JP4600463B2 - Liquid crystal display - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に透過率を向上させることができる液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device capable of improving transmittance.

高いコントラスト及び広視野角が得られる液晶表示装置として、液晶を2つの透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置、即ち、FFS(Fringe-Field Switching)モードやIPS(In-Plain Switching)モード当により動作する液晶表示装置が知られている。この液晶表示装置では、一方の透明基板に、表示信号が供給される画素電極と共通電位が供給される共通電極の両者が配設される。   As a liquid crystal display device capable of obtaining a high contrast and a wide viewing angle, a liquid crystal display device that controls the orientation of liquid crystal molecules using an electric field in a substantially horizontal direction with respect to two transparent substrates, that is, FFS (Fringe-Field Switching) ) Mode and IPS (In-Plain Switching) mode are known. In this liquid crystal display device, one transparent substrate is provided with both a pixel electrode to which a display signal is supplied and a common electrode to which a common potential is supplied.

この液晶表示装置がFFSモードである場合について説明すると、例えば、画素電極に複数の線状部及びスリットが交互に平行に配置され、画素電極と共通電極とは、絶縁膜を介して対向して配置される。液晶分子は、配向膜のラビング方向に応じて初期配向される。そして、画素電極に表示信号が印加されると、画素電極の線状部からスリットの下層に延在する共通電極に延びる電界、即ち透明基板に対して略水平方向の電界に応じて、液晶分子の配向方向が制御される。この液晶分子を介して光学的制御が詠行われ、白表示又は黒表示が行われる。   The case where the liquid crystal display device is in the FFS mode will be described. For example, a plurality of linear portions and slits are alternately arranged in parallel on the pixel electrode, and the pixel electrode and the common electrode face each other with an insulating film therebetween. Be placed. The liquid crystal molecules are initially aligned according to the rubbing direction of the alignment film. When a display signal is applied to the pixel electrode, the liquid crystal molecules correspond to an electric field extending from the linear portion of the pixel electrode to the common electrode extending below the slit, that is, an electric field substantially in the horizontal direction with respect to the transparent substrate. The orientation direction is controlled. Optical control is performed through the liquid crystal molecules, and white display or black display is performed.

ところで、FFSモードの液晶表示装置として、例えば、複数個の液晶分子を含む液晶層を介して所定の距離で第1及び第2透明絶縁基板を対向配置し、第1透明基板上に複数個のゲートパスライン及びデータパスラインを形成して単位画素を限定するようにマトリクス形態で配置し、これらとの交差部に薄膜トランジスタを設け、透明導電体からなるカウンタ電極を各単位画素に配置し、カウンタ電極と一緒にフリンジフィールドを形成する複数個の上部スリット及び下部スリットを前記カウンタ電極と絶縁して各単位画素に配置し、画素の長辺を中心に対称となる所定の傾きで配列し、また、透明導電体からなる画素電極とを含む構成を有するフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−182230号公報(第1頁、図3)
By the way, as an FFS mode liquid crystal display device, for example, a first transparent substrate and a second transparent insulating substrate are arranged opposite to each other at a predetermined distance via a liquid crystal layer including a plurality of liquid crystal molecules, and a plurality of liquid crystal display devices are arranged on the first transparent substrate. A gate pass line and a data pass line are formed and arranged in a matrix form so as to limit unit pixels, a thin film transistor is provided at an intersection with these, and a counter electrode made of a transparent conductor is arranged in each unit pixel. A plurality of upper and lower slits that form a fringe field together with the counter electrode are arranged in each unit pixel, arranged with a predetermined inclination that is symmetric about the long side of the pixel, A fringe field switching mode liquid crystal display device having a configuration including a pixel electrode made of a transparent conductor has been proposed (for example, Patent Document 1). Irradiation).
JP 2002-182230 A (first page, FIG. 3)

しかしながら、上記特許文献1に記載の従来例にあっては、ゲートパスライン及びデータパスラインで囲まれる領域に長方形状の画素電極が配設され、この画素電極にゲートパスラインと平行な短辺に対して傾斜する複数のスリットを互いに平行に形成する場合と、画素電極の長手方向の中心位置で対称関係となる傾斜角を有する上部スリット及び下部スリットを形成する場合とが開示されており、スリットによって透過率を向上させることができるものであるが、画素電極が長方形状に形成されて、これに対して短辺に対して傾斜するスリットが形成されているので、短辺側の対向外周縁側でスリットと外周縁との間に直角三角形状の電極部が残ることになり、この部分で透過率が低下するという未解決の課題がある。   However, in the conventional example described in Patent Document 1, a rectangular pixel electrode is disposed in a region surrounded by the gate pass line and the data pass line, and the pixel electrode has a short side parallel to the gate pass line. A plurality of slits that are inclined in parallel with each other and a case in which an upper slit and a lower slit having an inclination angle that is symmetrical at the center position in the longitudinal direction of the pixel electrode are formed. Although the transmittance can be improved, the pixel electrode is formed in a rectangular shape and a slit that is inclined with respect to the short side is formed on the pixel electrode. An electrode portion having a right triangle shape remains between the slit and the outer peripheral edge, and there is an unsolved problem that the transmittance is reduced at this portion.

そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、スリットを形成する電極の透過率を向上させることができる液晶表示装置を提供することを目的としている。   Therefore, the present invention has been made paying attention to the above-mentioned unsolved problems of the conventional example, and an object thereof is to provide a liquid crystal display device capable of improving the transmittance of an electrode forming a slit.

上記目的を達成するために、第1の形態に係る液晶表示装置は、表示部を形成する画素を、少なくとも、液晶層を挟んで対向する一対の基板と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ絶縁膜を挟んで配置された前記液晶層の液晶分子を駆動する共通電極及び画素電極と、で構成し、前記共通電極及び前記画素電極のうちの前記液晶層側の電極は、前記画素の長手方向に対して所定角度傾斜したスリットを有すると共に、該スリットと平行な対向外周縁を有し、前記スリットは、互いに平行に複数形成され、前記液晶層側の電極の当該スリットの長手方向の対向外周縁の一方まで延長して、当該電極が櫛歯形状とされ、前記液晶層側の電極は外側電極部がドレイン線と少なくとも一部が重なるように配設されていることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to a first embodiment includes at least a pair of substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed between pixels forming a display portion and one substrate of the pair of substrates. A common electrode and a pixel electrode that drive the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer that are provided with an insulating film interposed therebetween, and the electrode on the liquid crystal layer side of the common electrode and the pixel electrode is the pixel A slit inclined at a predetermined angle with respect to the longitudinal direction of the liquid crystal, and an opposing outer peripheral edge parallel to the slit, wherein the slit is formed in parallel with each other, and the longitudinal direction of the slit of the electrode on the liquid crystal layer side The electrode is formed in a comb-like shape, extending to one of the opposing outer peripheral edges of the liquid crystal layer, and the electrode on the liquid crystal layer side is disposed so that the outer electrode portion at least partially overlaps the drain line. Yes.

この第1の形態では、共通電極及び画素電極のうちスリットを形成した電極がスリットと平行な対向外周縁を有するので、スリットと平行な対向外周縁に余分な電極部がないので、画素の透過率を向上させることができる。
In the first embodiment, since the electrode formed with the slit among the common electrode and the pixel electrode has an opposing outer peripheral edge parallel to the slit, there is no extra electrode portion on the opposing outer peripheral edge parallel to the slit, so that the transmission of the pixel The rate can be improved.

また、液晶装置側の電極の外側電極部とドレイン線とを少なくとも一部が互いに重なるように配置することにより、スリットの端部をドレイン線に近づけることができ、画素における透過率をより向上させることができる。In addition, by arranging the outer electrode portion of the electrode on the liquid crystal device side and the drain line so that at least part of them overlap each other, the end of the slit can be brought closer to the drain line, and the transmittance in the pixel is further improved. be able to.

また、スリットの一端がスリットの長手方向側の対向外周縁の一方まで延長して電極が櫛歯形状とされているので、電極を平行四辺形状に形成する場合に比較してより透過率を向上させることができる。
In addition, one end of the slit extends to one of the opposing outer peripheral edges on the longitudinal direction side of the slit, and the electrode has a comb-tooth shape. Therefore, the transmittance is further improved compared to the case where the electrode is formed in a parallelogram shape. Can be made.

また、スリットが互いに平行に複数形成されているので、画素の透過率を向上させることができる。
さらに、他の形態に係る液晶表示装置は、前記液晶層側の電極は外側電極部がゲート線と少なくとも一部が重ならないように配設されていることを特徴としている。
Further, since a plurality of slits are formed in parallel with each other, the transmittance of the pixel can be improved.
Further, the liquid crystal display device according to another embodiment, the liquid crystal layer side of the electrode is characterized by being arranged such portion outer electrodes do not overlap with at least part of the gate line.

この形態では、液晶層側の電極の外側電極部がゲート線少なくとも一部が重ならないように配設されているので、外側電極部と液晶層側の電極より大きく形成されている下部電極との電界により、外側電極部とゲート線の間の液晶分子を制御することができ、画素における透過率をより向上させることができる。
In this embodiment, since the outer electrode portion of the electrode on the liquid crystal layer side is arranged so that at least a part of the gate line does not overlap, the outer electrode portion and the lower electrode formed larger than the electrode on the liquid crystal layer side The liquid crystal molecules between the outer electrode portion and the gate line can be controlled by the electric field, and the transmittance in the pixel can be further improved.

さらに、他の形態に係る液晶表示装置は、前記液晶層側の電極に形成されたスリットは、ラビング方向に対して所定角度傾斜して形成されていることを特徴としている。
Furthermore, in a liquid crystal display device according to another embodiment, the slit formed in the electrode on the liquid crystal layer side is formed to be inclined at a predetermined angle with respect to the rubbing direction.

この形態では、スリットがラビング方向に対して所定角度傾斜して形成されているので、液晶層の液晶分子の回転方向を安定させることができる。
In this embodiment, since the slit is formed at a predetermined angle with respect to the rubbing direction, the rotation direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer can be stabilized.

さらにまた、他の形態に係る液晶表示装置は、前記スリットは開口部側のディスクリネーションが発生する部位に拡張電極部が形成されたマスクを使用して形成されていることを特徴としている。
Furthermore, a liquid crystal display device according to another aspect is characterized in that the slit is formed by using a mask in which an extended electrode portion is formed at a portion where disclination occurs on the opening side.

この形態でも、電極を櫛歯状に形成する際に、そのスリットの開口部側のディスクリネーションが発生する部位に拡張電極部が形成されたマスクを使用して行うので、開口部の長手方向端部が円弧状形状となることを抑制することができ、ディスクリネーションを抑制することができる。
In this embodiment, when forming the electrodes in a comb shape, is performed by using the mask extended electrode portion is formed at a site disclination on the opening side of the slit occurs, longitudinal opening It can suppress that an edge part becomes circular arc shape, and can suppress disclination.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明をノーマリーブラック型のFFSモードにより動作する液晶表示装置に適用した場合の一実施形態を示す平面図であって、図中、1は液晶表示装置であって、表示部2が複数の画素3をマトリックス状に配置されて構成されている。図1では、表示部2の一部の画素3のみを示している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment in which the present invention is applied to a liquid crystal display device operating in a normally black FFS mode. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a liquid crystal display device including a display unit. 2 includes a plurality of pixels 3 arranged in a matrix. In FIG. 1, only some pixels 3 of the display unit 2 are shown.

表示部2は、図1に示すように、X方向を水平方向とし、Y方向を垂直方向とした矩形状に形成され、その水平方向に沿って、画素選択信号が供給される複数のゲート線4が所定間隔を保って配置されていると共に、垂直方向に沿って、表示信号が供給されるドレイン線5が所定間隔を保って配置されている。なお、表示部2の水平方向は、表示部1が偏光サングラスを通して視認される場合においては、その偏光サングラスの吸収軸と平行となるように設定する。   As shown in FIG. 1, the display unit 2 is formed in a rectangular shape in which the X direction is a horizontal direction and the Y direction is a vertical direction, and a plurality of gate lines to which pixel selection signals are supplied along the horizontal direction. 4 are arranged at a predetermined interval, and drain lines 5 to which display signals are supplied are arranged at a predetermined interval along the vertical direction. The horizontal direction of the display unit 2 is set to be parallel to the absorption axis of the polarized sunglasses when the display unit 1 is viewed through the polarized sunglasses.

これらゲート線4及びドレイン線5で囲まれる画素領域に画素3が配置されている。各画素3には、画素形成領域の左上角部にゲート線4をゲート電極とした薄膜トランジスタTRが配設されている。
そして、画素3は、図2の断面図に示すように、多層構造とされ、バックライト10に対向する下面に第1の偏光板11を形成したガラス等からなる第1の透明基板12を有し、この第1の透明基板12の上面にバッファ膜13が形成され、このバッファ膜13の上面に薄膜トランジスタTRを構成する図1で見てU字状のポリシリコンで形成された能動層14が配置され、この能動層14を覆うようにゲート絶縁膜15が配置されている。
A pixel 3 is arranged in a pixel region surrounded by the gate line 4 and the drain line 5. Each pixel 3 is provided with a thin film transistor TR having the gate line 4 as a gate electrode at the upper left corner of the pixel formation region.
As shown in the cross-sectional view of FIG. 2, the pixel 3 has a first transparent substrate 12 made of glass or the like having a multilayer structure and a first polarizing plate 11 formed on the lower surface facing the backlight 10. A buffer film 13 is formed on the upper surface of the first transparent substrate 12, and an active layer 14 made of U-shaped polysilicon as viewed in FIG. The gate insulating film 15 is disposed so as to cover the active layer 14.

ゲート絶縁膜15の能動層14に対向する上面には能動層14を2回通るようにゲート線4が配置されてダブルゲート構造とされている。そして、ゲート絶縁膜15及びゲート線4は、層間絶縁膜16で覆われている。この層間絶縁膜16上には、コンタクトホールCH1を通じて薄膜トランジスタTRのドレイン17と接続されたドレイン線5と、コンタクトホールCH2を通じてソース18と接続されたソース電極19とが配置されている。   On the upper surface of the gate insulating film 15 facing the active layer 14, the gate line 4 is disposed so as to pass through the active layer 14 twice to form a double gate structure. The gate insulating film 15 and the gate line 4 are covered with an interlayer insulating film 16. On the interlayer insulating film 16, a drain line 5 connected to the drain 17 of the thin film transistor TR through the contact hole CH1 and a source electrode 19 connected to the source 18 through the contact hole CH2 are arranged.

これらドレイン線5及びソース電極19はパッシベーション膜20で覆われ、このパッシベーション膜20上に平坦化膜21が形成されている。なお、パッシベーション膜20は必ずしも必要ではなく、省略することもできる。
平坦化膜21上には、ソース電極19と対向する位置に開口部22aを有する共通電極22が配置されている。この共通電極22は、例えば画素3が配置されている表示有効領域ではベタ膜として形成され、画素3が配置されていな領域において、コンタクトホール(図示せず)を通じて、共通電位が供給される共通電極線(図示せず)と接続されている。また、ゲート線またはドレイン線に平行に連なった帯状に形成してもよいし、共通電極線と画素毎も接続してもよい。
The drain line 5 and the source electrode 19 are covered with a passivation film 20, and a planarizing film 21 is formed on the passivation film 20. The passivation film 20 is not always necessary and can be omitted.
On the planarizing film 21, a common electrode 22 having an opening 22 a is disposed at a position facing the source electrode 19. For example, the common electrode 22 is formed as a solid film in the display effective region where the pixel 3 is disposed, and a common potential is supplied to the common electrode 22 through a contact hole (not shown) in the region where the pixel 3 is not disposed. It is connected to an electrode wire (not shown). Further, it may be formed in a strip shape connected in parallel to the gate line or the drain line, or the common electrode line may be connected to each pixel.

そして、共通電極22上に絶縁膜23を介して画素電極24が配置されている。この画素電極24は絶縁膜23、共通電極22の開口部22a、平坦化膜21及びパッシベーション膜20を通じて形成されたコンタクトホールCH3を介してソース電極19と接続されている。
また、画素電極24は配向膜25で覆われており、この配向膜25のラビング方向は、第1の偏光板11の透過軸と平行となるように設定されている。
A pixel electrode 24 is disposed on the common electrode 22 via an insulating film 23. The pixel electrode 24 is connected to the source electrode 19 through a contact hole CH 3 formed through the insulating film 23, the opening 22 a of the common electrode 22, the planarizing film 21, and the passivation film 20.
The pixel electrode 24 is covered with an alignment film 25, and the rubbing direction of the alignment film 25 is set to be parallel to the transmission axis of the first polarizing plate 11.

そして、配向膜25の上部に液晶分子Mを有する液晶層26を介して下面にカラーフィルタ27及び配向膜28を有する第2の透明基板29が配置されている。ここで、配向膜28のラビング方向は前述した配向膜25と同じラビング方向を有している。また、液晶層26の液晶分子Mは、配向膜25及び28のラビング方向に応じて初期配向されており、ホモジニアス配向されている。   A second transparent substrate 29 having a color filter 27 and an alignment film 28 on the lower surface is disposed on the alignment film 25 via a liquid crystal layer 26 having liquid crystal molecules M. Here, the rubbing direction of the alignment film 28 has the same rubbing direction as the alignment film 25 described above. The liquid crystal molecules M of the liquid crystal layer 26 are initially aligned according to the rubbing direction of the alignment films 25 and 28 and are homogeneously aligned.

さらに、第2の透明基板29の上面に第1の偏光板11と直交する透過軸を有した第2の偏光板30が配置されている。
そして、配向膜25及び28のラビング方向は、図3に示すように、水平方向(X方向)と一致している。画素電極24は、図3に示すように、配向膜25及び28のラビング方向に対して所定角度θs1だけ傾斜した長方形状を有する複数のスリットS1が垂直方向に所定間隔L1を保って平行に形成されている所謂シングルスリット構成とされている。
Further, a second polarizing plate 30 having a transmission axis orthogonal to the first polarizing plate 11 is disposed on the upper surface of the second transparent substrate 29.
The rubbing direction of the alignment films 25 and 28 coincides with the horizontal direction (X direction) as shown in FIG. In the pixel electrode 24, as shown in FIG. 3, a plurality of slits S1 having a rectangular shape inclined by a predetermined angle θs1 with respect to the rubbing direction of the alignment films 25 and 28 are formed in parallel in the vertical direction with a predetermined interval L1. The so-called single slit configuration is adopted.

また、画素電極24は、垂直方向の両端部側のスリットS1から所定距離L2だけ離れた位置にスリットS1と平行な短辺となる対向外周縁31及び32が形成され、これら対向外周縁31及び32の左右両端を結んで垂直方向に延長する比較的長い長辺となる対向外周縁33及び34が形成されて平行四辺形状の外形を有する。
ここで、各スリットS1は、図2に示すように、絶縁膜23を介して形成された上部電極である画素電極24と下部電極である共通電極22との間に電圧を印加し、これによって発生する電界によって液晶分子Mを駆動するための開口部である。スリットS1が垂直方向に複数平行に形成されているので、画素3の透過率を向上させることができる。
The pixel electrode 24 is formed with opposing outer peripheral edges 31 and 32 having short sides parallel to the slit S1 at positions separated by a predetermined distance L2 from the slits S1 on both ends in the vertical direction. Opposing outer peripheral edges 33 and 34 having relatively long long sides extending in the vertical direction connecting the left and right ends of 32 are formed to have a parallelogram-shaped outer shape.
Here, as shown in FIG. 2, each slit S <b> 1 applies a voltage between the pixel electrode 24 that is the upper electrode and the common electrode 22 that is the lower electrode formed through the insulating film 23, thereby This is an opening for driving the liquid crystal molecules M by the generated electric field. Since a plurality of slits S1 are formed in parallel in the vertical direction, the transmittance of the pixel 3 can be improved.

そして、各スリットS1は、その傾斜角θs1が液晶層26の液晶分子Mの回転方向を不定にさせないようにするために、配向膜25及び28のラビング方向に対して例えば約+5度〜+15度、好ましくは約+5度大きい値に設定されている。
また、各スリットS1は、その長手方向の両端部が、これら両端部に対向する画素電極24の対向外周縁33及び34に対して所定距離L3だけ内側となるように形成されている。結局、画素電極24は、対向外周縁31及び32を形成する外側電極部35及び36と、対向外周縁33及び34を形成する外側電極部37及び38とで平行四辺形状とされ、外側電極部37及び38間がスリットS1を形成する連結電極部39で連結されている構成を有する。
Each slit S1 has, for example, about +5 degrees to +15 degrees with respect to the rubbing direction of the alignment films 25 and 28 so that the tilt angle θs1 does not make the rotation direction of the liquid crystal molecules M of the liquid crystal layer 26 indefinite. , Preferably about +5 degrees larger.
In addition, each slit S1 is formed such that both ends in the longitudinal direction are inside a predetermined distance L3 with respect to the opposing outer peripheral edges 33 and 34 of the pixel electrode 24 facing the both ends. Eventually, the pixel electrode 24 is formed into a parallelogram shape by the outer electrode portions 35 and 36 forming the opposing outer peripheral edges 31 and 32 and the outer electrode portions 37 and 38 forming the opposing outer peripheral edges 33 and 34. 37 and 38 are connected by a connecting electrode portion 39 that forms a slit S1.

この画素電極24は、パターニングする際に、フォトリソグラフィ工程により角部が若干丸みを帯びる形状となる場合がある。この丸みを極力回避するためには、パターニングに用いるマスクのパターンを、光近接効果を考慮したパターンとすれば、その丸みを無視できる程度に抑えることができる。
また、図1に示すように、平面から見て少なくとも画素電極24の外側電極部35とドレイン線5とをそれらの一部が互いに重畳するように配置することにより、スリットS1の端部をドレイン線5に近づけることができ、画素3における透過率をより向上させることができる。また、画素電極24の外側電極部35とゲート線4とをそれらが互いに重畳しないように配置することにより、外側電極部35と画素電極24より大きく形成されている下部電極である共通電極22との電界により、外側電極部35とゲート線4の間の液晶分子Mを制御することができ、画素3における透過率をより向上させることができる。
When the pixel electrode 24 is patterned, the corner may be slightly rounded by a photolithography process. In order to avoid this roundness as much as possible, if the pattern of the mask used for patterning is a pattern considering the optical proximity effect, the roundness can be suppressed to a level that can be ignored.
Further, as shown in FIG. 1, at least the outer electrode portion 35 of the pixel electrode 24 and the drain line 5 are arranged so that they partially overlap each other when viewed from above, so that the end portion of the slit S1 is drained. It can be brought closer to the line 5 and the transmittance in the pixel 3 can be further improved. Further, by arranging the outer electrode portion 35 of the pixel electrode 24 and the gate line 4 so as not to overlap each other, the outer electrode portion 35 and the common electrode 22 that is a lower electrode formed larger than the pixel electrode 24 The liquid crystal molecules M between the outer electrode portion 35 and the gate line 4 can be controlled by this electric field, and the transmittance in the pixel 3 can be further improved.

上記構成を有する液晶表示装置1の動作を、図2を参照して説明すると、共通電極22と画素電極24との間に電界が生じないオフ状態では、液晶層26の液晶分子Mはホモジニアス配向されており、その長軸方向は、第1の偏光板11の透過軸と例えば平行である。このとき、第1の偏光板11によって直線偏光されたバックライト10の光は、そのままの偏光軸で液晶層26を透過して第2の偏光板30に入射する。しかし、この光は、その偏光軸が第2の偏光板30の透過軸と直行するため、第2の偏光板30によって吸収される。即ち、黒表示表示(ノーマリーブラック)となる。   The operation of the liquid crystal display device 1 having the above configuration will be described with reference to FIG. 2. In an off state where no electric field is generated between the common electrode 22 and the pixel electrode 24, the liquid crystal molecules M of the liquid crystal layer 26 are homogeneously aligned. The long axis direction is, for example, parallel to the transmission axis of the first polarizing plate 11. At this time, the light of the backlight 10 linearly polarized by the first polarizing plate 11 passes through the liquid crystal layer 26 with the polarization axis as it is and enters the second polarizing plate 30. However, this light is absorbed by the second polarizing plate 30 because its polarization axis is perpendicular to the transmission axis of the second polarizing plate 30. That is, the display is black (normally black).

一方、共通電極22と画素電極24との間に電界が生じるオン状態では、この電界に応じて、液晶層26の液晶分子Mの長軸は、第1の透明基板12に対して略水平に回転する。このとき、第1の偏光板11によって直線偏光されたバックライト10の光は、液晶層26における複屈折により楕円偏光となり、第2の偏光板30に入射する。この楕円偏光のうち、第2の偏光板30の透過軸と一致する成分が出射され、白表示となる。   On the other hand, in the ON state in which an electric field is generated between the common electrode 22 and the pixel electrode 24, the major axis of the liquid crystal molecules M of the liquid crystal layer 26 is substantially horizontal with respect to the first transparent substrate 12 according to the electric field. Rotate. At this time, the light of the backlight 10 linearly polarized by the first polarizing plate 11 becomes elliptically polarized light due to birefringence in the liquid crystal layer 26, and enters the second polarizing plate 30. Among the elliptically polarized light, a component that coincides with the transmission axis of the second polarizing plate 30 is emitted and white display is performed.

このとき、画素電極24の外側電極部35及び36の対向外周縁31及び32がスリットS1と平行に形成されているので、画素電極24の外形を長方形状とする場合に比較して外側電極部35及び36に余分なマージンが生じることはなく、各画素3の透過率を向上させることができる。
なお、上記画素電極24が配置された各画素3が、所謂ライン反転駆動により動作する場合、垂直方向で隣接する各画素3の各画素電極24には、極性の異なる表示信号が供給される。そのため、異なる表示信号の間処理によって所望の表示が得られずに、それらの画素3の境界近傍で表示不良が生じる場合がある。この問題を避けるためには、垂直方向で隣接する各画素3の各画素電極24を極力離間させた方が良いが、あまり離間距離を大きくとると透過率の低下を招くことになる。
At this time, since the opposing outer peripheral edges 31 and 32 of the outer electrode portions 35 and 36 of the pixel electrode 24 are formed in parallel with the slit S1, the outer electrode portion is compared with the case where the outer shape of the pixel electrode 24 is rectangular. An extra margin does not occur in 35 and 36, and the transmittance of each pixel 3 can be improved.
When each pixel 3 on which the pixel electrode 24 is arranged operates by so-called line inversion driving, display signals having different polarities are supplied to the pixel electrodes 24 of the pixels 3 adjacent in the vertical direction. Therefore, a desired display may not be obtained by processing between different display signals, and a display defect may occur in the vicinity of the boundary between the pixels 3. In order to avoid this problem, it is preferable to separate the pixel electrodes 24 of the pixels 3 adjacent in the vertical direction as much as possible. However, if the separation distance is too large, the transmittance is lowered.

そこで、一方の画素電極24の対向外周縁31と他方の画素電極24の対向外周縁32との距離は、画素電極24の対向外周縁31及び32の外側の液晶分子Mが電界により所望の回転を得られる範囲の2倍と等しいか、それより多少大きい範囲とすることが好ましい。例えば、隣接する各画素電極24のうち、一方の画素電極24の外周縁31と、他方の画素電極24の外周縁32との距離をD1とすると、5μm<D1<15μmであり、好適な例としては7μm<D1<10μmである。   Therefore, the distance between the opposing outer peripheral edge 31 of one pixel electrode 24 and the opposing outer peripheral edge 32 of the other pixel electrode 24 is such that the liquid crystal molecules M outside the opposing outer peripheral edges 31 and 32 of the pixel electrode 24 are rotated by a desired electric field. It is preferable to make the range equal to or slightly larger than twice the range in which the value can be obtained. For example, among adjacent pixel electrodes 24, if the distance between the outer peripheral edge 31 of one pixel electrode 24 and the outer peripheral edge 32 of the other pixel electrode 24 is D1, 5 μm <D1 <15 μm, which is a preferable example Is 7 μm <D1 <10 μm.

なお、上記第1の実施形態においては、スリットS1の端部形状が丸みを帯びると、液晶分子Mの回転方向が所望の方向に対して反転する領域が存在して、本来ならば白表示となるべき領域が黒表示となり透過率が低下する現象であるディスクリネーションが発生する。このディスクリネーションの発生を抑制するためには、スリットS1の端部形状が丸みを帯びることなく形成することが必要であるが、このためのフォトリソグラフィ工程で使用するマスクとして、図4に示すような、開口部電極形成マスク100を使用する。   In the first embodiment, when the end shape of the slit S1 is rounded, there is a region where the rotation direction of the liquid crystal molecules M is reversed with respect to a desired direction. Disclination, which is a phenomenon in which the area to be displayed is black and the transmittance is reduced, occurs. In order to suppress the occurrence of this disclination, it is necessary to form the end shape of the slit S1 without rounding. As a mask used in the photolithography process for this purpose, FIG. Such an opening electrode formation mask 100 is used.

この開口部電極形成マスク100は、非透光パターン部112に対して、画素電極24のスリットS1に対向する位置にスリットS1の形状に応じた基本透光パターン部114が形成され、さらに基本透光パターン部114のディスクリネーションの発生する部位に基本透光パターン部114を拡張してディスクリネーションの発生を抑制する補正用透光パターン部116及び118が形成されている。   In the opening electrode forming mask 100, a basic light-transmitting pattern portion 114 corresponding to the shape of the slit S1 is formed at a position facing the slit S1 of the pixel electrode 24 with respect to the non-light-transmitting pattern portion 112, and further the basic light-transmitting pattern portion 114 is formed. Correction light-transmitting pattern portions 116 and 118 that extend the basic light-transmitting pattern portion 114 to suppress the occurrence of disclination are formed at the portions where the light pattern portion 114 is disclinated.

ここで、基本透光パターン部114のディスクリネーションが発生する部位は、上述した第1の実施形態のように、スリットS1がラビング方向に対して正方向即ち反時計方向に傾斜している場合には、スリットS1の中心点をXY座標の原点とし、X方向をスリットの長手方向とし、Y方向をスリットの幅方向としたときに、第2象限及び第4象限の角部となる。なお、スリットS1がラビング方向に対して負方向即ち時計方向に傾斜している場合には、上記XY座標系において第1象限及び第3象限の角部でディスクリネーションが発生する。   Here, the part where the disclination of the basic light-transmitting pattern portion 114 occurs is when the slit S1 is inclined in the positive direction, that is, counterclockwise with respect to the rubbing direction as in the first embodiment described above. Are the corners of the second and fourth quadrants when the center point of the slit S1 is the origin of the XY coordinates, the X direction is the longitudinal direction of the slit, and the Y direction is the width direction of the slit. When the slit S1 is inclined in the negative direction, that is, in the clockwise direction with respect to the rubbing direction, disclination occurs at the corners of the first quadrant and the third quadrant in the XY coordinate system.

補正用透光パターン部116は、図5で拡大図示するように、基本透光パターン部114が非透光パターン部112内に拡張される形となるように基本透光パターン部114に連通して形成され、基本透光パターン部114に連通してその長手方向即ちX軸に対して反時計方向に例えば45度傾斜して延長する比較的幅狭の帯状パターン部119と、この帯状パターン部119の延長端に形成された例えば直角二等辺三角形に形成された三角形パターン部120とで構成されている。   The correction translucent pattern portion 116 communicates with the basic translucent pattern portion 114 so that the basic translucent pattern portion 114 is extended into the non-transparent pattern portion 112 as shown in an enlarged view in FIG. A relatively narrow strip-shaped pattern portion 119 communicating with the basic light-transmitting pattern portion 114 and extending at an angle of, for example, 45 degrees counterclockwise to the longitudinal direction, that is, the X axis, and the strip-shaped pattern portion For example, a triangular pattern portion 120 formed in an isosceles right triangle is formed at the extended end of 119.

ここで、帯状パターン部119の幅寸法B及び基本透光パターン114の端部から三角形パターン部120の先端部までの延長寸法Cが基本透光パターン部114の幅寸法Aよりも小さく設定されている。
寸法の一例を挙げると、エッチング後に形成される画素電極24のスリット幅Sを約4.0μmとするときには、基本透光パターン部114の幅寸法Aを約3.4μmとすることができ、この場合、補正用透光パターン部116の延長寸法Cを約1.75μm、幅寸法Bを約1.4μmとすることができる。
Here, the width dimension B of the band-shaped pattern part 119 and the extension dimension C from the end of the basic light transmission pattern 114 to the tip of the triangular pattern part 120 are set smaller than the width dimension A of the basic light transmission pattern part 114. Yes.
For example, when the slit width S of the pixel electrode 24 formed after etching is about 4.0 μm, the width A of the basic light-transmitting pattern portion 114 can be about 3.4 μm. In this case, the extension dimension C of the correction translucent pattern portion 116 can be about 1.75 μm, and the width dimension B can be about 1.4 μm.

高精細な液晶表示装置では、基本透光パターン部114の幅寸法Aは、露光装置の解像度の限度近くの最小寸法に設定されることが多い。したがって、通常では、開口部電極形成マスクのパターンの最小寸法は、露光装置の解像度を超えて小さくしても、所望の寸法、形状に露光することはできない。ここで、光近接効果を利用することで、露光装置の解像度以下の微細パターンを得ることができる。これは露光装置の解像度の限度近くの基本パターン部の周辺部に、光の回折等を考慮した形状、寸法の補正用パターン部を設けることで、基本パターン部の周辺部の形状を補正し、露光装置の解像度以上の精度のパターンを形成することができることに基づく。図4の例では、基本透光パターン部114のみでは、露光装置の解像度の限界によって、露光パターンがその長手方向の端部において、円弧状になるが、補正用透光パターン部116を設けることで、円弧状形状を補正して、かなり矩形に近い露光パターンとすることができる。   In a high-definition liquid crystal display device, the width dimension A of the basic light-transmitting pattern portion 114 is often set to the minimum dimension near the resolution limit of the exposure apparatus. Therefore, normally, even if the minimum dimension of the pattern of the opening electrode formation mask is smaller than the resolution of the exposure apparatus, it cannot be exposed to a desired dimension and shape. Here, by utilizing the optical proximity effect, it is possible to obtain a fine pattern having a resolution lower than that of the exposure apparatus. This is to correct the shape of the peripheral portion of the basic pattern portion by providing a pattern portion for correcting the shape and dimensions in consideration of light diffraction etc. in the peripheral portion of the basic pattern portion near the resolution limit of the exposure apparatus, This is based on the ability to form a pattern with an accuracy higher than the resolution of the exposure apparatus. In the example of FIG. 4, the exposure pattern has an arc shape at the end portion in the longitudinal direction due to the limit of the resolution of the exposure apparatus only with the basic light transmission pattern portion 114, but the correction light transmission pattern portion 116 is provided. Thus, the arc shape can be corrected to obtain an exposure pattern that is very close to a rectangle.

したがって、光近接効果を利用するため、補正用透光パターン部116の寸法は、基本透光パターン部114の最小寸法よりも小さく設定される。上記の例で、露光装置の分解能が約3μmとすれば、基本透光パターン部114の最小寸法を露光装置の分解能の約3μmよりも大きい約3.4μmとし、補正用透光パターン部116の最小寸法を露光装置の分解能の3μmより小さいやく1.4μmとすることができる。   Therefore, in order to use the optical proximity effect, the dimension of the correction translucent pattern portion 116 is set smaller than the minimum dimension of the basic translucent pattern portion 114. In the above example, if the resolution of the exposure apparatus is about 3 μm, the minimum dimension of the basic translucent pattern portion 114 is set to about 3.4 μm, which is larger than the resolution of the exposure apparatus of about 3 μm, and The minimum dimension can be set to 1.4 μm, which is smaller than the resolution of the exposure apparatus of 3 μm.

このような開口部電極形成マスク100は、一般的な露光マスクの製造方法に従って、基本透光パターン部114の最小寸法を露光装置の解像度の許容範囲とし、基本透光パターン部114の長手方向の端部に、露光装置の解像度を超える小さな寸法を有する補正用透光パターン部116を設けるように透光パターンを形成したものを用いることができる。   In such an opening electrode forming mask 100, the minimum dimension of the basic light-transmitting pattern portion 114 is set within the allowable range of the resolution of the exposure apparatus in accordance with a general exposure mask manufacturing method, and the longitudinal light-transmitting pattern portion 114 is arranged in the longitudinal direction. A light-transmitting pattern formed so as to be provided with a correction light-transmitting pattern portion 116 having a small dimension exceeding the resolution of the exposure apparatus can be used at the end.

また、補正用透光パターン部118についても、詳細図示は省略するが、補正用透光パターン部116と線対称な同一形状に形成されている。
上記構成を有する開口部電極形成マスク100を使用して露光を行うと、基本透光パターン部114及び補正用透光パターン部116,118を光が通過し、感光性レジストが露光される。この感光性レジストは露光されると、その特性が変化するので、適当な現像液を用いることで、露光部分を除去することができ、これによって、感光性レジストが基本透光パターン部114と同じ形状に感光性レジストに開口部が形成される。このようにして開口部が形成された感光性レジストを用いて、画素電極用透明導電材料膜をエッチングすることにより、感光性レジストの開口部に対応する形状のスリットS1を有する画素電極24が形成される。
Further, although the detailed illustration of the correction light-transmitting pattern portion 118 is omitted, the correction light-transmitting pattern portion 118 is formed in the same shape as that of the correction light-transmitting pattern portion 116.
When exposure is performed using the opening electrode forming mask 100 having the above-described configuration, light passes through the basic light-transmitting pattern portion 114 and the correction light-transmitting pattern portions 116 and 118, and the photosensitive resist is exposed. Since the characteristics of the photosensitive resist change when exposed, the exposed portion can be removed by using an appropriate developing solution, whereby the photosensitive resist is the same as the basic translucent pattern portion 114. An opening is formed in the photosensitive resist in shape. The pixel electrode 24 having the slit S1 having a shape corresponding to the opening of the photosensitive resist is formed by etching the transparent conductive material film for the pixel electrode using the photosensitive resist having the opening formed in this manner. Is done.

次に、本発明の第2の実施形態を図6について説明する。
この第2の実施形態は、配向膜25及び30のラビング方向と画素電極24に形成したスリットS1の傾斜角とを選択することにより、製造時におけるパターニングの制約上、スリットS1の端のパターンが円弧状になることにより、画素電極の電極部からスリットS1の下層に延在する共通電極に延びる電界の方向とラビング方向との角が一様でなくなり、液晶分子Mの回転方向が所望の方向に対して反転する領域が存在して、本来ならば白表示となるべき領域が黒表示となり透過率が低下する現象、即ちディスクリネーションを減少させ、画素の透過率を高めるようにしたものである。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In the second embodiment, by selecting the rubbing direction of the alignment films 25 and 30 and the inclination angle of the slit S1 formed in the pixel electrode 24, the pattern at the end of the slit S1 is limited due to patterning restrictions during manufacturing. Due to the arc shape, the angle between the direction of the electric field extending from the electrode portion of the pixel electrode to the common electrode extending below the slit S1 and the rubbing direction is not uniform, and the rotation direction of the liquid crystal molecules M is the desired direction. In contrast, there is a region that reverses, and the region that should normally be white display becomes black display and the transmittance decreases, that is, the disclination is reduced and the pixel transmittance is increased. is there.

すなわち、第2の実施形態では、図6に示すように、配向膜25及び30のラビング方向は、水平方向(X方向)に対して傾斜角θrを有している。この傾斜角θrは、例えば約+20度〜+50度であり、好ましくは約+30度である。第1偏光板11の透過軸は、このラビング方向に例えば平行である。
平行四辺形又は略平行四辺形の形状を有した画素電極24には、長辺E1と短辺E2からさなる平行四辺形又は略平行四辺形の形状を有した複数のスリットS1が互いに平行に配置されている。平行四辺形の画素電極24の長辺は、表示部2の垂直方向に平行である。表示部1の水平方向に対するスリットS1の長辺E1の傾斜角θsは、液晶層26の液晶分子Mの回転方向を不定にさせないようにするため、ラビング方向の傾斜角θrよりも、例えば約+5度〜+15度、好ましくは約5度大きく設定する。
That is, in the second embodiment, as shown in FIG. 6, the rubbing direction of the alignment films 25 and 30 has an inclination angle θr with respect to the horizontal direction (X direction). The inclination angle θr is, for example, about +20 degrees to +50 degrees, and preferably about +30 degrees. The transmission axis of the first polarizing plate 11 is, for example, parallel to this rubbing direction.
In the pixel electrode 24 having a parallelogram or substantially parallelogram shape, a plurality of slits S1 having a parallelogram shape or a substantially parallelogram shape composed of a long side E1 and a short side E2 are parallel to each other. Has been placed. The long side of the parallelogrammatic pixel electrode 24 is parallel to the vertical direction of the display unit 2. The inclination angle θs of the long side E1 of the slit S1 with respect to the horizontal direction of the display unit 1 is, for example, about +5 than the inclination angle θr in the rubbing direction so as not to make the rotation direction of the liquid crystal molecules M of the liquid crystal layer 26 indefinite. It is set to a degree of about +15 degrees, preferably about 5 degrees.

一方、水平方向に対するスリットS1の短辺E2の傾斜角θeは、長辺E1の傾斜角θsよりも大きく、且つ(θr+90°)よりも小さく設定されている。すなわち、画素電極24では、スリットS1の端において、一方の各部Aacは鋭角の開口部となっている。
また、画素電極24の短辺側の対向外周縁31及び32は、水平方向に対して傾斜角θsを有している。すなわち、画素電極24の対向外周縁31及び32はスリットS1の長辺E1と平行である。これら対向外周縁31及び32は垂直方向に沿った対向外周縁33及び34と鋭角で交差する。すなわち、対向外周縁31と対向外周縁34とが交差する箇所及び対向外周縁32と対向外周縁33とが交差する箇所には鋭角の角部Cが存在することになる。
On the other hand, the inclination angle θe of the short side E2 of the slit S1 with respect to the horizontal direction is set larger than the inclination angle θs of the long side E1 and smaller than (θr + 90 °). That is, in the pixel electrode 24, at each end of the slit S1, one part Aac is an acute angle opening.
Further, the opposing outer peripheral edges 31 and 32 on the short side of the pixel electrode 24 have an inclination angle θs with respect to the horizontal direction. That is, the opposing outer peripheral edges 31 and 32 of the pixel electrode 24 are parallel to the long side E1 of the slit S1. These opposed outer peripheral edges 31 and 32 intersect the opposed outer peripheral edges 33 and 34 along the vertical direction at an acute angle. That is, there is an acute corner C at a location where the opposing outer peripheral edge 31 and the opposing outer peripheral edge 34 intersect and a location where the opposing outer peripheral edge 32 and the opposing outer peripheral edge 33 intersect.

なお、画素電極24の外周縁の角部CとスリットS1の角部Aacとは、画素電極24をパターニングする際、フォトリソグラフィ工程の光近接効果により若干丸みを帯びる場合がある。この丸みを極力介するためには、パターニングに用いるマスクのパターンを、上記光近接効果を考慮したパターンとすれば、その丸みを無視できる程度に抑えることができる。   The corner C of the outer peripheral edge of the pixel electrode 24 and the corner Aac of the slit S1 may be slightly rounded due to the optical proximity effect of the photolithography process when the pixel electrode 24 is patterned. In order to use the roundness as much as possible, if the mask pattern used for patterning is a pattern that takes the optical proximity effect into consideration, the roundness can be suppressed to a level that can be ignored.

この第2の実施形態によると、画素電極24が、スリットS1の鋭角となる角部Aacの近傍において、液晶分子Mの回転方向の反転は起こりにくいため、ディスクリネーションが抑えられる。なお、スリットS1の他方の端の近傍では、そもそも液晶分子Mの回転方向の反転は起こらないため、ディスクリネーションは生じない。
さらに、画素電極24の対向外周縁31及び32に沿った領域は、スリットS1の長辺E1と平行であることから、対向外周縁31及び32に沿った領域にスリットS1の短辺E2が配置されず、この領域では液晶分子Mの回転方向の反転が発生しないため、ディスクリネーションが生じない。さらに、画素電極24の対向外周縁31及び32とその外側に配置した共通電極22との電界によって、この領域の液晶分子Mの回転する角度が画素3内と同じとすることができるため、表示に寄与する領域とすることができる。これにより、画素3全体におけるディスクリネーションを低減させ、透過率を高めることができる。
この場合スリットS1の端における画素電極24の対向外周縁33及び34に沿った端において、スリットS1の端と、対向外周縁33及び34と一番近い部分の距離が電極材料の形成上、所定の距離を必要とするため、一番近い部分の距離を所定の距離とした場合と比較すると、スリットS1の端が対向外周縁33及び34から離れてしまうことになる。
According to the second embodiment, the pixel electrode 24 is less likely to reverse the rotation direction of the liquid crystal molecules M in the vicinity of the corner Aac that is the acute angle of the slit S1, and thus disclination is suppressed. In the vicinity of the other end of the slit S1, the reversal of the rotation direction of the liquid crystal molecules M does not occur in the first place, so that no disclination occurs.
Further, since the region along the opposing outer peripheral edges 31 and 32 of the pixel electrode 24 is parallel to the long side E1 of the slit S1, the short side E2 of the slit S1 is disposed in the region along the opposing outer peripheral edges 31 and 32. In this region, since the reversal of the rotation direction of the liquid crystal molecules M does not occur, disclination does not occur. Furthermore, the rotation angle of the liquid crystal molecules M in this region can be made the same as that in the pixel 3 by the electric field between the opposed outer peripheral edges 31 and 32 of the pixel electrode 24 and the common electrode 22 arranged on the outside thereof. It can be set as the area | region which contributes to. Thereby, the disclination in the whole pixel 3 can be reduced and the transmittance can be increased.
In this case, the distance between the end of the slit S1 and the portion of the pixel electrode 24 along the opposing outer peripheral edges 33 and 34 that is closest to the end of the slit S1 and the opposing outer peripheral edges 33 and 34 is predetermined for forming the electrode material. Therefore, compared with the case where the distance of the nearest part is set to a predetermined distance, the end of the slit S1 is separated from the opposing outer peripheral edges 33 and 34.

この画素電極24の端におけるマージンは、透過率を低下させることから、特に、画素電極24の対向外周縁31及び32よりも対向外周縁33及び34の方が長い場合では、ディスクリネーションの生じる箇所が増大してしまう。すなわち、画素3全体における透過率が著しく低下してしまう。これに対して、本実施形態では、スリットS1の傾斜角θsがラビング方向の傾斜角θrよりも大きいことから、そのような画素電極24の端におけるスリットS1の端と画素電極24の対向外周縁33及び34との距離を近くすることができる。従って、上記透過率の低下を抑制することができる。   Since the margin at the end of the pixel electrode 24 reduces the transmittance, disclination occurs particularly when the opposing outer peripheral edges 33 and 34 are longer than the opposing outer peripheral edges 31 and 32 of the pixel electrode 24. The number will increase. That is, the transmittance of the entire pixel 3 is significantly reduced. On the other hand, in the present embodiment, since the inclination angle θs of the slit S1 is larger than the inclination angle θr in the rubbing direction, the edge of the slit S1 at the end of the pixel electrode 24 and the outer peripheral edge of the pixel electrode 24 facing each other. The distance to 33 and 34 can be reduced. Therefore, the decrease in the transmittance can be suppressed.

次に、本発明の第3の実施形態を図7及び図8について説明する。
この第3の実施形態では、画素電極を櫛歯状に形成したものである。
すなわち、第3の実施形態では、図7及び8に示すように、前述した第1の実施形態における画素電極24の右側の外側電極部38が形成されず、画素電極24が櫛歯状に形成されていることを除いては前述した図1及び図3と同様の構成を有し、図1及び図3との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In the third embodiment, the pixel electrode is formed in a comb shape.
That is, in the third embodiment, as shown in FIGS. 7 and 8, the outer electrode portion 38 on the right side of the pixel electrode 24 in the first embodiment described above is not formed, and the pixel electrode 24 is formed in a comb shape. Except for the above, the configuration is the same as that of FIG. 1 and FIG. 3 described above, and the same reference numerals are given to the corresponding parts to FIG. 1 and FIG.

この第3の実施形態によると、第1の実施形態における画素電極24の外側電極部38が形成されず櫛歯状の画素電極24とされているので、スリットS1の端が形成されず、透過率を向上させることができる。
この第3の実施形態でも、櫛歯形状の画素電極24を端部形状に丸みを帯びることなく形成することがディスクリネーションを発生させないために必要であり、このためのフォトリソグラフィ工程で使用するマスクとして、図9に示すような、開口部電極形成マスク200を使用する。
According to the third embodiment, since the outer electrode portion 38 of the pixel electrode 24 in the first embodiment is not formed, and the pixel electrode 24 is a comb-like pixel electrode, the end of the slit S1 is not formed and transmission is performed. The rate can be improved.
Also in the third embodiment, it is necessary to form the comb-like pixel electrode 24 without rounding the end shape in order to prevent disclination, and this is used in the photolithography process for this purpose. As the mask, an opening electrode formation mask 200 as shown in FIG. 9 is used.

この開口部電極形成マスク200は、非透光パターン部212に対して、画素電極24のスリットS1に対向する位置にスリットS1の形状に応じた基本透光パターン部214が形成され、さらに基本透光パターン部214のディスクリネーションの発生する部位に基本透光パターン部214を縮小してディスクリネーションの発生を抑制する補正用非透光パターン部216及び基本透光パターン部214を拡張してディスクリネーションの発生を抑制する補正用透光パターン部218が形成されている。   In the opening electrode forming mask 200, a basic light-transmitting pattern portion 214 corresponding to the shape of the slit S1 is formed at a position facing the slit S1 of the pixel electrode 24 with respect to the non-light-transmitting pattern portion 212. By expanding the non-transparent pattern portion 216 for correction and the basic translucent pattern portion 214 to suppress the occurrence of disclination by reducing the basic translucent pattern portion 214 to the portion where the disclination of the light pattern portion 214 occurs. A correction translucent pattern portion 218 that suppresses the occurrence of disclination is formed.

ここで、基本透光パターン部114のディスクリネーションが発生する部位は、上述した第3の実施形態のように、スリットS1がラビング方向に対して正方向即ち反時計方向に傾斜している場合には、スリットS1の中心点をXY座標の原点とし、X方向をスリットの長手方向とし、Y方向をスリットの幅方向としたときに、第2象限及び第4象限の角部Dとなる。なお、スリットS1がラビング方向に対して負方向即ち時計方向に傾斜している場合には、上記XY座標系において第1象限及び第3象限の角部でディスクリネーションが発生する。   Here, the part where the disclination of the basic light-transmitting pattern portion 114 occurs is when the slit S1 is inclined in the positive direction, that is, counterclockwise with respect to the rubbing direction as in the third embodiment described above. In this case, when the center point of the slit S1 is the origin of the XY coordinates, the X direction is the longitudinal direction of the slit, and the Y direction is the width direction of the slit, the corner portions D of the second quadrant and the fourth quadrant are obtained. When the slit S1 is inclined in the negative direction, that is, in the clockwise direction with respect to the rubbing direction, disclination occurs at the corners of the first quadrant and the third quadrant in the XY coordinate system.

補正用非透光パターン部216は、図10で拡大図示するように、非透光パターン部212が基本透光パターン部214内に拡張される形、換言すれば基本透光パターン部214が縮小される形に非透光パターン部212に連結して形成され、非透光パターン部212に連結してその長手方向即ちX軸に対して反時計方向に例えば45度傾斜して延長する比較的幅狭の帯状非透光パターン部219と、この帯状非透光パターン部219の延長端に形成された例えば直角二等辺三角形に形成された三角形非透光パターン部220とで構成されている。   As shown in the enlarged view of FIG. 10, the non-transparent pattern portion 216 for correction is a form in which the non-transparent pattern portion 212 is expanded into the basic translucent pattern portion 214, in other words, the basic translucent pattern portion 214 is reduced. The non-transparent pattern portion 212 is connected to the non-transparent pattern portion 212, and is connected to the non-transparent pattern portion 212 so as to extend at an angle of 45 degrees counterclockwise with respect to the longitudinal direction, that is, the X axis. The band-shaped non-light-transmitting pattern portion 219 having a narrow width and the triangle non-light-transmitting pattern portion 220 formed at an extended end of the band-shaped non-light-transmitting pattern portion 219, for example, a right-angled isosceles triangle.

ここで、帯状非透光パターン部219の幅寸法I及び非透光パターン212の端部から三角形非透光パターン部220の先端部までの延長寸法Jが非透光パターン部212の幅寸法Hよりも小さく設定されている。
寸法の一例を挙げると、エッチング後に形成される画素電極24の細長い電極部の幅即ちラインの幅寸法Wを約3.0μmとするときには、非透光パターン部212の幅寸法Hを約3.6μmとすることができ、この場合、補正用非透光パターン部216の延長寸法Jを約1.5μm、幅寸法Iを約1.4μmとすることができる。
Here, the width dimension I of the band-shaped non-transparent pattern portion 219 and the extension dimension J from the end of the non-translucent pattern 212 to the tip of the triangular non-transparent pattern portion 220 are the width dimension H of the non-transparent pattern portion 212. Is set smaller than.
For example, when the width of the elongated electrode portion of the pixel electrode 24 formed after etching, that is, the width W of the line is about 3.0 μm, the width H of the non-light-transmitting pattern portion 212 is about 3. In this case, the extension dimension J of the non-transparent pattern portion for correction 216 can be about 1.5 μm, and the width dimension I can be about 1.4 μm.

図4及び図5に関連して前述したように、光近接効果を利用することで、露光装置の解像度以下の微細パターンを得ることができ、図10の例では、基本透光パターン部214あるいは非透光パターン212のみでは、露光装置の解像度の限界によって、露光パターンがその長手方向の端部において円弧状に、微細な補正用非透光パターン部216を設けることで、円弧状形状を補正して、かなり矩形に近い露光パターンとすることができる。   As described above with reference to FIGS. 4 and 5, by utilizing the optical proximity effect, it is possible to obtain a fine pattern below the resolution of the exposure apparatus. In the example of FIG. With only the non-transparent pattern 212, the arc shape is corrected by providing a fine correction non-transparent pattern portion 216 in an arc shape at the end in the longitudinal direction of the exposure pattern due to the limit of the resolution of the exposure apparatus. Thus, the exposure pattern can be made substantially rectangular.

したがって、光近接効果を利用するため、補正用非透光パターン部216の寸法は、基本透光パターン部214又は非透光パターン212の最小寸法よりも小さく設定される。上記の例で、露光装置の分解能が約3μmであるとすれば、基本透光パターン部214の最小寸法を露光装置の分解能の約3μmよりも大きい約3.6μmとし、補正用非透光パターン部216の最小寸法を露光装置の分解能の3μmより小さい約1.4μmとすることができる。   Therefore, in order to use the optical proximity effect, the dimension of the correction non-light-transmitting pattern part 216 is set smaller than the minimum dimension of the basic light-transmitting pattern part 214 or the non-light-transmitting pattern 212. In the above example, assuming that the resolution of the exposure apparatus is about 3 μm, the minimum dimension of the basic translucent pattern portion 214 is set to about 3.6 μm, which is larger than the resolution of the exposure apparatus of about 3 μm, and the non-transparent pattern for correction is used. The minimum dimension of the portion 216 can be about 1.4 μm, which is smaller than the resolution of the exposure apparatus of 3 μm.

このような開口部電極形成マスク100は、一般的な露光マスクの製造方法に従って、基本透光パターン部114の最小寸法を露光装置の解像度の許容範囲とし、基本透光パターン部114の長手方向の端部に、露光装置の解像度を超える小さな寸法を有する補正用透光パターン部116を設けるように透光パターンを形成したものを用いることができる。   In such an opening electrode forming mask 100, the minimum dimension of the basic light-transmitting pattern portion 114 is set within the allowable range of the resolution of the exposure apparatus in accordance with a general exposure mask manufacturing method, and the longitudinal light-transmitting pattern portion 114 is arranged in the longitudinal direction. A light-transmitting pattern formed so as to be provided with a correction light-transmitting pattern portion 116 having a small dimension exceeding the resolution of the exposure apparatus can be used at the end.

また、補正用透光パターン部218については、前述した図4及び図5の補正用透光パターン部118と同様の構成を有する。
この第3の実施形態では、前述した第1の実施形態の画素電極24を櫛歯状にした場合について説明したが、これに限定されるものではなく、前述した第2の実施形態の画素電極を櫛歯状とするようにしてもよい。
Further, the correction translucent pattern portion 218 has the same configuration as the correction translucent pattern portion 118 of FIGS. 4 and 5 described above.
In the third embodiment, the case where the pixel electrode 24 of the first embodiment described above is comb-shaped has been described. However, the present invention is not limited to this, and the pixel electrode of the second embodiment described above. May be comb-shaped.

なお、上記第1〜第3の実施形態においては、画素電極24のスリットS1の長手方向がラビング方向に対して正方向に傾斜している場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ラビング方向に対して負方向に傾斜させるようにしてもよい。
また、上記第1〜第3の実施形態においては、共通電極22及び画素電極24のうち画素電極24が液晶分子M側に配置されて、スリットS1が形成されている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、共通電極22を液晶分子M側に配置した場合には、画素電極24に代えて、共通電極22にスリットS1を形成すればよい。
In the first to third embodiments, the case where the longitudinal direction of the slit S1 of the pixel electrode 24 is inclined in the positive direction with respect to the rubbing direction has been described. However, the present invention is not limited to this. Further, it may be inclined in the negative direction with respect to the rubbing direction.
In the first to third embodiments, the case where the pixel electrode 24 of the common electrode 22 and the pixel electrode 24 is disposed on the liquid crystal molecule M side and the slit S1 is formed has been described. When the common electrode 22 is disposed on the liquid crystal molecule M side, the slit S1 may be formed in the common electrode 22 instead of the pixel electrode 24.

さらに、上記第1〜第3の実施形態においては、薄膜トランジスタTRの能動層14をU字状に形成して、この能動層14をゲート線4が2度横切るようにダブルゲート構造とした場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図11に示すように、能動層14を直線状に形成し、これに応じてゲート線4に能動層14の位置で二股に分岐する分岐部300を形成して、能動層14をゲート線4が2回横切るダブルゲート構造とするようにしてもよい。   Furthermore, in the first to third embodiments, the active layer 14 of the thin film transistor TR is formed in a U shape, and the active layer 14 has a double gate structure so that the gate line 4 crosses twice. Although described above, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 11, the active layer 14 is formed in a straight line, and the branching portion branches into the gate line 4 at the position of the active layer 14 accordingly. 300 may be formed so that the active layer 14 has a double gate structure in which the gate line 4 crosses twice.

なおさらに、上記第1〜第3の実施形態においては、画素3がノーマリーブラック型のFFSモードにより動作する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ノーマリーホワイト型のFFSモードにより動作する液晶表示装置についても本発明を適用することができる。この場合、第1の偏光板11及び第2の偏光板30の透過軸、配向膜25及び28のラビング方向の関係をノーマリーホワイト型に対応して変更すればよい。   In the first to third embodiments, the case where the pixel 3 operates in the normally black FFS mode has been described. However, the present invention is not limited to this, and the normally white FFS mode is used. The present invention can also be applied to a liquid crystal display device that operates according to the above. In this case, the relationship between the transmission axes of the first polarizing plate 11 and the second polarizing plate 30 and the rubbing direction of the alignment films 25 and 28 may be changed corresponding to the normally white type.

本発明の第1の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。1 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. 図1のA−A上の断面図である。It is sectional drawing on the AA of FIG. 図1の画素電極を示す平面図である。It is a top view which shows the pixel electrode of FIG. 第1の実施形態に適用する開口部形成用マスクを示す平面図である。It is a top view which shows the mask for opening part application applied to 1st Embodiment. 図4の補正透光パターン部の詳細を示す図である。It is a figure which shows the detail of the correction | amendment translucent pattern part of FIG. 本発明の第2の実施形態を示す画素電極の平面図である。It is a top view of the pixel electrode which shows the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。It is a top view which shows the liquid crystal display device by the 3rd Embodiment of this invention. 図7の画素電極を示す平面図である。It is a top view which shows the pixel electrode of FIG. 第3の実施形態に適用する開口部形成用マスクを示す平面図である。It is a top view which shows the mask for opening part application applied to 3rd Embodiment. 開口部形成用マスクの補正非透光パターン部の詳細を示す図である。It is a figure which shows the detail of the correction | amendment non-translucent pattern part of the mask for opening part formation. 薄膜トランジスタの他の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the other structure of a thin-film transistor.

符号の説明Explanation of symbols

1…液晶表示装置、2…表示部、3…画素、4…ゲート線、5…ドレイン線、10…バックライト、11…第1の偏光板、12…第1の透明基板、13…バッファ膜、14…能動層、15…ゲート絶縁膜、16…層間絶縁膜、17…ドレイン、18…ソース、19…ソース電極、20…パッシベーション膜、21…平坦化膜、22…共通電極、23…絶縁膜、24…画素電極、25…配向膜、26…液晶層、27…カラーフィルタ、28…配向膜、29…第2の透明基板、30…第2の偏光板、TR…薄膜トランジスタ、S1…スリット、31,32…対向外周縁、33,34…対向外周縁、35〜38…外側電極部、100…開口部形成用マスク、112…非透光パターン部、114…基本透光パターン部、116,118…補正用透光パターン部、200…開口部形成用マスク、212…非透光パターン部、214…基本透光パターン部、216…補正用非透光パターン部、218…補正用透光パターン部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal display device, 2 ... Display part, 3 ... Pixel, 4 ... Gate line, 5 ... Drain line, 10 ... Back light, 11 ... 1st polarizing plate, 12 ... 1st transparent substrate, 13 ... Buffer film , 14 ... Active layer, 15 ... Gate insulating film, 16 ... Interlayer insulating film, 17 ... Drain, 18 ... Source, 19 ... Source electrode, 20 ... Passivation film, 21 ... Planarization film, 22 ... Common electrode, 23 ... Insulation Film, 24 ... pixel electrode, 25 ... alignment film, 26 ... liquid crystal layer, 27 ... color filter, 28 ... alignment film, 29 ... second transparent substrate, 30 ... second polarizing plate, TR ... thin film transistor, S1 ... slit , 31, 32 ... opposing outer peripheral edge, 33, 34 ... opposing outer peripheral edge, 35 to 38 ... outer electrode part, 100 ... opening forming mask, 112 ... non-light-transmitting pattern part, 114 ... basic light-transmitting pattern part, 116 118 ... Transparent light for correction Over down portion, 200 ... opening forming mask, 212 ... non-light pattern section, 214 ... Basic translucent pattern portion 216 ... non-light-transmitting pattern portion for correcting, 218 ... correction translucent pattern portion

Claims (4)

表示部を形成する画素を、少なくとも、液晶層を挟んで対向する一対の基板と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ絶縁膜を挟んで配置された前記液晶層の液晶分子を駆動する共通電極及び画素電極と、で構成し、
前記共通電極及び前記画素電極のうちの前記液晶層側の電極は、前記画素の長手方向に対して所定角度傾斜したスリットを有すると共に、該スリットと平行な対向外周縁を有し、
前記スリットは、互いに平行に複数形成され、前記液晶層側の電極の当該スリットの長手方向の対向外周縁の一方まで延長して、当該電極が櫛歯形状とされ、
前記液晶層側の電極は外側電極部がドレイン線と少なくとも一部が重なるように配設されていることを特徴とする液晶表示装置。
A pixel forming the display portion drives at least a pair of substrates opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and liquid crystal molecules of the liquid crystal layer provided on one of the pair of substrates with an insulating film interposed therebetween. A common electrode and a pixel electrode,
The electrode on the liquid crystal layer side of the common electrode and the pixel electrode has a slit inclined at a predetermined angle with respect to the longitudinal direction of the pixel, and has an opposing outer peripheral edge parallel to the slit ,
A plurality of the slits are formed in parallel to each other, extend to one of the opposing outer peripheral edges in the longitudinal direction of the slit of the electrode on the liquid crystal layer side, and the electrode has a comb shape,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode on the liquid crystal layer side is disposed so that an outer electrode portion at least partially overlaps the drain line .
前記液晶層側の電極は外側電極部がゲート線と少なくとも一部が重ならないように配設されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode on the liquid crystal layer side is disposed such that an outer electrode portion does not at least partially overlap the gate line. 前記液晶層側の電極に形成されたスリットは、ラビング方向に対して所定角度傾斜し形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。 A slit formed in the electrode of the liquid crystal layer side, the liquid crystal display device according to claim 1 or 2, characterized in that it is inclined at a predetermined angle formed relative to the rubbing direction. 前記スリットはディスクリネーションが発生する部位に拡張電極部が形成されたマスクを使用して形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the slit is formed by using a mask in which an extended electrode portion is formed in a portion where disclination occurs. 5.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010137334A1 (en) 2009-05-28 2010-12-02 パナソニック株式会社 Lead storage battery charging control method, charging control circuit, power source device and lead storage battery
JP5540590B2 (en) * 2009-07-09 2014-07-02 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device and electronic device
CN104280950B (en) * 2009-08-21 2017-06-09 群创光电股份有限公司 Liquid crystal display panel and apply its liquid crystal display device
JP5513859B2 (en) * 2009-11-25 2014-06-04 株式会社ジャパンディスプレイ LCD panel
JP5732331B2 (en) * 2011-06-27 2015-06-10 株式会社ジャパンディスプレイ Liquid crystal display
CN102629038B (en) 2011-12-15 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 Thin film transistor (TFT) array substrate, manufacture method thereof and display device
CN102629058B (en) * 2011-12-31 2013-06-19 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, liquid crystal display device and orientation friction method
KR102211598B1 (en) * 2014-07-10 2021-02-03 삼성디스플레이 주식회사 Liquid crystal display
KR102242084B1 (en) * 2014-09-16 2021-04-21 삼성디스플레이 주식회사 Curved display device
CN104483788B (en) * 2014-10-10 2018-04-10 上海中航光电子有限公司 Dot structure and its manufacture method, array base palte, display panel and display device
CN104503156A (en) * 2014-12-11 2015-04-08 深圳市华星光电技术有限公司 Display substrate and manufacturing method thereof
US20200249534A1 (en) * 2017-04-01 2020-08-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display apparatus
CN109407430B (en) * 2018-12-17 2024-04-26 武汉华星光电技术有限公司 Array substrate and preparation method thereof
CN111522182B (en) * 2020-05-29 2022-08-12 厦门天马微电子有限公司 Liquid crystal display panel and array substrate thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005107535A (en) * 2003-09-26 2005-04-21 Boe Hydis Technology Co Ltd Fringe field switching liquid crystal display
JP2005148534A (en) * 2003-11-18 2005-06-09 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device
JP2006350168A (en) * 2005-06-20 2006-12-28 Sanyo Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal device and manufacturing method therefor, and electronic device
JP2007183628A (en) * 2005-12-29 2007-07-19 Lg Phillips Lcd Co Ltd Array substrate for horizontal electric field mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP2007226175A (en) * 2006-01-26 2007-09-06 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal device and electronic equipment
JP2007264231A (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Epson Imaging Devices Corp Ffs mode liquid crystal display panel

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100482468B1 (en) * 2000-10-10 2005-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Fringe field switching mode lcd
JP4326307B2 (en) * 2003-11-19 2009-09-02 株式会社 日立ディスプレイズ Liquid crystal display
CN101446715A (en) * 2006-01-26 2009-06-03 爱普生映像元器件有限公司 Liquid crystal apparatus and electronic device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005107535A (en) * 2003-09-26 2005-04-21 Boe Hydis Technology Co Ltd Fringe field switching liquid crystal display
JP2005148534A (en) * 2003-11-18 2005-06-09 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device
JP2006350168A (en) * 2005-06-20 2006-12-28 Sanyo Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal device and manufacturing method therefor, and electronic device
JP2007183628A (en) * 2005-12-29 2007-07-19 Lg Phillips Lcd Co Ltd Array substrate for horizontal electric field mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP2007226175A (en) * 2006-01-26 2007-09-06 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal device and electronic equipment
JP2007264231A (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Epson Imaging Devices Corp Ffs mode liquid crystal display panel

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