記長さ方向に沿った前記行に含まれる2つの前記内部電極パターンと、前記2つの内部電極パターンと前記幅方向に隣り合う2つの前記内部電極パターンとでみて、最も近接する4つの角部によって囲まれた領域毎に形成されており、
前記複数の前記第1の段差吸収層は、互いに独立している、
製造方法。
A method for producing a laminated electronic component comprising a step of laminating and cutting a plurality of ceramic green sheets ,
The ceramic green sheet includes an internal electrode pattern and a plurality of first step absorption layers on one surface,
The internal electrode pattern has a rectangular shape having a length direction and a width direction, a plurality are arranged in a matrix along the length direction and the width direction, and the rows along the length direction are: The rows adjacent in the width direction are aligned with the positions seen in the length direction,
Each of the first step absorption layers includes two internal electrode patterns included in the row along the length direction, and two internal electrode patterns adjacent to the two internal electrode patterns in the width direction. And is formed for each region surrounded by the four closest corners,
The plurality of first step absorption layers are independent from each other.
Production method.
請求項1に記載された積層電子部品の製造方法であって、さらに前記セラミックグリーンシートは、切断予定線を含み、
前記切断予定線は、前記領域内を複数の区画に画定しており、
前記第1の段差吸収層は、前記複数の区画のそれぞれに存在している、
製造方法。
The method of manufacturing a laminated electronic component according to claim 1, wherein the ceramic green sheet further includes a cutting line.
The planned cutting line defines a plurality of sections in the region,
The first step absorption layer is present in each of the plurality of sections.
Production method.
請求項1又は2に記載された積層電子部品の製造方法であって、さらに、前記セラミックグリーンシートは、第2の段差吸収層を含み、
前記第2の段差吸収層は、隣接する前記内部電極パターンの長辺が向かい合う領域において、前記第1の段差吸収層から独立して形成されている、
製造方法。
A process for the preparation of a multilayer electronic component according to claim 1 or 2, further wherein the ceramic green sheet comprises a second step absorption layer,
The second step absorption layer is formed independently of the first step absorption layer in a region where the long sides of the adjacent internal electrode patterns face each other.
Production method.
請求項3に記載された積層電子部品の製造方法であって、A method for manufacturing a laminated electronic component according to claim 3,
前記セラミックグリーンシートは、第1の切断予定線と、第2の切断予定線と、第3の切断予定線とを有し、The ceramic green sheet has a first planned cutting line, a second planned cutting line, and a third planned cutting line,
前記第1の切断予定線は、隣接する前記内部電極パターンの長辺間を通って延び、The first planned cutting line extends between the long sides of the adjacent internal electrode patterns,
前記第2の切断予定線は、隣接する前記内部電極パターンの短辺間を通って延び、前記4つの角部によって囲まれた前記領域内において、前記第1の切断予定線と交差しており、The second planned cutting line extends between the short sides of the adjacent internal electrode patterns, and intersects the first planned cutting line in the region surrounded by the four corners. ,
前記第3の切断予定線は、前記第2の切断予定線に平行し、前記内部電極パターンの前記長辺の中間部に跨って延び、The third planned cutting line is parallel to the second planned cutting line and extends across an intermediate portion of the long side of the internal electrode pattern,
前記第1の段差吸収層は、前記第1の切断予定線と、前記第2の切断予定線との交点上に形成されており、The first step absorption layer is formed on an intersection of the first planned cutting line and the second planned cutting line,
前記第2の段差吸収層は、前記第1の切断予定線と、前記第3の切断予定線との交点上に形成されている、The second step absorption layer is formed on an intersection of the first planned cutting line and the third planned cutting line.
製造方法。Production method.
請求項3に記載された積層電子部品の製造方法であって、A method for manufacturing a laminated electronic component according to claim 3,
前記セラミックグリーンシートは、第1の切断予定線と、第2の切断予定線と、第3の切断予定線とを有し、The ceramic green sheet has a first planned cutting line, a second planned cutting line, and a third planned cutting line,
前記第1の切断予定線は、隣接する前記内部電極パターンの長辺間を通って延び、The first planned cutting line extends between the long sides of the adjacent internal electrode patterns,
前記第2の切断予定線は、隣接する前記内部電極パターンの短辺間を通って延び、前記4つの角部によって囲まれた前記領域内において、前記第1の切断予定線と交差しており、The second planned cutting line extends between the short sides of the adjacent internal electrode patterns, and intersects the first planned cutting line in the region surrounded by the four corners. ,
前記第3の切断予定線は、前記第2の切断予定線に平行し、前記内部電極パターンの前記長辺の中間部に跨って延び、The third planned cutting line is parallel to the second planned cutting line and extends across an intermediate portion of the long side of the internal electrode pattern,
前記第1の段差吸収層は、前記第1の切断予定線の切り代幅に重ならない領域であって、且、前記第2の切断予定線の切り代幅に重ならない領域に形成されており、The first step absorption layer is formed in a region that does not overlap a cutting allowance width of the first planned cutting line and that does not overlap a cutting allowance width of the second planned cutting line. ,
前記第2の段差吸収層は、前記第1の切断予定線の切り代幅に重ならない領域であって、且、前記第3の切断予定線の切り代幅に重ならない領域に形成されている、The second step absorption layer is formed in a region that does not overlap with a cutting margin width of the first planned cutting line and that does not overlap with a cutting margin width of the third planned cutting line. ,
製造方法。Production method.
請求項1乃至5の何れかに記載された積層電子部品の製造方法であって、A method for manufacturing a laminated electronic component according to any one of claims 1 to 5,
前記第1の段差吸収層は、セラミックペーストで構成されている、The first step absorption layer is made of a ceramic paste.
製造方法。Production method.
請求項1乃至6に記載された積層電子部品の製造方法であって、A method for manufacturing a laminated electronic component according to claim 1,
前記第1の段差吸収層は、前記内部電極パターンを構成する一対の長辺を延長した線の外側であって、かつ、前記内部電極パターンを構成する一対の短辺を延長した線の外側に形成されている、The first step absorption layer is outside a line extending a pair of long sides constituting the internal electrode pattern and outside a line extending a pair of short sides constituting the internal electrode pattern. Formed,
製造方法。Production method.
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