JP4604085B2 - 回路装置 - Google Patents

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Description

本発明は、
‐供給電圧源の極に接続する入力端子と、
‐第1ダイオードによって分路される第1スイッチング素子と、第2ダイオードによって分路される第2スイッチング素子とを具え、前記入力端子に接続する第1の直列回路と、
‐第3ダイオードによって分路される第3スイッチング素子と、第4ダイオードによって分路される第4スイッチング素子とを具え、前記入力端子に接続する第2の直列回路と、
‐インダクタL1と、ランプ接続用の端子と、インダクタL2との直列回路を具え、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子との接続点を第3スイッチング素子と第4スイッチング素子との接続点に接続する負荷回路と、
‐前記それぞれのスイッチング素子の制御電極に結合されて、前記回路装置を、第4スイッチング素子は導通状態に維持されるも、第1スイッチング素子は高周波で交互に導通及び非導通状態にされる第1の動作状態に制御し、かつ第3スイッチング素子は導通状態に維持されるも、第2スイッチング素子は高周波で交互に導通及び非導通状態にされる第2の動作状態に制御し、さらに、第1と第2の動作状態の間で前記回路装置の動作状態を低周波で交代させる回路を具えている制御回路と、
‐第1端部が、前記負荷回路におけるインダクタL1とランプ接続用の端子接続点に結合されたキャパシタC1と、
を具えている、ランプ点灯用の回路装置に関する。
このような回路装置は、より詳細にはHIDランプ点灯用の回路として、米国特許明細書US6,426,597B2から既知である。この特許文献のキャパシタC1は、ランプ接続端子およびインダクタL2を具える直列回路を分路している。ランプが点弧した後、制御回路は、回路装置を低周波数で交互に第1の動作状態および第2の動作状態に制御する。第1の動作状態では、第1スイッチング素子が、第2ダイオード、インダクタL1およびキャパシタC1と相俟って、「ダウンコンバータ」タイプの第1DC−DCコンバータを形成している。この第1の動作状態の期間中は、第1DC−DCコンバータは、ランプを流れる第1極性方向のDC電流を発生させる。動作中、小さな振幅を有すると共に第1スイッチング素子が制御される周波数に等しい周波数を有するAC電流は、DC電流に重畳される。第2の動作状態では、第2スイッチング素子が、第1ダイオード、インダクタL1およびキャパシタC1と相俟って、「ダウンコンバータ」タイプの第2DC−DCコンバータを形成している。この第2の動作状態の期間中は、第2DC−DCコンバータは、ランプを経て流れる第2極性方向のDC電流を発生させる。ここでも、小さな振幅を有すると共に第2スイッチング素子が動作される周波数に等しい周波数を有する高周波AC電流は、DC電流に重畳される。したがって、ランプ電流は、低周波で矩形波状のAC電流になる。この既知の回路装置は、素子数を低減させかつ開路電圧を高くするというような重要な利点を提供している。
しかしながら、この既知の回路装置は、いくつかの不都合な点も有している。不都合な点の1つは、回路装置の動作状態が変化する時に、キャパシタC1間の電圧の極性もまた変化して、非常に高い電流がコンポーネントに流れることにある。さらに、この回路装置がそれにランプを接続せずに動作するか、またはそれにランプを接続しているが、故障のため、またはランプがまだ安定な動作状態に達してなかったので放電が一時的に消失するためにランプに電流が流れないで動作する場合に、第3または第4スイッチング素子が導通する時に、キャパシタC1間の電圧が、第1スイッチング素子または第2スイッチング素子または他のコンポーネントを流れる高いピーク電流を発生する。これらの高いピーク電流は第1および/または第2スイッチング素子を破損し得るため、このような電圧が生じるのを避けるためには回路装置に追加の手段を搭載する必要があり、したがって回路装置を複雑で高価なものにしてしまう。
本発明の目的は、回路装置を構成するコンポーネントに高いピーク電流を発生させない、比較的簡単で堅牢な回路装置を供給することにある。
この目的のために、本発明による第1節で述べたような回路装置は、前記キャパシタの第2端部が入力端子に結合され、前記制御回路が、第1及び第3スイッチング素子の少なくとも1つは、前記第1及び第2の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、高周波で交互に導通及び非導通状態にされるように第1及び第3スイッチング素子を動作させる第3の動作状態に前記回路装置を制御し、かつ第2及び第4スイッチング素子の少なくとも1つは、前記第2及び第1の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、高周波で交互に導通及び非導通状態にされるように第2及び第4スイッチング素子を動作させる第4の動作状態に前記回路装置を制御する回路を具えるようにしたことを特徴とする。
本発明の回路装置では、回路装置の動作状態が変化する時に、さらには回路装置がランプなしで作動したり、またはランプに電流を流さない場合であっても、ピーク電流を大幅に回避できる。第1および第2の動作状態の双方にてキャパシタC1間の電圧の極性は同じであるが、キャパシタC1間の電圧は、第2の動作状態においては第1の動作状態とは異なる値になる。制御回路が、回路装置の動作状態を第1の動作状態から第2の動作状態に直接変更する場合には、ピーク電流は、供給電圧源から第3スイッチング素子、インダクタL2、およびキャパシタC1を流れるようになる。このピーク電流は、第3スイッチング素子および他の回路コンポーネントまたはランプを破損し得る。しかしながら、本発明の回路装置では、例えば回路装置が第1の動作状態に制御される期間の終了時に、制御回路は、第1スイッチング素子および第3スイッチング素子のうち少なくとも1つを高周波で交互に導通および非導通状態にする第3の動作状態に回路装置を制御する。
第3の動作状態の期間中に第1スイッチング素子のみを高周波で動作する場合には、第3スイッチング素子は非導通状態に維持され、かつ第1スイッチング素子、第2ダイオードおよびインダクタL1は共にダウンコンバータを形成する。供給電圧源から(交互に)第1スイッチング素子および第2ダイオード、インダクタL1およびキャパシタC1を流れる電流の振幅は、第1スイッチング素子を制御する制御回路によって生じる制御信号のデューティサイクルおよび周波数によって制御される。制御信号の周波数およびデューティサイクルは、電流の振幅が回路コンポーネントの損傷を防止するのに十分低い値に制限されるように選定する。
第3の動作状態の期間中に第3スイッチング素子のみを高周波で動作する場合には、第1スイッチング素子は非導通状態に維持され、かつ第3スイッチング素子、第4ダイオードおよびインダクタL2は共にダウンコンバータを形成する。供給電圧源から(交互に)第3スイッチング素子および第4ダイオード、インダクタL2、ランプLaおよびキャパシタC1を流れる電流の振幅は、第3スイッチング素子を制御する制御回路によって生じる制御信号のデューティサイクルおよび周波数によって制御される。制御信号の周波数およびデューティサイクルは、電流の振幅が回路コンポーネントの損傷を防止するのに十分低い値に制限されるようにすると共に、ランプを流れるピーク電流の発生が回避されるように選定する。
第3の動作状態の期間中第1スイッチング素子および第3スイッチング素子の双方を高周波で動作させる場合には、2つの電流経路を同時に使用するため、第3の動作状態をより短くすることができる。
回路装置が第3の動作状態に制御される時間間隔は、キャパシタC1が供給電圧源によって十分充電されて、第3スイッチング素子が絶えず導通する第2の動作状態にて電流ピークが発生しないように選定する。これは、所定の時間間隔の期間中に回路装置を第3の動作状態に維持することによって実現することができる。あるいは、キャパシタC1間の電圧またはC1を充電する電流の振幅を測定することができ、それぞれキャパシタC1間の電圧が基準値を超える時、またはキャパシタC1を充電する電流の振幅が基準値以下に下降する時には、第3の動作状態を終了させることができる。回路装置が第3の動作状態になっている時間間隔の終了時に、制御回路は、回路装置の動作状態を第2の動作状態に変更する。同様に、回路装置が第2の動作状態に制御される時間間隔の終了時に、制御回路は、第2スイッチング素子または第4スイッチング素子またはこれらの各スイッチング素子を高周波で交互に導通および非導通状態にする第4の動作状態に回路装置を制御する。
第4の動作状態の期間中に第2スイッチング素子のみを高周波で動作する場合には、第4スイッチング素子は非導通状態に維持され、かつ第2スイッチング素子、第1ダイオードおよびインダクタL1は共にダウンコンバータを形成する。キャパシタC1からインダクタL1および(交互に)第2スイッチング素子および第1ダイオードを流れる電流の振幅は、第2スイッチング素子を制御する制御回路によって生じる制御信号のデューティサイクルおよび周波数によって制御される。制御信号の周波数およびデューティサイクルは、電流の振幅が回路コンポーネントの損傷を防止するのに十分低い値に制限されるように選定する。
第4の動作状態の期間中に第4スイッチング素子のみを高周波で動作する場合には、第2スイッチング素子は非導通状態に維持され、かつ第4スイッチング素子、第3ダイオードおよびインダクタL2は共にダウンコンバータを形成する。キャパシタC1からランプ、インダクタL2および(交互に)第4スイッチング素子および第3ダイオードを流れる電流の振幅は、第3スイッチング素子を制御する制御回路によって生じる制御信号のデューティサイクルおよび周波数によって制御される。制御信号の周波数およびデューティサイクルは、電流の振幅が回路コンポーネントの損傷を防止するのに十分低い値に制限されるようにすると共に、ランプを流れるピーク電流の発生が回避されるように選定する。
第4の動作状態の期間中第2スイッチング素子および第4スイッチング素子の双方を高周波で動作させる場合には、2つの電流経路を同時に使用するため、第4の動作状態をより短くすることができる。
第3の動作状態と同様に、回路装置が第4の動作状態に制御される時間間隔は、キャパシタC1が十分に放電されて、第4スイッチング素子が絶えず導通する第1の動作状態にて電流ピークが発生しないように選定する。回路装置が第4の動作状態に制御される時間間隔は、上述した、回路装置が第3の動作状態にて動作される期間を制御するのと同様な方法で制御することができる。この時間間隔の終了時に、制御回路は、回路装置の動作状態を第1の動作状態に変更する。
米国特許明細書第6,426,597B2号に開示される回路装置は、インダクタL2と共に第4スイッチング素子を分路する直列回路の一部をなすキャパシタC2を有している。ランプの点弧は、インダクタL2およびキャパシタC2の共振周波数に近い周波数で第3および第4スイッチング素子を交互に導通および非導通状態にすることで実現できる。あるいは、第3および第4スイッチング素子を動作させる周波数を、インダクタL2およびキャパシタC2の共振周波数に近い周波数に下げることができる。
しかしながら、ランプの点弧の瞬間、C2間の電圧は、ランプ、C1および第3または第4スイッチング素子を流れる高いピーク電流を発生させる。このピーク電流によるコンポーネントの破損を防止するためには、電流経路に追加するインダクタのような特別な予防措置を講じなければならない。さらに、キャパシタC2は、定常動作の期間中にランプ電流の電流ピークが生じさせるため、この期間中は追加のスイッチング素子によってキャパシタC2を使用不能にしなければならない。
本発明による回路装置によって作動されるランプは、ランプがキャパシタC2によって分路される場合に有効に点弧することを確かめた。第3および第4スイッチング素子を、インダクタL2およびキャパシタC2の共振周波数に近い周波数で交互に導通および非導通状態にすることによって、または周波数掃引によって、ランプを有効に点弧させることができる。さらに、点弧の期間中発生するピーク電流はランプのみを流れるため、回路装置のコンポーネントに損傷を与えない。しかしながら、キャパシタC2を、入力端子と、ランプ接続用端子およびインダクタL2間の端子との間に結合する場合にもランプの有効な点弧を実現できる。キャパシタC2を後者の位置に配置する場合にも、第3および第4スイッチング素子をインダクタL2およびキャパシタC2の共振周波数に近い周波数で交互に導通および非導通状態にすることによって、または周波数掃引によって、点弧を実現できる。点弧期間中に発生するピーク電流は、キャパシタC2からランプを経て、およびキャパシタC1を経てキャパシタC2に戻って流れるため、ピーク電流がスイッチング素子に損傷を与えない。キャパシタC2がこの後者の位置にある場合は、キャパシタC2は、高周波コンポーネントをランプ電流からフィルタする役割も果たし、したがってランプの安定した動作に寄与する。
好適な実施例では、制御回路はさらに、第1の動作状態の終了時に第1スイッチング素子のデューティサイクルを増やす回路、および第2の動作状態の終了時に第2スイッチング素子のデューティサイクルを増やす回路を具えている。第1の動作状態にて第1スイッチング素子のデューティサイクルを増やすことは、制御回路が発生する制御信号の各高周波期間にて第1スイッチング素子を導通状態に維持する時間の経過を増やすと共に第1スイッチング素子を制御することを意味する。このようにデューティサイクルが増大するため、キャパシタC1間の電圧は高くなる。その結果、第3の動作状態の期間中に供給電圧源からキャパシタC1に流す必要のある電流はより少なくて済むので、第3の動作状態の時間を短くすることができる。第3の動作状態の期間中はハードスイッチングが生じ得るので、回路装置を第3の動作状態にする期間は比較的短くするのが好適である。同様に、第2の動作状態終了時に第2スイッチング素子のデューティサイクルを増大させることにより、キャパシタC1間の電圧は減少する。その結果、第4の動作状態の期間中にキャパシタC1から流す必要のある電流はより少なくて済むので、第4の動作状態の時間を短くすることができる。第3の動作状態の期間中にもハードスイッチングが生じ得る。したがって、回路装置が第4の動作状態にある期間も比較的短くするのが好適である。
前の段落で概説したのと同じ理由から、制御回路が、第1および第2の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、第4スイッチング素子を高周波で交互に導通および非導通状態にさせる第5の動作状態に回路装置を制御し、かつ第2および第4の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、第3スイッチング素子を高周波で交互に導通および非導通状態にさせる第6の動作状態に回路装置を制御する回路を具えるようにする際には有利である。回路装置の動作状態を第1から第3の動作状態に直接変化させる場合には、インダクタL1およびL2が存在するため、負荷回路を流れる電流はその方向を即座に変更することはない。第3の動作状態の期間中第4スイッチング素子は非導通状態であるので、負荷回路を流れる電流によって、第3の動作状態の最初の期間中ダイオードD3に電流ピークが生じる。しかしながら、第1および第3の動作状態間に第5の動作状態を挿入する場合には、この第5の動作状態の期間中に第4スイッチング素子を高周波で切替えることによって、負荷回路を流れる電流は徐々に減少し、第3ダイオードを流れる電流ピークの発生は防止される。同時に、第5の動作状態の期間中に、すでにキャパシタC1間の電圧をある程度増大させるため、キャパシタC1がさらに充電される第3の動作状態を比較的短くすることができる。第5および第3の動作状態の期間中、キャパシタC1は、第2の動作状態の期間中キャパシタC1間に存在する電圧まで徐々に充電される。キャパシタC1の充電は、振幅が徐々に変化している電流によって生じるので、ランプを流れる電流のピークも防止されるため、ランプ寿命は比較的長くなる一方で、ランプの動作によって生じるEMIの量は比較的少なくなる。
同様に、キャパシタC1は、第6および第4の動作状態の期間中、振幅が徐々に変化している電流によって放電される。その結果、ランプ寿命は比較的長くなる一方で、ランプの動作によって生じるEMIの量は比較的少なくなる。
第5の動作状態の期間中第1スイッチング素子を導通状態に維持し、かつ第6の動作状態の期間中第2スイッチング素子を導通状態に維持することが可能である。あるいは、第5の動作状態の期間中に高周波で第1スイッチング素子を交互に導通および非導通状態にし、かつ第6の動作状態の期間中に高周波で第2スイッチング素子を交互に導通および非導通状態にすることも可能である。制御回路は、第5の動作状態の期間中第1スイッチング素子のデューティサイクルを増やし、かつ第6の動作状態の期間中第2スイッチング素子のデューティサイクルを増大やす回路を具えるようにするのが好適である。同様に、制御回路は、第5の動作状態の期間中第4スイッチング素子のデューティサイクルを減らし、かつ第6の動作状態の期間中第3スイッチング素子のデューティサイクルを減らす回路を装備するようにするのが好適である。第5の動作状態の期間中、第1スイッチング素子のデューティサイクルを増やすことおよび第4スイッチング素子のデューティサイクルを減らすことは双方とも、キャパシタC1を充電する電流が徐々にしか変化しないようにするのに寄与するので、ランプ電流には電流ピークが発生しない。第6の動作状態の期間中、第2スイッチング素子のデューティサイクルを増やし、かつ第3スイッチング素子のデューティサイクルを減らす場合にも同じことが当てはまる。
同様に、第3の動作状態の期間中高周波で作動するスイッチング素子の各々のデューティサイクルを増やし、かつ第4の動作状態の期間中高周波で作動するスイッチング素子の各々のデューティサイクルを増やすようにするのが好適である。このようにデューティサイクルを増大させることで、ランプ電流のピークが生じないようにしつつ、ランプを流れる電流が徐々に変化するようになる。
これまでに述べた種々の動作状態にある、本発明による回路装置の機能の記載においては、高周波で動作するスイッチング素子を非導通状態にする時には、このスイッチング素子と直列に位置付けたダイオードは導通状態になる。しかしながら、このダイオードと並列にしたスイッチング素子を導通状態にして、この後者のスイッチング素子に電流を流し、分散する電力を少なくすることも可能である。ダイオードの回復消失も低減する。後者のスイッチング素子は、ダイオードと直列のスイッチング素子がもう一度導通状態になる前に再び非導通状態にしなくてはならない。
なお、スイッチング素子およびこれと並列のダイオードは、例えば(MOS)FETの場合のように単一のコンポーネントに一体化することできる。
さらに、少なくとも1つのスイッチング素子を各動作状態に制御する高周波は、全ての動作状態にて同じにする必要はなく、異なる動作状態については異なるものとすることもできる。
以下、本発明の実施例を、図面を参照して更に説明する。
図1において、K1およびK2は、供給電圧源の極に接続するための入力端子である。図1に示した実施例の場合に、供給電圧源はDC電圧を供給する。入力端子K1およびK2は、第1ダイオードD1によって分路される第1スイッチング素子S1と、第2ダイオードD2によって分路される第2スイッチング素子S2との第1直列回路によって接続される。入力端子K1およびK2は、第3ダイオードD3によって分路される第3スイッチング素子S3と、第4ダイオードD4によって分路される第4スイッチング素子S4との第2直列回路によっても接続される。第1と第2のスイッチング素子間の端子は、インダクタL1と、ランプ接続用の端子K3およびK4と、インダクタL2との直列回路によって、第3と第4のスイッチング素子間の端子に接続される。ランプLaは、ランプ接続端子に接続される。インダクタL1およびL2は、ランプ接続端子K3,K4およびランプLaと相俟って負荷回路を形成する。制御回路CONTROLは、スイッチング素子の制御電極に結合される。この結合を点線によって図1に示す。制御回路CONTROLは、第1スイッチング素子が高周波で交互に導通および非導通状態に切替えられる期間中、第4スイッチング素子を導通状態に維持する第1の動作状態に回路装置を制御し、かつ第2スイッチング素子が高周波で交互に導通および非導通状態に切替えられる期間中、第3スイッチング素子を導通状態に維持する第2の動作状態に回路装置を制御し、さらに、第1および第2の動作状態間では回路装置の動作状態を低周波で交替させる回路を具えている。キャパシタC1は、ランプ接続端子と、ランプLaと、インダクタL2との直列回路を分路する。キャパシタC2は、ランプ接続端子K4を入力端子K2に接続する。
図1に示した実施例の動作は次のとおりである。
入力端子K1およびK2を供給電圧源に接続すると、ランプが先ず点弧される。この点弧段階では、制御回路CONTROLが、第3スイッチング素子S3および第4スイッチング素子S4を、インダクタL2とキャパシタC2との共振周波数に近い周波数で交互に導通および非導通状態にする。ランプLaが点弧すると、C2間の電圧は、ランプ、C1、および第3または第4スイッチング素子の一方を流れる高いピーク電流を発生する。このピーク電流によるコンポーネントの損傷を防ぐためには、電流経路に追加のインダクタ(図1に図示せず)を設けるような特別な予防措置を講じなければならない。
ランプの点弧の後、制御回路CONTROLは、回路装置を第1および第2の動作状態に交互に制御する。第1の動作状態では、第1スイッチング素子が高周波で交互に導通および非導通状態になる間に、第4スイッチング素子は導通状態に維持される。
第1の動作状態では、第1スイッチング素子が、第2ダイオードD2、インダクタL1およびキャパシタC1と相俟って、「ダウンコンバータ」タイプの第1のDC−DCコンバータを形成する。この第1の動作状態の期間中に、第1のDC−DCコンバータは、ランプLaを経て流れる第1極性方向を有するDC電流を発生する。第2の動作状態の期間中には、第2スイッチング素子が高周波で交互に導通および非導通状態になる間に、第3スイッチング素子は導通状態に維持される。この第2の動作状態では、第2スイッチング素子が、第1ダイオード、インダクタL1およびキャパシタC1と相俟って、「ダウンコンバータ」タイプの第2のDC−DCコンバータを形成する。この第2の動作状態の期間中に、第2のDC−DCコンバータは、ランプLaを経て流れる第2極性方向を有するDC電流を発生する。制御回路は、回路装置の動作状態を低周波数で第1と第2の動作状態との間で交代させる。したがって、ランプ電流は、低周波の矩形波状のAC電流となる。適切に機能するランプがランプ接続端子K3およびK4に接続されている限り、図1に示した実施例の回路はランプを有効に点灯させる。しかしながら、この回路装置が、それにランプを接続せずに動作するか、またはそれにランプを接続しているが、故障のため、またはランプがまだ安定な動作状態に達しなかったので放電が一時的に消失するためにランプに電流が流れないで動作する場合に、第3または第4スイッチング素子が導通する時に、キャパシタC1間の電圧が、第1スイッチング素子または第2スイッチング素子を流れる高いピーク電流を発生する。これらの高いピーク電流は第1および/または第2スイッチング素子を破損し得る。
図2では、類似のコンポーネントおよび回路部品に同じ参照符号を付してある。図1に示した従来の実施例と図2に図示した実施例との違いは、キャパシタC1が、ランプ接続端子K3とインダクタL1との間の端子を入力端子K2に接続していることにある。さらに、制御回路が図2に示す実施例の回路装置を制御する動作状態の周期的なシーケンスが、図1の実施例のものとは異なっている。もっと具体的に云うと、この場合の制御回路は、第1および第2の動作状態に続く後続の動作期間に、第1スイッチング素子か、第3スイッチング素子、またはこれら双方を高周波で交互に導通および非導通状態にする第3の動作状態に回路装置を制御し、かつ第1および第2の動作状態に続く後続の動作期間に、第2スイッチング素子か、第4スイッチング素子、またはこれら双方を高周波で交互に導通および非導通状態にする第4の動作状態に回路装置を制御するための回路を具えている。
なおここで、キャパシタC1およびC2の一端を入力端子K2の代わりに入力端子K1に接続する場合には、図2に示したものと等価な回路装置を得ることができる。キャパシタC1を、入力端子K1を入力端子K2に接続する2つのキャパシタの直列回路によって置き換え、同時にこれら2つのキャパシタの共通の端子をインダクタL1とランプ接続端子K3との間の端子に接続する場合にも、他の等価回路装置を得ることができる。キャパシタC2を、入力端子K1を入力端子K2に接続する2つのキャパシタの直列回路によって置き換え、同時にこれら2つのキャパシタの共通の端子をインダクタL2とランプ接続端子K4との間の端子に接続する場合にも、同様に等価回路装置を得ることができる。
図2に示した実施例の動作は次のとおりである。
入力端子K1およびK2を供給電圧源に接続すると、ランプが先ず点弧される。この点弧段階では、制御回路CONTROLが、第3スイッチング素子S3および第4スイッチング素子S4を、インダクタL2およびキャパシタC2の共振周波数に近い周波数で交互に導通および非導通状態にする。図2に示した実施例では、キャパシタC2を放電することによって生じるピーク電流が主としてランプLaおよびキャパシタC1を経て流れるため、回路装置に対する損傷は防止される。
ランプLaが点弧した後、制御回路CONTROLは、回路装置を周期的な動作状態のシーケンスにて制御する。各動作シーケンスの期間中、回路装置は、第1の動作状態、第3の動作状態、第2の動作状態、および第4の動作状態に順次制御される。第1および第2の動作状態における回路装置の動作は、主として図1に示した実施例の第1および第2の動作状態における動作に似ている。
回路装置が第1の動作状態にて制御されている時間間隔の終了時に、制御回路は、第3スイッチング素子を高周波で交互に導通および非導通状態にすると共に、他の全てのスイッチング素子を非導通状態に維持する第3の動作状態に回路装置を制御する。変形例として、第1スイッチング素子を高周波で交互に導通および非導通状態にすると共に、他の全てのスイッチング素子を非導通状態に維持するようにすることもできる。更なる変形例として、第1および第3スイッチング素子の双方を高周波で交互に導通および非導通状態にすると共に、第2および第4スイッチング素子を非導通状態に維持するようにすることもできる。供給電圧源から、第3スイッチング素子または第1スイッチング素子、あるいは第1および第3スイッチング素子の双方を経て流れる電流は、キャパシタC1を充電する。スイッチング素子を制御する周波数は、インダクタL2および/またはインダクタL1のインピーダンスが十分に高くなるように選定し、回路コンポーネントの損傷を防止するのに十分低い値に電流の振幅を制限するようにする。回路装置が第3の動作状態に制御される時間間隔は、キャパシタC1が供給電圧源によって十分に充電されて、第3スイッチング素子が絶えず導通する第2の動作状態にて電流ピークが発生しないように選定する。制御回路にはさらに、第1の動作状態の終了時に第1スイッチング素子のデューティサイクルを増大させる回路を装備させることができる。第1スイッチング素子のデューティサイクルを増大させることで、キャパシタC1間の電圧を第1の動作状態の終了時に増大させる。したがって、第3の動作状態の期間中にキャパシタC1を充電させるために供給電圧源から流さなければならない電流が少なくて済み、かつ回路装置を第3の動作状態に維持する時間間隔を短くすることができる。この時間間隔の終了時に、制御回路は回路装置の動作状態を第2の動作状態に切替える。同様に、回路装置が第2の動作状態に制御される時間間隔の終了時に、制御回路は、第4スイッチング素子または第2スイッチング素子あるいは第2および第4スイッチング素子の双方を高周波で交互に導通および非導通状態にすると共に、他のスイッチング素子を非導通状態に維持する第4の動作状態に回路装置を制御する。キャパシタC1から第2および/または第4スイッチング素子を経て流れる電流は、キャパシタC1を放電する。これらの高周波パルスの周波数は、インダクタL2のインピーダンスおよび/またはインダクタL1のインピーダンスが十分に高くなるように選定し、回路コンポーネントの損傷を防止するのに十分低い値に電流の振幅を制限するようにする。ここでもまた、回路装置が第4の動作状態に制御される時間間隔は、キャパシタC1を十分に放電させて、第4スイッチング素子が絶えず導通する第1の動作状態にて電流ピークが発生しないように選定する。制御回路には、第2の動作状態の終了時に第2スイッチング素子のデューティサイクルを増大させる回路を装備させるのが好適である。第2スイッチング素子のデューティサイクルを増大させることで、キャパシタC1間の電圧を第2の動作状態の終了時に減少させる。したがって、第4の動作状態の期間中にキャパシタC1を放電させるためにキャパシタC1から流さなければならない電流が少なくて済み、かつ回路装置を第4の動作状態に維持する時間間隔を短くすることができる。この時間間隔の終了時に、制御回路は回路装置の動作状態を第1の動作状態に切替える。
制御回路にはさらに、第1および第3の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、第4スイッチング素子を高周波で交互に導通および非導通状態にさせる第5の動作状態に回路装置を制御し、かつ第2および第4の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、第3スイッチング素子を高周波で交互に導通および非導通状態にさせる第6の動作状態に回路装置を制御する回路を設けるのが有利である。第5の動作状態の期間中には、キャパシタC1を充電して、このキャパシタC1間の電圧を第5の動作状態の期間中にある程度増大させる。したがって、キャパシタC1をさらに充電させる第3の動作状態の期間を比較的短くすることができる。同様に、キャパシタC1は第6の動作状態の期間中にはすでにある程度放電させて、キャパシタC1の更なる放電が生じる第4の動作状態の期間を比較的短くすることができる。第5の動作状態の期間中に第1スイッチング素子を導通状態に維持し、かつ第6の動作状態の期間中に第2スイッチング素子を導通状態に維持することができる。あるいは、第5の動作状態の期間中に第1スイッチング素子を高周波で交互に導通および非導通状態にさせ、かつ第6の動作状態の期間中に第2スイッチング素子を高周波で交互に導通および非導通状態にさせることもできる。制御回路には、第5の動作状態の期間中に第4スイッチング素子のデューティサイクルを減少させ、かつ第6の動作状態の期間中に第3スイッチング素子のデューティサイクルを減少させる手段を装備させるのが好適である。このようにデューティサイクルを減少させることで、第5の動作状態の期間中にキャパシタC1を充電する電流の振幅をこの第5の動作状態の期間中は比較的小さく変化させて、第5の動作状態の期間中にコンポーネントにかかるストレスが、第5の動作状態の期間全体にわたって一層均一に拡散されるようにする。第6の動作状態の期間中にも、デューティサイクルを減少させることで、キャパシタC1を放電させる電流の振幅変化を比較的小さくして、コンポーネントにかかるストレスが、第6の動作状態の期間全体にわたって一層均一に拡散されるようにする。
同様に、第3の動作状態の期間中に高周波で動作させるスイッチング素子のデューティサイクルを第3の動作状態の期間中に増大させ、かつ第4の動作状態の期間中に高周波で動作させるスイッチング素子のデューティサイクルを第4の動作状態の期間中に増大させるのが好適である。このようにすることにより、第3の動作状態の期間中にキャパシタC1を充電する電流の振幅を徐々に変化させることができる。その結果、電流ピークも第3および第4の動作状態の期間中にそれぞれランプ電流に抑えられる。
図4Aおよび4Bでは、水平軸に沿って時間をプロットしてある。図4Aにおいて、曲線Iは、第1、第5、第3および第2の動作状態の連続した期間中にランプを流れる電流の状態を時間の関数として示している。ランプを流れる電流は徐々に変化していること、およびランプ電流は大きな電流ピークを呈さないことが分かる。曲線IIは、同じ時間経過期間中のキャパシタC1間の電圧を示している。曲線IIIは、インダクタL1ならびに第1および第2スイッチング素子の共通端子における電流の状態である。図4Bでは、再び曲線IおよびIIを示しているが、ここでは時間尺度を変えて示してある。図4Bの水平軸に沿って、番号1、5、3および2は、それぞれ回路装置が第1、第5、第3および第2の動作状態にある期間を示している。第1スイッチング素子を動作させている高周波信号のデューティサイクルは、第1の動作状態の期間中不変のままである。期間5の間にて、曲線IVは、第4スイッチング素子の導通状態を制御する制御回路が発生する信号を示している。このスイッチング素子のデューティサイクルは、期間5の間に減少することが分かる。期間3の間にて、曲線IVは、第3スイッチング素子の導通状態を制御する制御回路が発生する信号を示している。このスイッチング素子のデューティサイクルは、期間3の間に増大することが分かる。
図3に示す実施例が図2に示した実施例と異なるのは、図3に示す実施例ではキャパシタC2がランプLaを分路しているという点だけである。インダクタL2およびキャパシタC2の共振周波数に近い周波数にて、第3および第4スイッチング素子を交互に導通および非導通状態にすることによって、または周波数掃引によって、ランプを有効に点弧させることができる。点弧している間に発生するピーク電流はランプのみを流れ、したがって回路装置のコンポーネントに損傷を与えない。その他の点では、図3に示した回路装置の機能は図2に示したものとほぼ類似するため、その詳細については説明を省略する。
従来技術による、接続したランプを点灯させる回路装置の実施例を示す図である。 接続したランプを点灯させる本発明による回路装置の一実施例を示す図である。 接続したランプを点灯させる本発明による回路装置の他の実施例を示す図である。 図2に示した実施例における種々の電流および電圧の状態を時間の関数として示す図である。

Claims (12)

  1. ランプ点灯用の回路装置であって、
    ‐供給電圧源の極に接続する入力端子と、
    ‐第1ダイオードによって分路される第1スイッチング素子と、第2ダイオードによって分路される第2スイッチング素子とを具え、前記入力端子に接続する第1の直列回路と、
    ‐第3ダイオードによって分路される第3スイッチング素子と、第4ダイオードによって分路される第4スイッチング素子とを具え、前記入力端子に接続する第2の直列回路と、
    ‐インダクタL1と、ランプ接続用の端子と、インダクタL2との直列回路を具え、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子との接続点を第3スイッチング素子と第4スイッチング素子との接続点に接続する負荷回路と、
    ‐前記それぞれのスイッチング素子の制御電極に結合されて、前記回路装置を、第4スイッチング素子は導通状態に維持されるも、第1スイッチング素子は高周波で交互に導通及び非導通状態にされる第1の動作状態に制御し、かつ第3スイッチング素子は導通状態に維持されるも、第2スイッチング素子は高周波で交互に導通及び非導通状態にされる第2の動作状態に制御し、さらに、第1と第2の動作状態の間で前記回路装置の動作状態を低周波で交代させる回路を具えている制御回路と、
    ‐第1端部が、前記負荷回路におけるインダクタL1とランプ接続用の端子接続点に結合されたキャパシタC1と、
    を具えている、ランプ点灯用回路装置において、
    前記キャパシタの第2端部が入力端子に結合され、前記制御回路が、第1及び第3スイッチング素子の少なくとも1つは、前記第1及び第2の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、高周波で交互に導通及び非導通状態にされるように第1及び第3スイッチング素子を動作させる第3の動作状態に前記回路装置を制御し、かつ第2及び第4スイッチング素子の少なくとも1つは、前記第2及び第1の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、高周波で交互に導通及び非導通状態にされるように第2及び第4スイッチング素子を動作させる第4の動作状態に前記回路装置を制御する回路を具えるようにしたことを特徴とするランプ点灯用回路装置。
  2. 前記ランプ接続用の端子が、キャパシタC2を含む回路部分によって接続される、請求項1に記載の回路装置。
  3. ランプ接続用の端子とインダクタL2との接続点と、入力端子との間に結合させたキャパシタC2を具えている、請求項1に記載の回路装置。
  4. 前記制御回路が、前記第1の動作状態の終了時に前記第1スイッチング素子のデューティサイクルを増やす回路、及び前記第2の動作状態の終了時に前記第2スイッチング素子のデューティサイクルを増やす回路を具えている、請求項1,2又は3のいずれか一項に記載の回路装置。
  5. 前記制御回路が、前記第3の動作状態の期間中、第1及び第3スイッチング素子の双方を高周波で動作させ、かつ前記第4の動作状態の期間中、第2及び第4スイッチング素子の双方を高周波で動作させる回路を具えている、請求項1,2,3又は4のいずれか一項に記載の回路装置。
  6. 前記制御回路が、前記第1及び第3の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、第4スイッチング素子を高周波で交互に導通及び非導通にさせる第5の動作状態に前記回路装置を制御し、かつ前記第2及び第4の動作状態に続く後続動作間の時間間隔中、第3スイッチング素子を高周波で交互に導通及び非導通にさせる第6の動作状態に前記回路装置を制御する回路を具えている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の回路装置。
  7. 前記第1スイッチング素子が、前記第5の動作状態の期間中、導通状態に維持され、かつ前記第2スイッチング素子が、前記第6の動作状態の期間中、導通状態に維持される、請求項6に記載の回路装置。
  8. 前記制御回路が、前記第5の動作状態の期間中、第1スイッチング素子を高周波で交互に導通及び非導通状態にさせ、かつ前記第6の動作状態の期間中、第2スイッチング素子を高周波で交互に導通及び非導通状態にさせる、請求項6に記載の回路装置。
  9. 前記制御回路が、前記第5の動作状態の期間中、第4スイッチング素子のデューティサイクルを増やし、かつ前記第6の動作状態の期間中、前記第3スイッチング素子のデューティサイクルを増やす回路を具えている、請求項6,7又は8のいずれか一項に記載の回路装置。
  10. 前記制御回路が、前記第5の動作状態の期間中、前記第4スイッチング素子のデューティサイクルを増やし、かつ前記第6の動作状態の期間中、前記第2スイッチング素子のデューティサイクルを増やす回路を具えている、請求項8又は9に記載の回路装置。
  11. 前記制御回路が、前記第3の動作状態の期間中に高周波で動作する前記スイッチング素子の各々のデューティサイクルを増やし、かつ前記第4の動作状態の期間中に高周波で動作する前記スイッチング素子の各々のデューティサイクルを増やす回路を具えている、請求項1〜10のいずれか一項に記載の回路装置。
  12. 前記制御回路が、第1、第2、第3又は第4ダイオードがそれぞれ電流を流す際に、第1、第2、第3及び第4スイッチング素子を導通させ、かつ第2、第1、第4及び第3スイッチング素子をそれぞれ導通させる前に第1、第2、第3及び第4スイッチング素子を再び導通させる手段を具えている、請求項1〜10のいずれか一項に記載の回路装置。
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