JP4614272B2 - 新規チオフェン誘導体及びそれを用いたトランジスタ素子 - Google Patents
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上記トランジスタ素子としては、図1に示すような電界効果型トランジスタ(FET)の基本構造を有する素子をあげることができる。
(製造例1)[(E,E)−2,5−ビス[4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)フェニル−1−エチニル]チオフェンの製造]
上記式(1)にかかる化合物において、R1=R2=n−ヘキシル基、Ar1=Ar2=ベンゼン環の化合物である、(E,E)−2,5−ビス[4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)フェニル−1−エチニル]チオフェンを製造した。
上記反応式<1>に記載の反応にしたがって、4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)ベンズアルデヒドを製造した。
まず、アルゴン雰囲気下、2−ヘキシルチオフェン1.0ml(935mg,5.6mmol)をテトラヒドロフラン10mlに溶解した溶液を−40℃に冷却し、この溶液にn−BuLiのヘキサン溶液(1.56M,3.8mL,5.9mmol)を滴下し、−40℃で1時間撹拌した後、反応液を0℃まで徐々に昇温させた。この反応溶液に塩化トリブチルスズをゆっくり滴下し、反応液を0℃から室温まで徐々に昇温させ、12時間撹拌した。反応終了後、反応溶液に水および酢酸エチルで希釈した後、フロリジールを通した。ろ液は酢酸エチルで抽出し、有機層を合わせ、水および飽和食塩水で順次洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去し、溶媒を減圧下に留去した後、得られた粗生成物を減圧蒸留により精製し、5−ヘキシル−2−トリブチルスタニルチオフェン2.11g(4.60mmol,83%)を得た。この化合物は、Massおよび1H−NMRスペクトルにより上記化合物であることを確認した。
・Pale yellow oil:235−240℃/2.5mmHg
・MS(EI):m/z 458(M++1).
・1H−NMR(CDCl3,200MHz):0.90(t,J=7.2Hz,9H),1.07(t,J=7.6Hz,3H),1.24−1.44(m,16H),1.50−1.76(m,8H),2.86(t,J=7.6Hz,2H),6.90(d,J=3.0Hz,1H),6.99(d,J=3.0Hz,1H).
・Pale yellow needles:
・FABMS(EI):m/z 273(M++1).
・1H−NMR(CDCl3,200MHz):0.90(t,J=6.5Hz,3H),1.23−1.43(m,6H),1.58−1.78(m,2H),2.84(t,J=7.6Hz,2H),6.80(d,J=3.8Hz,1H),7.29(d,J=3.8Hz,1H),7.70(d,J=8.4Hz,2H),7.86(d,J=8.4Hz,2H),9.98(s,1H).
次に、上記反応式<2>に記載の反応にしたがって、(E,E)−2,5−ビス[4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)フェニル−1−エテニル]チオフェンを製造した。
[製造例1−1]
アルゴン雰囲気下、t−ブトキシカリウム209mg(1.86mmol)をテトラヒドロフラン15mLに溶解させた溶液を室温で撹拌した。この溶液に2,5−ビス(ジエトキシホスホリルメチル)チオフェン346mg(0.90mmol)および4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)ベンズアルデヒド400mg(1.47mmol)をテトラヒドロフラン15mLに溶解させた溶液を室温で1時間かけてゆっくり滴下し、1時間撹拌した後、50℃で22時間加熱撹拌した。反応終了後、減圧下室温で溶媒を留去し、得られた褐色固体にメタノール10mLを加え、しばらく撹拌し、ろ過した。得られた粗生成物をヘキサンで洗浄し、目的の(E,E)−2,5−ビス[4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)フェニル−1−エテニル]チオフェン393mg(0.63mmol,86%)を得た。この化合物は、Massおよび1H−NMRスペクトルにより上記化合物であることを確認した。
・yellow solid
・FABMS(EI):m/z 620(M+−1).
・1H−NMR(CDCl3,400 MHz):0.90(t,J=6.4Hz,6H),1.45−1.80(m,12H),1.70(m,4H),2.82(t,J=7.6Hz,4H),6.75(d,J=3.4Hz,2H),6.89(d,J=16.0Hz,2H),6.96(s,2H),7.15(d,J=3.4Hz,2H),7.19(d,J=16.0Hz,2H),7.44(d,J=8.0Hz,4H),7.54(d,J=8.0Hz,4H).
アルゴン雰囲気下、n−BuLiのヘキサン溶液(1.60M,0.33mL,0.53mmol)をテトラヒドロフラン8mLに溶解させた溶液を−78℃で撹拌した。この溶液に2,5−ビス(ジエトキシホスホリルメチル)チオフェン116mg(0.26mmol)および4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)ベンズアルデヒド142mg(0.52mmol)をテトラヒドロフラン7mLに溶解させた溶液を、−78℃で1時間かけてゆっくり滴下し、−78℃で1時間撹拌した後、反応液を0℃まで徐々に昇温させ、0℃で12時間撹拌した。反応終了後、減圧下室温で溶媒を留去し、得られた褐色固体にメタノール10mLを加え、しばらく撹拌し、ろ過した。得られた粗生成物をヘキサンで洗浄し、目的の(E,E)−2,5−ビス[4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)フェニル−1−エテニル]チオフェン161mg(0.26mmol,52%)を得た。この化合物は、Massおよび1H−NMRスペクトルにより上記化合物であることを確認した。
上記式(1)にかかる化合物において、R1=R2=n−ヘキシル基、Ar1=Ar2=ナフタレン環の化合物である、(E,E)−2,5−ビス[4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)ナフチル−2−エチニル]チオフェンを製造した。
・Cholorless needles
・FAB−MS:m/z 235(M+).
・1H−NMR(CDCl3,200MHz):7.67(dd,J=1.9 and 8.6Hz,1H),7.86(d,J=8.6Hz,1H),7.88(d,J=8.6Hz,1H),7.99(dd,J=1.9 and 8.6Hz,1H),8.09(s,1H),8.32(s,1H),10.16(s,1H).
・Pale yellow needles
・FAB−MS:m/z 322(M+).
・1H−NMR(CDCl3,200MHz):0.91(t,J=6.5Hz,3H),1.26−1.50(m,6H),1.65−1.82(m,2H),2.86(t,J=7.5Hz,2H),6.82(d,J=3.7Hz,1H),7.33(d,J=3.7Hz,1H),7.76−8.00(m,4H),8.01(s,1H),8.28(s,1H),10.13(s,1H).
・Pale brownish solid
・FAB−MS:m/z 720(M+).
・1H−NMR(CDCl3,400MHz):0.91(t,J=8.8Hz,6H),1.35−1.50(m,12H),1.67−1.78(m,4H),2.85(t,J=7.6Hz,4H),6.79(d,J=3.2Hz,2H),7.02(s,2H),7.08(d,J=16.0Hz,2H),7.23(m,2H),7.33(d,J=16.0Hz,2H),7.66−7.85(m,8H),7.79(s,2H),7.94(s,2H).
上記式(1)にかかる化合物において、R1=R2=n−ヘキシル基、Ar1=Ar2=アントラセン環の化合物である、(E,E)−2,5−ビス[4−(5−ヘキシルチオフェン−2−イル)フェニル−1−エチニル]チオフェンを製造した。
・yellow needles
・FAB−MS:m/z 285(M+).
・1H−NMR(CDCl3,200MHz):7.62−7.76(m,4H),8.64−8.72(m,2H),8.86−8.94(m,2H),11.50(s,1H).
・yellow needles
・FAB−MS m/z372(M+).
・1H−NMR(CDCl3,200MHz):0.93(t,J=6.9Hz,3H),1.32−1.52(m,6H),1.73−1.89(m,2H),2.96(t,J=7.5Hz,2H),6.95−7.00(m,2H),7.44−7.53(m,2H),7.62−7.72(m,2H),8.01(d,J=8.8Hz,2H),8.95(d,J=8.8Hz,2H),11.57(s,1H).
・Pale yellow solid
・FAB−MS:m/z 820(M+).
・1H−NMR(CDCl3,400MHz):0.94(t,J=6.8Hz,6H),1.35−1.41(m,8H),1.45−1.52(m,4H),1.78−1.86(m,4H),2.96(t,J=7.8Hz,4H),6.96−7.00(m,4H),7.12(d,J=3.6Hz,2H),7.14(d,J=16.0Hz,2H),7.43−7.48(m,4H),7.49−7.54(m,4H),7.89(d,J=16.0Hz,2H),7.97(d,J=8.8Hz,4H),8.44(d,J=8.8Hz,4H).
次に、下記の条件の下、図1及び図2に示すトランジスタ素子を製造した。
・ソース電極2及びドレイン電極3は、それぞれ20本の櫛歯からなる櫛歯形状部を有する電極(Cr/Au、厚さ40nm)を形成し、図2に示すように、それぞれの櫛歯形状部が交互に配されるように、絶縁膜5の上に配置した。このとき、絶縁膜5と両電極との間に、接着層としてクロムからなる層(1nm)を設けた。また、このときのチャネル部(それぞれの櫛歯形状部間)の幅を10μm又は3μm、長さを4mmとした。
・絶縁膜5は、シリコン基板を熱酸化し緻密なシリコン酸化膜を300nm形成させた。
2 ソース電極
2a 櫛歯形状部
3 ドレイン電極
3a 櫛歯形状部
4 ゲート電極
5 絶縁膜
10 トランジスタ素子
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