JP4584975B2 - Qkdに対する変調器自動較正方法 - Google Patents

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Description

本発明は量子暗号の分野に関し、かつその分野において産業上実用性を有する。特に、量子キー交換(QKD)システムにおける変調器の自動較正方法に関する。
量子キー配送は、「量子チャネル」越しに送信された弱い光信号(例えば、平均で0.1フォトン)を用いて、送信者(「アリス」)と受信者(「ボブ」)との間で、キーを設定することに関係する。キー分配の安全性は、不確定状態にある量子系はどれでも測定するとその状態を変えるという、量子力学の原則に基づいている。結果として、量子信号を妨害あるいは測定しようとする盗聴者(「イブ」)は、送信信号にエラーを引き起こしてしまうため、その存在が明らかになる。
量子暗号の一般的な原則は、ベネットとブラッザールの論文(非特許文献1参照)の中で、初めて発表された。具体的なQKDシステムは、C.H.ベネットらの論文(非特許文献2参照)、およびC.H.ベネットの論文(非特許文献3参照)に記載されている。
QKDを実行する一般的なプロセスは、ボーミスターの著作(非特許文献4参照)に記載されている。QKDプロセス中は、アリスは乱数発生器(RNG)を用いて、基底(「基底ビット」)のためのランダム・ビットとキー(「キービット」)のためのランダム・ビットとを発生させ、それによって、(例えば、偏光又は位相符号化を用いて)qubitを作り出してボブに送る。
上述のベネットによる文献では、それぞれ、いわゆる「一方向」型QKDシステムについて述べられている。一方向型QKDシステムとは、アリスが単一光子の偏光又は位相をシステムの一端でランダムに符号化して、ボブがそれら光子の偏光又は位相をシステムの他端でランダムに測定するものである。1992年のベネットの論文に述べられている一方向型システムは、二光束マッハ・ツェンダー干渉計に基づいている。アリスおよびボブは、干渉計の位相を制御できるように、干渉計の各部にアクセスすることが可能である。干渉計は、熱的ドリフトを補償するために、伝送中は量子信号波長の一部分内で動的に安定する必要がある。
ギシンの特許文献1(以下、‘234特許と称す)では、偏光や熱ゆらぎを自動補正する、いわゆる「双方向」型QKDシステムについて開示されている。このように、‘234特許の双方向型QKDシステムは、一方向型システムに比べて環境の影響を受けにくい。
米国特許第6,438,234号公報 "Quantum Cryptography:Public key distribution and coin tossing," Proceedings of the International Conference on Computers、Systems and Signal Processing,Bangalore,India,1984,pp.175−179(IEEE、New York、1984) "Experimental Quantum Cryptography," J.Cryptology 5:3−28(1992) "Quantum Cryptography Using Any Two Non−Orthogonal States," Phys.Rev.Lett.68 2121 (1992) The Physics of Quantum Information, Springer−Verlag 2001, in Section2.3, pages27−33
しかしながら、自動補正がなされかつ動的に安定したQKDシステムにおいて、安定もしくは補正がなされているのは光学レイヤである。結局のところ、ドリフトは、QKDシステムを安定に作動させるために必要な電子部品において生じる、もしくは生じる可能性がある。例えば、位相符号化QKDシステムにおいて、位相変調器をセットするために用いる電圧が長時間ドリフトすれば、光学パルスに与えられる位相は長時間ドリフトする。これは、偏光符号化システムにおける偏光変調器でも同じである。このドリフトによって、正確な位相変調もしくは偏光変調がなされていないパルスが生じてしまう。これは、符号化されたパルスの検出能を低下させる。このドリフトが補正されなければ、QKDシステムの作動は絶えず悪くなり、QKDシステムがもはや作動できないまでになる可能性もある。
また、特殊なQKDプロトコルのもとで基底測定の分析を行なう際に、ボブの検出器がアリスの基底とは異なる基底で測定された信号を検出する確率は、50:50である必要がある。
この確率が50:50とは異なる限り、盗聴者にとって潜在的な利点がある。なぜなら、「正しくない」基底測定に伴う不確実性が低下するからである。この50:50確率分布からの変動は生じ得る。なぜなら、変調器基底電圧は「直交」ではない、すなわち、離散量(例えば、V[−π/4]からV[π/4]まで)による基底電圧の変化により、検出器は対応するπ/2の位相差を提供しないからである。
本発明は、量子暗号法の分野における産業実用性に関連するともに、それを有するものであり、詳細には量子キー分配(QKD)に関連する。本発明は、QKDシステムの位相あるいは偏光変調較正を行う方法を提供する。本発明を、双方向型QKDシステムの動作に関連して説明するが、本方法はそのようには制限されない。
以下に詳述する通り、双方向型QKDシステムに適用された本発明の実施例の一例は、ボブの(タイミングを合わせた)変調器電圧VBを第1正数(例えば、VB(1)=VB[π/4])にセットし、次いで、パルスを交換しながらアリスの変調器電圧VAを正負の両方向に調整する。したがって、QKDシステムの通常動作と較正動作との違いは、変調器がランダムに変調されないということだけである。
アリスの変調器電圧における変化は、それぞれの全体の基底電圧VA(1),VA(2)を検出するよう実行される。それぞれの全体の基底電圧VA(1),VA(2)は、ある場合においては、強めあう干渉に起因する一方の検出器におけるカウントの最大数に対応し、他の場合においては、弱め合う干渉に起因する他方の検出器におけるカウントの最大数に対応する。この例において、VB(1)=VB[π/4]の場合、アリスに対する、対応する基底電圧は、VA(1)=VA[−π/4],VA(2)=VA[3π/4]にセットされる。
次いで、ボブの変調器電圧VBは、負数(例えば、VB(2)=VB[−π/4])にセットされる。そして、アリスに対する、さらに2つの名目上の基底電圧、つまり、VA(3)=VA[π/4],VA(4)=VA[−3π/4]を得るために、このプロセスが繰り返される。すべての基底電圧がセットされた(較正された)とき、QKDシステムを基底電圧間の直交性を確認するよう動作させる。これは、意図的にボブおよびアリスで「正しくない」基底電圧値を選択し、それぞれの2つの検出器で光子を検出する確率分布を測定することにより遂行される。確率分布が50:50ではない場合、ボブの変調器基底電圧B(1),VB(2)の1つ以上が調整され、50:50の検出器カウント確率分布が「正しくない」測定基底に対して得られるまで、上述のプロセスが繰り返される。これにより、基底電圧間の直交性が確立され、ボブに対する較正された基底電圧値V B (1),V B (2)、およびアリスに対する較正された基底電圧値V A (1),V A (2),V A (3),およびV A (4)を与える。
その後、QKDシステムが、アリスとボブの変調器に対する適切な変調に直接対応する較正された基底電圧で、動作される。
<双方向型QKDシステム>
図1は、双方向型QKDシステム100の概略図である。ボブは、光パルスP0を出射するレーザ12を備える。レーザ12は、時分割多重化/多重分離(M/D)光学系104に連結される。M/D光学系104は、レーザ12から入力パルスP0を受け取り、個々のパルスを、2つの、直交偏光を有する時分割多重化パルスP1,P2、に分割する。同様に、後のキー交換プロセス(後述)において、光学系104は、アリスから、戻ってくる時分割多重化パルスの組を受け取り、それらを結合し(干渉させ)、単一パルスとする。
ボブは、また、M/D光学系104において、位相変調器MBを備える。光ファイバリンクFLは、M/D光学系104に連結されており、ボブをアリスに接続する。ボブは、また、変調器MBに連結された電圧制御器44と、電圧制御器に連結された乱数発生器(RNG)ユニット46と、を備える。
ボブは、また、M/D光学系104に連結された2つの検出器32a,32bを備える。ボブは、さらに、レーザ12と、検出器32a,32bと、電圧制御器44と、RNGユニット46と、に機能的に(例えば電気的に)連結された制御器50を備える。
続いて図1を参照して、アリスは、一端で光ファイバリンクFLに、そして反対側の他端でファラデーミラーFMに連結される位相変調器MA、を備える。アリスは、また、変調器MAに連結された電圧制御器14と、電圧制御器に連結された乱数発生器(RNG)ユニット6と、を備える。アリスは、さらに、RNGユニット16に、そして電圧制御器14に連結された制御器20、を備える。
ボブの制御器50は、アリスの制御器20に同期リンク(チャネル)SLを介して(光学的あるいは電子的に)連結され、これにより、アリスとボブの動作を同期させる。詳細には、位相変調器MA,MBの動作は、同期リンクSL上を制御器50から制御器20へと(あるいはその逆、またあるいはその両方)通る同期信号SSによって、連係される。実施例の一例において、後述する較正手順を備えるQKDシステム100の動作は、制御器20あるいは制御器50のいずれかから制御される。
<動作の方法>
続いて図1を参照して、QKDシステム100の動作において、ボブの制御器20は、信号S0をレーザ12へ送信し、それに応じて、比較的強く短いレーザパルスP0を発生する。次いで、レーザパルスP0は、制御器50に操作可能に接続されるとともに制御される、オプションの可変光学的減衰器VOA13Bによって、減衰される。(減衰された)パルスP0は、M/D光学系104に到達し、M/D光学系104は、そのパルスを、2つの、直交偏光されたパルスP1,P2に分割する。パルスP1は、光ファイバリンクFLへ直接進み、一方、パルスP2は遅延されて、この時点では作動されていない変調器MBを通り抜ける。パルスP1,P2は、パルスP2がパルスP1に追従する状態で、M/D光学系104から光ファイバリンクFLへ通り、アリスへと進む。
なお、ここで、また、システム100の他の実施例において、パルスP0,P1を、アリスに配置されたVOA13Aを用いてアリスによって減衰される比較的強いパルスとすることもでき、これらパルスは、ボブに戻る前に、弱い(量子)パルスとするよう減衰されることを述べておく。
パルスP1,P2は、アリスの変調器MAを通り、パルスの偏光を90°変化させるファラデーミラーFMで反射して離れる。これらパルスが変調器MAを通って戻ってくるとき、アリスは第1パルスP1を未変調で通過させるが、第2パルスP2の位相を変調する(つまり、位相シフトΦAを与える)。なお、ここで、アリスが、また、パルスP1を変調するよう選択しうることを述べておく必要があろう。パルスP1,P2は、後に、干渉するので、それぞれのパルスに与えられた位相が重要なのではなく、2つのパルス間の相対的な位相がむしろ重要なのである。
以下により詳しく説明する通り、パルスP2の到着と同時である変調器MAの作動のタイミングは、制御器20,50の間で共有される同期信号SSによって提供される。図1に概略的に例示する実施例の一例において、変調は、アリスで、制御器20によって実行される。制御器20は、よくタイミングが合わされた信号S1をRNGユニット16へ出力する。RNGユニット16は、乱数を表す信号S2を電圧制御器14へ出力する。次いで、電圧制御器14は、1セットの基底電圧(例えば、V[+3π/4]、V[−3π/4]、V[+π/4]、V[−π/4])からランダムに選択された、タイミングが合わされた電圧信号VAを変調器MAに送信し、これにより、位相変調を、対応する基底位相、例えば、+3π/4、−3π/4、π/4、−π/4、にランダムにセットする。選択された電圧値VA(あるいは対応する乱数)は、制御器20に通知され、そして(対応する)電圧情報(あるいは対応する位相情報)が、そこに記憶される。例示のために、電圧信号VAのタイミングは、信号S2に基づくものとする。実際には、制御器20からの別のタイミング信号(図示せず)を用いることができる。
次いで、2つのパルスP1,P2は、ボブに戻って、M/D光学系104へと進む。パルスP2は変わらないまま光学系を通過するが、パルスP1は変調器MBを通り、位相シフトΦBを受ける。位相変調器MBによるパルスP1の変調のタイミングは、制御器20,50間で共有される同期信号SSによって提供される。変調器MBによるパルスP1の変調は、制御器50によって実行される。制御器50は、よくタイミングが合わされた信号S3をRNGユニット46へ出力する。RNGユニット46は、乱数を表す信号S4を電圧制御器44へ出力する。次いで、電圧制御器44は、1セットの電圧(例えば、V[+π/4]、[V−π/4])からランダムに選択された、タイミングが合わされた電圧信号VBを変調器MBに送信し、これにより、位相変調を、対応する基底位相、例えば、+π/4、−π/4、にランダムにセットする。選択された電圧値VB(あるいは対応する乱数)は、制御器50に通知され、そして電圧情報(あるいは対応する位相情報)が、そこに記憶される。再び、例示のために、電圧信号VBのタイミングは、信号S3に基づくものとする。実際には、制御器50からの別のタイミング信号(図示せず)を用いることができる。
さらに、パルスP1,P2がM/D光学系104に入るとき、パルスP2は、遅延なく通るが、パルスP1は、パルスP2に当初に与えられた分と等しい量だけ遅延される。次いで、M/D光学系は、2つのパルスP1,P2を干渉させる。
単一光子検出器32a,32bは、パルスP1,P2間の強めあう干渉(ΦA−ΦB=0)が検出器32aによって検出され、弱め合う干渉(ΦA−ΦB=π)が検出器32bによって検出されるように配置される。ボブがアリスと同じ基底位相を与えるとき、検出器32aにおけるカウントは二値で0を示し、検出器32bにおけるカウントは二値で1を示す。しかしながら、ボブの基底位相がアリスとは異なるとき、干渉パルスP1,P2の検出に相関性はなく、干渉信号は、検出器32a,32bのいずれでも同じ確率で検出される(つまり、干渉パルスは、50:50のチャンスでいずれの検出器にも検出される)。
パルスの組を交換するプロセスは何度も繰り返され、これにより、多数の光子が検出器32a,32bにおいて検出される。そして、アリスおよびボブは、基底変調の選択に関する情報を公然と交換し、交換された基底情報の他の処理(例えば、キーシフティング、エラー訂正およびプライバシ増幅)を行ない、これにより、確実に情報をコード化するよう用いることができるキーを確立する。
<変調器タイミングセットアップ>
上記説明は、双方向型QKDシステムの理想化された動作に基づいている。しかしながら、実際には、このようなシステムは、自動的に理想的な状態で動作することはない。さらに、商業的に実現可能なシステムは、まず、理想的な状態であるいはそれに近い状態で動作するよう、セットアップされなければならず、次に、理想的あるいはそれに近い動作状態で継続的な動作を確実に行うよう、その動作状態の変化に対して補償可能でなければならない。以下に記述する自動較正方法では、QKDシステム100における変調器タイミングが同期信号SSを介して同期チャネルSLを通じて確立されたと想定している。
<変調器自動較正>
上述の通り、ドリフトが、システム動作の間に、QKDシステムの電子レイヤに生じる、また、生じる可能性がある。商業的に実行可能なQKDシステムにおいては、システムが連続的に動作できるように、ドリフトを補償する必要がある。したがって、変調器自動補償を行う方法を、次に、双方向型QKDシステム100に関連して説明する。なお、変調器を選択位相にセットするために用いられる電圧を、ここでは、「基底電圧」という。
続いて図1および図2のフローチャート400を参照すると、402において、制御器50は、電圧駆動器44に、第1選択基底電圧−例えば、VB(1)=VB[π/4]−を位相変調器MBに出力するよう命令する。このプロセスは、制御信号SC1を制御器50から電圧駆動器44に送信することにより、(概略的には)行なわれる。制御信号SC1は、パルスP1がアリスから戻るときに、パルスP1を変調するよう、タイミングが合わせられる。この電圧は、変調器のタイプにもよるが、例えば、1ボルトとすることができる。電圧VB(1)=VB[π/4]が、変調器MBをπ/4の名目上の位相セッティングにセットする。
404において、ボブは、パルスP1,P2を生成するとともに、光ファイバリンクFLを介してアリスに送信する。パルスP1,P2の組が、ボブとアリスとの間で、行ったり来たり送信されている間、アリスは電圧信号VAによって変調器を作動する。このプロセスは、制御信号SC2を制御器20から電圧駆動器14へ送信することにより、概略的に例示されている。電圧信号VAは、パルスP2を変調するよう、タイミングが合わされている。このように、QKDシステム100の較正動作は通常のキー交換動作と同様であるが、変調がランダムに選択されず、その代り、それぞれの制御器によって直接セットされることが異なる。
アリスの電圧VAは、パルスの交換の際に、負の方向に変化する。それぞれの電圧値VAに対して、ある数のパルスの組P1,P2(例えば、106)が交換され、そして、検出器32a,32bにおいて検出された干渉信号の数は、制御器50に記録される。
検出器32aにおいて検出される、戻ってくる干渉パルスに対する最大の光子カウント、および検出器32bにおける最小の光子カウントとして、トータルのパルスに与えられた(相対的な)位相シフトφT=φA+φBが0(強めあう干渉)であることが観測されるまで、電圧VAはそのように変化する。この電圧が、本実施例においてVA(1)=VA[−π/4]である基底値に特定される。
図3は、電圧VAの関数としての、検出器32a,32bにおける光子カウントNの変化を示すグラフである。光子カウントにおける絶対最大値および最小値の不足は、検出器ダークカウントに起因する。実際には、検出器ダークカウントのために、基底電圧VA(1)=VA[−π/4]を確立するには、検出器32aにおける最大光子カウントではなく、検出器32bにおける最小光子カウントを測定する方がより容易である。
次いで、この基底電圧は、電圧駆動器14にVA(1)=VA[−π/4]としてセットされ、この値が制御器に記憶される。
404において、アリスからボブに戻るパルスP1,P2が、好ましくは、弱い(量子パルスである)ことは、述べておくに値する。しかしながら、ボブに配置された強いパルスを検出するのに適しているフォトダイオード検出器を組み合わせて用いる場合は、これらのパルスを強いパルスとすることも可能であろう。簡単化のためには、しかしながら、量子パルスが好ましい。検出器32a,32bが単一光子検出器であるからである。
406において、上述の通りに、アリスの変調器MAに出力された電圧VAは再び変化
する。しかし、変化するのは、正の電圧範囲においては、検出器32bにおける最大の光子カウントおよび検出器32aにおける最小の光子カウントによって示されるような、パルスに与えられたトータルの相対的な位相シフトは、π(弱め合う干渉)となるまでである。また、実際には、対応する基底電圧VA(2)=VA[3π/4]を確立するには、検出器32aにおける最小の光子カウントを測定する方がより容易である。次いで、この電圧は、電圧駆動器14にVA(2)=VA[3π/4]としてセットされ、上述の通り、その結果が制御器20に記憶される。
この時点で、ボブの電圧は、初期には、VB(1)=VB[π/4]にセットされているとともに、アリスの対応する基底電圧は、VB(1)=VA[−π/4],VA(2)=VA[3π/4]に確立されている。
408において、ボブの変調器電圧VBは、制御信号SC1を通じて、残りの基底電圧、本実施例においてはVB(2)=VB[−π/4]、に変更される。VAを正の電圧範囲に変化させることによってVA(3)=VA[π/4]を確立し、そして、電圧を負の電圧範囲に変化させることによってVA(4)=VA[−3π/4]を確立するために、404,406が次いで繰り返される。これが達成されると、ボブの変調器MBおよびアリスの変調器MAの変調に必要なすべての(初期)基底電圧が確立され、そして、その情報はそれぞれの制御器に記憶される。
変調器に対する基底電圧が、上のように、確立されると、電圧の直交性をチェックする必要がある。このように、410において、変調器MA,MBが、ボブが「正しくない」基底測定、つまり、パルスに与えられたトータルの位相φTは、πの倍数ではない測定、を行うことに相当する固定基底電圧に、意図的にセットされた状態で、QKDシステムは動作される。これは、それぞれの制御器50,20からそれぞれの電圧駆動器44,14に送信されるそれぞれの制御信号SC1,SC2を通じて、行なわれる。例えば、ボブの基底電圧はVB[π/4]にセットされるとともに、アリスの基底電圧はVA[π/4]にセットされ、これにより、ボブの変調器MBは、位相φB=+π/4を与えるようセットされるとともに、アリスの変調器は、位相φA=π/4を与えるようセットされる。このセットアップが、パルス間のトータルの与えられた(名目上の)相対的な位相φT=π/2をもたらす。
次いで、検出器32a,32bにおけるカウントの分布が、測定され評価される。理想的には、カウント分布は等しいはずである。ボブが「正しくない」位相基底を選択するとき、それぞれの検出器に起こるカウントの確率が50:50となるはずであるからである。410において、そのカウント確率が等しい(つまり、50:50)と検出されたとき、この場合、基底電圧は直交であり、変調器MB,MAに対する較正された基底電圧を表わす。
一方、その初期に確立された基底電圧が、直交ではないと検出されることもある。このように、410において、検出器32aにおけるカウントの数が検出器32bによって記録されたものより大きいとき、この場合、412において、ボブの変調器電圧VB[π/4]は増加される。また、検出器32bによって記録されたものより小さいとき、この場合、412において、ボブの変調器電圧VB[π/4]は低減される。414において、理想の50:50検出器カウント確率分布が達成されるまで、406〜410が繰り返される。これにより、基底電圧における直交性が確認される。
上記の手順を行うことによって、ボブの変調器MBに対する較正された基底電圧VB(1),VB(2)およびアリスの変調器MAに対する較正された電圧VA(1),VA(2),VA(3),VA(4)がもたらされる。較正された基底電圧値は、それぞれの電圧駆動器44,14に(あるいはそれぞれの制御器50,20に)記憶され、これにより、それぞれのRNGユニット46,16から電圧駆動器に送信された制御信号S3,S2(また、あるいは、制御器から電圧駆動器へ送られた制御信号)は、適切な基底電圧値のトリガとなり、こうして、適切な位相変調のトリガとなる。
これで、QKDシステムの理想的な動作の準備が整う。セキュリティの理由で、アリス、ボブ、および光ファイバリンクFLがすべて安全な位置にあって、較正を変えてしまう盗聴者がいないときに、上記手順を行なうことが好ましい。しかしながら、必要とされるならば、たとえセキュリティリスクを示すフィールドであるとしても、上記手順をそのようなフィールドにおいて行なう場合もあり得る。
<継続的な変調器自動較正>
本発明の変調器自動較正方法の実施例の一例は、QKDシステムの通常動作の間も、正しくない基底測定から生じるそれぞれの検出器におけるカウントをモニタする。上述の通り、このカウント分布は、システム動作の際も、50:50となるはずである。QKDプロトコルを行なった後、このカウント分布からのズレを、診断ツールとして用いることができる。他のエラー源が排除されたとき、このパラメータを上記の自動較正プロセスを始めるトリガとして用いることができる。これにより、QKDシステムの変調器を継続的に、あるいは必要に応じて周期的に、較正することが可能になる。
実施例の一例において、変調器較正方法は、上述の方法を実行するための命令を有する、有形のメディア(例えば、ハードドライブ、図示せず)で具現化されたソフトウェアを、制御器20,50に有することにより達成される。
以上、本特許出願は、2004年3月2日に出願された、米国仮特許出願第60/549,357号から、優先権を主張する。
前述の実施形態においては、理解を簡単にするために様々な実施例において様々な特徴をまとめた。本発明の特徴及び効果の多くは詳細な明細書から明らかであり、それ故、添付の明細書は、本発明の真の趣旨及び範囲に従う開示された装置のそのような特徴及び効果を全て網羅することを意図している。さらに、当技術分野の技術者ならば多くの修正や変更を容易に思いつくであろうから、本発明は、ここで述べた構成、動作、及び実施例に厳密に限定されるものではない。従って、他の実施形態は、添付の特許請求の範囲に含まれる。
ボブとアリスにおける変調器の較正を提供するよう配置された双方向型QKDシステムの概略図である。 図1の双方向型QKDシステムに関連して示した変調器自動較正を行う方法の実施例の一例のフローチャートである。 検出器32aにおける最大の光子カウントおよび検出器32bにおける最小の光子カウントによって示された、VA=−π/4が検出された干渉パルスにおける強め合う干渉に対応する場合の、アリスの変調器電圧VAの変化に対する関数として、検出器32a,32bにおける光子カウントの変化を例示するグラフである。 検出器32aにおける最小の光子カウントおよび検出器32bにおける最大の光子カウントによって示された、VA=−3π/4が検出された干渉パルスにおける弱め合う干渉に対応する場合の、アリスの変調器電圧VAの変化に対する関数として、検出器32a,32bにおける光子カウントの変化を例示するグラフである。

Claims (13)

  1. 第1変調器(MB)を有する第1QKDステーション(ボブ)と、第2変調器(MA)を有する第2QKDステーション(アリス)と、を備える量子キー分配(QKD)システムを較正する方法であって、
    a)前記QKDシステムを、前記第1変調器に対する第1変調器基底電圧値VB(1)で動作させるとともに、検出された量子パルスの強め合う干渉をもたらす前記第2変調器に対する第1基底電圧値VA(1)を確立するために、前記第2変調器に対する基底電圧VAを変化させ、
    b)検出された量子パルスの弱め合う干渉をもたらす前記第2変調器に対する第2基底電圧値VA(2)を確立するために、前記第2変調器に対する前記基底電圧VAを変化させる間に、前記QKDシステムを前記第1変調器に対する第1変調器基底電圧値VB(1)で動作させ、
    c)前記QKDシステムを前記第1変調器に対する第2変調器基底電圧値VB(2)で動作させるとともに、検出された量子パルスの強め合う干渉をもたらす前記第2変調器に対する第3基底電圧値VA(3)を確立するために、前記第2変調器に対する前記基底電圧VAを変化させ、
    d)前記QKDシステムを前記第1変調器に対する第2変調器基底電圧値VB(2)で動作させるとともに、検出された量子パルスの弱め合う干渉をもたらす前記第2変調器に対する第4基底電圧値VA(4)を確立するために、前記第2変調器に対する前記基底電圧VAを変化させる、方法。
  2. e)前記QKDシステムを、前記2つの単一光子検出器それぞれの間で50:50の光子カウント確率をもたらすことが予想される、前記第1および第2変調器に対する基底電圧で動作させ、
    f)前記光子カウント確率を、前記単一光子検出器を用いて測定し、
    g)前記f)における測定された前記光子カウント確率が50:50でない場合、前記光子カウント確率が50:50になるまで、前記第1変調器に対する前記基底電圧値VB(1),VB(2)の少なくとも一方を変化させ、前記a)〜f)を繰り返す、
    請求項1に記載の方法。
  3. 前記第1QKDステーションに設けられた第1および第2単一光子検出器を用いて光子をカウントし、前記a)からd)の各動作中に前記第1および前記第2単一光子検出器のいずれかにおいて小の光子数が検出される電圧値を、前記基底電圧V A (1),V A (2),V A (3),およびV A (4)のそれぞれに割り当てることにより、前記基底電圧V A (1),V A (2),V A (3),およびV A (4)を確立する、請求項1に記載の方法。
  4. 基底電圧VB,VAのそれぞれによって駆動される第1および第2変調器MB,MAをそれぞれ有する、互いに動作可能接続に接続された第1および第2KDステーションであるボブおよびアリスを備える量子キー分配(QKD)システムを較正する方法であって、
    a)基底電圧V B を第1の値V B (1)に固定するとともに、二つの単一光子検出器のいずれかにおいて最小あるいは最大いずれかの光子数が検出される電圧値をそれぞれ割り当てることによって、検出された量子パルスの強め合う干渉および弱め合う干渉をそれぞれもたらす基底電圧値VA(1),VA(2)を決定するために底電圧VAを変化させながら、前記QKDステーション間で光子を交換し、
    b)前記基底電圧V B を第2の値V B (2)に固定するとともに、前記二つの単一光子検出器のいずれかにおいて最小あるいは最大いずれかの光子数が検出される電圧値をそれぞれ割り当てることによって、検出された量子パルスの強め合う干渉および弱め合う干渉をそれぞれもたらす基底電圧値VA(3),VA(4)を決定するために記基底電圧VAを変化させながら、前記QKDステーション間で光子を交換する、方法。
  5. c)前記QKDシステムを、VB(1),VB(2),VA(1),VA(2),VA(3),およびVA(4)以外の基底電圧値で動作させ、前記基底電圧値VB(1),VB(2),VA(1),VA(2),VA(3),およびVA(4)の直交性を評価するために、前記変調器MA,MBによって変調された光子間の強め合う干渉対弱め合う干渉を検出する確率分布を測定する、
    請求項4に記載の方法。
  6. 50:50の前記確率分布をもたらす前記基底電圧VA,VBに対する値を確立するために、前記測定された確率分布が50:50と異なる場合に、電圧VBに対する1つ以上の異なる基底電圧値で前記a)〜c)を繰り返す、
    請求項5に記載の方法。
  7. 前記QKDシステムを、前記基底電圧値VB(1),VB(2),VA(1),VA(2),VA(3),およびVA(4)で動作させる、
    請求項4に記載の方法。
  8. 記a)〜c)を実行するために、
    i)前記変調器MB,MAそれぞれに動作可能に接続され、前記基底電圧を前記変調器MB,MAに付与する電圧制御器と、
    ii)前記二つの単一光子検出器と、
    に動作可能に接続された制御器を用いることを含む
    請求項5に記載の方法。
  9. 量子キー分配(QKD)システムにおける第1および第2変調器を較正する方法であって、
    a)前記QKDシステムを、前記第1変調器に対する第1固定変調電圧値VB(1)で動作させるとともに、前記第2変調器の変調電圧V A を変化させて、検出された量子パルスの強め合う干渉および弱め合う干渉をそれぞれもたらす前記第2変調器に対する第1および第2基底電圧値VA(1),VA(2)を子カウントの測定により確立
    b)前記QKDシステムを、前記第1変調器に対する第2固定変調電圧値VB(2)で動作させるとともに、前記第2変調器の前記変調電圧V A を変化させて、検出された量子パルスの強め合う干渉および弱め合う干渉をそれぞれもたらす前記第2変調器に対する第3および第4基底電圧値VA(3),VA(4)を子カウントの測定により確立する
    方法。
  10. 基底電圧値VA(1),VA(2),VA(3),およびVA(4)の直交性を測定する、請求項9に記載の方法。
  11. 前記測定において、前記基底電圧値が直交ではないことを示す場合、少なくとも1つの前記基底電圧を調整して前記基底電圧値を直交とする、請求項10に記載の方法。
  12. c)前記基底電圧を、強め合うおよび弱め合うよう干渉する光子間の、50:50の光子カウント確率分布をもたらすと予想される値にセットし、
    d)前記光子カウント確率分布を測定し、
    e)前記光子カウント確率分布が50:50とは異なる場合、50:50の光子カウント確率分布を得るために、第1変調器に対する少なくとも1つの前記基底電圧を調整し、前記a)〜d)を繰り返して、
    基底電圧値の前記直交性を測定する、請求項10に記載の方法。
  13. 前記QKDシステムを、較正された基底電圧として前記基底電圧値VB(1),VB(2),VA(1),VA(2),VA(3),およびVA(4)で動作させる、請求項9に記載の方法。
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