JP4602895B2 - Plating equipment - Google Patents

Plating equipment Download PDF

Info

Publication number
JP4602895B2
JP4602895B2 JP2005339147A JP2005339147A JP4602895B2 JP 4602895 B2 JP4602895 B2 JP 4602895B2 JP 2005339147 A JP2005339147 A JP 2005339147A JP 2005339147 A JP2005339147 A JP 2005339147A JP 4602895 B2 JP4602895 B2 JP 4602895B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
plating solution
tank
overflow
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005339147A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007146195A (en
Inventor
綱芳 青木
健一郎 春木
博康 平山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP2005339147A priority Critical patent/JP4602895B2/en
Publication of JP2007146195A publication Critical patent/JP2007146195A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4602895B2 publication Critical patent/JP4602895B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

この発明は、主として半導体基板（ウエハ）のメッキに好適なメッキ装置に関し、特にメッキ液管理槽内のメッキ液をメッキ液供給ポンプによりメッキ液供給管路を介してメッキ槽へ供給すると共に前記メッキ槽のメッキ液を再びメッキ液排出管路を介して前記メッキ液管理槽へ戻し、前記メッキ槽内でメッキ処理を行うメッキ装置に関する。   The present invention relates to a plating apparatus suitable mainly for plating of a semiconductor substrate (wafer), and in particular, supplies a plating solution in a plating solution management tank to a plating tank through a plating solution supply line by a plating solution supply pump and the plating. The present invention relates to a plating apparatus in which the plating solution in the tank is returned to the plating solution management tank again through the plating solution discharge pipe, and the plating process is performed in the plating tank.

図３を参照するに、従来では、電子回路基板の例えば半導体基板（ウエハ）上にメッキ装置１０１でメッキ膜を形成するために、電子回路基板あるいは電子回路基板を保持するメッキ治具をクランプしてメッキ処理を行うためのメッキ槽１０３内へ投入し、かつ搬送する電子回路基板の搬送装置が設けられている。   Referring to FIG. 3, conventionally, in order to form a plating film with a plating apparatus 101 on, for example, a semiconductor substrate (wafer) of an electronic circuit board, an electronic circuit board or a plating jig for holding the electronic circuit board is clamped. An electronic circuit board transfer device is provided which is loaded into the plating tank 103 for carrying out the plating process and transferred.

また、メッキ装置１０１には、大量のメッキ液ＰＬを貯留するメッキ液タンクで構成されるメッキ液管理槽１０５が備えられており、このメッキ液管理槽１０５のメッキ液ＰＬがメッキ液供給ポンプとしての例えばマグネットポンプ１０７によりメッキ液供給管路１０９を経てメッキ槽１０３に供給され、かつ、前記メッキ槽１０３のメッキ液ＰＬがメッキ液排出管路１１１を経てメッキ液管理槽１０５に戻って、再び循環する循環システムが備えられている。   The plating apparatus 101 is provided with a plating solution management tank 105 constituted by a plating solution tank that stores a large amount of plating solution PL. The plating solution PL in the plating solution management tank 105 serves as a plating solution supply pump. For example, the magnet pump 107 supplies the plating solution 103 to the plating tank 103 via the plating solution supply line 109, and the plating solution PL in the plating tank 103 returns to the plating solution management tank 105 via the plating solution discharge line 111, and again. A circulating circulation system is provided.

より詳しくは、上記のメッキ槽１０３は、貯留槽としての役目をもつ第１メッキ槽１１３とメッキ処理槽としての役目をもつ第２メッキ槽１１５が隔壁１１７を介して隣接して備えられており、前記隔壁１１７には第１メッキ槽１１３のメッキ液ＰＬを第２メッキ槽１１５へ流入せしめるためのメッキ液流路口１１９が設けられている。   More specifically, the plating tank 103 is provided with a first plating tank 113 serving as a storage tank and a second plating tank 115 serving as a plating treatment tank adjacent to each other via a partition wall 117. The partition wall 117 is provided with a plating solution passage port 119 for allowing the plating solution PL of the first plating tank 113 to flow into the second plating tank 115.

また、第２メッキ槽１１５には、第２メッキ槽１１５内のメッキ液ＰＬの深さを一定に維持するためのオーバーフロー用管路１２１が設けられている。すなわち、オーバーフロー用管路１２１は、第２メッキ槽１１５内のメッキ液ＰＬの深さを予め設定した位置よりオーバーフローするメッキ液ＰＬを排出する管路であり、この管路の上端はオーバーフローしたメッキ液ＰＬを排出するオーバーフロー排出口１２１Ａとなっている。さらに、被メッキ処理体である例えばシリコンウェハを保持したメッキ治具が第２メッキ槽１１５に投入されるときに、邪魔にならない位置に第２メッキ槽１１５の側壁に沿って上下方向に配置されており、第２メッキ槽１１５の底部１１５Ａに連通し、かつ、上記のオーバーフロー排出口１２１Ａの高さは調節自在である。   Further, the second plating tank 115 is provided with an overflow pipe 121 for maintaining the depth of the plating solution PL in the second plating tank 115 constant. That is, the overflow pipeline 121 is a pipeline that discharges the plating solution PL that overflows from the position where the depth of the plating solution PL in the second plating tank 115 is set in advance, and the upper end of this pipeline is overflowed plating. It is an overflow outlet 121A for discharging the liquid PL. Further, when a plating jig holding, for example, a silicon wafer, which is an object to be plated, is placed in the second plating tank 115, it is disposed vertically along the side wall of the second plating tank 115 so as not to interfere. In addition, it communicates with the bottom 115A of the second plating tank 115, and the height of the overflow outlet 121A is adjustable.

また、上記のメッキ液管理槽１０５は、メッキ槽１０３の外部に、しかもメッキ槽１０３より低い位置に設けられており、大量のメッキ液ＰＬを貯留すると共に新しいメッキ液ＰＬを補充したり分析したりしてメッキ液ＰＬを良好な状態に管理するためのメッキ液タンクやメッキ液補充装置などの機器からなっている。   The plating solution management tank 105 is provided outside the plating tank 103 and at a position lower than the plating tank 103, and stores a large amount of the plating solution PL and replenishes or analyzes a new plating solution PL. In other words, it consists of devices such as a plating solution tank and a plating solution replenishing device for managing the plating solution PL in a good state.

また、上記のメッキ槽１０３の第１メッキ槽１１３には、メッキ液管理槽１０５のメッキ液ＰＬがマグネットポンプ１０７によりメッキ液供給管路１０９を経て第１メッキ槽１１３の底部１１３Ａから供給されるように構成されている。一方、オーバーフロー用管路１２１を経て流出するメッキ液ＰＬはオーバーフロー用管路１２１の下部からメッキ液排出管路１１１を経てメッキ液管理槽１０５に流入するように構成されている。   Further, the plating solution PL of the plating solution management tank 105 is supplied from the bottom 113A of the first plating tank 113 to the first plating tank 113 of the plating tank 103 through the plating solution supply pipe 109 by the magnet pump 107. It is configured as follows. On the other hand, the plating liquid PL flowing out through the overflow pipe 121 is configured to flow from the lower part of the overflow pipe 121 into the plating liquid management tank 105 through the plating liquid discharge pipe 111.

なお、上記のメッキ装置１０１と同様に、メッキ液管理槽１０５内のメッキ液ＰＬをマグネットポンプ１０７によりメッキ液供給管路１０９を介してメッキ槽１０３へ供給すると共に前記メッキ槽１０３のメッキ液ＰＬを再びメッキ液排出管路１１１を介して前記メッキ液管理槽１０５へ戻す構造のメッキ装置は、例えば、特許文献１に示されている。
特開２００２−２０９００号公報 Similar to the plating apparatus 101 described above, the plating solution PL in the plating solution management tank 105 is supplied to the plating tank 103 via the plating solution supply line 109 by the magnet pump 107 and the plating solution PL in the plating tank 103 is supplied. For example, Patent Document 1 discloses a plating apparatus having a structure for returning the liquid to the plating liquid management tank 105 via the plating liquid discharge pipe 111 again.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-20900

ところで、従来のメッキ装置１０１においては、第２メッキ槽１１５のメッキ液ＰＬがオーバーフローしてオーバーフロー用管路１２１から排出され、メッキ液排出管路１１１を経てメッキ液管理槽１０５に戻る場合、メッキ液ＰＬがオーバーフロー排出口１２１Ａから乱流の状態で四方八方から流入する時にメッキ液ＰＬにエア−が混ざり込んでオーバーフロー用管路１２１内に排出してしまうので、メッキ液ＰＬにダメージを与えることになり、さらにはメッキ液ＰＬとエア−が混ざり込んだ状態でメッキ液管理槽１０５へ戻るために、メッキ液管理槽１０５内のメッキ液ＰＬに泡を発生させてしまうという問題点があった。   By the way, in the conventional plating apparatus 101, when the plating liquid PL in the second plating tank 115 overflows and is discharged from the overflow pipe 121 and returns to the plating liquid management tank 105 via the plating liquid discharge pipe 111, plating is performed. When the liquid PL flows from all directions in the turbulent state from the overflow discharge port 121A, air is mixed into the plating liquid PL and discharged into the overflow pipe 121, so that the plating liquid PL is damaged. Furthermore, there is a problem that bubbles are generated in the plating solution PL in the plating solution management tank 105 in order to return to the plating solution management tank 105 in a state where the plating solution PL and air are mixed. .

この発明は上述の課題を解決するためになされたものである。   The present invention has been made to solve the above-described problems.

上記発明が解決しようとする課題を達成するために、この発明のメッキ装置は、メッキ液管理槽内のメッキ液をメッキ液供給ポンプによりメッキ液供給管路を介してメッキ槽へ供給すると共に前記メッキ槽のメッキ液を再びメッキ液排出管路を介して前記メッキ液管理槽へ戻し、前記メッキ槽内でメッキ処理を行うメッキ装置において、
前記メッキ槽内に、メッキ液の深さを予め設定した位置よりオーバーフローするメッキ液を排出するオーバーフロー排出口を備えたオーバーフロー用管路を前記メッキ液排出管路に連通して設け、前記オーバーフロー排出口がメッキ液面に対して傾斜する傾斜角を有しており、
前記メッキ液排出管路をメッキ液管理槽内に連通し、この連通したメッキ液排出管路の先端部にエア−抜き用穴部を設けたことを特徴とするものである。 In order to achieve the problem to be solved by the above invention, the plating apparatus of the present invention supplies the plating solution in the plating solution management tank to the plating tank via the plating solution supply line by the plating solution supply pump and In the plating apparatus that returns the plating solution in the plating tank to the plating solution management tank again through the plating solution discharge pipe, and performs the plating process in the plating tank,
In the plating tank, an overflow conduit having an overflow outlet for discharging the plating solution overflowing from a position where the plating solution depth is preset is provided in communication with the plating solution discharge conduit, and the overflow discharge is provided. The outlet has an inclination angle inclined with respect to the plating liquid surface ,
The plating solution discharge conduit is communicated with a plating solution management tank, and an air-bleeding hole is provided at the tip of the communicating plating solution discharge conduit .

また、この発明のメッキ装置は、前記メッキ装置において、前記オーバーフロー排出口の傾斜角が、５°〜８５°であり、好ましくは３０°〜４５°であることが好ましい。   Moreover, the plating apparatus of this invention WHEREIN: In the said plating apparatus, it is preferable that the inclination | tilt angle of the said overflow discharge port is 5 degrees-85 degrees, Preferably it is 30 degrees-45 degrees.

以上のごとき課題を解決するための手段から理解されるように、この発明によれば、メッキ槽に設けたオーバーフロー用管路がメッキ液面に対して傾斜する傾斜角を有するオーバーフロー排出口を備えているので、オーバーフローしたメッキ液は傾斜したオーバーフロー排出口の下部側からオーバーフロー用管路へ流入するために、一方向からの流入となる。その結果、メッキ液がエア−をあまり巻き込まないでオーバーフロー用管路の一部の内壁面に沿って排出されるので、メッキ液へのエア−の混入を大幅に削減でき、メッキ液へのダメージやメッキ液管理槽内のメッキ液に泡を発生させてしまう事態を減少させることができる。   As can be understood from the means for solving the above problems, according to the present invention, the overflow pipe provided in the plating tank is provided with an overflow outlet having an inclination angle inclined with respect to the plating liquid surface. Therefore, since the overflowed plating solution flows into the overflow conduit from the lower side of the inclined overflow discharge port, it flows from one direction. As a result, the plating solution is discharged along a part of the inner wall surface of the overflow pipe without entraining air so much that the mixing of air into the plating solution can be greatly reduced and the plating solution is damaged. In addition, it is possible to reduce the occurrence of bubbles in the plating solution in the plating solution management tank.

以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１を参照するに、この実施の形態に係るメッキ装置１には、メッキ槽としての例えば銅メッキ処理を行うための銅メッキ槽３が備えられており、純水、硫酸銅などを主成分とする大量のメッキ液ＰＬを貯留するメッキ液タンクで構成されるメッキ液管理槽５から、前記メッキ液ＰＬがメッキ液供給ポンプとしての例えばマグネットポンプ７によりメッキ液供給管路９を経て銅メッキ槽３に供給され、かつ、前記銅メッキ槽３のメッキ液ＰＬがメッキ液排出管路１１を経てメッキ液管理槽５に戻って、再び循環する循環システムが備えられている。   Referring to FIG. 1, a plating apparatus 1 according to this embodiment includes a copper plating tank 3 for performing, for example, copper plating as a plating tank, and is mainly composed of pure water, copper sulfate, or the like. From the plating solution management tank 5 configured by a plating solution tank that stores a large amount of the plating solution PL, the plating solution PL is copper plated through a plating solution supply line 9 by, for example, a magnet pump 7 as a plating solution supply pump. A circulation system is provided in which the plating solution PL supplied to the tank 3 is returned to the plating solution management tank 5 through the plating solution discharge line 11 and circulated again.

また、このメッキ装置１は、種々の被メッキ処理体にメッキ処理を行うためのメッキ装置に適用されるのであるが、この実施の形態では、例えばセミアディティブ法により、半導体ウェハ（以下、単に「シリコンウェハ」という）やプリント配線基板等の電子回路基板の表面に配線パターンを形成する際に用いられるものである。   The plating apparatus 1 is applied to a plating apparatus for performing plating on various objects to be plated. In this embodiment, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “ It is used when forming a wiring pattern on the surface of an electronic circuit board such as a “silicon wafer” or a printed wiring board.

一般的に、セミアディティブ法は、例えば、Ｓｉなどのベース基板の表面に銅などの導電性物質でなるシード層が形成され、このシード層にレジスト層が塗布された後、このレジスト層を露光及び現像して配線パターンのレジスト溝を形成する。次いで、電気メッキなどのメッキ装置により、前記レジスト溝内には、銅などの導電性物質が析出される。その後、レジスト層が除去され、かつ、配線パターンに無関係なシード層の部分がエッチングされて、微細な配線パターンを有した電子回路基板が製造される。   Generally, in the semi-additive method, for example, a seed layer made of a conductive material such as copper is formed on the surface of a base substrate such as Si, and after the resist layer is applied to the seed layer, the resist layer is exposed. Then, development is performed to form a resist groove of the wiring pattern. Next, a conductive material such as copper is deposited in the resist groove by a plating apparatus such as electroplating. Thereafter, the resist layer is removed, and the portion of the seed layer unrelated to the wiring pattern is etched to manufacture an electronic circuit board having a fine wiring pattern.

なお、この実施の形態のメッキ装置１では、メッキすべき電子回路基板としての例えばシリコンウェハを銅メッキするものである。   In the plating apparatus 1 of this embodiment, for example, a silicon wafer as an electronic circuit board to be plated is plated with copper.

また、上記の銅メッキ槽３は、メッキ処理槽としての役目をもつメッキ槽１３とこのメッキ槽１３からのメッキ液ＰＬのオーバーフローを受ける役目をもつオーバーフロー槽１５が隔壁１７を介して隣接して備えられており、前記隔壁１７にはメッキ槽１３のメッキ液ＰＬをオーバーフロー槽１５へ流入せしめるためのメッキ液流路口１９が設けられている。また、オーバーフロー槽１５には、オーバーフロー槽１５内のメッキ液ＰＬの深さを一定に維持するためのオーバーフロー用管路２１が設けられている。すなわち、オーバーフロー用管路２１は、オーバーフロー槽１５内のメッキ液ＰＬの深さを予め設定した位置よりオーバーフローするメッキ液ＰＬを排出する管路であり、この管路の上端はオーバーフローしたメッキ液ＰＬを排出するオーバーフロー排出口２１Ａとなっている。さらに、被メッキ処理体である例えばシリコンウェハを保持したメッキ治具がオーバーフロー槽１５に投入されるときに、邪魔にならない位置でオーバーフロー槽１５の側壁に沿って上下方向に配置されており、オーバーフロー槽１５の底部１５Ａに連通し、かつ、上記のオーバーフロー排出口２１Ａの高さは調節自在である。   The copper plating tank 3 includes a plating tank 13 serving as a plating processing tank and an overflow tank 15 serving to receive an overflow of the plating solution PL from the plating tank 13 through a partition wall 17. The partition wall 17 is provided with a plating solution channel port 19 for allowing the plating solution PL of the plating tank 13 to flow into the overflow tank 15. The overflow tank 15 is provided with an overflow pipe 21 for maintaining the depth of the plating solution PL in the overflow tank 15 constant. That is, the overflow conduit 21 is a conduit for discharging the plating solution PL that overflows from the position where the depth of the plating solution PL in the overflow tank 15 is set in advance, and the upper end of this conduit is the overflowed plating solution PL. It becomes the overflow discharge port 21A which discharges. Furthermore, when a plating jig holding, for example, a silicon wafer, which is an object to be plated, is placed in the overflow tank 15, it is arranged vertically along the side wall of the overflow tank 15 at an unobstructed position. The height of the overflow outlet 21A communicates with the bottom 15A of the tank 15 and is adjustable.

また、上記のオーバーフロー排出口２１Ａは、図２により詳細に示されているように、メッキ液ＰＬの水面に対して傾斜する傾斜角θを有している。この傾斜角θはメッキ液ＰＬの流速にもよるが、５°未満および８５°越えではエア−混入防止に効果を果たして折らず、５°〜８５°の範囲で適用可能であり、３０°〜４５°であれば、それ程鋭角ではないのでメッキ液面から突出する部分が小さくなり、オーバーフロー排出口２１Ａの製作時の切断が容易であるなどの理由から好ましい。   Further, the overflow discharge port 21A has an inclination angle θ that is inclined with respect to the water surface of the plating solution PL, as shown in more detail in FIG. Although this inclination angle θ depends on the flow rate of the plating solution PL, if it is less than 5 ° or more than 85 °, it will not be effective in preventing air-mixing and can be applied in the range of 5 ° to 85 °. The angle of 45 ° is preferable because it is not so acute and the portion protruding from the plating solution surface is small, and the overflow discharge port 21A can be easily cut when manufactured.

また、前述したメッキ液管理槽５は、銅メッキ槽３の外部に、しかも、銅メッキ槽３より低い位置に設けられており、大量のメッキ液ＰＬを貯留すると共に新しいメッキ液ＰＬを補充したり分析したりしてメッキ液ＰＬを良好な状態に管理するためのメッキ液タンクやメッキ液補充装置などの機器からなっている。   The plating solution management tank 5 described above is provided outside the copper plating tank 3 and at a position lower than the copper plating tank 3, and stores a large amount of the plating solution PL and replenishes a new plating solution PL. It consists of devices such as a plating solution tank and a plating solution replenishing device for managing the plating solution PL in a good state by analyzing and analyzing.

また、上記の銅メッキ槽３のメッキ槽１３には、メッキ液管理槽５のメッキ液ＰＬがマグネットポンプ７によりメッキ液供給管路９を経てメッキ槽１３の底部１３Ａから供給されるように構成されている。一方、オーバーフロー用管路２１を経て流出するメッキ液ＰＬはオーバーフロー用管路２１の下部からメッキ液排出管路１１を経てメッキ液管理槽５に流入するように構成されている。   The plating tank 13 of the copper plating tank 3 is configured such that the plating liquid PL of the plating liquid management tank 5 is supplied from the bottom 13 </ b> A of the plating tank 13 through the plating liquid supply line 9 by the magnet pump 7. Has been. On the other hand, the plating liquid PL flowing out through the overflow pipe 21 is configured to flow from the lower part of the overflow pipe 21 into the plating liquid management tank 5 through the plating liquid discharge pipe 11.

また、メッキ液排出管路１１はメッキ液管理槽５の内部に連通されており、この連通されたメッキ液排出管路１１の端部には、図１に示されているようにエア−抜き用穴部２３Ａを備えたエア−抜き用分岐管２３（チーズ配管）が設けられている。すなわち、メッキ液排出管路１１に分岐されたエア−抜き用分岐管２３の先端部のエア−抜き用穴部２３Ａはメッキ液管理槽５の内部のメッキ液ＰＬの水面から上方のエア−層へ突出している。   Further, the plating solution discharge pipe 11 communicates with the inside of the plating solution management tank 5, and the end of the communicating plating solution discharge pipe 11 has an air vent as shown in FIG. An air-release branch pipe 23 (cheese pipe) provided with a hole 23A for use is provided. That is, the air vent hole 23A at the tip of the air vent branch pipe 23 branched into the plating liquid discharge pipe 11 is an air layer above the water surface of the plating liquid PL in the plating liquid management tank 5. Protruding to

次に、上記構成の作用を説明する。   Next, the operation of the above configuration will be described.

マグネットポンプ７が運転されることにより、メッキ液管理槽５のメッキ液ＰＬがメッキ液供給管路９を経てメッキ槽１３の底部１３Ａから供給される。前記メッキ槽１３に貯留したメッキ液ＰＬは、隔壁１７のメッキ液流路口１９から溢れてオーバーフロー槽１５内へ流入する。   By operating the magnet pump 7, the plating solution PL in the plating solution management tank 5 is supplied from the bottom 13 </ b> A of the plating tank 13 through the plating solution supply pipe 9. The plating solution PL stored in the plating tank 13 overflows from the plating solution channel port 19 of the partition wall 17 and flows into the overflow tank 15.

次いで、上記のオーバーフロー槽１５内のメッキ液ＰＬはオーバーフロー用管路２１のオーバーフロー排出口２１Ａから溢れると、オーバーフロー用管路２１を経て排出されるので、オーバーフロー槽１５のメッキ液ＰＬの深さは常時一定に保たれることになる。なお、オーバーフロー槽１５のメッキ液ＰＬの深さは、オーバーフロー用管路２１の高さを調整することにより自在に調整される。   Next, when the plating liquid PL in the overflow tank 15 overflows from the overflow discharge port 21A of the overflow pipe 21, it is discharged through the overflow pipe 21, so that the depth of the plating liquid PL in the overflow tank 15 is It will always be kept constant. The depth of the plating solution PL in the overflow tank 15 can be freely adjusted by adjusting the height of the overflow pipe 21.

また、上記のオーバーフロー用管路２１がメッキ液ＰＬの水面に対して傾斜する傾斜角θを有するオーバーフロー排出口２１Ａを備えているので、図２に示されているように、オーバーフローしたメッキ液ＰＬは傾斜したオーバーフロー排出口２１Ａの下部側からオーバーフロー用管路２１へ流入するために、一方向からの流入となる。その結果、メッキ液ＰＬがエア−をあまり巻き込まないでオーバーフロー用管路２１の一部の内壁面に沿って排出される。   Further, since the overflow pipe 21 is provided with an overflow outlet 21A having an inclination angle θ inclined with respect to the water surface of the plating solution PL, as shown in FIG. Flows into the overflow conduit 21 from the lower side of the inclined overflow outlet 21A, and therefore flows in from one direction. As a result, the plating solution PL is discharged along a part of the inner wall surface of the overflow pipe 21 without entraining air so much.

たとえ、エア−がメッキ液ＰＬに混ざり込んでも、オーバーフロー用管路２１内では図２に示されているようにメッキ液ＰＬが流れていない側の空間からエア−が上昇してオーバーフロー排出口２１Ａから放出される。すなわち、オーバーフロー用管路２１内で気液分離を行うことができる。したがって、メッキ液ＰＬへのエア−の混入を大幅に削減でき、メッキ液ＰＬへのダメージやメッキ液管理槽５内のメッキ液ＰＬに泡を発生させてしまう事態を減少させることができる。   Even if air is mixed into the plating solution PL, the air rises from the space where the plating solution PL does not flow in the overflow pipe 21 as shown in FIG. Released from. That is, gas-liquid separation can be performed in the overflow pipe 21. Therefore, air mixing into the plating solution PL can be greatly reduced, and damage to the plating solution PL and occurrence of bubbles in the plating solution PL in the plating solution management tank 5 can be reduced.

また、オーバーフロー用管路２１へ流入したメッキ液ＰＬは、オーバーフロー用管路２１の下部に連通したメッキ液排出管路１１を経てメッキ液管理槽５に戻る。このとき、メッキ液管理槽５内に連通したメッキ液排出管路１１には、エア−抜き用穴部２３Ａを備えたエア−抜き用分岐管２３が設けられているので、たとえ、オーバーフロー用管路２１内で気液分離が十分に行われなかったとしても、メッキ液ＰＬがメッキ液排出管路１１の端部からメッキ液管理槽５へ排出される前に、メッキ液排出管路１１内のエア−がエア−抜き用分岐管２３のエア−抜き用穴部２３Ａからメッキ液管理槽５の内部のエア−層へ放出されることになる。   The plating solution PL that has flowed into the overflow pipeline 21 returns to the plating solution management tank 5 via the plating solution discharge pipeline 11 that communicates with the lower portion of the overflow pipeline 21. At this time, the plating solution discharge pipe 11 communicated with the plating solution management tank 5 is provided with the air-bleeding branch pipe 23 having the air-bleeding hole 23A. Even if the gas-liquid separation is not sufficiently performed in the passage 21, before the plating solution PL is discharged from the end portion of the plating solution discharge pipe 11 to the plating solution management tank 5, the inside of the plating solution discharge pipe 11. The air is discharged from the air vent hole 23A of the air vent branch pipe 23 to the air layer inside the plating solution management tank 5.

したがって、メッキ液排出管路１１の端部からメッキ液管理槽５へ排出されるメッキ液ＰＬには混じっているエア−が少なくなるので、メッキ液管理槽５の内部での泡の発生を大幅に減少させることができる。   Accordingly, since the air mixed in the plating solution PL discharged from the end of the plating solution discharge pipe 11 to the plating solution management tank 5 is reduced, the generation of bubbles in the plating solution management tank 5 is greatly increased. Can be reduced.

メッキ液管理槽５に戻ったメッキ液ＰＬは、再び、メッキ液管理槽５内で良好な状態に管理され、メッキ液管理槽５内のメッキ液ＰＬが再び銅メッキ液槽５へ供給されて、上述したように循環されることになる。   The plating solution PL returned to the plating solution management tank 5 is again managed in a good state in the plating solution management tank 5, and the plating solution PL in the plating solution management tank 5 is again supplied to the copper plating solution tank 5. , As described above.

上記のように正常に管理されたメッキ液ＰＬが銅メッキ液槽５に供給されて常時良好なメッキ液ＰＬの状態となり、この銅メッキ液槽５においてメッキ治具内のウェハの銅メッキ処理が行われるのである。   The plating solution PL normally managed as described above is supplied to the copper plating solution tank 5 so that the plating solution PL is always in a good state. In this copper plating solution tank 5, the copper plating treatment of the wafer in the plating jig is performed. It is done.

この発明の実施の形態のメッキ装置の概略的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a plating apparatus according to an embodiment of the present invention. この発明の実施の形態の主要部を構成するオーバーフロー用管路の部分的な斜視図である。It is a partial perspective view of the overflow pipe line which constitutes the main part of the embodiment of the present invention. 従来のメッキ装置の概略的な断面図である。It is a schematic sectional drawing of the conventional plating apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１ メッキ装置
３ 銅メッキ槽（メッキ槽）
５ メッキ液管理槽
７ マグネットポンプ（メッキ液供給ポンプ）
９ メッキ液供給管路
１１ メッキ液排出管路
１３ メッキ槽
１３Ａ 底部（第１メッキ槽の）
１５ オーバーフロー槽
１５Ａ 底部（オーバーフロー槽の）
１７ 隔壁
１９ メッキ液流路口
２１ オーバーフロー用管路
２１Ａ オーバーフロー排出口
２３ エア−抜き用分岐管（チーズ配管）
２３Ａ エア−抜き用穴部
ＰＬ メッキ液 1 Plating equipment 3 Copper plating tank (plating tank)
5 Plating solution management tank 7 Magnet pump (plating solution supply pump)
9 Plating solution supply line 11 Plating solution discharge line 13 Plating tank 13A Bottom (of the first plating tank)
15 Overflow tank 15A Bottom (of overflow tank)
17 Partition 19 Plating solution passage port 21 Overflow conduit 21A Overflow outlet 23 Air-branching branch (cheese piping)
23A Air vent hole PL Plating solution

Claims (2)

メッキ液管理槽内のメッキ液をメッキ液供給ポンプによりメッキ液供給管路を介してメッキ槽へ供給すると共に前記メッキ槽のメッキ液を再びメッキ液排出管路を介して前記メッキ液管理槽へ戻し、前記メッキ槽内でメッキ処理を行うメッキ装置において、
前記メッキ槽内に、メッキ液の深さを予め設定した位置よりオーバーフローするメッキ液を排出するオーバーフロー排出口を備えたオーバーフロー用管路を前記メッキ液排出管路に連通して設け、前記オーバーフロー排出口がメッキ液面に対して傾斜する傾斜角を有しており、
前記メッキ液排出管路をメッキ液管理槽内に連通し、この連通したメッキ液排出管路の先端部にエア−抜き用穴部を設けたことを特徴とするメッキ装置。 The plating solution in the plating solution management tank is supplied to the plating tank through a plating solution supply line by a plating solution supply pump, and the plating solution in the plating tank is again supplied to the plating solution management tank through a plating solution discharge line. In the plating apparatus for performing the plating process in the plating tank,
In the plating tank, an overflow conduit having an overflow outlet for discharging the plating solution overflowing from a position where the plating solution depth is preset is provided in communication with the plating solution discharge conduit, and the overflow discharge is provided. The outlet has an inclination angle inclined with respect to the plating liquid surface ,
A plating apparatus characterized in that the plating solution discharge pipe is communicated with a plating solution management tank, and an air vent hole is provided at the tip of the communicating plating solution discharge pipe . 前記オーバーフロー排出口の傾斜角が、５°〜８５°であることを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。 Inclination angle of the overflow outlet, claim 1 Symbol placement of a plating apparatus characterized in that it is a 5 ° to 85 °.
JP2005339147A 2005-11-24 2005-11-24 Plating equipment Expired - Fee Related JP4602895B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005339147A JP4602895B2 (en) 2005-11-24 2005-11-24 Plating equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005339147A JP4602895B2 (en) 2005-11-24 2005-11-24 Plating equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007146195A JP2007146195A (en) 2007-06-14
JP4602895B2 true JP4602895B2 (en) 2010-12-22

Family

ID=38207956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005339147A Expired - Fee Related JP4602895B2 (en) 2005-11-24 2005-11-24 Plating equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4602895B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013194242A (en) * 2012-03-15 2013-09-30 Tokyo Kakoki Kk One side plating device for planar workpiece
JP6111931B2 (en) * 2013-08-22 2017-04-12 住友金属鉱山株式会社 Electrolyte supply method

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54110604U (en) * 1978-01-17 1979-08-03
JPS5748266U (en) * 1980-08-30 1982-03-18
JPS6288760U (en) * 1985-11-25 1987-06-06
JPS63130134U (en) * 1987-02-18 1988-08-25
JPH03138390A (en) * 1989-10-23 1991-06-12 Shinko Electric Ind Co Ltd Method and device for circulating plating liquid
JPH0570988A (en) * 1991-09-17 1993-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plating apparatus for the whole surface
JP2005064016A (en) * 2003-08-11 2005-03-10 Renesas Technology Corp Method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54110604U (en) * 1978-01-17 1979-08-03
JPS5748266U (en) * 1980-08-30 1982-03-18
JPS6288760U (en) * 1985-11-25 1987-06-06
JPS63130134U (en) * 1987-02-18 1988-08-25
JPH03138390A (en) * 1989-10-23 1991-06-12 Shinko Electric Ind Co Ltd Method and device for circulating plating liquid
JPH0570988A (en) * 1991-09-17 1993-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plating apparatus for the whole surface
JP2005064016A (en) * 2003-08-11 2005-03-10 Renesas Technology Corp Method for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007146195A (en) 2007-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI769131B (en) Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias
TWI656246B (en) Alkaline pretreatment for electroplating
TW201534769A (en) Electrolyte loop with pressure regulation for separated anode chamber of electroplating system
KR102569414B1 (en) Plating apparatus
JP6951609B1 (en) Plating equipment
CN111149198A (en) Electro-oxidation metal removal in through-mask interconnect fabrication
US20230175162A1 (en) Cross flow conduit for foaming prevention in high convection plating cells
US20220275531A1 (en) Differential contrast plating for advanced packaging applications
JP4602895B2 (en) Plating equipment
JP5654033B2 (en) Template and substrate processing method
US20190148176A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2011176085A (en) Substrate treating method, and substrate treating apparatus
JP4602896B2 (en) Plating equipment
JP7057869B1 (en) Plating equipment
WO2017037757A1 (en) Surface treatment apparatus
JP3677911B2 (en) Method and apparatus for plating semiconductor wafer
JP7086317B1 (en) Plating method
JP5146352B2 (en) Surface roughening device for build-up substrate insulation layer
JP3450179B2 (en) Surface treatment equipment
CN216026941U (en) Wafer cleaning device and wafer cleaning equipment
TWI789096B (en) Plating device
JP2011256444A (en) Substrate treating method and substrate treating apparatus
JP2000017480A (en) Plating method
JP6938253B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment and processing methods for semiconductor equipment
JP2012046770A (en) Apparatus and method for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080528

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100908

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100928

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100930

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees