JP4581041B2 - アルミニウム−セラミックス接合基板 - Google Patents
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Description
図1に示すように、40mm×40mmの大きさで厚さ0.635mmのAlNからなるセラミックス基板10と、40mm×40mmの大きさで厚さ0.4mmの純度99.9%のアルミニウム板12を用意し、セラミックス基板10の両面にアルミニウム板12を直接配置し、その両側に接合防止用の離型剤(BN)を塗布したAlNからなるスペーサ14を配置し、その上面に120gのステンレス製のおもり16を載せた。これをベルト式トンネル炉に入れ、窒素ガスを5L/分の流量で流した窒素ガス雰囲気において、1時間で接合温度620℃まで昇温させ、その温度で2時間保持して加熱した後、2時間で20℃まで冷却して、約5時間でセラミックス基板の両面にアルミニウム板が接合したアルミニウム−セラミックス接合基板を得た。
加熱温度を630℃(実施例2)、640℃(実施例3)、650℃(実施例4)とした以外は、実施例1と同様の方法によりアルミニウム−セラミックス接合基板を得た。
セラミックス基板をアルミナ基板とした以外は、実施例1〜4と同様の方法によりアルミニウム−セラミックス接合基板を得た。
アルミニウム板のアルミニウム純度を99.5%とした以外は、実施例3と同様の方法によりアルミニウム−セラミックス接合基板を得た。
アルミニウム板のアルミニウム純度を99.5%とした以外は、実施例7と同様な方法によりアルミニウム−セラミックス接合基板を得た。
セラミックス基板の両面に予めAl−0.5wt%Siの組成のろう材ペーストを塗布して乾燥した後にアルミニウム板を配置し、真空炉内で加熱した以外は実施例3と同様の方法によりアルミニウム−セラミックス接合基板を得た。なお、この比較例では、加熱および冷却時間に合計20時間を要した。
セラミックス基板の両面に予めAl−0.5wt%Siの組成のろう材ペーストを塗布して乾燥した後にアルミニウム板を配置し、真空炉内で加熱した以外は実施例7と同様の方法によりアルミニウム−セラミックス接合基板を得た。なお、この比較例では、加熱および冷却時間に合計20時間を要した。
12 アルミニウム板
14 スペーサ
16 おもり
Claims (3)
- 純度が99.5%以上のアルミニウム部材が窒化アルミニウムまたはアルミナを主成分とするセラミックス基板の少なくとも一方の面に直接接合し、アルミニウム部材とセラミックス基板との間のピール強度が5kg/cm以上であることを特徴とする、アルミニウム−セラミックス接合基板。
- 前記アルミニウム部材の純度が99.9%以上であることを特徴とする、請求項1に記載のアルミニウム−セラミックス接合基板。
- 請求項1に記載のアルミニウム−セラミックス接合基板を用いたパワーモジュール。
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JPH0891951A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アルミニウムと窒化ケイ素の接合体およびその製造方法 |
JP2001168482A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板 |
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