JP4618613B2 - 不活性ガス雰囲気で融解処理された試料中の元素分析方法および元素分析装置 - Google Patents
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(1)例えば、タンタル合金などのように高濃度の水素を含む試料を分析した場合、例えば、試料中の窒素測定において測定値が高くなることがあった。このとき、従前では現象自体を把握できなかったところ、本発明者の検証の結果、不活性ガス雰囲気での融解処理によって発生した水素が、黒鉛ルツボの炭素と反応して炭化水素ガスが発生し、そのまま検出器に入るために窒素への分析値に影響を与えることがあることを見出した。
(2)しかしながら、こうした炭化水素ガスは単独での処理は可能であるが、不活性ガス雰囲気での融解処理によって発生したサンプルガス中には、窒素、水素、一酸化炭素、二酸化炭素など測定成分が共存していることから、炭化水素ガスを選択的に除去する方法を検討することが必要となった。
(3)また、炭化水素の中でも、特にメタンは化合物としての安定性が高く、酸化や分解など他の成分に影響することなく、選択的に除去することが非常に困難であった。
(4)さらに、測定対象成分を水素とする場合、反応によって減少する水素成分の影響が問題となるが、本発明者の検証においては、測定誤差を与える程の高い反応率でない(水素成分の1%以下)ことも検証することができた。しかしながら、試料条件などが変化しても低い反応率が保持できることの確証を得ることは難しく、炭化水素を分解・処理することが好ましい。
図1は、本装置の第1構成例として、試料中の元素として窒素を測定対象の1つとする場合を例示する。第1構成例においては、融解炉1において不活性ガス雰囲気で融解処理し、得られたサンプルガスを、分解処理部3および二次処理部6aを介して熱伝導度検出式分析計(TCD)2に導入し、サンプルガス中の窒素を測定する場合を、その一例として説明する。適切な二次処理を行うことによって他の共存成分の影響を排除することによって、測定値に対する信頼性および高い測定精度を有する元素分析方法を確保する場合に適している。
第1構成例は、融解炉1における一次処理系10とサンプルガス二次処理流路における二次処理系20とからなり、図1に例示する構成において、以下の手順に沿って、測定・校正操作される。
(a1−1)黒鉛ルツボ1a内に金属等の試料Sを投入し、この黒鉛ルツボ1aを融解炉1内部にセットする。
(a1−2)不活性ガス(例えばヘリウムガス、以下「He」という。)を融解炉1に導入し、黒鉛ルツボ1a内の試料SをHe雰囲気とする。融解炉1は、試料Sに対し短時間で高温化することができることが好ましく、電極炉あるいは高周波炉などが好適である。
(a1−3)He雰囲気において融解炉1を作動させ、試料Sを融解処理する。融解処理開始から所定時間(サンプルガス導入時間)Taの間、融解炉1内にHeを流通させ、得られたサンプルガスを、二次処理系20に導入する。このとき、サンプルガス中には、Heをベースとして、水素ガス、窒素ガス、一酸化炭素および微量の二酸化炭素に加え、特にメタンを主成分とする炭化水素が含まれる。Heは、測定成分を含むサンプルガスを二次処理系20から排出するための時間Tb分をさらに流通させる。このとき、所定流量Laに設定することによって、サンプルガスの総量V( V=La×Ta )を設定することができる。
(b1−1)融解炉1からのサンプルガスを、フィルタ4によって除塵し、分解処理部3によってサンプルガス中の炭化水素を分解処理し、二次処理部6aによって清浄化した後、TCD2に導入する。これによって、サンプルガス中の窒素を精度よく測定することができる。このとき、サンプルガス導入時間Taの間の測定値を積算することによって、試料中の水素成分を測定することができる。
CH4 → C + 2H2 ・・・(式1)
なお、ここで用いる白金炭素触媒の特性の詳細については、後述する。
(c1−1)上記(b1)の精製工程を経たサンプルガスが、窒素ガス分析計として機能するTCD2に導入されて、サンプル中の窒素ガスを測定する。測定は、所定流量Laに設定することによって、サンプルガスの総量V( V=La×Ta )について、瞬時値を積算することによって、試料の処理によって発生した窒素成分の総量を測定することができる。このとき、検出感度の向上を図るために、サンプルガスのベースガスを上記のようにHeとすることが好ましい。
本発明の本質は、上記検証過程において、一次処理段階での炭化水素(メタン)の発生に対して得られた知見が大きく寄与するものである。つまり、正確なメカニズムは今後の検討課題であるが、以下の条件において、一次処理段階での炭化水素の発生を確認することができた。
(1)試料中の水素濃度が高いこと。例えば、タンタル合金の場合、
(1−1)測定成分として、水素約0.5wt/g、窒素約0.5wt/g、酸素約0.5wt/g
(1−2)他の成分として、チタン約0.01wt/g、アルミニウム約0.01wt/g、ニオブ約0.02wt/g
(2)一次処理温度が高温であること。具体的には、約2000℃以上である場合に炭化水素の発生を確認することができた。
分解処理部3は、白金炭素触媒を内蔵し、加熱が可能な構造を有するものであれば特に制限はなく、抵抗体による加熱方式やスチームなどの加熱流体を用いた加熱方式などを用いることが可能である。
(1)触媒の性状
分解処理部3に内蔵される白金炭素触媒とは、通常、活性炭に5〜50wt%程度白金(Pt)を担持させたもので、触媒の形状は、分解反応に必要な十分な表面積を確保できれば、特に制限はない。本装置のようにガス流路に配設する場合には、例えば、針状体や棒状体あるいはペレット状やハニカム形状などで使用されることが好適である。
(2−1)白金炭素触媒として、約10〜30メッシュの元素分析用白金炭素(Pt50%、ナカライテスク社製)を使用した。
p=(a−b)/(a−n)・・・(式1)
このとき、白金炭素触媒については、約90%、活性炭については、約70%の分解効率が得られ、白金炭素触媒の効率の高さが実証された。
図2(A)は、本装置の第2構成例として、試料中の元素として水素/酸素/窒素を測定対象とする場合を例示する。酸素成分を、一酸化炭素(CO)として直接赤外線吸光式分析計(NDIR)で、水素および窒素をTCDで測定することが可能である。なお、試料中の酸素との反応性生物が一酸化炭素に加え二酸化炭素を含む場合には、サンプルガス中の一酸化炭素を二酸化炭素に変換した後にNDIRで測定し、試料中の酸素とすることが可能である。
第2構成例は、基本的には、一次処理系10と二次処理系20とからなり、第1構成例と同様の機能を有する一方、測定対象を水素/酸素/窒素の3成分とすることから、その構成においていくつか相違がある。つまり、第2構成例は、図2(A)に例示する構成において、以下の手順に沿って分析される。
(a2−1)〜(a2−3)につき、第1構成例(a1−1)〜(a1−3)と同様であり、主たる説明は省略する。
(b2−1)図2(B)に例示するように、融解炉1からのサンプルガスを、フィルタ4によって除塵・清浄化した後、分解処理部3によってサンプルガス中の炭化水素(メタン)を分解処理し、さらに予め冷却され低温状態にある水素処理部5に導入する。ここで、サンプルガス中の水素は、内蔵された水素吸蔵合金に吸蔵され、水素が除去されたサンプルガスが水素処理部5から供出される。
(b2−2)水素処理部5からのサンプルガスを、CO分析計2aに導入する。これによって、サンプルガス中の一酸化炭素を測定することができる。このとき、サンプルガス導入時間Taの間の測定値を積算することによって、試料中の酸素成分を測定することができる。
(c2−1)図2(B)に例示するように、上記CO分析計2aからのサンプルガスを、予め所定の温度に加熱した炭素処理部6に導入する。ここで、サンプルガス中の一酸化炭素は、内蔵された有酸素酸化剤(図示せず)によって酸化され二酸化炭素に変換される。二酸化炭素を含むサンプルガスが炭素処理部6から供出される。
(c2−2)炭素処理部6からからのサンプルガスを、二酸化炭素処理部7に導入する。ここで、サンプルガス中の二酸化炭素が除去されたサンプルガスが二酸化炭素処理部7から供出される。
(c2−3)二酸化炭素処理部7からのサンプルガスを、水分処理部8に導入する。ここで、サンプルガス中の水分が除去されたサンプルガスが水分処理部8から供出される。
(c2−4)水分処理部8からのサンプルガスを、TCD2に導入する。これによって、サンプルガス中の窒素を測定することができる。このとき、キャリアガスを所定流量Laに設定しサンプルガス導入時間Taの間の測定値を積算することによって、サンプルガスの総量V( V=La×Ta )について、試料の処理によって発生した窒素成分の総量を測定することができる。従って、試料中の窒素成分を測定することができる。
(d2−1)融解処理開始からTaに加え、試料中の測定成分を含むサンプルガスがTCD2を通過し測定が完了した後、図2(C)に例示するように、水素処理部5の上流に設置された切換弁9aおよび下流に設置された切換弁9bを作動させ、Arを水素処理部5に導入し、内部の流路をパージする。
(d2−2)所定時間のパージ完了後、Arの導入を一端停止し、水素処理部5を加熱し高温状態にする。
(d2−3)水素処理部5の温度が十分に上昇した状態で、再度、図2(C)に例示するように、所定流量LbのArを水素処理部5に導入する。水素吸蔵合金に吸蔵されていた水素が脱着し、水素を含むキャリアガスが、水素処理部5から供出される。
(d2−4)水素処理部5からのキャリアガスを、所定時間の間TCD2に導入する。これによって、キャリアガス中の水素を測定することができる。このとき、キャリアガスを所定流量Laに設定しサンプルガス導入時間Taの間の測定値を積算することによって、サンプルガスの総量V( V=La×Ta )について、試料の処理によって発生した水素成分の総量を測定することができる。従って、試料中の水素成分を測定することができる。また、このとき、水素処理部5はArによってパージされた状態になり、冷却状態にすることによって、次の測定における水素の選択的吸蔵・分離機能を有する状態とすることができる。
NDIR2aおよびTCD2のゼロ校正は、上記(c1−2)と同様、サンプルガス測定時において、サンプルガス中の各成分が各分析計に導入されるまでの出力をゼロとすることによって毎回の測定の基準として実質的にゼロ校正が行われることになる。また、本装置におけるNDIR2aおよびTCD2のスパン校正については、図2(D)に例示するように、各測定成分用のスパン校正用ガスをCALから導入することによって行うことができる。このとき、酸素成分のスパン校正用ガスについては特に制限はないが、窒素成分のスパン校正用ガスは、サンプルガスと同様Heをベースガスとすることが好ましく、水素成分のスパン校正用ガスは、キャリアガスと同様Heをベースガスとすることが好ましい。
1a 黒鉛ルツボ
2 熱伝導度検出式分析計(TCD)
2a 赤外線吸光式分析計(NDIR、CO分析計)
3 分解処理部
4 フィルタ
5 水素処理部
6a 二次処理部
6 炭素処理部
7 二酸化炭素処理部
8 水分処理部
9a,9b 切換弁
10 一次処理系
20 二次処理系
30 操作制御部
S 試料
Claims (4)
- 炭素系基材からなる試料容器に採取された水素を含む試料を、不活性ガス雰囲気で融解処理して得られたサンプルガスを測定することにより、該試料中の元素を測定対象とする元素分析方法であって、
前記融解処理によって得られたサンプルガス中の水素と前記炭素系基材との反応により発生する炭化水素を、加熱条件下にて白金炭素触媒で分解・処理することを特徴とする不活性ガス雰囲気で融解処理された試料中の元素分析方法。 - 測定対象元素の1つが窒素であり、前記炭化水素の主成分がメタンであるとき、前記白金炭素触媒の分解・処理温度を1000℃以上とすることを特徴とする請求項1記載の不活性ガス雰囲気で融解処理された試料中の元素分析方法。
- 炭素系基材からなる試料容器に採取された水素を含む試料を、不活性ガス雰囲気で融解処理して得られたサンプルガスを測定することにより、該試料中の元素を測定対象とする元素分析装置であって、
前記融解処理によって得られたサンプルガスに対して所定の二次処理を行うサンプルガス二次処理流路を設け、
該サンプルガス二次処理流路中に、前記融解処理によって得られたサンプルガス中の水素と前記炭素系基材との反応により発生する炭化水素を分解・処理するための白金炭素触媒を収容し加熱手段を有する分解処理部を配設することを特徴とする元素分析装置。 - 前記サンプルガス二次処理流路中に、有酸素酸化剤を収容する炭素処理部、二酸化炭素の除去処理を行う二酸化炭素処理部、水分の除去処理を行う水分処理部、のいずれかあるいはこれらのうちのいくつかを配設可能な構成とすることを特徴とする請求項3記載の不活性ガス雰囲気で融解処理された試料中の元素分析装置。
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