JP4574842B2 - 光源及び光源提供方法 - Google Patents
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Description
【発明の技術分野】
本発明は発光ダイオードに関し、より具体的にはそこから発する光に観測される色の制御に関する。
【0002】
【従来技術】
発光ダイオード(LED)はよく知られた作りの固体照明装置である。LEDは代表的には照明装置、表示装置又はディスプレイとして利用される。従来から、光スペクトルの赤色部の光を発するLEDが最も効率的である。赤色LEDから発される光の波長を、様々な不純物をダイオードにドーピングすることにより変化させることは可能であった。しかしながら、この技術によると、装置の効率が著しく低下してしまう。可視スペクトルの範囲全体にわたる光の効率的な放射が提供されることが望まれている為に、その波長依存性の効率がLEDの利便性を損なっていた。
最近、スペクトルの青色部で最も効率的に作用する新しいタイプのLEDが開発された。可視スペクトルの長波長端にある赤色光とは違い、青色光は可視スペクトルの短波長端に位置する。放射される青色光が相対的に短波長であることにより、青色LEDから発された光をシフトすることが可能となる。これは、蛍光物質により短波長光が吸収され、より長い波長の光として再放射されるというプロセスにより実現される。
【0003】
図1は、例えば日亜化学工業株式会社(東京)が製造する白色LEDランプのように青色LEDから作成された従来技術による白色LED(100)を示したものである。青色光を放射する窒化ガリウム(GaN)ダイ(110)がリフレクタカップリードフレーム(120)中に取り付けられ、ワイヤボンディングされている。ダイ(110)にはリード線(150、160)を介して電力が供給される。セリウム活性化YAG(イットリウム−アルミニウム−ガーネット;以下Ce:YAGと称する)蛍光体の小塊(130)がLEDダイ(110)上に置かれる。そしてその上に通常の透明エポキシレンズ(140)を成形する。Ce:YAGは黄緑色の光を再放射し、吸収されなかった幾分かの元の青色光も層(130)を通過する。これらが結合されて「白色」光が放射されているように知覚される。
【0004】
青色ダイに蛍光体層を加えることにより、様々な波長の効率的な発光源を実現できる。しかしながら、この技術も万能ではない。蛍光体層の追加により、更なるステップをLEDの製造工程に追加しなければならない。顧客の要求に迅速に応えるには、各色異なる蛍光体層を設けた様々な種類のLEDを在庫として持たなければならないのである。
【0005】
更に、LEDの商業利用においては多くの場合、ダイ毎の発光波長のばらつきは低く抑えられていることが必要である。この蛍光体層技術は、放射される光の波長はダイ毎に大きく異なることもままあり、結果としてこの方法で作られたLEDの歩留まりを低下させてしまう。加えて、無機蛍光材料が利用される為に、そのプロセスは本質的に非効率的となる。これは、無機蛍光体が、表面から光を再放射する固体粒子から構成されている為である。この再放射された光は、層中の他の発光粒子により遮断されてしまい、これにより最終的にレンズを通過して放射される光の量が少なくなるのである。
【0006】
従って、色シフト技術が発光ダイオード素子の効率性を限定してしまい、多くのアプリケーションにおけるこれらの素子の活用を阻んでいることがわかる。
よって、可視スペクトルの広い範囲にわたる効率的な発光ダイオードを製造することが可能な技術に対するニーズは、未だ満たされていないのである。
【0007】
【発明の概要】
可視スペクトルの広い範囲にわたる効率的な発光ダイオードを製作する為の方法及び装置について説明する。蛍光染料を含有するレンズが、リフレクタカップ中に配置した短波長光(例:青色)発光ダイ上にモールド成形される。蛍光染料は、ダイオードから放射される光の少なくとも一部を吸収し、そして第二のより長い波長の光を再放射する。レンズ領域中で第二の波長の光の再放射の殆どを発生する部分の広がりを制御する為レンズ中の染料の濃度を変えることが出来る。これにより、レンズの残りの部分が従来のレンズと同じ方法で光を集束することが出来る。
【0008】
レンズから放射される光の色は、レンズに添加する蛍光染料の数や種類、そしてそれらの相対的な濃度によって容易に、そして一貫性を持って調整することが出来る。加えてレンズは製造工程の最終ステップで形成される。LEDの色はどの染料がレンズに添加されたかによって決まる為、レンズをつけていないLEDのストックを持つことにより、在庫を減らすことが出来る。そして、特定の色のLEDが要求された場合にレンズを処方し、レンズをつけていない在庫の基体上に形成すれば良いのである。
更に、レンズの追加はLEDの製造における通常のステップである。従って、色の異なるLEDを作成する際に追加ステップを必要としない。作成するLEDの色を制御する為に、幾つかの利用可能な蛍光染料を含むレンズエポキシの1つを単に選択すれば良いのである。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明は、添付の図を参照しつつ以下の説明を読むことにより、容易に理解することが出来る。図中、同じ構造要素には同じ符号を付した。
本発明の実施例を、図1−図2を参照しつつ以下に説明する。本明細書におけるこれらの図に関する記述の詳細は説明目的のものであり、本発明はこれらの限られた実施態様の範囲を越えるものである。
【0010】
図2は、本発明の一実施例に基づいて作成された、発光染料を含有するレンズ(240)を有する発光ダイオード(200)を描いた図である。青色光を放射する窒化ガリウム(GaN)のダイ(110)がリフレクタカップリードフレーム(120)中に取り付けられ、ワイヤボンディングされている。電力はリード線(150、160)を介してダイ(110)へと供給される。LEDダイ(110)の上には蛍光染料を含むエポキシレンズ(240)が成形される。蛍光染料はダイ(110)から放射された青色光を吸収し、より長い波長の光を再放射する。実施態様によっては、幾分かの吸収されなかった元の青色光がレンズ(240)を通過するようになっていても良い。
【0011】
従って本発明の実施例においては、図1のように別個の無機質蛍光体層(130)を付加するのではなく、図2に示すように有機蛍光染料が、レンズ(240)成形で用いられるエポキシに添加されているのである。緑、オレンジ、黄及び赤の光を作る為に様々な染料を効果的に用いることが出来た。加えて、「白色」光を作る為には染料を組み合わせて用いた。LED固有のの波長の単一性の為に、ドーピング等のような従来の色シフト技術では白色光を作り得なかった点に留意が必要である。また、以下にも示すが、本発明により、工場では単一の短波長(例:380nm)のLEDダイのみを製造しておき、その後所望のLED色とするように組み立てれば良くなる。
【0012】
蛍光層をダイとレンズとの間に付加する手法と異なり、蛍光染料をレンズにドーピングするということは直観的に行われるものではない。これは蛍光染料の機能が、1つの波長の光の吸収と、他の波長の光の放射である為である。しかしながら、レンズの機能は光を集束することである。一般通念では発光機構はレンズとは別個のものであるべきこととされている。染料がレンズ全体にわたって分布している場合、レンズの外表面近傍で放射される光は、レンズを出るのが早すぎてしまう為に適正に集束されないことが考えられる。
【0013】
しかしながら、実験結果によると、光はレンズ全体を通して均一に放射されないことがわかった。むしろ、図2のレンズ(240)中の領域(230)で示すように、光のほとんどはLEDダイのそばで放射されている。レンズ(240)の光発生領域(230)の大きさはレンズ中の染料の濃度を調整することにより変えることが出来る。染料の濃度が濃いほど吸収長は短くなる。光発生領域はLEDダイ(110)付近に集中している為、ダイから放射された光はレンズ(240)の実質的な部分を通過しなければならない。よって、レンズ(240)への染料の添加がレンズ(240)の光の集束を妨げるようなことはない。
【0014】
様々な種類の蛍光材料をレンズ(240)に添加することが出来る。例えば、米国フロリダ州フォートローダーデール市のLambda Physik、Inc.、から出されている以下の染料を470nmの青色GaN LEDで励起する。
Coumarin6(非常に良好な緑、非常に効率的)
Fluorl7GA(黄緑、非常に効率的)
DOCI(緑、短い減衰長)
Rhodamine110(黄、非常に効率的)
DCM(オレンジ、効率的)
DCM special(オレンジがかった赤、効率的)
Pyridine1(赤、効率悪い)
Pyridine2(深紅、効率悪い)
【0015】
その他の利用可能の蛍光材料としては、米国マサチューセッツ州デンバー市のOsram Sylvania、Inc.、の以下の蛍光物質が含まれる。
Type1330 Ag:ZnS(青)
Type1261 CuAuAl:ZnS(緑)
Type1260 CuAl:ZnS(緑)
Type236 Mg4(F)GeO5:Mn(赤)
Type251 Ce:YAG(黄緑)
【0016】
更に他にも米国オレゴン州ユージン市のMolecular Probes Inc.、の染料も適切な染料である。これらの染料は多重転移有機染料である。ストークスシフト(色から色へのシフト)は各染料とも小さいが、幾つかの染料を用いれば、色のシフトを何倍かにすることが出来る。488nm−605nm、488nm−645nm、そして488nm−685nmのタイプのものを試験したが、470nmのGaN LEDに用いて良好な結果が得られた。
【0017】
有機染料の利用は、無機材料を利用するよりも効率的であると考えることが出来る。無機染料が粉末であるのに対し、有機染料は液体である。粉末粒子は他の粒子が放射した光を遮断してしまう可能性がある。液体の場合、このようなことはそれ程問題とはならない。
【0018】
レンズを作成する為に用いる材料については、LEDレンズを作る為に一般に利用されている材料のいずれでも好適である。しかしながら、特に適しているのは、ソーラーコレクタに用いられているような紫外線安定ポリマーと染料の組み合わせである。一例としてはLISA(例えばLicht SAmmeldndすなわち集光)プラスティックがあげられる。LISA製品は米国ペンシルバニア州ピッツバーグ市のBayer社のプラスティックである。更に、米国ノースカロライナ州Charolette市のBASF Corp.からは、劣化しないLumogenが出されている。
【0019】
蛍光染料をLEDのレンズに入れることに付随して多くの利益が提供される。レンズに添加する蛍光染料の数と種類、及びそれらの相対的濃度を選択することにより、レンズから放射される光の色を容易に一貫して調節することが出来る。更に、レンズは製造工程の最終ステップにおいて形成される。LEDの色は、どの染料をレンズへ添加したかにより決定する為に、レンズをつけていないLEDの在庫を維持することで在庫を少なくすることが出来る。そして特定の色のLEDが要求された場合にレンズを処方してレンズの付いていない在庫基体につければ良いのである。
【0020】
更に、レンズを付加するというステップは、LED製造における通常のステップである。従って、異なる色のLEDを製造する上で、追加ステップを必要としないのである。幾つかある使用可能の蛍光染料を含有するレンズエポキシの中から1つを選択することによって、製作しているLEDの色を簡単に調整することができるのである。
【0021】
波長を変える為にダイにドーピングする手法に比べて優れている他の点は、この手法が安定した色を提供するところにある。発光を長波長側に変える為に欠陥を添加した青色LEDは、熱せられると青に向かって戻ってしまう傾向がある。この熱変化は波長を変える為に蛍光染料が利用された場合には発生しない。
【0022】
レンズ中における発光染料の利用は、様々な色のLEDを製造する為の方法として、相対的に効率的であることが判明した。赤色LEDが最も効率的である。赤色LEDはダイをドーピングすることにより緑色に変化させることが出来る。しかしながら、赤から緑に変えて行くと、LEDの効率は低下する。緑にする為のドーピングを施した赤又は青色LEDは非常に非効率的である。蛍光染料色シフト法を通じて到達し得る緑色光の効率は、緑色光を放射させる為に赤又は青色LEDにドーピングを行なうことにより達し得る効率よりも著しく高くすることが可能である。
【0023】
加えて、多くのLEDの商業利用においては、ダイ毎の発光波長のばらつきが小さいことが要求される。この蛍光染料をレンズに添加する技術は、放射される光の波長のダイ毎のばらつきを低減せしめ、この方法により製造されたLEDの歩留まりを効果的に向上させるものである。
【0024】
上記の説明はLEDに関連して記述したが、その他の光源(レーザーダイオード等)にも本発明を用いることが出来るのは言うまでもない。更に、上記の説明は、青色発光体に関連して記述したが、その他の波長の光を放射する発光体にも本技術の適用が可能であることは言うまでもない。
【0025】
本発明の多くの特徴及び利点をこの記述により明らかとしたが、そのような本発明の特徴及び利点は全て添付請求項に含まれるものである。更に、多くの変更及び改変が当業者に容易に生じることは明らかである為、本発明は図示及び記述した特定の構造及び作用に限定されることを意図したものではない。よって、全ての該当する変更及び同等の態様は、本発明の範囲に入るものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】発光ダイと透明レンズとの間に蛍光体層を有する従来技術による発光ダイオードを描いた図である。
【図2】本発明の一実施例に基づいて作成された蛍光染料を含有するレンズを有する発光ダイオードを描いた図である。
【符号の説明】
110 ダイ
120 リフレクタカップリードフレーム
150,160 リード線
200 発光ダイオード
230 光発生領域
240 レンズ
Claims (3)
- 光源であって、第一の波長の光を放射する発光体と、前記光源から放射される光を集束する為のレンズとを含み、該レンズが前記第一の波長の光を吸収し、第二の波長の光を再放射する蛍光材料と、
前記第二の波長の光を吸収し、第三の波長の光を再放射する第二の蛍光材料を含むことを特徴とする光源。 - 光源を提供するための方法であって、第一の波長の光を発光体から放射するステップと、レンズを用いて前記発光体から放射された光を集束するステップとを含み、前記レンズが、前記第一の波長の光を吸収し、第二の波長の光を再放射する為の蛍光材料を含み、
第二の蛍光材料が、前記第二の波長の光を吸収し、第三の波長の光を再放射するステップを含む光源提供方法。 - 第一の波長の光を放射する為の発光手段と、前記光源から放射される光を集束するための集束手段とを含み、該集束手段が前記第一の波長の光を吸収し、第二の波長の光を再放射する為の蛍光手段を含有しており、
前記第二の波長の光を吸収し、第三の波長の光を再放射する為の第二の蛍光手段を含む光源。
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JP3378465B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
DE69835216T2 (de) | 1997-07-25 | 2007-05-31 | Nichia Corp., Anan | Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung |
US6469322B1 (en) | 1998-02-06 | 2002-10-22 | General Electric Company | Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes |
US6294800B1 (en) | 1998-02-06 | 2001-09-25 | General Electric Company | Phosphors for white light generation from UV emitting diodes |
US6252254B1 (en) | 1998-02-06 | 2001-06-26 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
US20080042554A1 (en) * | 1998-05-18 | 2008-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display device and light emission device |
US7079778B1 (en) * | 2000-04-07 | 2006-07-18 | Northrop Grumman Corporation | Rugged shock-resistant backplane for embedded systems |
JP3645422B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2005-05-11 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 発光装置 |
US6366018B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-04-02 | Sarnoff Corporation | Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes |
US6404125B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-06-11 | Sarnoff Corporation | Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes |
US6429583B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-08-06 | General Electric Company | Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors |
US6373188B1 (en) | 1998-12-22 | 2002-04-16 | Honeywell International Inc. | Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output |
JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US6351069B1 (en) | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
US6680569B2 (en) | 1999-02-18 | 2004-01-20 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Red-deficiency compensating phosphor light emitting device |
DE60043536D1 (de) | 1999-03-04 | 2010-01-28 | Nichia Corp | Nitridhalbleiterlaserelement |
TW455908B (en) * | 1999-04-20 | 2001-09-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Lighting system |
DE19918370B4 (de) * | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
EP1107321A4 (en) * | 1999-06-23 | 2006-08-30 | Citizen Electronics | LIGHT-EMITTING DIODE |
EP1471775B9 (de) * | 1999-07-23 | 2011-04-13 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Lichtquelle mit einer Leuchtstoffanordnung und Vergussmasse mit einer Leuchtstoffanordnung |
JP2001144331A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-05-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
AU7617800A (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-30 | Lumileds Lighting U.S., Llc | A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion |
US6686691B1 (en) * | 1999-09-27 | 2004-02-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Tri-color, white light LED lamps |
US6696703B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Thin film phosphor-converted light emitting diode device |
US6299498B1 (en) * | 1999-10-27 | 2001-10-09 | Shin Lung Liu | White-light emitting diode structure and manufacturing method |
JP4197814B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2008-12-17 | シャープ株式会社 | Led駆動方法およびled装置と表示装置 |
US6513949B1 (en) | 1999-12-02 | 2003-02-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED/phosphor-LED hybrid lighting systems |
US6666567B1 (en) | 1999-12-28 | 2003-12-23 | Honeywell International Inc. | Methods and apparatus for a light source with a raised LED structure |
US6409938B1 (en) | 2000-03-27 | 2002-06-25 | The General Electric Company | Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG |
US6538371B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-03-25 | The General Electric Company | White light illumination system with improved color output |
US6522065B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-02-18 | General Electric Company | Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device |
US6653765B1 (en) | 2000-04-17 | 2003-11-25 | General Electric Company | Uniform angular light distribution from LEDs |
US6604971B1 (en) | 2000-05-02 | 2003-08-12 | General Electric Company | Fabrication of LED lamps by controlled deposition of a suspension media |
US6621211B1 (en) * | 2000-05-15 | 2003-09-16 | General Electric Company | White light emitting phosphor blends for LED devices |
US6555958B1 (en) | 2000-05-15 | 2003-04-29 | General Electric Company | Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light |
US6466135B1 (en) | 2000-05-15 | 2002-10-15 | General Electric Company | Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light |
US6501100B1 (en) * | 2000-05-15 | 2002-12-31 | General Electric Company | White light emitting phosphor blend for LED devices |
US7127486B1 (en) | 2000-07-24 | 2006-10-24 | Vignette Corporation | Method and system for facilitating marketing dialogues |
WO2002011173A1 (en) * | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminescence conversion based light emitting diode and phosphors for wavelength conversion |
US7129638B2 (en) * | 2000-08-09 | 2006-10-31 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting devices with a phosphor coating having evenly dispersed phosphor particles and constant thickness |
US6614103B1 (en) | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
JP2002141556A (ja) | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
US7053419B1 (en) * | 2000-09-12 | 2006-05-30 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
US6635987B1 (en) * | 2000-09-26 | 2003-10-21 | General Electric Company | High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products |
JP3609709B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2005-01-12 | 株式会社シチズン電子 | 発光ダイオード |
US6998281B2 (en) * | 2000-10-12 | 2006-02-14 | General Electric Company | Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics |
US6518600B1 (en) | 2000-11-17 | 2003-02-11 | General Electric Company | Dual encapsulation for an LED |
AT410266B (de) † | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
US20020084745A1 (en) | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Airma Optoelectronics Corporation | Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder |
US6541800B2 (en) | 2001-02-22 | 2003-04-01 | Weldon Technologies, Inc. | High power LED |
JP4114331B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2008-07-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US6491408B1 (en) * | 2001-07-05 | 2002-12-10 | Spectronics Corporation | Pen-size LED inspection lamp for detection of fluorescent material |
DE10137641A1 (de) * | 2001-08-03 | 2003-02-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Hybrid-LED |
US6762432B2 (en) * | 2002-04-01 | 2004-07-13 | Micrel, Inc. | Electrical field alignment vernier |
US6841802B2 (en) | 2002-06-26 | 2005-01-11 | Oriol, Inc. | Thin film light emitting diode |
US20040032728A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-02-19 | Robert Galli | Optical assembly for LED chip package |
US7244965B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
US7775685B2 (en) | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7554258B2 (en) * | 2002-10-22 | 2009-06-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body |
TW200414572A (en) * | 2002-11-07 | 2004-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LED lamp |
US6744196B1 (en) * | 2002-12-11 | 2004-06-01 | Oriol, Inc. | Thin film LED |
US6903380B2 (en) | 2003-04-11 | 2005-06-07 | Weldon Technologies, Inc. | High power light emitting diode |
DE10319274A1 (de) * | 2003-04-29 | 2004-12-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquelle |
JP2006525682A (ja) * | 2003-04-30 | 2006-11-09 | クリー インコーポレイテッド | 高出力固体発光素子パッケージ |
US7528421B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-05-05 | Lamina Lighting, Inc. | Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation |
US7777235B2 (en) | 2003-05-05 | 2010-08-17 | Lighting Science Group Corporation | Light emitting diodes with improved light collimation |
US7633093B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-12-15 | Lighting Science Group Corporation | Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product |
US7157745B2 (en) * | 2004-04-09 | 2007-01-02 | Blonder Greg E | Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them |
US20050007346A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-13 | Guolin Ma | Optical conduit for channeling light onto a surface |
US7235817B2 (en) * | 2003-08-07 | 2007-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | LED Lamp |
TW200512949A (en) * | 2003-09-17 | 2005-04-01 | Nanya Plastics Corp | A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product |
US6933535B2 (en) * | 2003-10-31 | 2005-08-23 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting devices with enhanced luminous efficiency |
US20050099808A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Cheng Tzu C. | Light-emitting device |
US10575376B2 (en) | 2004-02-25 | 2020-02-25 | Lynk Labs, Inc. | AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus |
WO2011143510A1 (en) | 2010-05-12 | 2011-11-17 | Lynk Labs, Inc. | Led lighting system |
US10499465B2 (en) | 2004-02-25 | 2019-12-03 | Lynk Labs, Inc. | High frequency multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and systems and methods of using same |
CN100391020C (zh) * | 2004-02-26 | 2008-05-28 | 松下电器产业株式会社 | Led光源 |
US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
US7462086B2 (en) * | 2004-04-21 | 2008-12-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Phosphor for phosphor-converted semiconductor light emitting device |
EP2803898B1 (en) * | 2004-05-05 | 2020-08-19 | Rensselaer Polytechnic Institute | A light-emitting apparatus |
US7837348B2 (en) | 2004-05-05 | 2010-11-23 | Rensselaer Polytechnic Institute | Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element |
US11158768B2 (en) | 2004-05-07 | 2021-10-26 | Bruce H. Baretz | Vacuum light emitting diode |
US7339332B2 (en) * | 2004-05-24 | 2008-03-04 | Honeywell International, Inc. | Chroma compensated backlit display |
KR20060023443A (ko) * | 2004-09-09 | 2006-03-14 | 이희목 | 발광 장치 |
US7344902B2 (en) * | 2004-11-15 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Overmolded lens over LED die |
US7671529B2 (en) * | 2004-12-10 | 2010-03-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Phosphor converted light emitting device |
US8748923B2 (en) * | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
US7341878B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-03-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
US7879258B2 (en) * | 2005-03-14 | 2011-02-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same |
KR101204736B1 (ko) * | 2005-03-29 | 2012-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 발광다이오드 |
US8718437B2 (en) | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
WO2007103310A2 (en) | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Qd Vision, Inc. | An article including semiconductor nanocrystals |
US8215815B2 (en) | 2005-06-07 | 2012-07-10 | Oree, Inc. | Illumination apparatus and methods of forming the same |
US8272758B2 (en) | 2005-06-07 | 2012-09-25 | Oree, Inc. | Illumination apparatus and methods of forming the same |
WO2006131924A2 (en) | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. | Illumination apparatus |
US7980743B2 (en) | 2005-06-14 | 2011-07-19 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
KR101266130B1 (ko) | 2005-06-23 | 2013-05-27 | 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 | 단파장 led들 및 다운-컨버젼 물질들로 백색광을생성하기 위한 패키지 설계 |
US7345813B2 (en) * | 2005-07-21 | 2008-03-18 | Avago Technologies General Ip Pte Ltd | UV adjustable optical attenuator |
US7847302B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-12-07 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature |
US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
JP2007311707A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Ushio Inc | 紫外線発光素子パッケージ |
US20070274093A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | Honeywell International, Inc. | LED backlight system for LCD displays |
US7703942B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-04-27 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-efficient light engines using light emitting diodes |
US7889421B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-02-15 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-power white LEDs and manufacturing method thereof |
US8836212B2 (en) | 2007-01-11 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Light emissive printed article printed with quantum dot ink |
KR100900620B1 (ko) * | 2007-02-20 | 2009-06-02 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광 장치 |
WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
US8128249B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
US11317495B2 (en) | 2007-10-06 | 2022-04-26 | Lynk Labs, Inc. | LED circuits and assemblies |
US11297705B2 (en) | 2007-10-06 | 2022-04-05 | Lynk Labs, Inc. | Multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and methods of using same |
KR101294849B1 (ko) * | 2007-10-23 | 2013-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 어셈블리 |
US8294156B2 (en) * | 2007-11-19 | 2012-10-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanocrystal light-emitting diode |
CN101442088B (zh) * | 2007-11-22 | 2012-03-28 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种贴片式led光学透镜模造成型方法 |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
US8172447B2 (en) | 2007-12-19 | 2012-05-08 | Oree, Inc. | Discrete lighting elements and planar assembly thereof |
US20090161369A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Keren Regev | Waveguide sheet and methods for manufacturing the same |
WO2009109974A2 (en) | 2008-03-05 | 2009-09-11 | Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. | Illumination apparatus and methods of forming the same |
WO2009151515A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-12-17 | Qd Vision, Inc. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
US8297786B2 (en) | 2008-07-10 | 2012-10-30 | Oree, Inc. | Slim waveguide coupling apparatus and method |
US8301002B2 (en) | 2008-07-10 | 2012-10-30 | Oree, Inc. | Slim waveguide coupling apparatus and method |
TWI384651B (zh) * | 2008-08-20 | 2013-02-01 | Au Optronics Corp | 發光二極體結構及其製造方法 |
JP5766386B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 発光デバイス及び発光装置 |
KR101543467B1 (ko) | 2008-11-13 | 2015-08-10 | 엘지전자 주식회사 | 프로젝션 시스템 |
DE102008055088A1 (de) * | 2008-12-22 | 2010-06-24 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Haushaltsgerät mit einem offenen Luftkanal |
US8624527B1 (en) | 2009-03-27 | 2014-01-07 | Oree, Inc. | Independently controllable illumination device |
US20100320904A1 (en) | 2009-05-13 | 2010-12-23 | Oree Inc. | LED-Based Replacement Lamps for Incandescent Fixtures |
US8727597B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-05-20 | Oree, Inc. | Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same |
CN102024882A (zh) * | 2009-09-14 | 2011-04-20 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管装置及其制造方法 |
CN102157670A (zh) * | 2010-02-11 | 2011-08-17 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光装置 |
JP2012019062A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法 |
DE102010055902A1 (de) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
US20140239809A1 (en) | 2011-08-18 | 2014-08-28 | Lynk Labs, Inc. | Devices and systems having ac led circuits and methods of driving the same |
TW201314198A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-01 | Smobio Inc | 雙光源燈箱實驗系統 |
US8591072B2 (en) | 2011-11-16 | 2013-11-26 | Oree, Inc. | Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same |
US9247597B2 (en) | 2011-12-02 | 2016-01-26 | Lynk Labs, Inc. | Color temperature controlled and low THD LED lighting devices and systems and methods of driving the same |
WO2014006501A1 (en) | 2012-07-03 | 2014-01-09 | Yosi Shani | Planar remote phosphor illumination apparatus |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
KR20160032236A (ko) * | 2013-07-19 | 2016-03-23 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 광학 요소를 가지며 기판 캐리어를 갖지 않는 pc led |
US11079077B2 (en) | 2017-08-31 | 2021-08-03 | Lynk Labs, Inc. | LED lighting system and installation methods |
RU195810U1 (ru) * | 2019-09-27 | 2020-02-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Светоизлучающий диод |
US11628234B2 (en) | 2020-06-01 | 2023-04-18 | Know Labs, Inc. | White light LED light bulbs for ambient lighting and pathogen inactivation |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3510732A (en) | 1968-04-22 | 1970-05-05 | Gen Electric | Solid state lamp having a lens with rhodamine or fluorescent material dispersed therein |
CA932474A (en) * | 1969-12-12 | 1973-08-21 | Kressel Henry | Electroluminescent device |
JPS48102585A (ja) * | 1972-04-04 | 1973-12-22 | ||
JPS4984385A (ja) * | 1972-12-18 | 1974-08-13 | ||
US4599537A (en) * | 1982-04-30 | 1986-07-08 | Shigeaki Yamashita | IR light emitting apparatus with visible detection means |
JPH01260707A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-18 | Idec Izumi Corp | 白色発光装置 |
JPH05152609A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JPH0799345A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
KR100629544B1 (ko) * | 1996-06-26 | 2006-09-27 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
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