JP2006350168A - Liquid crystal device and manufacturing method therefor, and electronic device - Google Patents

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克則 山崎
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device which can maintain desirable holding characteristics, while suppressing pixel aperture rate drop, allowing display of high luminance and high image quality. <P>SOLUTION: The liquid crystal device of this invention has a common electrode 42 and pixel electrodes 48, arranged facing each other via an insulation film 51 on an element substrate 110, and TFD elements 43 electrically connected to pixel electrodes 48, and signal wiring 49 electrically connected with the TFD elements 43 on the insulation film 51. In this configuration, it drives the liquid crystal layer in the electrical fields formed between the pixel electrodes 48 and the common electrode 42. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.

従来より、アクティブマトリクス型液晶装置として、画素スイッチング素子に二端子型非線形素子(TFD(Thin Film Diode)素子)を用いたものが知られている(例えば特許文献1参照)。
特開2004−93929号公報
2. Description of the Related Art Conventionally, as an active matrix liquid crystal device, one using a two-terminal nonlinear element (TFD (Thin Film Diode) element) as a pixel switching element is known (see, for example, Patent Document 1).
JP 2004-93929 A

TFD素子を用いた液晶装置としては、TN(Twisted Nematic)方式のものが一般的であるが、近年の画素の高精細化に伴い、表示の保持特性の確保が難しくなっており、かかる問題を解消するべく画素内に保持容量を設けると、画素開口率が低下して明るい表示が得られなくなる。
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、画素開口率の低下を抑えつつ、良好な保持特性を有し、高輝度、高画質の表示を可能にした液晶装置、及びその製造方法を提供することを目的としている。
As a liquid crystal device using a TFD element, a TN (Twisted Nematic) type is generally used. However, with the recent increase in the definition of pixels, it is difficult to secure display retention characteristics. If a storage capacitor is provided in the pixel to eliminate the pixel aperture ratio, a bright display cannot be obtained.
The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and has a good holding characteristic while suppressing a decrease in the pixel aperture ratio, and enables a display with high luminance and high image quality. And a method for manufacturing the same.

本発明は、上記課題を解決するために、液晶層を挟持して対向配置された第1基板と第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に設けられた第1電極と第2電極とを備え、前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電界によって前記液晶層を駆動する液晶装置であって、前記第1電極と第2電極とが絶縁膜を介して対向配置され、前記絶縁膜の前記第2電極側に、該第2電極と電気的に接続された非線型素子と、該非線形素子と電気的に接続された信号配線とが設けられていることを特徴とする液晶装置を提供する。
すなわち本発明の液晶装置は、画素スイッチング素子として非線形素子を具備したアクティブマトリクス型の液晶装置であって、第1基板上に絶縁膜を介して対向する第1電極と第2電極とを設け、これらの電極間に発生させた電界を液晶層に作用させて駆動する、いわゆるFFS(Fringe Field Switching)方式を採用した液晶装置である。
この構成によれば、前記第1電極と第2電極とが絶縁膜を介して対向しているので、第1電極と第2電極との間に電圧を印加したとき、液晶層を駆動する電界の発生とともに、第1電極と第2電極との対向領域に容量が形成され、電極への電圧印加を停止した後も、前記容量に蓄積した電荷により良好に表示を保持することができる。したがって、本構成では、電圧保持のための保持容量を別途設ける必要が無いため、画素開口率を低下させることなく表示の高画質化を実現できる。
In order to solve the above-described problems, the present invention provides a first substrate and a second substrate that are disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, a first electrode provided on the liquid crystal layer side of the first substrate, and a second electrode. And a liquid crystal device for driving the liquid crystal layer by an electric field generated between the first electrode and the second electrode, wherein the first electrode and the second electrode are arranged to face each other with an insulating film interposed therebetween And a non-linear element electrically connected to the second electrode and a signal wiring electrically connected to the nonlinear element are provided on the second electrode side of the insulating film. A liquid crystal device is provided.
That is, the liquid crystal device of the present invention is an active matrix type liquid crystal device having a non-linear element as a pixel switching element, and is provided with a first electrode and a second electrode facing each other through an insulating film on a first substrate, This is a liquid crystal device that employs a so-called FFS (Fringe Field Switching) system in which an electric field generated between these electrodes is applied to a liquid crystal layer and driven.
According to this configuration, since the first electrode and the second electrode are opposed to each other via the insulating film, an electric field that drives the liquid crystal layer when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode. As a result of this, a capacitor is formed in the opposing region of the first electrode and the second electrode, and even after the voltage application to the electrode is stopped, the display can be favorably held by the charge accumulated in the capacitor. Therefore, in this configuration, since it is not necessary to separately provide a storage capacitor for holding voltage, it is possible to realize high display quality without reducing the pixel aperture ratio.

本発明の液晶装置では、前記第1電極が、前記絶縁膜の前記第1基板側に設けられている構成とすることもできる。また、前記第2電極が、前記絶縁膜の前記第1基板側に設けられている構成としてもよい。
すなわち、本発明の液晶装置では、前記絶縁膜を挟んだ第1電極、第2電極(及びこれに接続される前記非線形素子)の配置形態は任意であり、いずれの構成であっても高輝度、高画質の表示を得ることができる。これらの構成のうちでも、第2電極が前記第1基板と絶縁膜との間に設けられる構成とすれば、第2電極と電気的に接続される非線形素子が絶縁膜に覆われる構成となるので、非線形素子に起因して第1基板表面に生じる凹凸を緩和することができ、配向膜のラビング処理における均一性の確保が容易になるという利点がある。
In the liquid crystal device according to the aspect of the invention, the first electrode may be provided on the first substrate side of the insulating film. The second electrode may be provided on the first substrate side of the insulating film.
That is, in the liquid crystal device of the present invention, the arrangement form of the first electrode and the second electrode (and the non-linear element connected thereto) sandwiching the insulating film is arbitrary, and high brightness is obtained in any configuration. High-quality display can be obtained. Among these configurations, if the second electrode is provided between the first substrate and the insulating film, the non-linear element electrically connected to the second electrode is covered with the insulating film. Therefore, the unevenness generated on the surface of the first substrate due to the nonlinear element can be relaxed, and there is an advantage that it is easy to ensure uniformity in the rubbing process of the alignment film.

本発明の液晶装置では、前記第1電極及び前記第2電極のうち、前記絶縁膜の前記第1基板と反対側に設けられた電極が、前記第1電極と第2電極とが対向する平面領域内に延在する複数の帯状電極を有している構成とすることが好ましい。この構成によれば、前記帯状電極の間の領域に配された液晶を駆動制御することで表示を行う液晶装置が得られる。   In the liquid crystal device according to the aspect of the invention, of the first electrode and the second electrode, an electrode provided on the opposite side of the insulating film from the first substrate is a plane in which the first electrode and the second electrode face each other. A configuration having a plurality of strip electrodes extending in the region is preferable. According to this configuration, a liquid crystal device that performs display by driving and controlling the liquid crystal disposed in the region between the strip electrodes can be obtained.

本発明の液晶装置では、複数の前記第2電極が前記第1基板上に平面視略マトリクス状に配列形成されており、前記第1電極が、複数の前記第2電極に跨って形成されていることが好ましい。すなわち、本発明に係る液晶装置では、前記非線形素子と電気的に接続された第2電極が画素(ドット)ごとに設けられた電極とされ、前記第1電極が複数の画素に跨る共通電極とされる。   In the liquid crystal device according to the aspect of the invention, the plurality of second electrodes are arranged and formed on the first substrate in a substantially matrix shape in plan view, and the first electrodes are formed across the plurality of the second electrodes. Preferably it is. That is, in the liquid crystal device according to the present invention, the second electrode electrically connected to the nonlinear element is an electrode provided for each pixel (dot), and the first electrode is a common electrode that spans a plurality of pixels. Is done.

本発明の液晶装置では、前記第1電極が、前記第2電極と対向する領域において前記第2電極を内包する平面視略矩形状の共通電極部と、複数の前記共通電極部を電気的に接続する接続配線部とを有する構成とすることもできる。   In the liquid crystal device according to the aspect of the invention, the first electrode may electrically connect a common electrode portion having a substantially rectangular shape in a plan view that includes the second electrode in a region facing the second electrode, and a plurality of the common electrode portions. It can also be set as the structure which has a connection wiring part to connect.

本発明の液晶装置では、前記接続配線部が金属配線である構成とすることもできる。金属配線を用いることで共通電極に印加した電圧の損失を抑えることができ、信号遅延等による表示の不具合が生じ難い構成とすることができる。   In the liquid crystal device of the present invention, the connection wiring portion may be a metal wiring. By using the metal wiring, the loss of the voltage applied to the common electrode can be suppressed, and a display defect due to a signal delay or the like can be hardly caused.

本発明の液晶装置では、前記第1基板と前記絶縁膜との間に設けられた前記非線形素子と、前記絶縁膜上に設けられた前記第1電極とが、平面的に重なって配置されていることが好ましい。このような構成とすることで、前記非線形素子の動作時にその近傍に発生する電界を前記第1電極によって遮蔽することが可能になり、非線形素子の形成領域における液晶の配向乱れを防止し、液晶装置の輝度や画質を高めることができる。また、第1電極が遮光性の部材である場合には、同様の遮光領域である非線形素子の形成領域と平面的に重ねることで、開口率を高めることができる。   In the liquid crystal device according to the aspect of the invention, the nonlinear element provided between the first substrate and the insulating film and the first electrode provided on the insulating film are arranged to overlap in a plane. Preferably it is. By adopting such a configuration, it becomes possible to shield the electric field generated in the vicinity of the nonlinear element during the operation of the nonlinear electrode by the first electrode, and prevent alignment disorder of the liquid crystal in the formation area of the nonlinear element. The brightness and image quality of the device can be increased. When the first electrode is a light-shielding member, the aperture ratio can be increased by overlapping the non-linear element formation region, which is a similar light-shielding region, in a planar manner.

本発明の液晶装置では、前記第1電極が、前記接続配線部において前記信号配線と交差している構成とすることが好ましい。この構成によれば、前記信号配線と前記第1電極とが交差する領域の面積を小さくできるので、信号配線と第1電極との間で寄生容量が生じるのを抑制でき、クロストーク等が生じるのを防止して高画質の液晶装置とすることができる。   In the liquid crystal device according to the aspect of the invention, it is preferable that the first electrode intersects the signal wiring in the connection wiring portion. According to this configuration, since the area of the region where the signal wiring and the first electrode intersect can be reduced, the generation of parasitic capacitance between the signal wiring and the first electrode can be suppressed, and crosstalk or the like occurs. Thus, a high-quality liquid crystal device can be obtained.

本発明の液晶装置では、前記非線形素子と、前記金属配線からなる前記接続配線部とが平面的に重なって配置されている構成とすることもできる。この構成によれば、遮光性の構成部材である非線形素子と接続配線部とを同一平面領域に配置するので、開口率を高めることができ、高輝度の表示を得られるようになる。   In the liquid crystal device of the present invention, the non-linear element and the connection wiring portion made of the metal wiring may be arranged so as to overlap in a plane. According to this configuration, the non-linear element, which is a light-shielding component, and the connection wiring portion are arranged in the same plane region, so that the aperture ratio can be increased and a high-luminance display can be obtained.

本発明の液晶装置では、前記絶縁膜が、部位により異なる膜厚を有して形成され、前記非線形素子と平面的に重なる部位の膜厚が、前記第2電極と平面的に重なる部位の膜厚より大きいことが好ましい。この構成によれば、前記非線形素子の近傍に発生する電界を良好に遮蔽でき、かつ第1電極と第2電極との間の容量を増大させて保持特性を向上させることができる。   In the liquid crystal device according to the aspect of the invention, the insulating film is formed to have a different thickness depending on a part, and the film thickness of a part overlapping the nonlinear element in a plane is a film in a part overlapping the second electrode. It is preferable that the thickness is larger. According to this configuration, it is possible to satisfactorily shield the electric field generated in the vicinity of the nonlinear element, and to increase the capacitance between the first electrode and the second electrode, thereby improving the holding characteristics.

本発明の液晶装置の製造方法は、液晶層を挟持して対向配置された第1基板と第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に設けられた第1電極と第2電極とを備え、前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電界によって前記液晶層を駆動する液晶装置の製造方法であって、前記第1基板上に前記第1電極を形成する工程と、前記第1基板を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に非線形素子と、該非線形素子と電気的に接続された信号配線とを形成する工程と、前記絶縁膜上の前記第1電極と対向する位置に、複数の帯状電極を有し、前記非線形素子と電気的に接続された前記第2電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。この製造方法によれば、非線形素子をスイッチング素子として備えたFFS方式の液晶装置を容易に製造することができる。   The method of manufacturing a liquid crystal device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate that are disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a first electrode and a second electrode that are provided on the liquid crystal layer side of the first substrate. A liquid crystal device manufacturing method for driving the liquid crystal layer by an electric field generated between the first electrode and the second electrode, the step of forming the first electrode on the first substrate; Forming an insulating film covering the first substrate; forming a non-linear element on the insulating film; and a signal wiring electrically connected to the non-linear element; and the first on the insulating film. And a step of forming the second electrode having a plurality of strip electrodes at positions opposed to the electrodes and electrically connected to the nonlinear element. According to this manufacturing method, an FFS-type liquid crystal device including a nonlinear element as a switching element can be easily manufactured.

本発明の液晶装置の製造方法は、液晶層を挟持して対向配置された第1基板と第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に設けられた第1電極と第2電極とを備え、前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電界によって前記液晶層を駆動する液晶装置の製造方法であって、前記第1基板上に、非線形素子と、該非線形素子と電気的に接続された信号配線と、前記非線形素子と電気的に接続された前記第2電極とを形成する工程と、前記非線形素子と、前記信号配線と、前記第2電極とを覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上の前記第2電極と対向する位置に、複数の帯状電極を有する前記第1電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。この製造方法によれば、非線形素子をスイッチング素子として備えたFFS方式の液晶装置を容易に製造することができる。また、非線形素子等を覆って絶縁膜を形成するので、第1基板の表面の凹凸を緩和することができ、第1基板表面に形成する配向膜の均一性や配向処理の均一性を高めることができる。   The method of manufacturing a liquid crystal device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate that are disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a first electrode and a second electrode that are provided on the liquid crystal layer side of the first substrate. A liquid crystal device for driving the liquid crystal layer by an electric field generated between the first electrode and the second electrode, the non-linear element on the first substrate, and the non-linear element and the electric Forming an electrically connected signal wiring and the second electrode electrically connected to the nonlinear element, and an insulating film covering the nonlinear element, the signal wiring, and the second electrode And a step of forming the first electrode having a plurality of strip electrodes at a position facing the second electrode on the insulating film. According to this manufacturing method, an FFS-type liquid crystal device including a nonlinear element as a switching element can be easily manufactured. In addition, since the insulating film is formed so as to cover the non-linear element, the unevenness of the surface of the first substrate can be reduced, and the uniformity of the alignment film formed on the surface of the first substrate and the uniformity of the alignment process can be improved. Can do.

本発明の液晶装置の製造方法は、前記第1電極を形成する工程において、平面視略矩形状の共通電極部を複数配列形成するとともに、前記複数の共通電極部を一方向に電気的に接続する接続配線部を形成し、前記信号配線を、前記接続配線部と交差する位置に形成することを特徴とする。この製造方法によれば、前記接続配線部と前記信号配線とが交差する構成の液晶装置が得られるので、第1電極と信号配線との間に寄生容量が生じるのを抑制することができ、クロストーク等の不具合が生じるのを効果的に防止しうる液晶装置を製造できる。   In the method of manufacturing a liquid crystal device according to the present invention, in the step of forming the first electrode, a plurality of common electrode portions having a substantially rectangular shape in plan view are formed and the plurality of common electrode portions are electrically connected in one direction. The connection wiring portion is formed, and the signal wiring is formed at a position intersecting with the connection wiring portion. According to this manufacturing method, since the liquid crystal device having a configuration in which the connection wiring portion and the signal wiring intersect with each other can be obtained, it is possible to suppress the generation of parasitic capacitance between the first electrode and the signal wiring. A liquid crystal device that can effectively prevent problems such as crosstalk can be manufactured.

本発明の液晶装置の製造方法では、前記接続配線部を金属材料により形成するとともに、該接続配線部と前記非線形素子とを平面的に重なる位置に形成することもできる。この構成によれば、接続配線部を低抵抗の金属配線とした場合にも、遮光性の部材からなる非線形素子と平面的に重なるように配置することで、画素の開口率を低下させることなく第1電極の電気的特性を高めることができる。   In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention, the connection wiring portion may be formed of a metal material, and the connection wiring portion and the nonlinear element may be formed at a position overlapping in a plane. According to this configuration, even when the connection wiring portion is a low-resistance metal wiring, it is arranged so as to overlap the non-linear element made of a light-shielding member in a planar manner without reducing the aperture ratio of the pixel. The electrical characteristics of the first electrode can be enhanced.

前記第1基板と絶縁膜との間に非線形素子を形成する製造方法においては、前記第1電極を形成する工程において、前記第1電極を前記非線形素子と平面的に重なる位置に形成することが好ましい。この製造方法によれば、前記非線形素子の近傍に発生する電界を前記第1電極により遮蔽することができる。また第1電極が遮光性部材である場合には、遮光性部材である非線形素子と第1電極とが平面的に重なって配置することで開口率の低下を防止できるという利点が得られる。   In the manufacturing method in which the nonlinear element is formed between the first substrate and the insulating film, in the step of forming the first electrode, the first electrode is formed at a position overlapping the nonlinear element in a plane. preferable. According to this manufacturing method, an electric field generated in the vicinity of the nonlinear element can be shielded by the first electrode. Further, when the first electrode is a light-shielding member, an advantage is obtained in that a decrease in the aperture ratio can be prevented by arranging the nonlinear element, which is a light-shielding member, and the first electrode so as to overlap in a plane.

本発明の液晶装置の製造方法は、前記第2電極及び前記非線形素子を覆う絶縁膜の膜厚を、前記非線形素子状で厚く形成する一方、前記第2電極上で薄く形成することもできる。この製造方法によれば、前記非線形素子の近傍にあっては非線形素子に起因する電界を遮蔽して液晶の配向乱れを防止でき、前記第1電極と第2電極との対向領域にあっては前記両電極間の容量を増大させて表示の保持特性を向上させることができる。   In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention, the insulating film covering the second electrode and the nonlinear element may be formed thick on the second electrode while the insulating film covering the second electrode is formed thick. According to this manufacturing method, in the vicinity of the nonlinear element, an electric field caused by the nonlinear element can be shielded to prevent alignment disorder of the liquid crystal, and in a region where the first electrode and the second electrode are opposed to each other, The display holding characteristics can be improved by increasing the capacitance between the electrodes.

本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、明るく高画質の表示部を具備した電子機器を提供できる。   An electronic apparatus according to the present invention includes the liquid crystal device according to the present invention described above. According to this configuration, it is possible to provide an electronic device including a bright and high-quality display unit.

(第1実施形態)
以下、本発明に係る第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図1(a)は本発明の液晶装置の一実施形態を示す平面構成図であり、図1(b)は(a)図の要部断面図である。図1に示す液晶装置は、FFS(Fringe Field Switching)方式、すなわち横電界方式の液晶装置である。
なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1A is a plan view showing an embodiment of the liquid crystal device of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view of the main part of FIG. The liquid crystal device illustrated in FIG. 1 is an FFS (Fringe Field Switching) type, that is, a horizontal electric field type liquid crystal device.
In addition, in each figure, in order to make each layer and each member into a size that can be recognized on the drawing, the scale is varied for each layer and each member.

従来の垂直駆動方式の液晶装置は、2枚の基板間に挟持された液晶に対して、基板面に垂直な方向に駆動電界を与えて液晶分子の配向を制御している。これに対して、横電界方式の液晶装置では、電極構造が形成された基板側において、基板面に略平行な方向に駆動電界を発生させて液晶分子の配向を制御している。
また本実施形態の液晶装置は、図示しないバックライトからの光を用いる透過型液晶装置であって、スイッチング素子として二端子型非線形素子、ここではTFD(Thin Film Diode)素子を用いたアクティブマトリクス方式のものである。
A conventional vertical drive type liquid crystal device controls the alignment of liquid crystal molecules by applying a drive electric field to a liquid crystal sandwiched between two substrates in a direction perpendicular to the substrate surface. On the other hand, in the lateral electric field type liquid crystal device, on the substrate side on which the electrode structure is formed, a driving electric field is generated in a direction substantially parallel to the substrate surface to control the alignment of liquid crystal molecules.
The liquid crystal device of this embodiment is a transmissive liquid crystal device that uses light from a backlight (not shown), and an active matrix system using a two-terminal nonlinear element, here a TFD (Thin Film Diode) element, as a switching element. belongs to.

図1の(a)及び(b)に示すように、本実施の形態の液晶装置100は、対をなす素子基板(第1基板)110と対向基板(第2基板)120とが紫外線硬化性のシール材52によって貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域内に液晶層50が封入、保持されている。シール材52は、基板面内において閉ざされた環状(枠状)に形成されている。   As shown in FIGS. 1A and 1B, in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, a pair of element substrate (first substrate) 110 and counter substrate (second substrate) 120 are ultraviolet curable. The liquid crystal layer 50 is sealed and held in a region partitioned by the seal material 52. The sealing material 52 is formed in an annular shape (frame shape) closed within the substrate surface.

素子基板110の内面側には、液晶層50に作用させる電界を発生させる電極構造を含むドット素子部40がマトリクス状に配列形成されており、対向基板120の内面側にはカラーフィルタ22が形成されている。上記ドット素子部40、カラーフィルタ22の内面側には更に配向膜(図示略)が形成されている。なお、ドット素子部40にはスイッチング素子としてTFD素子(薄膜ダイオード素子、図6参照)が接続されている。   On the inner surface side of the element substrate 110, dot element portions 40 including an electrode structure that generates an electric field that acts on the liquid crystal layer 50 are arranged in a matrix, and the color filter 22 is formed on the inner surface side of the counter substrate 120. Has been. An alignment film (not shown) is further formed on the inner surface side of the dot element portion 40 and the color filter 22. Note that a TFD element (thin film diode element, see FIG. 6) is connected to the dot element unit 40 as a switching element.

図1(a)に示す平面構成をみると、対向基板120よりも素子基板110の外形寸法の方が大きく、対向基板120の一辺端部(図1における下辺部)から張り出した素子基板110の周縁部が張出領域90となっている。張出領域90には、素子基板110側に形成されたドット素子部40を駆動するための第1駆動回路201と第2駆動回路202とが実装されている。なお、各駆動回路201,202には図示しない外部接続端子が形成され、当該液晶装置100と接続された外部機器から表示制御信号等を受信する。   1A, the outer dimension of the element substrate 110 is larger than that of the counter substrate 120, and the element substrate 110 protruding from one end (the lower side in FIG. 1) of the counter substrate 120 is larger. The peripheral edge is an overhang area 90. A first drive circuit 201 and a second drive circuit 202 for driving the dot element unit 40 formed on the element substrate 110 side are mounted on the overhang region 90. Each of the drive circuits 201 and 202 has an external connection terminal (not shown), and receives a display control signal and the like from an external device connected to the liquid crystal device 100.

液晶装置100を構成する素子基板110の画像表示領域は、図6に示すような断面構成、及び平面構成を具備したものとなっている。素子基板110の画像表示領域には、図6(b)に示すように複数のドット素子部40が平面視マトリクス状に配列されており、図6(a)には、1つのドット素子部40におけるA−A’線に沿う部分断面構成が示されている。各ドット素子部40は、液晶層50、及び対向基板側のカラーフィルタ22等とともに画像表示領域の最小表示単位となる1ドットを構成しており、カラーフィルタ22の色種により異なる色(R(赤),G(緑),B(青))の表示を行う3つのドット(ドット素子部40)によって1つの画素を構成している。   The image display area of the element substrate 110 constituting the liquid crystal device 100 has a cross-sectional configuration and a planar configuration as shown in FIG. In the image display area of the element substrate 110, as shown in FIG. 6B, a plurality of dot element portions 40 are arranged in a matrix in a plan view, and in FIG. The partial cross-section structure which follows the AA 'line in is shown. Each dot element portion 40, together with the liquid crystal layer 50, the color filter 22 on the counter substrate side, and the like constitute one dot that is the minimum display unit of the image display area, and the color (R ( One pixel is composed of three dots (dot element portion 40) that display red), G (green), and B (blue).

ここで、1つのドット素子部40に着目すると、図6(b)に示すように、図中横方向に共通電極42が延在し、これと交差する図中縦方向に信号配線49が延在している。共通電極42は、ITO(インジウム錫酸化物)等の透明導電材料からなる導電膜であり、各ドットの平面領域を内包する幅を有する帯状を成して、図示左右方向の複数のドットに跨って形成されている。信号配線49は、クロム等の金属材料を用いて形成されている。   Here, focusing on one dot element portion 40, as shown in FIG. 6B, the common electrode 42 extends in the horizontal direction in the figure, and the signal wiring 49 extends in the vertical direction in the figure that intersects with the common electrode 42. Exist. The common electrode 42 is a conductive film made of a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide). The common electrode 42 forms a strip having a width including the planar area of each dot, and spans a plurality of dots in the horizontal direction in the figure. Is formed. The signal wiring 49 is formed using a metal material such as chromium.

1つのドットにおける共通電極42と信号配線49の交差領域の近傍に、TFD素子(非線形素子)43が形成されている。TFD素子43は、下部電極と上部電極との間に絶縁膜が挟持されたものであり、図6(a)に示すように下部電極44と、下部電極44の上面を覆う素子絶縁膜46と、素子絶縁膜46を介して下部電極44と対向するように設けられた信号配線49及び接続電極47とによってTFD素子43は構成されている。すなわち、本実施形態に係るTFD素子43は、2つのダイオードが背中合わせに接続された、いわゆるバック・トゥー・バック(Back-to-Back)構造のTFD素子となっている。また本実施形態では、下部電極44と一部平面的に重なる信号配線49がそのままTFD素子43の上部電極として用いられているが、信号配線49と電気的に接続された上部電極を別途設けてもよい。   A TFD element (nonlinear element) 43 is formed in the vicinity of the intersection region of the common electrode 42 and the signal wiring 49 in one dot. The TFD element 43 has an insulating film sandwiched between a lower electrode and an upper electrode. As shown in FIG. 6A, the lower electrode 44 and an element insulating film 46 covering the upper surface of the lower electrode 44, The TFD element 43 is configured by the signal wiring 49 and the connection electrode 47 provided so as to face the lower electrode 44 with the element insulating film 46 interposed therebetween. That is, the TFD element 43 according to the present embodiment is a so-called back-to-back TFD element in which two diodes are connected back to back. In this embodiment, the signal wiring 49 that partially overlaps the lower electrode 44 is used as the upper electrode of the TFD element 43 as it is. However, an upper electrode that is electrically connected to the signal wiring 49 is provided separately. Also good.

TFD素子43の一方の上部電極を構成する接続電極47に、画素電極48が電気的に接続されている。画素電極48は、そのTFD素子43側の端部で図中縦方向に延びる基端部48aと、この基端部48aから分岐して図示左右方向に延びる3本の帯状電極部48bとを有している。画素電極48は、クロム等の金属材料により形成してもよいが、ITO等の透明導電材料を用いて形成すればドット開口率を高めることができる。なお、本実施例では帯状電極部は3本であるがこれに限定するものではなく、一端が開放された逆「ヨ」の字形状となっているが、これらを短絡させた「日」の字形状にしても良い。
図6(a)に示す断面構造をみると、素子基板110の基体である基板本体10A上に、共通電極42が形成され、共通電極42を覆って形成されたシリコン窒化膜等からなる絶縁膜51上に、TFD素子43、信号配線49、画素電極48が形成されている。
A pixel electrode 48 is electrically connected to a connection electrode 47 constituting one upper electrode of the TFD element 43. The pixel electrode 48 has a base end portion 48a that extends in the vertical direction in the figure at the end on the TFD element 43 side, and three strip electrode portions 48b that branch from the base end portion 48a and extend in the horizontal direction in the drawing. is doing. The pixel electrode 48 may be formed of a metal material such as chromium. However, if the pixel electrode 48 is formed using a transparent conductive material such as ITO, the dot aperture ratio can be increased. In this embodiment, the number of the strip-shaped electrode portions is three. However, the present invention is not limited to this, and it has a reverse “yo” shape with one end opened. It may be a letter shape.
6A, the common electrode 42 is formed on the substrate body 10A which is the base of the element substrate 110, and the insulating film made of a silicon nitride film or the like formed so as to cover the common electrode 42. A TFD element 43, a signal wiring 49, and a pixel electrode 48 are formed on 51.

上記構成を具備した本実施形態の液晶装置100では、共通電極42に走査電圧波形を印加する一方、信号配線49に所定の信号電圧波形を印加すると、TFD素子43がオンして画素電極48に所定の電圧が書き込まれ、画素電極48と共通電極42との間に発生する電界(横電界)により液晶を駆動するようになっている。なお、走査電圧波形と信号電圧波形を印加する電極を入れ替えても良い。
そして、共通電極42と画素電極48とが絶縁膜51を介して基板厚さ方向に対向するように配置されたFFS方式の電極構造を具備したことで、画素電極48と共通電極42とが、互いに対向する領域で絶縁膜51を誘電体層とする容量を形成しているので、ドット内に別段保持容量を設けなくとも電極間の電荷を良好に保持することができ、高画質の高精細表示を得ることができる。
特に、絶縁膜51として大きな誘電率を有し、また成膜による欠陥も生じ難いシリコン窒化膜を用いるならば、高誘電率の絶縁膜を薄く形成することができ、画素電極48と共通電極42との間に形成される容量を大きくできる。これにより、さらに良好な保持特性を具備した液晶装置を実現することができる。
また、保持容量を別途設ける領域をドット内に確保する必要が無いことから、ドットの開口率を向上させることができ、高輝度の表示を得ることができる。
In the liquid crystal device 100 of the present embodiment having the above configuration, when a scanning voltage waveform is applied to the common electrode 42 and a predetermined signal voltage waveform is applied to the signal wiring 49, the TFD element 43 is turned on and applied to the pixel electrode 48. A predetermined voltage is written, and the liquid crystal is driven by an electric field (lateral electric field) generated between the pixel electrode 48 and the common electrode 42. The electrodes to which the scanning voltage waveform and the signal voltage waveform are applied may be interchanged.
The pixel electrode 48 and the common electrode 42 are provided with the FFS-type electrode structure in which the common electrode 42 and the pixel electrode 48 are arranged so as to face each other in the substrate thickness direction with the insulating film 51 interposed therebetween. Since the capacitor having the insulating film 51 as a dielectric layer is formed in the regions facing each other, the charge between the electrodes can be well held without providing a separate holding capacitor in the dot, and the image quality is high definition. An indication can be obtained.
In particular, if a silicon nitride film having a large dielectric constant and hardly causing defects due to film formation is used as the insulating film 51, an insulating film having a high dielectric constant can be formed thinly, and the pixel electrode 48 and the common electrode 42 can be formed. The capacity formed between the two can be increased. As a result, a liquid crystal device having even better holding characteristics can be realized.
In addition, since it is not necessary to secure an area in which the storage capacitor is separately provided in the dot, the aperture ratio of the dot can be improved, and a high-luminance display can be obtained.

信号配線49及び共通電極42は、いずれも走査線、信号線として用いることができるが、上述したように、金属膜からなる信号配線49を走査線に用い、比較的シート抵抗の高いITO等からなる共通電極42を信号線として用いることが好ましい。走査側の信号遅延を防止することで、TFDアクティブマトリクス方式で発生しやすい横クロストークを防止することができ、表示品質を向上させることができる。   Both the signal wiring 49 and the common electrode 42 can be used as a scanning line and a signal line. However, as described above, the signal wiring 49 made of a metal film is used for the scanning line and is made of ITO or the like having a relatively high sheet resistance. It is preferable to use the common electrode 42 as a signal line. By preventing the signal delay on the scanning side, it is possible to prevent the horizontal crosstalk that easily occurs in the TFD active matrix method, and to improve the display quality.

[液晶装置の製造方法]
次に、上記構成の液晶装置100、特に本発明において特徴的な電極構造を持つ素子基板110の製造方法について図2〜図6を用いて説明する。図2(a)〜図6(a)は1つのドット素子部40の断面構成図、図2(b)〜図6(b)は、複数のドット素子部40を含む平面領域を示す図である。なお、同じ図番の図面が同じ工程に対応しており、(a)図の断面構造は(b)図のA−A’線に沿う位置のものである。
[Method of manufacturing liquid crystal device]
Next, a manufacturing method of the liquid crystal device 100 having the above-described configuration, particularly the element substrate 110 having an electrode structure characteristic in the present invention will be described with reference to FIGS. FIGS. 2A to 6A are cross-sectional configuration diagrams of one dot element unit 40, and FIGS. 2B to 6B are diagrams illustrating a planar region including a plurality of dot element units 40. is there. The drawings with the same figure number correspond to the same process, and the cross-sectional structure of (a) is the position along the line AA ′ of (b).

まず、図2(a)、(b)に示すように、ガラス基板等の基板本体10Aを用意し、この基板本体10A上に、ITO等の透明導電材料からなる共通電極42を、フォトリソグラフィ技術を用いて平面視ストライプ状にパターン形成する。   First, as shown in FIGS. 2A and 2B, a substrate body 10A such as a glass substrate is prepared, and a common electrode 42 made of a transparent conductive material such as ITO is provided on the substrate body 10A by photolithography technology. Is used to form a pattern in a stripe shape in plan view.

次に、図3(a)、(b)に示すように、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜51を、共通電極42を覆う平面ベタ状に成膜する。次いで、図4(a)、(b)に示すように、共通電極42の平面領域内の所定位置に、平面視略矩形状の下部電極44とそれを覆う素子絶縁膜46とを形成する。これら下部電極44及び素子絶縁膜46を形成するには、基板本体10A上に、例えば図4(b)に示す下部電極44を図示左右方向に接続した形状のタンタルからなる配線パターンを形成し、その後、電解液中に基板本体を浸漬して配線パターンを陽極処理することで、配線パターン表面に、素子絶縁膜46となるべき陽極酸化皮膜を形成する。そして、上記配線パターンを、図4(b)に示す平面視略矩形状にパターニングすることで、下部電極44とそれを覆う素子絶縁膜46とを形成することができる。   Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, an insulating film 51 made of a silicon nitride film, a silicon oxide film, or the like is formed in a flat solid shape covering the common electrode 42. Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, a lower electrode 44 having a substantially rectangular shape in plan view and an element insulating film 46 covering the lower electrode 44 are formed at predetermined positions in the plane region of the common electrode 42. In order to form the lower electrode 44 and the element insulating film 46, a wiring pattern made of tantalum having a shape in which, for example, the lower electrode 44 shown in FIG. Thereafter, the substrate body is immersed in the electrolytic solution to anodize the wiring pattern, thereby forming an anodic oxide film to be the element insulating film 46 on the surface of the wiring pattern. Then, the lower electrode 44 and the element insulating film 46 covering the lower electrode 44 can be formed by patterning the wiring pattern into a substantially rectangular shape in plan view shown in FIG.

次に、図5(a)、(b)に示すように、クロム膜をパターン形成することで、図中縦方向に延在する信号配線49と、平面視矩形状の接続電極47とを形成する。このとき、信号配線49及び接続電極47が、基板上に既設の下部電極44(素子絶縁膜46)と一部平面的に重なるように形成する。
次に、図6(a)、(b)に示すように、接続電極47と一部平面的に重なるように、ITO等の透明導電材料からなる平面視略E形の画素電極48をパターン形成し、さらに基板本体10A上を覆うようにポリイミドやシリコン酸化物(いずれも図示省略)からなる配向膜を形成する。
以上の工程により、素子基板110を製造することができる。
Next, as shown in FIGS. 5A and 5B, a signal wiring 49 extending in the vertical direction in the drawing and a connection electrode 47 having a rectangular shape in plan view are formed by patterning a chromium film. To do. At this time, the signal wiring 49 and the connection electrode 47 are formed so as to partially overlap the existing lower electrode 44 (element insulating film 46) on the substrate.
Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, a pixel electrode 48 having a substantially E shape in plan view made of a transparent conductive material such as ITO is patterned so as to partially overlap the connection electrode 47 in plan view. Further, an alignment film made of polyimide or silicon oxide (both not shown) is formed so as to cover the substrate body 10A.
The element substrate 110 can be manufactured through the above steps.

一方、対向基板120については、詳細な製造方法の説明を省略するが、図1(b)に示したように、ガラス基板等の基板本体20A上に、カラーフィルタ22を形成し、カラーフィルタ22を覆う配向膜(図示略)を形成することによって製造できる。
そして、完成した素子基板110と対向基板120とをシール材52を介して貼り合わせ、液晶を封入することによって本実施形態の液晶装置100を得ることができる。
On the other hand, the detailed description of the manufacturing method of the counter substrate 120 is omitted, but as shown in FIG. 1B, the color filter 22 is formed on the substrate body 20A such as a glass substrate, and the color filter 22 is formed. Can be manufactured by forming an alignment film (not shown) covering the substrate.
Then, the completed element substrate 110 and the counter substrate 120 are bonded to each other through the sealing material 52, and the liquid crystal is sealed, whereby the liquid crystal device 100 of this embodiment can be obtained.

なお、液晶装置100を半透過反射型の液晶装置とする場合には、共通電極42の基板本体10A側、又は共通電極42と絶縁膜51との間に、アルミニウムや銀等からなる光反射性の金属膜や、屈折率の異なる複数の誘電体膜を積層した誘電体ミラーからなる反射層を設けることで容易に半透過反射型の液晶装置を構成することができる。この場合、反射層を素子基板110側に設け、素子基板110を観察者から見て背面側に配置することができるので、素子基板110に設けられた電極や金属配線等の光反射性の部材に外光が入射するのを防止でき、これら光反射性部材で外光が乱反射することによる視認性低下が生じないものとすることができる。   In the case where the liquid crystal device 100 is a transflective liquid crystal device, light reflectivity made of aluminum, silver, or the like is provided between the common electrode 42 on the substrate body 10A side or between the common electrode 42 and the insulating film 51. A transflective liquid crystal device can be easily configured by providing a reflective layer made of a metal mirror or a dielectric mirror in which a plurality of dielectric films having different refractive indexes are laminated. In this case, since the reflective layer can be provided on the element substrate 110 side, and the element substrate 110 can be disposed on the back side as viewed from the observer, a light reflective member such as an electrode or metal wiring provided on the element substrate 110. It is possible to prevent external light from being incident on the light source and to prevent the visibility from being deteriorated due to irregular reflection of external light by these light reflective members.

本実施形態の液晶装置100の製造方法によれば、複数のドット素子部40を内包して延在する帯状の共通電極42を形成し、その上に絶縁膜51を介して画素電極48を形成することで、容易にFFS方式の電極構造を形成することができ、簡便な工程で低コストに高画質の液晶装置を製造することができる。   According to the manufacturing method of the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the strip-shaped common electrode 42 that includes the plurality of dot element portions 40 is formed, and the pixel electrode 48 is formed thereon via the insulating film 51. Thus, an FFS-type electrode structure can be easily formed, and a high-quality liquid crystal device can be manufactured at a low cost with a simple process.

[変形例]
上記実施の形態では、帯状の共通電極42が平面視ストライブ状を成して基板本体10A上に形成された構成について説明したが、共通電極42の平面形状としては、図7及び図8に示すものも適用することができる。以下、図7,8を参照して第1実施形態の変形例について説明する。
なお、図7及び図8では図面を見易くするために、図示左上側のドット素子部40において、TFD素子43や画素電極48を取り除いた状態を示しており、他のドット素子部40においても、共通電極以外の構成部材の表示を簡略化している。
[Modification]
In the above embodiment, the configuration in which the strip-shaped common electrode 42 is formed on the substrate body 10A in a stripe shape in plan view has been described. However, the planar shape of the common electrode 42 is illustrated in FIGS. 7 and 8. The ones shown are also applicable. Hereinafter, a modification of the first embodiment will be described with reference to FIGS.
7 and 8 show the state in which the TFD element 43 and the pixel electrode 48 are removed from the dot element portion 40 on the upper left side of the drawing for easy understanding of the drawings. The display of components other than the common electrode is simplified.

<第1変形例>
図7は、本実施形態の第1の変形例における素子基板110の部分平面構造を示す図である。
図7に示す素子基板110には、各ドットに対応する平面視略矩形状の共通電極部42aと、図中横方向に配列された共通電極部42aどうしを電気的に接続する接続配線部42bとからなる共通電極42Aが形成されている。そして、図中縦方向に延在する信号配線49と共通電極42Aとは、前記接続配線部42bにおいて交差している。
<First Modification>
FIG. 7 is a diagram showing a partial planar structure of the element substrate 110 in the first modification of the present embodiment.
In the element substrate 110 shown in FIG. 7, a common electrode portion 42a having a substantially rectangular shape in plan view corresponding to each dot and a connection wiring portion 42b that electrically connects the common electrode portions 42a arranged in the horizontal direction in the drawing. A common electrode 42A is formed. And the signal wiring 49 and the common electrode 42A extending in the vertical direction in the figure intersect at the connection wiring part 42b.

本変形例に係る液晶装置では、上記平面形状の共通電極42Aを設け、その接続配線部42bにおいて信号配線49と交差する構成としたことで、信号配線49と共通電極42Aとの寄生容量を低減することができ、信号遅延やクロストークの発生を抑え、高画質の表示を得られるものとなっている。また、寄生容量が生じ難いことから、共通電極42と画素電極48との間に設けられる絶縁膜51の膜厚を薄くすることができ、これにより画素電極48と共通電極42Aとの間の保持容量を増大させ、ドットの保持特性を向上させることができる。
また本例に係る共通電極42Aは、先の実施形態における共通電極42の形成工程でマスク形状を変更すれば容易に形成できるため、製造工程において工数の増加や歩留まりの低下等の不都合を生じることもない。
In the liquid crystal device according to this modification, the common electrode 42A having the planar shape is provided, and the connection wiring portion 42b intersects with the signal wiring 49, thereby reducing the parasitic capacitance between the signal wiring 49 and the common electrode 42A. Thus, signal delay and crosstalk can be suppressed and high-quality display can be obtained. In addition, since parasitic capacitance is unlikely to occur, the thickness of the insulating film 51 provided between the common electrode 42 and the pixel electrode 48 can be reduced, whereby the holding between the pixel electrode 48 and the common electrode 42A is achieved. The capacity can be increased and the dot retention characteristics can be improved.
Further, the common electrode 42A according to the present example can be easily formed by changing the mask shape in the process of forming the common electrode 42 in the previous embodiment, which causes inconveniences such as an increase in man-hours and a decrease in yield in the manufacturing process. Nor.

<第2変形例>
次に、図8は、第2の変形例における素子基板110の部分平面構造を示す図である。
図8に示す素子基板110は、共通電極42Bを備えた点に特徴を有している。共通電極42Bは、各ドットに対応する平面視略矩形状の共通電極部42aと、図中横方向に配列された共通電極部42aどうしを電気的に接続する接続配線部42cとを有している。接続配線部42cは、複数の共通電極部42aに跨って延びる金属配線となっており、例えばクロム等を用いて形成されている。
<Second Modification>
Next, FIG. 8 is a diagram showing a partial planar structure of the element substrate 110 in the second modification.
The element substrate 110 shown in FIG. 8 is characterized in that it includes a common electrode 42B. The common electrode 42B includes a common electrode portion 42a having a substantially rectangular shape in plan view corresponding to each dot, and a connection wiring portion 42c that electrically connects the common electrode portions 42a arranged in the horizontal direction in the drawing. Yes. The connection wiring part 42c is a metal wiring extending across the plurality of common electrode parts 42a, and is formed using, for example, chromium.

上記構成の共通電極42Bによれば、複数の共通電極部42a間を導電接続する接続配線部42cが金属配線とされたことで、共通電極42Bに印加される電圧の損失や信号遅延を防止することができ、高精細の液晶装置に好適な構成となっている。また本例でも、接続配線部42cと信号配線49とが交差する配置となっており、共通電極42Bと信号配線49との間に寄生容量が生じるのを防止でき、もって高画質の液晶装置を実現することができる。   According to the common electrode 42B having the above-described configuration, the connection wiring portion 42c that conductively connects the plurality of common electrode portions 42a is a metal wiring, thereby preventing loss of voltage applied to the common electrode 42B and signal delay. Therefore, the structure is suitable for a high-definition liquid crystal device. Also in this example, the connection wiring part 42c and the signal wiring 49 are arranged so as to intersect with each other, and it is possible to prevent the occurrence of parasitic capacitance between the common electrode 42B and the signal wiring 49, and thus a high-quality liquid crystal device can be obtained. Can be realized.

また、金属配線である接続配線部42cと、TFD素子43とが平面的に重なって配置されることが好ましい。このような構成とすることで、いずれも遮光部材であるTFD素子43と接続配線部42cとを平面的に離間して配置した場合に比してドットの開口率を高めることができ、明るい表示を得られるようになる。
なお、図8に示す例では、接続配線部42cを1本の金属配線により形成した場合について説明したが、接続配線部42cは、互いに離間して配置された共通電極部42a間に架設されているものであってもよい。
Further, it is preferable that the connection wiring portion 42c, which is a metal wiring, and the TFD element 43 are arranged so as to overlap in a plane. With such a configuration, it is possible to increase the aperture ratio of dots compared to the case where the TFD element 43 and the connection wiring portion 42c, which are light shielding members, are both arranged apart from each other in a plane, and a bright display Can be obtained.
In the example shown in FIG. 8, the case where the connection wiring portion 42c is formed of one metal wiring has been described. However, the connection wiring portion 42c is installed between the common electrode portions 42a that are arranged apart from each other. It may be.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について、図9から図12を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、第1実施形態の液晶装置100と同様、横電界方式のTFDアクティブマトリクス型液晶装置であり、その全体構成は図1に示した液晶装置100と同様としつつ、素子基板110における電極構造に変更を加えたものである。したがって図9から図12では、第1実施形態の液晶装置100に対応する構成要素について同一の符号を付し、その詳細な説明は省略することとする。
図9(a)〜図12(a)は1つのドット素子部40の断面構成図、図9(b)〜図12(b)は、複数のドット素子部40を含む平面領域を示す図である。なお、同じ図番の図面が同じ工程に対応しており、(a)図の断面構造は(b)図のA−A’線に沿う位置のものである。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
The liquid crystal device of the present embodiment is a lateral electric field type TFD active matrix liquid crystal device, similar to the liquid crystal device 100 of the first embodiment, and the overall configuration is the same as that of the liquid crystal device 100 shown in FIG. The electrode structure on the substrate 110 is changed. Therefore, in FIG. 9 to FIG. 12, the same reference numerals are given to the components corresponding to the liquid crystal device 100 of the first embodiment, and detailed description thereof will be omitted.
FIGS. 9A to 12A are cross-sectional configuration diagrams of one dot element unit 40, and FIGS. 9B to 12B are diagrams showing a planar region including a plurality of dot element units 40. FIG. is there. The drawings with the same figure number correspond to the same process, and the cross-sectional structure of (a) is the position along the line AA ′ of (b).

本実施形態の液晶装置に係る素子基板110は、図12に示す断面構造(a)及び平面構造(b)を具備したものとなっている。図12(a)に示すように、基板本体10A上に、TFD素子43と、TFD素子43と電気的に接続された信号配線49及び接続電極47と、接続電極47と電気的に接続された画素電極58とが形成され、これらTFD素子43、信号配線49、接続電極47、及び画素電極48を覆って、シリコン窒化膜等からなる絶縁膜61が形成されている。そして、絶縁膜61上に、平面視略櫛歯状を成して(b)図左右方向に延在する共通電極62が形成されている。   The element substrate 110 according to the liquid crystal device of this embodiment has a cross-sectional structure (a) and a planar structure (b) shown in FIG. As shown in FIG. 12A, on the substrate body 10A, the TFD element 43, the signal wiring 49 and the connection electrode 47 electrically connected to the TFD element 43, and the connection electrode 47 are electrically connected. A pixel electrode 58 is formed, and an insulating film 61 made of a silicon nitride film or the like is formed so as to cover the TFD element 43, the signal wiring 49, the connection electrode 47, and the pixel electrode 48. A common electrode 62 is formed on the insulating film 61 in a substantially comb-like shape in plan view and extending in the left-right direction in FIG.

すなわち、先の第1実施形態とは逆に、TFD素子43と接続された画素電極58が平面視略矩形状を成して形成されており、複数のドットに跨って形成された共通電極62が平面視略櫛歯状に形成されて、FFS方式の電極構造を実現している。このような構成とした場合にも、先の第1実施形態と同様、表示の保持特性に優れ、明るく高画質の表示を得ることができる。   That is, contrary to the first embodiment, the pixel electrode 58 connected to the TFD element 43 is formed in a substantially rectangular shape in plan view, and the common electrode 62 formed across a plurality of dots. Are formed in a substantially comb-like shape in plan view to realize an FFS-type electrode structure. Even in such a configuration, as in the first embodiment, it is possible to obtain a bright and high-quality display with excellent display retention characteristics.

また本実施形態では、図12(b)に示すように、画素電極58等に対し上層側に形成される共通電極62が、TFD素子43と平面的に重なって配置されている。このような構成とすることで、TFD素子43の駆動時に素子近傍に発生する電界を共通電極62により遮蔽することができ、前記電界による液晶の配向乱れを防止することができる。また、共通電極62を金属材料を用いて形成する場合には、ドット開口率に寄与しないTFD素子43の形成領域と、共通電極62の形成領域とが平面的に重なるので、開口率の低下を抑えることができる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 12B, the common electrode 62 formed on the upper layer side with respect to the pixel electrode 58 and the like is disposed so as to overlap the TFD element 43 in a plane. With such a configuration, an electric field generated in the vicinity of the element when the TFD element 43 is driven can be shielded by the common electrode 62, and liquid crystal alignment disorder due to the electric field can be prevented. In addition, when the common electrode 62 is formed using a metal material, the formation area of the TFD element 43 that does not contribute to the dot aperture ratio and the formation area of the common electrode 62 overlap in a plane, so that the aperture ratio is reduced. Can be suppressed.

また、TFD素子43と画素電極58とを覆って形成された絶縁膜61により素子基板110の表面が平坦化されるので、先の第1実施形態に係る素子基板110の表面と比較しても、平滑な表面を有する素子基板を得ることができ、ポリイミド配向膜のラビング処理の均一性や、無機配向膜の形状の均一性を高めることができる。これにより、高品質の液晶装置を歩留まりよく製造することができる。   Further, since the surface of the element substrate 110 is planarized by the insulating film 61 formed so as to cover the TFD element 43 and the pixel electrode 58, the surface of the element substrate 110 according to the first embodiment is compared with the surface of the element substrate 110 according to the first embodiment. An element substrate having a smooth surface can be obtained, and the uniformity of the rubbing treatment of the polyimide alignment film and the uniformity of the shape of the inorganic alignment film can be enhanced. Thereby, a high-quality liquid crystal device can be manufactured with a high yield.

本実施形態の液晶装置では、前記絶縁膜61が、部位により異なる膜厚を有する構成とすることもでき、この場合、前記TFD素子43の形成領域に対応する部位で膜厚を大きく、前記画素電極58と前記共通電極62とが対向する領域で膜厚を小さくすることが好ましい。このような構成とすることで、TFD素子43の形成領域においては、TFD素子43によって発生する電界を遮蔽することができ、画素電極58と共通電極62との対向領域では、電極間に形成される容量を増大させて保持特性を向上させることができる。   In the liquid crystal device according to the present embodiment, the insulating film 61 may have a different thickness depending on the part. In this case, the film thickness is increased at a part corresponding to the region where the TFD element 43 is formed, and the pixel It is preferable to reduce the film thickness in a region where the electrode 58 and the common electrode 62 face each other. With this configuration, the electric field generated by the TFD element 43 can be shielded in the region where the TFD element 43 is formed, and the region where the pixel electrode 58 and the common electrode 62 are opposed is formed between the electrodes. The retention capacity can be improved by increasing the capacity.

[液晶装置の製造方法]
次に、上記構成の液晶装置100、特に本発明において特徴的な電極構造を持つ素子基板110の製造方法について図9〜図12を用いて説明する。
まず、図9(a)、(b)に示すように、ガラス基板等の基板本体10Aを用意し、基板本体10A上に、下部電極44及びそれを覆う素子絶縁膜46を形成する。その形成方法は、先の実施形態と同様である。次いで、図10(a)、(b)に示すように、クロム膜をパターン形成することで、図中縦方向に延在する信号配線49と、平面視矩形状の接続電極47とを形成する。このとき、信号配線49及び接続電極47が、基板上に既設の下部電極44(素子絶縁膜46)と一部平面的に重なるように形成する。
その後、図11(a)、(b)に示すように、接続電極47と一部平面的に重なるように、ITO等の透明導電材料からなる平面視略矩形状の画素電極58をパターン形成する。
[Method of manufacturing liquid crystal device]
Next, a manufacturing method of the liquid crystal device 100 having the above-described configuration, particularly the element substrate 110 having an electrode structure characteristic in the present invention will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIGS. 9A and 9B, a substrate body 10A such as a glass substrate is prepared, and a lower electrode 44 and an element insulating film 46 covering the substrate 44 are formed on the substrate body 10A. The formation method is the same as in the previous embodiment. Next, as shown in FIGS. 10A and 10B, by forming a pattern of a chromium film, a signal wiring 49 extending in the vertical direction in the drawing and a connection electrode 47 having a rectangular shape in plan view are formed. . At this time, the signal wiring 49 and the connection electrode 47 are formed so as to partially overlap the existing lower electrode 44 (element insulating film 46) on the substrate.
Thereafter, as shown in FIGS. 11A and 11B, a pixel electrode 58 having a substantially rectangular shape in plan view made of a transparent conductive material such as ITO is patterned so as to partially overlap with the connection electrode 47 in a plane. .

そして、図12(a)、(b)に示すように、TFD素子43、画素電極48等を覆う絶縁膜61を平面ベタ状に成膜し、絶縁膜61上に平面視略櫛歯状の共通電極62をITO等の透明導電材料を用いてパターン形成する。その後、共通電極62を含む基板本体10A上に配向膜を形成し、必要に応じて配向処理を施すことで、本実施形態に係る素子基板110が得られる。対向基板120の製造方法についても、先の第1実施形態と同様である。
以上の工程により得られた素子基板110と対向基板120とをシール材52を介して貼り合わせ、液晶を封入することによって本実施形態の液晶装置を得ることができる。
Then, as shown in FIGS. 12A and 12B, an insulating film 61 covering the TFD element 43, the pixel electrode 48, and the like is formed in a flat solid shape, and the insulating film 61 has a substantially comb-like shape in plan view. The common electrode 62 is patterned using a transparent conductive material such as ITO. Thereafter, an alignment film is formed on the substrate body 10A including the common electrode 62, and an alignment treatment is performed as necessary, whereby the element substrate 110 according to the present embodiment is obtained. The manufacturing method of the counter substrate 120 is also the same as in the first embodiment.
The element substrate 110 and the counter substrate 120 obtained through the above steps are bonded to each other through a sealing material 52, and the liquid crystal is sealed, whereby the liquid crystal device of this embodiment can be obtained.

(電子機器)
図13は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話1300は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
(Electronics)
FIG. 13 is a perspective configuration diagram of a mobile phone which is an example of an electronic apparatus provided with a liquid crystal device according to the present invention in a display portion. The mobile phone 1300 uses the liquid crystal device of the present invention as a small-size display portion 1301. A plurality of operation buttons 1302, an earpiece 1303, and a mouthpiece 1304.

上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、その表示部において明るい高画質表示が得られるものとなる。   The liquid crystal device of the above embodiment is not limited to the mobile phone, but an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, It can be suitably used as an image display means for devices such as calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, touch panels, etc., and any electronic device can provide a bright high-quality display on its display unit It becomes.

第1実施形態に係る液晶装置の全体構成図。1 is an overall configuration diagram of a liquid crystal device according to a first embodiment. 同、液晶装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of a liquid crystal device equally. 同、液晶装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of a liquid crystal device equally. 同、液晶装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of a liquid crystal device equally. 同、液晶装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of a liquid crystal device equally. 同、液晶装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of a liquid crystal device equally. 第1実施形態の変形例に係る液晶装置の要部を示す図。The figure which shows the principal part of the liquid crystal device which concerns on the modification of 1st Embodiment. 第1実施形態に変形例に係る液晶装置の要部を示す図。The figure which shows the principal part of the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る液晶装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the liquid crystal device which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る液晶装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the liquid crystal device which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る液晶装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the liquid crystal device which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る液晶装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the liquid crystal device which concerns on 2nd Embodiment. 電子機器の一例を示す斜視構成図。FIG. 11 is a perspective configuration diagram illustrating an example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

100 液晶装置、110 素子基板(第1基板)、120 対向基板(第2基板)、10A,20A 基板本体、22 カラーフィルタ、40 ドット素子部、42,62 共通電極(第1電極)、42a 共通電極部、42b,42c 接続配線部、43 TFD素子(非線形素子)、44 下部電極、46 素子絶縁膜、47 接続電極部、48,58 画素電極(第2電極)、48a 基端部、48b 帯状電極部、49 信号配線、50 液晶層、51,61 絶縁膜。   100 liquid crystal device, 110 element substrate (first substrate), 120 counter substrate (second substrate), 10A, 20A substrate body, 22 color filter, 40 dot element portion, 42, 62 common electrode (first electrode), 42a common Electrode part, 42b, 42c Connection wiring part, 43 TFD element (nonlinear element), 44 Lower electrode, 46 Element insulating film, 47 Connection electrode part, 48, 58 Pixel electrode (second electrode), 48a Base end part, 48b Band shape Electrode portion, 49 signal wiring, 50 liquid crystal layer, 51, 61 insulating film.

Claims (14)

液晶層を挟持して対向配置された第1基板と第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に設けられた第1電極と第2電極とを備え、前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電界によって前記液晶層を駆動する液晶装置であって、
前記第1電極と第2電極とが絶縁膜を介して対向配置され、
前記絶縁膜の前記第2電極側に、該第2電極と電気的に接続された非線型素子と、該非線形素子と電気的に接続された信号配線とが設けられていることを特徴とする液晶装置。
A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a first electrode and a second electrode provided on the liquid crystal layer side of the first substrate, and the first electrode and the second electrode A liquid crystal device that drives the liquid crystal layer by an electric field generated between two electrodes,
The first electrode and the second electrode are arranged to face each other with an insulating film interposed therebetween,
A non-linear element electrically connected to the second electrode and a signal wiring electrically connected to the nonlinear element are provided on the second electrode side of the insulating film. Liquid crystal device.
前記第1電極が、前記絶縁膜の前記第1基板側に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein the first electrode is provided on the first substrate side of the insulating film. 前記第2電極が、前記絶縁膜の前記第1基板側に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein the second electrode is provided on the first substrate side of the insulating film. 前記第1電極及び前記第2電極のうち、前記絶縁膜の前記第1基板と反対側に設けられた電極が、前記第1電極と第2電極とが対向する平面領域内に延在する複数の帯状電極を有していることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の液晶装置。   Among the first electrode and the second electrode, a plurality of electrodes provided on the opposite side of the insulating film from the first substrate extend in a planar region where the first electrode and the second electrode face each other. 4. The liquid crystal device according to claim 1, further comprising: a band-shaped electrode. 複数の前記第2電極が前記第1基板上に平面視略マトリクス状に配列形成されており、
前記第1電極が、複数の前記第2電極に跨って形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の液晶装置。
A plurality of the second electrodes are arranged and formed in a substantially matrix shape in plan view on the first substrate,
5. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the first electrode is formed across a plurality of the second electrodes. 6.
前記第1電極が、前記第2電極と対向する領域において前記第2電極を内包する平面視略矩形状の共通電極部と、複数の前記共通電極部を電気的に接続する接続配線部とを有することを特徴とする請求項5に記載の液晶装置。   The first electrode has a substantially rectangular common electrode part including the second electrode in a region facing the second electrode, and a connection wiring part electrically connecting the plurality of common electrode parts. The liquid crystal device according to claim 5, wherein the liquid crystal device is provided. 前記接続配線部が、金属配線であることを特徴とする請求項6に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 6, wherein the connection wiring portion is a metal wiring. 前記第1基板と前記絶縁膜との間に設けられた前記非線形素子と、前記絶縁膜上に設けられた前記第1電極とが、平面的に重なって配置されていることを特徴とする請求項3から7のいずれか1項に記載の液晶装置。   The non-linear element provided between the first substrate and the insulating film and the first electrode provided on the insulating film are arranged so as to overlap in a plane. Item 8. The liquid crystal device according to any one of Items 3 to 7. 前記第1電極が、前記接続配線部において前記信号配線と交差していることを特徴とする請求項6から8のいずれか1項に記載の液晶装置。   9. The liquid crystal device according to claim 6, wherein the first electrode intersects the signal wiring in the connection wiring portion. 前記非線形素子と、前記金属配線からなる前記接続配線部とが平面的に重なって配置されていることを特徴とする請求項8に記載の液晶装置。   9. The liquid crystal device according to claim 8, wherein the nonlinear element and the connection wiring portion made of the metal wiring are arranged so as to overlap each other in a planar manner. 前記絶縁膜が、部位により異なる膜厚を有して形成され、前記非線形素子と平面的に重なる部位の膜厚が、前記第2電極と平面的に重なる部位の膜厚より大きいことを特徴とする請求項3から9のいずれか1項に記載の液晶装置。   The insulating film is formed to have a different thickness depending on a portion, and the thickness of a portion overlapping the nonlinear element in a plane is larger than the thickness of a portion overlapping the second electrode in a plane. The liquid crystal device according to any one of claims 3 to 9. 液晶層を挟持して対向配置された第1基板と第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に設けられた第1電極と第2電極とを備え、前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電界によって前記液晶層を駆動する液晶装置の製造方法であって、
前記第1基板上に前記第1電極を形成する工程と、
前記第1基板を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に非線形素子と、該非線形素子と電気的に接続された信号配線とを形成する工程と、
前記絶縁膜上の前記第1電極と対向する位置に、複数の帯状電極を有し、前記非線形素子と電気的に接続された前記第2電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a first electrode and a second electrode provided on the liquid crystal layer side of the first substrate, the first electrode and the second electrode A liquid crystal device manufacturing method for driving the liquid crystal layer by an electric field generated between two electrodes,
Forming the first electrode on the first substrate;
Forming an insulating film covering the first substrate;
Forming a nonlinear element on the insulating film and a signal wiring electrically connected to the nonlinear element;
Forming the second electrode having a plurality of strip-like electrodes at positions facing the first electrode on the insulating film and electrically connected to the nonlinear element;
A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising:
液晶層を挟持して対向配置された第1基板と第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に設けられた第1電極と第2電極とを備え、前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電界によって前記液晶層を駆動する液晶装置の製造方法であって、
前記第1基板上に、非線形素子と、該非線形素子と電気的に接続された信号配線と、前記非線形素子と電気的に接続された前記第2電極とを形成する工程と、
前記非線形素子と、前記信号配線と、前記第2電極とを覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上の前記第2電極と対向する位置に、複数の帯状電極を有する前記第1電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a first electrode and a second electrode provided on the liquid crystal layer side of the first substrate, and the first electrode and the second electrode A liquid crystal device manufacturing method for driving the liquid crystal layer by an electric field generated between two electrodes,
Forming a non-linear element, a signal wiring electrically connected to the non-linear element, and the second electrode electrically connected to the non-linear element on the first substrate;
Forming an insulating film covering the nonlinear element, the signal wiring, and the second electrode;
Forming the first electrode having a plurality of strip-shaped electrodes at a position facing the second electrode on the insulating film;
A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising:
請求項1から11のいずれか1項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
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