JP4615408B2 - マイクロ波基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第2の目的は、セラミックの混合比率が高くても、ポリマー化合物とセラミック顆粒とを均一に混合することのできるマイクロ波基板の製造方法を提供することにある。
上述した本発明の方法を基に複数の好適な実施形態を以下に示し、同時に従来の混練法と比較して本発明の実施方法を説明する。
所定量のテトラエチルオルソシリケートを適量のエタノール中に溶解し、硝酸を触媒にすることにより溶液のpH値を2へ調整して、ゾルゲル反応を触媒する。溶液中のテトラエチルオルソシリケートは室温で反応してゾルゲル溶液が形成され、ゾルゲル溶液中にポリテトラフルオロエチレンエマルジョンおよび脱イオン水が加えられて均一に混合され、ゾルゲル混合物が形成される。このゾルゲル混合物は70℃まで加熱され、この温度で6時間反応させる。上述した混合工程において、水とテトラエチルオルソシリケートとのモル比は1.1である。
第1実施形態のステップにおける水分およびアルコール類を取り除く圧力を50Mpaに変え、焼結温度を同様に300℃にすることにより本発明の第2実施形態のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は3.57である。
第1実施形態のステップにおける水分およびアルコール類を取り除く圧力を100Mpaに変え、焼結温度を同様に300℃にすることにより本発明の第3実施形態のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は3.21である。
第1実施形態のステップにおける水分およびアルコール類を取り除く圧力を30Mpaに変え、焼結温度を320℃に変えることにより本発明の第4実施形態のセラミック−ポリテトラフルオロエチレン複合基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は3.13である。
本発明の第5実施形態の基本ステップは第1実施形態と同じであるが、水分およびアルコール類を取り除く圧力を50Mpaに変え、焼結温度を320℃に変えてセラミック−ポリテトラフルオロエチレン複合基板を得る点が異なる。このマイクロ波基板の誘電率は3.07である。
本発明の第6実施形態の基本ステップは第1実施形態と同じであるが、水分およびアルコール類を取り除く圧力を100Mpaに変え、焼結温度を320℃に変えてセラミック−ポリテトラフルオロエチレン複合基板を得る点が異なる。このマイクロ波基板の誘電率は3.03である。
本発明の第7実施形態の基本ステップは第1実施形態と同じであるが、水分およびアルコール類を取り除く圧力を同様に30Mpaにし、焼結温度を340℃に変えてセラミック−ポリテトラフルオロエチレン複合基板を得る点が異なる。このマイクロ波基板の誘電率は2.64である。
本発明の第8実施形態の基本ステップは第1実施形態と同じであるが、水分およびアルコール類を取り除く圧力を50Mpaに変え、焼結温度を340℃に変えてセラミック−ポリテトラフルオロエチレン複合基板を得る点が異なる。このマイクロ波基板の誘電率は2.63である。
本発明の第9実施形態の基本ステップは第1実施形態と同じであるが、水分およびアルコール類を取り除く圧力を100Mpaに変え、焼結温度を340℃に変えてセラミック−ポリテトラフルオロエチレン複合基板を得る点が異なる。このマイクロ波基板の誘電率は2.57である。
本発明の第10実施形態の基本ステップは第1実施形態と同じであるが、水分およびアルコール類を取り除く圧力を同様に30Mpaにし、焼結温度を360℃に変えてセラミック−ポリテトラフルオロエチレン複合基板を得る点が異なる。このマイクロ波基板の誘電率は2.43である。
本発明の第11実施形態の基本ステップは第1実施形態と同じであるが、水分およびアルコール類を取り除く圧力を50Mpaに変え、焼結温度を360℃に変えてセラミック−ポリテトラフルオロエチレン複合基板を得る点が異なる。このマイクロ波基板の誘電率は2.42である。
本発明の第12実施形態の基本ステップは第1実施形態と同じであるが、水分およびアルコール類を取り除く圧力を100Mpaに変え、焼結温度を360℃に変えてセラミック−ポリテトラフルオロエチレン複合基板を得る点が異なる。このマイクロ波基板の誘電率は2.41である。
フェニルトリメトキシシラン(phenyltrimethoxysilane)をイソプロパノールおよび脱イオン水に混合して、フィニルトリメトキシシランを室温で6時間加水分解する。そして、粒径が約0.25μmのセラミック粉末(silica)を加水分解後のフェニルトリメトキシシラン溶液に浸し、120℃で10分間反応させる。続いて、105℃で真空によりセラミック粉末を24時間乾燥させてから、高速ミリング装置により上述の処理が行われたセラミック粉末を分散させ、規格が150のメッシュ(メッシュ径は104μmである)で篩分けすることにより、セラミック粉末を均一に分散し、塊状の顆粒が全くないことを確実にする。そして、処理されたセラミック粉末、ポリテトラフルオロエチレンエマルジョンおよびN−(β−アミノエチル)−γ−アミノトリメトキシプロピルエステル(N-(β-aminoethyl)-γ-aminotrimethoxypropylesterl)を、米国特許第4331580号明細書の方法を利用し、30Mpaの圧力と300℃の焼結温度下で、従来の第1比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を製造する。このマイクロ波基板の誘電率は2.89である。
第1比較例の方法における圧力を50Mpaに変え、焼結温度を300℃にすることにより第2比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.74である。
第1比較例の方法における圧力を100Mpaに変え、焼結温度を同様に300℃にすることにより第3比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.61である。
第1比較例の方法における圧力を30Mpaにして、焼結温度を320℃に変えることにより第4比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.63である。
第1比較例の方法における圧力を50Mpaに変え、焼結温度を320℃に変えることにより第4比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.52である。
第1比較例の方法における圧力を100Mpaに変え、焼結温度を320℃に変えることにより第6比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.47である。
第1比較例の方法における圧力を30Mpaにして、焼結温度を340℃に変えることにより第7比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.48である。
第1比較例の方法における圧力を50Mpaに変え、焼結温度を340℃に変えることにより第8比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.45である。
第1比較例の方法における圧力を100Mpaに変え、焼結温度を340℃に変えることにより第9比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.37である。
第1比較例の方法における圧力を30Mpaにして、焼結温度を360℃に変えることにより第10比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.35である。
第1比較例の方法における圧力を50Mpaに変え、焼結温度を360℃に変えることにより第11比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.35である。
第1比較例の方法における圧力を100Mpaに変え、焼結温度を360℃に変えることにより第12比較例のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板を得ることができる。このマイクロ波基板の誘電率は2.33である。
本実施形態が提供する方法の技術効果をさらに説明するため、以下では従来の混練法の比較実施例と本実施形態による製品の誘電性質を比較する。
温度が360℃、圧力が100Mpaという同様の製造条件における比較例のマイクロ波基板と好適な実施形態であるマイクロ波基板との断面を走査電子顕微鏡で観察する。図2Aおよび図2Bについて説明する。図2Aは、従来のセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板の断面を示す写真であり、図2Bは、本実施形態により製造されたセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板の断面を示す写真である。従来の方法と比べた場合、図2Bに示されるマイクロ波基板中のセラミック顆粒は小さく、ポリテトラフルオロエチレン中へ均一に分散されている。図2Aに示されるセラミック顆粒は、使用されるセラミック粉末の粒径により決定され、セラミックの重量%が60%に達すると、ポリテトラフルオロエチレン中のセラミック顆粒の分布は非常に不均一となる。そのため、もしセラミック粉末の使用比率をさらに高める場合、従来の混練法ではセラミック粉末を分散させる能力が失われ、性質が均一なマイクロ波基板を得ることができず、マイクロ波基板のそれぞれの塊領域の誘電率が異なるようになる。しかし、本実施形態により製造されたセラミック−ポリテトラフルオロエチレンマイクロ波基板は上述の欠点を解決することができる。
Claims (3)
- アルコキシシラン、水、触媒、アルコール類およびポリマー化合物を混合してゾルゲル混合物を形成する工程と、
20Mpa以上150Mpa以下の圧力を利用して前記ゾルゲル混合物から前記水および前記アルコール類を取り除く工程と、
前記水および前記アルコール類が取り除かれた後の前記ゾルゲル混合物を250℃以上450℃以下で焼結してマイクロ波基板を形成する工程とを含むことを特徴とするマイクロ波基板の製造方法。 - 前記ゾルゲル混合物は酸性であり、前記水と前記アルコキシシランとのモル比は1〜1.3の間であることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波基板の製造方法。
- 前記アルコキシシランはテトラエチルオルソシリケート(TEOS)またはテトラメチルオルソシリケート(TMOS)であり、前記触媒は酸触媒であり、前記酸触媒は、燐酸、硝酸または酢酸からなるグループから選択し、前記アルコール類は、メタノール、エタノール、プロピルアルコールまたはイソプロパノールであり、前記ポリマー化合物はポリテトラフルオロエチレンを少なくとも含むことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波基板の製造方法。
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