JP4573763B2 - Adsorption device - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェーハのバックグラインド工程やダイシング工程等で使用される吸着装置に関するものである。   The present invention relates to a suction device used in a back grinding process or a dicing process of a semiconductor wafer.

半導体ウェーハは、半導体製造の前工程では反らないように厚いことが好ましいが、そのままの厚さでは薄化、小型化、軽量化が要求される近年の半導体パッケージには適さないので、バックグラインド工程と呼ばれる工程でグラインダ装置により裏面が削られ、薄くされた後、次工程に移される(特許文献1参照)。   The semiconductor wafer is preferably thick so that it does not warp in the pre-process of semiconductor manufacturing, but the thickness as it is is not suitable for recent semiconductor packages that require thinning, miniaturization, and weight reduction. After the back surface is cut and thinned by a grinder device in a process called a process, the process is transferred to the next process (see Patent Document 1).

半導体ウェーハをバックグラインド工程で薄くして次工程に移す場合には、先ず、750μm程度の厚さを有する半導体ウェーハWのパターン形成面に保護シート60を粘着して好ましい大きさにカット(図15参照)し、半導体ウェーハWをストッカーである基板収納カセット20Aに収納して図16に示すグラインダ装置61に搬送する。   When the semiconductor wafer is thinned in the back grinding process and transferred to the next process, first, the protective sheet 60 is adhered to the pattern forming surface of the semiconductor wafer W having a thickness of about 750 μm and cut into a preferable size (FIG. 15). Then, the semiconductor wafer W is stored in the substrate storage cassette 20A which is a stocker and transferred to the grinder device 61 shown in FIG.

基板収納カセット20Aをグラインダ装置61に搬送したら、このグラインダ装置61のチャックテーブル62に半導体ウェーハWをセットし、チャックテーブル62を回転させて半導体ウェーハWの裏面に粗研削と仕上げ研削とを回転砥石により順次施し、その後、バックグラインドにより50μm程度に薄化された半導体ウェーハWを基板収納カセット20Aに収納したり、洗浄装置63で洗浄する。   After the substrate storage cassette 20A is conveyed to the grinder device 61, the semiconductor wafer W is set on the chuck table 62 of the grinder device 61, and the chuck table 62 is rotated to perform rough grinding and finish grinding on the back surface of the semiconductor wafer W. Then, the semiconductor wafer W thinned to about 50 μm by back grinding is stored in the substrate storage cassette 20A or cleaned by the cleaning device 63.

そして、薄化された半導体ウェーハWをグラインダ装置61から下流にインラインされたストレスリリーフ装置64に搬送ラインで搬送し、半導体ウェーハWの強度が低下した裏面のダメージ層をエッチング液又はポリッシュにより除去して抗折強度を向上させた後、基板収納カセット20Aに半導体ウェーハWを収納すれば、薄化された半導体ウェーハWを基板収納カセット20Aにより次工程に移すことができる(特許文献2参照)。
特開2005‐223359号公報 特開2000‐100924号公報
Then, the thinned semiconductor wafer W is transported from the grinder device 61 to the stress relief device 64 inline downstream by a transport line, and the damaged layer on the back surface where the strength of the semiconductor wafer W is reduced is removed by an etching solution or polish. After the bending strength is improved, if the semiconductor wafer W is stored in the substrate storage cassette 20A, the thinned semiconductor wafer W can be transferred to the next process by the substrate storage cassette 20A (see Patent Document 2).
JP 2005-223359 A JP 2000-100924 A

従来における半導体ウェーハWは、以上のように薄化されて基板収納カセット20Aに単に収納されるが、非常に薄く(例えば、50μm以下の薄さ)、撓みやすく、割れやすいので、ハンドリング等の作業中に簡単に破損してしまうという大きな問題がある。また、弓なりに反ることが少なくないので、以後の作業でハンドリングすることができないという問題もある。   The conventional semiconductor wafer W is thinned as described above and simply stored in the substrate storage cassette 20A. However, the semiconductor wafer W is very thin (for example, 50 μm or less), is easy to bend, and is easily broken. There is a big problem that it easily breaks inside. In addition, there is a problem that it cannot be handled in the subsequent work because it often warps like a bow.

本発明は上記に鑑みなされたもので、例え基板が薄い場合でも、ハンドリング時等に容易に破損するのを抑制することのできる吸着装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide an adsorption device that can suppress easy breakage during handling even when the substrate is thin.

本発明においては上記課題を解決するため、基板を保持する吸着治具を吸着パッドに取り外し可能に支持させた装置であって、
吸着治具は、剛性を有する板体と、この板体の表面に形成される凹部と、この凹部を被覆して基板を着脱自在に粘着保持する変形可能な保持層と、板体に設けられて保持層に被覆された凹部の気体を外部に排気する排気孔とを含み、凹部には、保持層を支持する複数の支持突起を設け、
吸着パッドは、吸着治具の板体裏面に重なるパッドと、このパッドから伸びるアームとを含み、パッドには、吸着治具の板体裏面に対向する対向穴と、吸着治具の排気孔に連通する連通穴とをそれぞれ設け、パッドとアームのうち少なくともアームには、パッドの対向穴に連通する給排路、及びパッドの連通穴に連通する排出路を設け、
吸着治具の凹部に保持層の一部を変形させて取り付け、この保持層の変形した一部から板体にかけて吸着パッドの対向穴に連通する貫通部を設けたことを特徴としている。
In the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, an apparatus in which a suction jig for holding a substrate is removably supported on a suction pad ,
The suction jig is provided on the plate body having rigidity, a concave portion formed on the surface of the plate body, a deformable holding layer that covers the concave portion and detachably adheres and holds the substrate. An exhaust hole for exhausting the gas in the concave portion covered with the holding layer to the outside, and the concave portion is provided with a plurality of support protrusions for supporting the holding layer,
The suction pad includes a pad that overlaps the back surface of the suction jig plate and an arm that extends from the pad. The pad includes an opposing hole that faces the back surface of the suction jig and an exhaust hole of the suction jig. A communication hole that communicates with each other, and at least the arm of the pad and the arm is provided with a supply / discharge path that communicates with the opposing hole of the pad and a discharge path that communicates with the communication hole of the pad
It is characterized in that a part of the holding layer is deformed and attached to the concave portion of the suction jig, and a penetrating part communicating with the opposing hole of the suction pad is provided from the deformed part of the holding layer to the plate body .

なお、吸着パッドの給排路を給排装置に接続し、吸着パッドの排出路を負圧源に接続することができる。The suction pad supply / discharge path can be connected to a supply / discharge device, and the suction pad discharge path can be connected to a negative pressure source.

また、本発明においては上記課題を解決するため、基板収納カセットと、この基板収納カセットに収納可能に構成されるとともに、吸着パッドに支持され、基板を保持する吸着治具とを備えたものであって、
基板収納カセットは、複数の対向壁の間に架設(架け渡して設ける)される棚板と、この棚板に形成される凹部と、この凹部を被覆して基板あるいは吸着治具を着脱自在に粘着保持する可撓性の保持層と、この保持層に被覆された凹部内の気体を外部に排気する排気通路とを含んでなることを特徴としても良い。
In order to solve the above problems, the present invention comprises a substrate storage cassette and a suction jig configured to be stored in the substrate storage cassette, supported by a suction pad, and holding a substrate. There,
The substrate storage cassette has a shelf that is laid (bridged) between a plurality of opposing walls, a recess that is formed on the shelf, and a substrate or suction jig that can be attached to and detached from the recess. It may be characterized by comprising a flexible holding layer for holding adhesive and an exhaust passage for exhausting the gas in the recess covered by the holding layer to the outside.

なお、棚板の凹部に、保持層を支持する複数の突起を間隔をおいて並べ設けることができる。
また、排気通路を負圧源に取り外し可能に接続し、この負圧源を駆動して保持層を変形させることができる。
A plurality of protrusions that support the holding layer can be arranged in the recesses of the shelf plate at intervals.
Further, the exhaust passage can be detachably connected to the negative pressure source, and the negative pressure source can be driven to deform the holding layer.

さらに、本発明においては上記課題を解決するため、基板収納カセットと、この基板収納カセットに収納可能に構成されるとともに、吸着パッドに支持され、基板を保持する吸着治具とを備えたものであって、
基板収納カセットは、複数の対向壁の間に架設されて基板あるいは吸着治具を搭載する棚板と、この棚板に形成されて基板あるいは吸着治具に被覆される凹部と、負圧源の駆動に基づき、被覆された凹部内から外部に気体を排気する排気通路とを含み、凹部には、基板あるいは吸着治具を支持する複数の突起を設けたことを特徴としても良い。
Furthermore, in order to solve the above-described problems, the present invention includes a substrate storage cassette and a suction jig configured to be stored in the substrate storage cassette and supported by the suction pad and holding the substrate. There,
The substrate storage cassette is constructed between a plurality of opposing walls and mounted with a shelf plate on which a substrate or suction jig is mounted, a recess formed on the shelf plate and covered with the substrate or suction jig, and a negative pressure source. And an exhaust passage for exhausting gas from the covered recess to the outside based on the driving, and the recess may be provided with a plurality of protrusions for supporting the substrate or the suction jig.

ここで、特許請求の範囲における基板は、バックグラインドされた厚さ300μm以下の薄い半導体ウェーハ(例えば、口径200mmや300mmのシリコンウェーハ等)が主ではあるが、何らこれに限定されるものではない。例えば、厚い半導体ウェーハでも良いし、1mm以下の薄さが要求されるガラス基板、100μm以下の薄さが要望される可撓性の高密度フレキシブル配線板、液晶セル、あるいはプリント配線板等でも良い。   Here, the substrate in the claims is mainly a back-ground thin semiconductor wafer having a thickness of 300 μm or less (for example, a silicon wafer having a diameter of 200 mm or 300 mm), but is not limited thereto. . For example, it may be a thick semiconductor wafer, a glass substrate that requires a thickness of 1 mm or less, a flexible high-density flexible wiring board that requires a thickness of 100 μm or less, a liquid crystal cell, or a printed wiring board. .

吸着治具や吸着パッドのパッドは、基板と略同じ大きさ、基板よりも僅かに大きい大きさ、あるいは基板よりも僅かに小さい大きさに形成されることが好ましい。吸着治具の板体や凹部は、平面視で円形や多角形等に形成することができる。保持層は、単数のエラストマーからなるものでも良いし、性質(材料、硬度、弾性、粘度等)の異なる積層した複数のエラストマー等とすることもできる。   The suction jig or the pad of the suction pad is preferably formed to have substantially the same size as the substrate, slightly larger than the substrate, or slightly smaller than the substrate. The plate body and the concave portion of the suction jig can be formed in a circular shape or a polygonal shape in a plan view. The holding layer may be made of a single elastomer, or may be a plurality of laminated elastomers having different properties (material, hardness, elasticity, viscosity, etc.).

複数の支持突起は、凹部に規則的に配列されるものでも良いし、不規則に配列されるものでも良く、凹部と一体構造あるいは別体として設けることができる。各支持突起は、円錐台形、角柱形、角錐台形等に形成することができ、保持層に接着していても良いし、そうでなくても良い。   The plurality of support protrusions may be regularly arranged in the recesses, or may be irregularly arranged, and may be provided as an integral structure or separate from the recesses. Each support protrusion can be formed in a truncated cone shape, a prism shape, a truncated pyramid shape, or the like, and may or may not be adhered to the holding layer.

対向穴と連通穴とは、単数複数を特に問うものではなく、丸穴、楕円形の穴、円弧形の穴、矩形の穴、直線の複数の溝穴が一列に並んだり、X字形に配列された溝穴等でも良い。給排装置には、少なくとも負圧源の他、圧縮機やファン等が含まれる。さらに、負圧源は、例えば各種の真空ポンプや真空ブロワー等からなり、エジェクタ取り付けの有無を特に問うものではない。   The counter hole and the communication hole are not particularly limited to a single hole, but a round hole, an elliptical hole, an arc-shaped hole, a rectangular hole, and a plurality of straight grooves are arranged in a line, or in an X shape. An arrayed slot or the like may be used. The supply / discharge device includes at least a negative pressure source, a compressor, a fan, and the like. Further, the negative pressure source includes, for example, various vacuum pumps, vacuum blowers and the like, and does not particularly ask whether or not the ejector is attached.

本発明によれば、吸着装置により基板を保持する場合には、基板の被吸着面に吸着パッドに支持された吸着治具の保持層を重ねて接触させれば、保持層の粘着力により基板を略平らに保持することができる。
また、吸着治具の保持層から基板を取り外したい場合には、凹部内の気体を排気孔により凹部の外に排気すれば良い。すると、気体の排気に伴い、凹部の底方向に保持層が変形して基板との間に隙間を形成し、保持層と基板との接触部分が減少する。
According to the present invention, when the substrate is held by the suction device, if the holding layer of the suction jig supported by the suction pad is brought into contact with the suction surface of the substrate, the substrate is brought into contact with the adhesive force of the holding layer. Can be held substantially flat.
When it is desired to remove the substrate from the holding layer of the suction jig, the gas in the recess may be exhausted out of the recess through the exhaust hole. Then, as the gas is exhausted, the holding layer is deformed in the bottom direction of the recess to form a gap between the substrate and the contact portion between the holding layer and the substrate is reduced.

本発明によれば、例え半導体ウェーハ等の基板が薄い場合でも、ハンドリング時等に容易に破損することのないような吸着装置を提供することができるという効果がある。また、吸着装置の吸着治具を吸着パッドから取り外すことが可能なので、基板収納カセット、容器、あるいは治具等に基板、吸着治具、又は基板を搭載した吸着治具を適宜収納することができ、これにより、基板の搬送、ハンドリング、保管等の便宜を図ることができる。   According to the present invention, even if a substrate such as a semiconductor wafer is thin, it is possible to provide an adsorption device that is not easily damaged during handling or the like. In addition, since the suction jig of the suction device can be removed from the suction pad, the substrate, the suction jig, or the suction jig with the substrate mounted thereon can be appropriately stored in a substrate storage cassette, container, jig, or the like. This makes it possible to facilitate the transportation, handling, storage, etc. of the substrate.

また、吸着治具の凹部に保持層の一部を変形させて取り付け、この保持層の変形した一部から板体にかけて吸着パッドの対向穴に連通する貫通部を設けるので、基板と保持層の変形した一部との隙間に気体を給排して基板に対する保持力や解除力を高めることができ、これにより、基板の取り付け取り外しを容易にすることができる。 In addition, a part of the holding layer is deformed and attached to the concave portion of the suction jig, and a penetrating part communicating with the opposing hole of the suction pad is provided from the deformed part of the holding layer to the plate body. Gas can be supplied to and discharged from the gap between the deformed part and the holding force and the releasing force with respect to the substrate can be increased, thereby making it easy to attach and detach the substrate.

また、吸着パッドの給排路を給排装置に接続すれば、吸着治具を吸着パッドに真空吸着したり、取り外すことができる。さらに、吸着パッドの排出路を負圧源に接続すれば、凹部の気体を排気して保持層を変形させ、保持層に粘着した基板を取り外すことができる。   Moreover, if the suction pad supply / discharge path is connected to the supply / discharge device, the suction jig can be vacuum-sucked to or removed from the suction pad. Furthermore, if the suction path of the suction pad is connected to a negative pressure source, the gas in the recess can be exhausted to deform the holding layer, and the substrate adhered to the holding layer can be removed.

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における吸着装置は、図1ないし図16に示すように、バックグラインドにより薄化された半導体ウェーハW用の吸着治具1を吸着パッド10に取り外し可能に支持させ、この吸着パッド10により吸着治具1を、半導体製造装置であるグラインダ装置61から基板収納カセット20、洗浄装置63、あるいは次工程であるダイシング工程等に適宜搬送するようにしている。   Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 to 16, the adsorption apparatus in this embodiment is an adsorption treatment for a semiconductor wafer W thinned by back grinding. The tool 1 is detachably supported by the suction pad 10, and the suction jig 1 is moved from the grinder device 61, which is a semiconductor manufacturing apparatus, to the substrate storage cassette 20, the cleaning device 63, or the next process such as a dicing process. To be transported as appropriate.

半導体ウェーハWは、図1、図2、図6、図7、図10に示すように、例えば口径300mmのシリコンウェーハからなり、周縁部に結晶方向の判別や整列を容易にするノッチが平面略半楕円形に切り欠かれる。   As shown in FIGS. 1, 2, 6, 7, and 10, the semiconductor wafer W is made of, for example, a silicon wafer having a diameter of 300 mm, and the peripheral portion has a notch that makes it easy to determine and align the crystal direction. Cut out into a semi-elliptical shape.

吸着治具1は、図1や図2に示すように、剛性を有する薄い板体2と、この板体2に形成される凹み穴3と、この凹み穴3を被覆して半導体ウェーハWを着脱自在に粘着保持する弾性変形可能な保持層5と、この保持層5に被覆された凹み穴3の空気を排気する排気孔6とを備え、凹み穴3内には、保持層5を支持する複数の支持突起4が並設される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the suction jig 1 includes a thin plate 2 having rigidity, a recessed hole 3 formed in the plate 2, and a semiconductor wafer W that covers the recessed hole 3. An elastically deformable holding layer 5 that is detachably adhered and held, and an exhaust hole 6 that exhausts the air in the recessed hole 3 covered with the holding layer 5, and the holding layer 5 is supported in the recessed hole 3. A plurality of supporting protrusions 4 are arranged side by side.

板体2は、所定の材料を使用して半導体ウェーハWと略同じか、あるいは僅かに大きい円板形に形成され、半導体ウェーハWを粘着保持した状態、あるいは粘着保持しない状態で基板収納カセット20に水平に収納される。この板体2の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば板体2に半導体ウェーハWが搭載された場合の撓み量を5mm以下に抑制可能なPC、PP、PE、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、アルミニウム合金、マグネシウム合金、ガラス、ステンレス等があげられる。   The plate body 2 is formed in a disk shape that is substantially the same as or slightly larger than the semiconductor wafer W using a predetermined material, and the substrate storage cassette 20 is in a state where the semiconductor wafer W is adhesively held or not adhesively held. Stored horizontally. The material of the plate 2 is not particularly limited. For example, PC, PP, PE, acrylic resin that can suppress the amount of bending when the semiconductor wafer W is mounted on the plate 2 to 5 mm or less, Examples include vinyl chloride resin, aluminum alloy, magnesium alloy, glass, and stainless steel.

凹み穴3は、図1ないし図5等に示すように、板体2の表面における周縁部を除く大部分に浅く凹み形成され、半導体ウェーハWよりも僅かに小さい円形に形成される。この凹み穴3の底面には、保持層5を接着支持する複数の支持突起4が隙間をおいて規則的に配列され、各支持突起4が凹み穴3の深さと略同じ長さ・高さの円柱形に形成される。複数の支持突起4は、例えば凹み穴3の底面に成形法、サンドブラスト法、エッチング法等により一体形成される。   As shown in FIG. 1 to FIG. 5 and the like, the recessed hole 3 is formed to be shallowly recessed at most of the surface of the plate body 2 except the peripheral edge, and is formed in a circular shape slightly smaller than the semiconductor wafer W. A plurality of support protrusions 4 for adhering and supporting the holding layer 5 are regularly arranged on the bottom surface of the recess hole 3 with a gap, and each support protrusion 4 has substantially the same length and height as the depth of the recess hole 3. It is formed in a cylindrical shape. The plurality of support protrusions 4 are integrally formed on the bottom surface of the recessed hole 3 by a molding method, a sandblast method, an etching method, or the like, for example.

保持層5は、図1や図2に示すように、可撓性、粘着性、弾性の材料を使用して半導体ウェーハWと略同じか、あるいは僅かに大きい平面円形の柔軟な薄膜に成形され、板体2の表面周縁部に積層して接着されるとともに、各支持突起4の平坦な表面に接着されており、凹み穴3を被覆してその底面との間に空気流通用の空間を区画する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the holding layer 5 is formed into a flat thin circular film that is substantially the same as or slightly larger than the semiconductor wafer W by using a flexible, adhesive, and elastic material. In addition to being laminated and adhered to the peripheral edge of the surface of the plate body 2, it is adhered to the flat surface of each support projection 4, and the air circulation space is provided between the bottom surface of the recess 3 by covering the recess 3. Partition.

保持層5の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば耐熱性、耐候性、耐水性、剥離性、経時安定性等に優れるシリコーン系、ウレタン系、オレフィン系、フッ素系のエラストマーが使用される。この保持層5には、半導体ウェーハWの保護シート面側又は裏面側が選択的に保持される。   The material of the holding layer 5 is not particularly limited, and examples thereof include silicone-based, urethane-based, olefin-based, and fluorine-based elastomers that are excellent in heat resistance, weather resistance, water resistance, peelability, stability over time, and the like. used. The holding layer 5 selectively holds the protective sheet surface side or the back surface side of the semiconductor wafer W.

排気孔6は、同図に示すように、板体2の外側厚さ方向に丸く穿孔され、保持層5に被覆された凹み穴3内の空気を排気するとともに、この空気の排気により平坦な保持層5を凹み穴3の底面方向に変形させ、保持層5と半導体ウェーハWとの界面に空気流入用の隙間を形成して粘着した半導体ウェーハWの剥離を容易化するよう機能する。   As shown in the figure, the exhaust hole 6 is rounded in the outer thickness direction of the plate body 2 and exhausts the air in the recessed hole 3 covered with the holding layer 5 and is flattened by the exhaust of this air. The holding layer 5 is deformed in the direction of the bottom surface of the recessed hole 3 to form a gap for inflow of air at the interface between the holding layer 5 and the semiconductor wafer W so as to facilitate the peeling of the adhered semiconductor wafer W.

吸着パッド10は、同図に示すように、吸着治具1の裏面に接離可能に積層するパッド11と、このパッド11の後部から後方に直線的に伸びる長板形のアーム14とを備え、これらパッド11とアーム14とが所定の成形材料により透明に一体成形されており、アーム14が図示しないロボットに取付具を介しXYZ方向に移動可能、そして回転可能に支持される。   As shown in the figure, the suction pad 10 includes a pad 11 that is slidably stacked on the back surface of the suction jig 1 and a long plate-like arm 14 that linearly extends rearward from the rear portion of the pad 11. The pad 11 and the arm 14 are integrally formed of a predetermined molding material in a transparent manner, and the arm 14 is supported by a robot (not shown) so as to be movable in the XYZ directions and rotatably.

パッド11は、半導体ウェーハWや吸着治具1よりも僅かに小さい円板形に形成され、吸着治具1の板体裏面に重なる表面の中心部には、吸着治具1の板体裏面中心部に対向する拡径の対向溝穴12が浅く穿孔されており、表面の周縁部には、吸着治具1の排気孔6に重なって連通する連通溝穴13が深く穿孔される。   The pad 11 is formed in a disk shape slightly smaller than the semiconductor wafer W or the suction jig 1, and the center of the front surface of the suction jig 1 that overlaps the rear surface of the suction jig 1 is centered on the rear surface of the suction jig 1. A large-diameter counter-slot 12 facing the part is perforated shallowly, and a communication slot 13 communicating with the exhaust hole 6 of the suction jig 1 is deeply perforated at the peripheral edge of the surface.

パッド11からアーム14の内部後方にかけては、パッド11の対向溝穴12に上流端部が連通する給排路15と、パッド11の連通溝穴13に上流端部が連通する排出路16とが互いに交差しないように並べて設けられ、アーム14の後部裏面から露出した給排路15の下流端部が真空ポンプからなる給排装置17に接続されており、アーム14の後部裏面から露出した排出路16の下流端部が真空ポンプからなる負圧源18に接続される。   From the pad 11 to the rear side of the arm 14, there are a supply / discharge passage 15 whose upstream end communicates with the opposing groove 12 of the pad 11 and a discharge passage 16 whose upstream end communicates with the communication groove 13 of the pad 11. The downstream end portion of the supply / discharge passage 15 that is provided side by side so as not to cross each other and is exposed from the rear rear surface of the arm 14 is connected to the supply / discharge device 17 that is a vacuum pump, and the discharge passage that is exposed from the rear rear surface of the arm 14 The downstream end of 16 is connected to a negative pressure source 18 comprising a vacuum pump.

給排装置17は、対向溝穴12内の空気を排気してパッド11やその対向溝穴12に吸着治具1の裏面を真空吸着するよう機能する。また、負圧源18は、半導体ウェーハWの着脱に応じて駆動し、凹み穴3の空間の空気を排気孔6と連通溝穴13を介し外部に排気して保持層5を凹み穴3の底面方向に凹凸に変形させ、保持層5と半導体ウェーハWとの界面に空気流入用の隙間を形成して半導体ウェーハWの剥離を容易化する。   The supply / discharge device 17 functions to evacuate the air in the facing slot 12 and vacuum-suck the back surface of the suction jig 1 into the pad 11 and the facing slot 12. The negative pressure source 18 is driven in accordance with the attachment / detachment of the semiconductor wafer W, exhausts the air in the space of the recessed hole 3 to the outside through the exhaust hole 6 and the communication groove hole 13, thereby removing the holding layer 5 from the recessed hole 3. Deformation of the semiconductor wafer W is facilitated by forming a gap for air inflow at the interface between the holding layer 5 and the semiconductor wafer W by deforming it into irregularities in the bottom direction.

基板収納カセット20は、フロントオープンボックスタイプのカセットケース21に内蔵して並べられる複数の棚板31と、各棚板31に形成される凹部である窪み穴32と、この窪み穴32を被覆して半導体ウェーハW又は吸着治具1を着脱自在に粘着保持する弾性変形可能な密着保持層34と、この密着保持層34に被覆された窪み穴32の空気を排気する複数の排気通路35とを備え、バックグラインド工程からその後の工程にかけて使用されるグラインダ装置61等からなる半導体製造装置やそのオープナ50に位置決め搭載される。   The substrate storage cassette 20 covers a plurality of shelf plates 31 that are built in and arranged in a front open box type cassette case 21, a recess hole 32 that is a recess formed in each shelf plate 31, and the recess hole 32. An elastically deformable close contact holding layer 34 for holding the semiconductor wafer W or the suction jig 1 in an attachable / detachable manner, and a plurality of exhaust passages 35 for exhausting the air in the recessed holes 32 covered by the close contact holding layer 34. It is positioned and mounted on a semiconductor manufacturing apparatus including the grinder device 61 and the like used from the back grinding process to the subsequent processes and the opener 50 thereof.

カセットケース21は、図6ないし図9に示すように、半導体ウェーハW又は吸着治具1の収納に十分な隙間をおいて相対向する左右一対の側壁22を備え、この一対の側壁22の下部間には底板23が水平に架設されるとともに、上端部間には天板24が水平に架設され、開口した背面には縦長の背面壁25が装着されており、正面が開口して薄化された半導体ウェーハWや吸着治具1の出し入れ口として機能する。   As shown in FIG. 6 to FIG. 9, the cassette case 21 includes a pair of left and right side walls 22 facing each other with a gap sufficient to accommodate the semiconductor wafer W or the suction jig 1, and the lower portions of the pair of side walls 22. A bottom plate 23 is horizontally installed between the top plates 24, and a top plate 24 is horizontally installed between the upper ends. A vertically long back wall 25 is attached to the opened back surface, and the front surface is opened and thinned. It functions as a loading / unloading port for the semiconductor wafer W and the suction jig 1.

カセットケース21の側壁22、底板23、天板24、及び背面壁25は、例えば耐衝撃性、耐熱性、耐水性等に優れる透明のPCやPEEK等の成形材料を使用して別々に成形され、ビスやナット等を介して組み立てられる。   The side wall 22, the bottom plate 23, the top plate 24, and the back wall 25 of the cassette case 21 are separately molded using a molding material such as transparent PC or PEEK, which is excellent in impact resistance, heat resistance, water resistance, and the like. It is assembled through screws and nuts.

カセットケース21の側壁22は上下方向に伸びる縦長の板に形成され、底板23の裏面における前部両側と後部中央とには、複数の位置決め具26が底面視で三角形を描くよう配設される。各位置決め具26は、平面略トラック形のブロックに形成され、オープナ50のステージから突出した位置決めピン51に摺接するV溝27が長手方向に切り欠かれており、このV溝27がオープナ50の位置決めピン51に上方から嵌合することにより、基板収納カセット20を高精度に位置決めするよう機能する。   The side wall 22 of the cassette case 21 is formed as a vertically long plate extending in the vertical direction, and a plurality of positioning tools 26 are arranged on the front side and the rear center of the bottom plate 23 so as to draw a triangle in a bottom view. . Each positioning tool 26 is formed in a substantially flat track-shaped block, and a V-groove 27 slidably contacting the positioning pin 51 protruding from the stage of the opener 50 is cut out in the longitudinal direction, and the V-groove 27 is formed in the opener 50. By fitting to the positioning pins 51 from above, the substrate storage cassette 20 functions to position with high accuracy.

カセットケース21の天板24には、RFIDシステムを構築するICタグ28が貼着されるとともに、把持用のハンドル29が着脱自在に装着され、背面壁25には、半導体ウェーハWや密着保持層34の視認を可能とする縦長の観察窓30が選択的に形成される。   An IC tag 28 for constructing an RFID system is affixed to the top plate 24 of the cassette case 21 and a handle 29 for gripping is detachably attached to the back wall 25. A vertically long observation window 30 that enables the viewing of 34 is selectively formed.

複数の棚板31は、図6や図7に示すように、カセットケース21の内部上下方向に所定のピッチで配列され、棚板31と棚板31との間には、半導体ウェーハWや吸着治具1の出し入れに支障を来たさない空間が確保される。各棚板31は、所定の材料を使用して半導体ウェーハW、吸着治具1、密着保持層34よりも大きい平面矩形に形成され、カセットケース21の両側壁間にビスやナット等を介し水平に架設される。   As shown in FIGS. 6 and 7, the plurality of shelf boards 31 are arranged at a predetermined pitch in the vertical direction inside the cassette case 21, and between the shelf boards 31 and 31, the semiconductor wafer W and the suction are arranged. A space that does not hinder the loading and unloading of the jig 1 is secured. Each shelf board 31 is formed in a planar rectangle larger than the semiconductor wafer W, the suction jig 1 and the adhesion holding layer 34 using a predetermined material, and is horizontally placed between both side walls of the cassette case 21 via screws, nuts, or the like. It will be erected.

棚板31の材料としては、特に限定されるものではないが、例えばPES、PAI、PET、PBT、PEN、PEI、PEEK、PPS、ポリアリレート、アルミニウム、マグネシウム、銅、ニッケル、ガラス、セラミックス等があげられる。   The material of the shelf board 31 is not particularly limited. For example, PES, PAI, PET, PBT, PEN, PEI, PEEK, PPS, polyarylate, aluminum, magnesium, copper, nickel, glass, ceramics, etc. can give.

窪み穴32は、図7や図10に示すように、各棚板31の表面に浅く凹み形成され、半導体ウェーハWや吸着治具1よりも大きい平面矩形を呈する。この窪み穴32の底面には、密着保持層34を下方から支持する複数の突起33が間隔をおき規則的に並設され、各突起33が窪み穴32の深さと略同じ長さ・高さの円柱形に形成される。   As shown in FIGS. 7 and 10, the recessed hole 32 is formed in a shallow recess on the surface of each shelf plate 31, and has a planar rectangle larger than the semiconductor wafer W and the suction jig 1. A plurality of protrusions 33 that support the adhesion holding layer 34 from below are regularly arranged in parallel on the bottom surface of the recess hole 32, and each protrusion 33 has substantially the same length and height as the depth of the recess hole 32. It is formed in a cylindrical shape.

密着保持層34は、図6、図7、図10に示すように、可撓性、粘着性、弾性の材料を使用して半導体ウェーハWや吸着治具1よりも大きい平面矩形で柔軟な薄膜に成形され、各棚板31の表面に積層して接着されるとともに、各突起33の表面に接着されており、窪み穴32を被覆してその底面との間に空気流通用の空間を区画する。この密着保持層34の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば耐熱性、耐候性、耐水性、剥離性、経時安定性等に優れるシリコーン系、ウレタン系、オレフィン系、フッ素系のエラストマーが使用される。   As shown in FIGS. 6, 7, and 10, the adhesion holding layer 34 is a flat, rectangular, and flexible thin film that is larger than the semiconductor wafer W and the suction jig 1 using a flexible, adhesive, and elastic material. And is laminated and adhered to the surface of each shelf plate 31 and is adhered to the surface of each projection 33, covering the hollow 32 and partitioning the space for air circulation between the bottom surface thereof. To do. The material of the adhesion holding layer 34 is not particularly limited, but examples thereof include silicone, urethane, olefin, and fluorine resins that are excellent in heat resistance, weather resistance, water resistance, peelability, stability over time, and the like. An elastomer is used.

複数の排気通路35は、同図に示すように、棚板31や密着保持層34の数に応じて基板収納カセット20の内部に間隔をおいて形成され、この基板収納カセット20がオープナ50に高精度に位置決め搭載されることにより、オープナ50に内蔵された真空ユニット38に自動的に接続される。   As shown in the figure, the plurality of exhaust passages 35 are formed in the interior of the substrate storage cassette 20 at intervals according to the number of the shelf boards 31 and the adhesion holding layers 34, and the substrate storage cassette 20 is connected to the opener 50. By being positioned and mounted with high accuracy, it is automatically connected to the vacuum unit 38 built in the opener 50.

各排気通路35は、棚板31の内部に屈曲形成されて窪み穴32に下方から上流端部が連通する第一の通路36と、一の側壁22の内部上下方向に形成されて第一の通路36の棚板側面に開口した下流端部に連通する第二の通路37とを備え、この第二の通路37の下流端部が側壁22の底面に開口して真空ユニット38の接続ノズル39にOリング等を介し着脱自在に接続される。   Each exhaust passage 35 is formed in the inside of the shelf 31 and is formed in the first vertical passage 36 in which the upstream end communicates with the recessed hole 32 from below, and is formed in the vertical direction inside the one side wall 22. And a second passage 37 communicating with the downstream end portion opened on the side surface of the shelf plate of the passage 36, and the downstream end portion of the second passage 37 opens on the bottom surface of the side wall 22 to connect to the connection nozzle 39 of the vacuum unit 38. Are detachably connected to each other through an O-ring or the like.

真空ユニット38は、図7に示すように、例えばオープナ50のステージに接続ノズル39を起立状態に露出させた真空ポンプ40やその付属タンク等からなり、吸着パッド10の吸着に応じて駆動し、窪み穴32の空間の空気を外部に排気して平坦な密着保持層34を窪み穴32の底面方向に凹凸に変形させ、密着保持層34と半導体ウェーハW等との界面に空気流入用の隙間を形成して粘着した半導体ウェーハWや吸着治具1の剥離を容易化する。その他の部分については、従来例と同様であるので説明を省略する。   As shown in FIG. 7, the vacuum unit 38 includes, for example, a vacuum pump 40 in which the connection nozzle 39 is exposed in a standing state on the stage of the opener 50, an attached tank, and the like, and is driven according to the suction of the suction pad 10. The air in the space of the recessed hole 32 is exhausted to the outside so that the flat contact holding layer 34 is deformed in a concave-convex shape toward the bottom surface of the recessed hole 32, and an air inflow gap is formed at the interface between the contact holding layer 34 and the semiconductor wafer W or the like. The semiconductor wafer W and the adhering jig 1 adhered to each other are easily peeled off. The other parts are the same as those in the conventional example, so the description thereof is omitted.

上記において、グラインダ装置61によりバックグラインドされ、薄化された半導体ウェーハWを基板収納カセット20の棚板31に移す場合には、先ず、チャックテーブル62に吸着された半導体ウェーハWの裏面からなる被吸着面の略全てに吸着装置の吸着治具1を上方から対向させ、この吸着治具1を降下押圧して保持層5に半導体ウェーハWを粘着保持(図1、図3、図4参照)し、チャックテーブル62の吸着を解除して半導体ウェーハWを吸着装置により基板収納カセット20に搬送する(図5、図6参照)。   In the above, when the semiconductor wafer W that has been back-ground and thinned by the grinder device 61 is transferred to the shelf plate 31 of the substrate storage cassette 20, first, the substrate consisting of the back surface of the semiconductor wafer W adsorbed to the chuck table 62 is used. The suction jig 1 of the suction device is opposed to substantially all of the suction surface from above, and the suction jig 1 is pressed down to hold the semiconductor wafer W on the holding layer 5 (see FIGS. 1, 3, and 4). Then, the chucking of the chuck table 62 is released and the semiconductor wafer W is transferred to the substrate storage cassette 20 by the chucking device (see FIGS. 5 and 6).

半導体ウェーハWを基板収納カセット20に搬送したら、密着保持層34の表面上に半導体ウェーハWを僅かな力で押圧して重ね、密着保持層34の粘着力により半導体ウェーハWを安定した平坦な姿勢で密着し、その後、吸着装置の負圧源18を駆動する。すると、凹み穴3の空間の空気が外部に排気され、平坦な保持層5が複数の支持突起4に沿い凹凸に変形し、保持層5と半導体ウェーハWとの界面に空気流入用の隙間が多数形成されて半導体ウェーハWを吸着治具1から取り外すことができる(図2、図7参照)。   After the semiconductor wafer W is transported to the substrate storage cassette 20, the semiconductor wafer W is pressed onto the surface of the adhesion holding layer 34 with a slight force and stacked, and the semiconductor wafer W is stabilized and flat by the adhesive force of the adhesion holding layer 34. Then, the negative pressure source 18 of the adsorption device is driven. Then, the air in the space of the recessed hole 3 is exhausted to the outside, the flat holding layer 5 is deformed into irregularities along the plurality of support protrusions 4, and an air inflow gap is formed at the interface between the holding layer 5 and the semiconductor wafer W. A large number of semiconductor wafers W can be removed from the suction jig 1 (see FIGS. 2 and 7).

上記構成によれば、吸着治具1の保持層5が有する粘着力により半導体ウェーハWを隙間なく略平坦に密着支持することができるので、半導体ウェーハWがバックグラインドにより50μm以下に薄化され、脆くなっていても、搬送時やハンドリング時等に簡単に破損することがない。   According to the above configuration, since the semiconductor wafer W can be closely and closely supported without gaps by the adhesive force of the holding layer 5 of the suction jig 1, the semiconductor wafer W is thinned to 50 μm or less by back grinding, Even if it is fragile, it is not easily damaged during transportation or handling.

また、薄化された半導体ウェーハWの周縁部がばたついて弓なりに変形したり、湾曲した半導体ウェーハWの周縁部が周囲に干渉するのを防止することができるので、基板収納カセット20に半導体ウェーハWを円滑かつ確実に収納したり、以後の作業におけるハンドリング性を著しく向上させたり、工程間のハンドリングの安全性に大いに資することができる。また、保持層5の粘着力のみにより半導体ウェーハWを長時間密着支持することができるので、半導体ウェーハWを平坦に保持するための専用真空装置等を省略することができ、装置の簡素化や大幅なコスト削減を図ることができる。   Further, it is possible to prevent the peripheral edge of the thinned semiconductor wafer W from flapping and deforming like a bow, or the peripheral edge of the curved semiconductor wafer W from interfering with the surroundings. The wafer W can be smoothly and reliably stored, the handling property in the subsequent work can be remarkably improved, and the handling safety between processes can be greatly contributed. In addition, since the semiconductor wafer W can be closely adhered and supported only by the adhesive force of the holding layer 5, a dedicated vacuum device or the like for holding the semiconductor wafer W flat can be omitted, and the apparatus can be simplified. Significant cost reduction can be achieved.

また、凹み穴3の底面に、保持層5を接着支持する複数の支持突起4を配列するので、保持層5が広範囲に亘って過剰に大きく凹んだり、保持層5の半導体ウェーハWの姿勢が崩れて傾斜したり、位置ずれして脱落するのを確実に防止することができる。また、吸着治具1と吸着パッド10とが固定ではなく、真空吸着により取り外し可能であるので、基板収納カセット20や従来の基板収納カセット20Aに半導体ウェーハWの他、吸着治具1や半導体ウェーハWを搭載した吸着治具1を適宜収納することができ、これにより、半導体ウェーハWの搬送、ハンドリング、又は保管等の便宜を大いに図ることができる。   In addition, since the plurality of support protrusions 4 that adhere and support the holding layer 5 are arranged on the bottom surface of the recessed hole 3, the holding layer 5 is excessively recessed over a wide range, or the posture of the semiconductor wafer W of the holding layer 5 is It is possible to reliably prevent collapse and tilting, or positional displacement and dropout. Further, since the suction jig 1 and the suction pad 10 are not fixed and can be removed by vacuum suction, the suction jig 1 and the semiconductor wafer in addition to the semiconductor wafer W can be added to the substrate storage cassette 20 and the conventional substrate storage cassette 20A. The suction jig 1 on which W is mounted can be accommodated as appropriate, thereby greatly enhancing the convenience of transporting, handling, or storing the semiconductor wafer W.

また、基板収納カセット20の密着保持層34が有する粘着力により半導体ウェーハWを隙間なく略平坦に密着支持することができるので、半導体ウェーハWがバックグラインドにより50μm以下に薄化され、脆くても、搬送時やハンドリング時等に簡単に破損するのを防止することが可能になる。   In addition, since the semiconductor wafer W can be adhered and supported substantially flat without gaps by the adhesive force of the adhesion holding layer 34 of the substrate storage cassette 20, even if the semiconductor wafer W is thinned to 50 μm or less by the back grind and is brittle. It is possible to prevent damage during transportation or handling.

また、上記基板収納カセット20によれば、薄化された半導体ウェーハWの周縁部がばたついて弓なりに変形したり、湾曲した半導体ウェーハWの周縁部が周囲に干渉するのを防止することができるので、基板収納カセット20に半導体ウェーハWを円滑かつ確実に収納したり、以後の作業におけるハンドリング性を向上させたり、工程間のハンドリングの安全性に寄与することが可能になる。   Further, according to the substrate storage cassette 20, it is possible to prevent the peripheral portion of the thinned semiconductor wafer W from flapping and deforming into a bow shape, or preventing the peripheral portion of the curved semiconductor wafer W from interfering with the surroundings. Therefore, the semiconductor wafer W can be smoothly and reliably stored in the substrate storage cassette 20, the handling property in the subsequent work can be improved, and the handling safety between processes can be contributed.

また、基板収納カセット20の密着保持層34の粘着力のみにより半導体ウェーハWを長時間密着支持することができるので、半導体ウェーハWを保持する専用真空装置等を省略することができ、装置の簡素化やコスト削減を図ることが可能になる。また、窪み穴32の底面に、密着保持層34を接着支持する複数の突起33を配列するので、密着保持層34が広範囲に亘って大きく凹んだり、密着保持層34の半導体ウェーハWの姿勢が崩れたり、位置ずれして脱落するのを防止することが可能になる。   In addition, since the semiconductor wafer W can be adhered and supported for a long time only by the adhesive force of the adhesion holding layer 34 of the substrate storage cassette 20, a dedicated vacuum apparatus or the like for holding the semiconductor wafer W can be omitted, and the apparatus can be simplified. And cost reduction. In addition, since the plurality of protrusions 33 for adhering and supporting the adhesion holding layer 34 are arranged on the bottom surface of the recessed hole 32, the adhesion holding layer 34 is greatly recessed over a wide range, or the posture of the semiconductor wafer W of the adhesion holding layer 34 is It is possible to prevent collapse or displacement due to displacement.

さらに、カセットケース21にICタグ28を貼着するので、半導体ウェーハWや基板収納カセット20を非接触で明瞭に識別することができ、しかも、ICタグ28とRFIDシステムのリーダ/ライタとの間に金属以外の障害物(例えば、水や合成樹脂等)が介在しても、確実に交信することが期待できる。   Further, since the IC tag 28 is attached to the cassette case 21, it is possible to clearly identify the semiconductor wafer W and the substrate storage cassette 20 without contact, and between the IC tag 28 and the reader / writer of the RFID system. Even if obstacles other than metal (for example, water, synthetic resin, etc.) intervene, reliable communication can be expected.

次に、図11、図12は本発明の第2の実施形態を示すもので、この場合には、吸着治具1の凹み穴3の中心部に保持層5の中心部を断面略漏斗形に凹ませて接着し、この保持層5の凹んだ中心部から板体2の中心部厚さ方向にかけて吸着パッド10の対向溝穴12に連通する丸い貫通孔41を穿孔し、給排路15の下流端部を真空ポンプとブロワーからなる給排装置17に接続して空気を排気したり、圧送するようにしている。   Next, FIGS. 11 and 12 show a second embodiment of the present invention. In this case, the central portion of the holding layer 5 is formed in a substantially funnel cross section at the central portion of the recessed hole 3 of the suction jig 1. A round through hole 41 communicating with the opposing groove hole 12 of the suction pad 10 is drilled from the recessed central portion of the holding layer 5 to the central portion thickness direction of the plate body 2, and the supply / discharge passage 15 is formed. The downstream end is connected to a supply / discharge device 17 comprising a vacuum pump and a blower to evacuate or pump air.

上記において、グラインダ装置61によりバックグラインドされ、薄化された半導体ウェーハWを基板収納カセット20の棚板31に移す場合には、先ず、チャックテーブル62に吸着された半導体ウェーハWの裏面からなる被吸着面の略全てに吸着装置の吸着治具1を上方から押圧して半導体ウェーハWを粘着保持するとともに、給排装置17を駆動して半導体ウェーハWと保持層5の中心部の間から空気を貫通孔41、対向溝穴12、給排路15を介し外部に排気することにより半導体ウェーハWを吸着保持し、チャックテーブル62の吸着を解除して半導体ウェーハWを基板収納カセット20に搬送する(図11参照)。   In the above, when the semiconductor wafer W that has been back-ground and thinned by the grinder device 61 is transferred to the shelf plate 31 of the substrate storage cassette 20, first, the substrate consisting of the back surface of the semiconductor wafer W adsorbed to the chuck table 62 is used. The suction jig 1 of the suction device is pressed from above on almost all of the suction surfaces to hold the semiconductor wafer W by adhesion, and the supply / discharge device 17 is driven to air from between the central portion of the semiconductor wafer W and the holding layer 5. The semiconductor wafer W is sucked and held by evacuating to the outside through the through hole 41, the opposing groove hole 12, and the supply / discharge path 15, the suction of the chuck table 62 is released, and the semiconductor wafer W is transported to the substrate storage cassette 20. (See FIG. 11).

半導体ウェーハWを基板収納カセット20に搬送したら、密着保持層34の表面上に半導体ウェーハWを僅かな力で押圧して重ね、密着保持層34の粘着力により半導体ウェーハWを安定した平坦な姿勢で密着し、吸着装置の給排装置17と負圧源18とをそれぞれ駆動する。すると、空気が給排装置17から給排路15、対向溝穴12、貫通孔41を順次経由して半導体ウェーハWと保持層5の中心部の間に供給され、これらの間に空気が流入して半導体ウェーハWを吸着治具1から速やかに取り外すことができる(図12参照)。   After the semiconductor wafer W is transported to the substrate storage cassette 20, the semiconductor wafer W is pressed onto the surface of the adhesion holding layer 34 with a slight force and stacked, and the semiconductor wafer W is stabilized and flat by the adhesive force of the adhesion holding layer 34. Are brought into close contact with each other, and the supply / discharge device 17 and the negative pressure source 18 of the adsorption device are respectively driven. Then, air is supplied from the supply / discharge device 17 between the semiconductor wafer W and the central portion of the holding layer 5 through the supply / discharge path 15, the counter groove 12, and the through hole 41 in order, and air flows between them. Thus, the semiconductor wafer W can be quickly removed from the suction jig 1 (see FIG. 12).

また、凹み穴3の空間の空気が外部に排気され、平坦な保持層5が複数の支持突起4に沿い凹凸に変形し、保持層5と半導体ウェーハWとの界面に空気流入用の隙間が形成されて半導体ウェーハWを吸着治具1から取り外すことができる。これらの際、給排装置17の空気供給力が負圧源18の空気排気力よりも大きいと、吸着パッド10に吸着治具1を真空吸着することが困難になるので、給排装置17の空気供給力を負圧源18の空気排気力未満とすることが好ましい。すなわち、排気孔6の表面積×排出路16の真空圧>対向溝穴12の表面積×給排路15のエア圧であることが好ましい。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。   Further, the air in the space of the recessed hole 3 is exhausted to the outside, the flat holding layer 5 is deformed into irregularities along the plurality of support protrusions 4, and an air inflow gap is formed at the interface between the holding layer 5 and the semiconductor wafer W. Once formed, the semiconductor wafer W can be removed from the suction jig 1. In these cases, if the air supply force of the supply / exhaust device 17 is larger than the air exhaust force of the negative pressure source 18, it is difficult to vacuum-suck the suction jig 1 to the suction pad 10. The air supply force is preferably less than the air exhaust force of the negative pressure source 18. That is, it is preferable that the surface area of the exhaust hole 6 × the vacuum pressure of the discharge path 16> the surface area of the opposed slot 12 × the air pressure of the supply / discharge path 15. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、半導体ウェーハWと保持層5の大きく凹んだ中心部との間で空気を吸引したり、供給するので、半導体ウェーハWの脱着をさらに容易化することができるのは明らかである。   In this embodiment, the same effect as that of the above embodiment can be expected, and air is sucked or supplied between the semiconductor wafer W and the central portion of the holding layer 5 which is greatly recessed. Clearly, desorption can be further facilitated.

次に、図13は本発明の第3の実施形態を示すもので、この場合には、基板収納カセット20のカセットケース21から背面壁25を省略し、密着保持層34を省略して複数の突起33に半導体ウェーハWや吸着治具1を直接支持させるようにしている。
この場合、カセットケース21に、排気通路35の下流端部に接続した真空ポンプ等の別の負圧源を装着し、この負圧源の駆動に基づき、半導体ウェーハWや吸着治具1を真空吸着するようにしても良い。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
Next, FIG. 13 shows a third embodiment of the present invention. In this case, the back wall 25 is omitted from the cassette case 21 of the substrate storage cassette 20, and the adhesion holding layer 34 is omitted. The protrusion 33 directly supports the semiconductor wafer W and the suction jig 1.
In this case, another negative pressure source such as a vacuum pump connected to the downstream end of the exhaust passage 35 is attached to the cassette case 21, and the semiconductor wafer W and the suction jig 1 are evacuated based on the driving of the negative pressure source. You may make it adsorb | suck. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、基板収納カセット20の構成の多様化の他、背面壁25や密着保持層34を省略できるので、部品点数の大幅な削減を図ることができるのは明らかである。   In this embodiment, the same effect as the above embodiment can be expected, and besides the diversification of the configuration of the substrate storage cassette 20, the back wall 25 and the adhesion holding layer 34 can be omitted, so that the number of parts can be greatly reduced. It is clear that this can be achieved.

次に、図14は本発明の第4の実施形態を示すもので、この場合には、棚板31の表面に、窪み穴32の周面に連通する第一の通路36を略溝形に切り欠くとともに、この第一の通路36を棚板31の側面まで伸ばして側壁22に形成された第二の通路37の上流端部に接続可能とし、第一の通路36を拡大した密着保持層34に被覆させるようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、排気通路35の構成の多様化を図ることができるのは明白である。
Next, FIG. 14 shows a fourth embodiment of the present invention. In this case, the first passage 36 communicating with the peripheral surface of the recessed hole 32 is formed in a substantially groove shape on the surface of the shelf plate 31. A close contact holding layer in which the first passage 36 extends to the side surface of the shelf 31 and can be connected to the upstream end portion of the second passage 37 formed in the side wall 22 and the first passage 36 is enlarged. 34 is covered. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.
In the present embodiment, it is obvious that the same operational effects as those of the above-described embodiment can be expected, and the configuration of the exhaust passage 35 can be diversified.

なお、上記実施形態では吸着パッド10を透明に形成したが、何らこれに限定されるものではなく、例えば不透明や半透明に形成したり、パッド11を平面略多角形等に形成して円板形のプレートを取り付け、このプレートを板体2の裏面に重ねて姿勢を安定化させるようにしても良い。また、基板収納カセット20のカセットケース正面に、着脱自在の蓋体や開閉可能な扉を設けても良いし、カセットケース21の両側壁に、作業者が握持するためのハンドルやフランジをそれぞれ装着しても良い。   In the above embodiment, the suction pad 10 is formed to be transparent. However, the present invention is not limited to this. For example, the suction pad 10 may be formed to be opaque or semi-transparent, or the pad 11 may be formed to have a substantially planar polygon. A shaped plate may be attached, and this plate may be stacked on the back surface of the plate body 2 to stabilize the posture. In addition, a detachable lid and a door that can be opened and closed may be provided on the front surface of the cassette case of the substrate storage cassette 20, and handles and flanges for the operator to hold on both side walls of the cassette case 21. You may wear it.

また、カセットケース21を、棚板31を並べ備えた周知の構成としたり、カセットケース21の両側壁内面に、半導体ウェーハWを支持する左右一対のティースを複数配設して棚板31を省略しても良い。また、窪み穴32の周面に密着保持層34の周縁部を接着支持させ、窪み穴32の底面と密着保持層34との間に空間を区画することもできる。また、排気通路35を、棚板31の内部に形成されて窪み穴32に連通する第一の通路36と、側壁22と底板23の内部に形成されて第一の通路36の下流端部に連通する第二の通路37とから形成し、この第二の通路37の下流端部を底板23の裏面に開口することもできる。   Further, the cassette case 21 has a well-known configuration in which shelves 31 are arranged, or a plurality of a pair of left and right teeth supporting the semiconductor wafer W are provided on the inner surfaces of both side walls of the cassette case 21 so that the shelf plate 31 is omitted. You may do it. Alternatively, the peripheral edge of the adhesion holding layer 34 can be bonded and supported on the peripheral surface of the depression hole 32, and a space can be defined between the bottom surface of the depression hole 32 and the adhesion holding layer 34. In addition, an exhaust passage 35 is formed inside the shelf plate 31 and communicates with the recessed hole 32, and is formed inside the side wall 22 and the bottom plate 23 and at the downstream end of the first passage 36. It is also possible to form a second passage 37 that communicates, and to open the downstream end of the second passage 37 on the back surface of the bottom plate 23.

また、オープナ50のステージに対して真空ポンプ40のシール付きの接続ノズル39をエアシリンダ等のアクチュエータにより昇降させ、位置決めされた基板収納カセット20の排気通路35の下流端部に真空ポンプ40を接続することもできる。また、基板収納カセット20をバックグラインド工程におけるバックグラインド作業の直後のみに使用しても良い。   In addition, the connection nozzle 39 with the seal of the vacuum pump 40 is moved up and down with respect to the stage of the opener 50 by an actuator such as an air cylinder, and the vacuum pump 40 is connected to the downstream end of the exhaust passage 35 of the positioned substrate storage cassette 20. You can also Further, the substrate storage cassette 20 may be used only immediately after the back grinding operation in the back grinding process.

さらに、バックグラインド工程に、半導体ウェーハWの裏面にダイシング工程で必要なUVテープを貼着する作業や半導体ウェーハWのパターン形成面から保護シート60を剥離する作業が含まれる場合には、その際に使用しても良い。   Further, when the back grinding process includes an operation of attaching the UV tape necessary for the dicing process to the back surface of the semiconductor wafer W and an operation of peeling the protective sheet 60 from the pattern forming surface of the semiconductor wafer W, May be used for

本発明に係る吸着装置の実施形態における半導体ウェーハの粘着保持状態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically the adhesion maintenance state of a semiconductor wafer in the embodiment of the adsorption device concerning the present invention. 本発明に係る吸着装置の実施形態における半導体ウェーハの取り外し状態を模式的に示す断面説明図である。It is sectional explanatory drawing which shows typically the removal state of the semiconductor wafer in embodiment of the adsorption | suction apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る吸着装置の実施形態における半導体ウェーハ上に吸着装置の吸着治具を対向させた状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state which made the adsorption jig of the adsorption device oppose on the semiconductor wafer in embodiment of the adsorption device which concerns on this invention. 図3の半導体ウェーハに吸着治具の保持層を密着させた状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state which closely_contact | adhered the holding layer of the adsorption jig to the semiconductor wafer of FIG. 図4のチャックテーブルの吸着を解除して半導体ウェーハを搬送する状態を模式的に示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory view schematically showing a state in which the chucking of FIG. 4 is released and a semiconductor wafer is transferred. 本発明に係る吸着装置の実施形態における基板収納カセット等を模式的に示す一部分解斜視説明図である。FIG. 3 is a partially exploded perspective view schematically showing a substrate storage cassette and the like in the embodiment of the suction device according to the present invention. 本発明に係る吸着装置の実施形態における基板収納カセットを模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically the substrate storage cassette in the embodiment of the adsorption device concerning the present invention. 図7の基板収納カセットの底面図である。It is a bottom view of the substrate storage cassette of FIG. 図7の基板収納カセットの背面図である。FIG. 8 is a rear view of the substrate storage cassette of FIG. 7. 本発明に係る吸着装置の実施形態における基板収納カセットの棚板や保持層等を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically a shelf board, a maintenance layer, etc. of a substrate storage cassette in an embodiment of an adsorption device concerning the present invention. 本発明に係る吸着装置の第2の実施形態における半導体ウェーハの粘着保持状態を模式的に示す断面説明図である。It is sectional explanatory drawing which shows typically the adhesion holding | maintenance state of the semiconductor wafer in 2nd Embodiment of the adsorption | suction apparatus based on this invention. 本発明に係る吸着装置の第2の実施形態における半導体ウェーハの取り外し状態を模式的に示す断面説明図である。It is sectional explanatory drawing which shows typically the removal state of the semiconductor wafer in 2nd Embodiment of the adsorption | suction apparatus based on this invention. 本発明に係る吸着装置の第3の実施形態における基板収納カセットを模式的に示す断面説明図である。It is sectional explanatory drawing which shows typically the board | substrate storage cassette in 3rd Embodiment of the adsorption | suction apparatus based on this invention. 本発明に係る吸着装置の第4の実施形態における基板収納カセットの棚板や保持層等を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically a shelf board, a maintenance layer, etc. of a substrate storage cassette in a 4th embodiment of an adsorption device concerning the present invention. 半導体ウェーハのパターン形成面に保護シートを粘着してカットする状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which adhere | attaches and cuts a protection sheet on the pattern formation surface of a semiconductor wafer. グラインダ装置等を示す平面説明図である。It is plane explanatory drawing which shows a grinder apparatus etc.

符号の説明Explanation of symbols

1 吸着治具
2 板体
3 凹み穴(凹部)
4 支持突起
5 保持層
6 排気孔
10 吸着パッド
11 パッド
12 対向溝穴(対向穴)
13 連通溝穴(連通穴)
14 アーム
15 給排路
16 排出路
17 給排装置
18 負圧源
20 基板収納カセット
21 カセットケース
41 貫通孔(貫通部)
61 グラインダ装置
62 チャックテーブル
W 半導体ウェーハ(基板)

1 Suction jig 2 Plate 3 Recessed hole (recessed part)
4 Support protrusion 5 Holding layer 6 Exhaust hole 10 Suction pad 11 Pad 12 Opposite groove (opposite hole)
13 Communication groove (Communication hole)
14 Arm 15 Supply / exhaust path 16 Discharge path 17 Supply / exhaust device 18 Negative pressure source 20 Substrate storage cassette 21 Cassette case 41 Through hole (through part)
61 Grinder device 62 Chuck table W Semiconductor wafer (substrate)

Claims (2)

基板を保持する吸着治具を吸着パッドに取り外し可能に支持させた吸着装置であって、
吸着治具は、剛性を有する板体と、この板体の表面に形成される凹部と、この凹部を被覆して基板を着脱自在に粘着保持する変形可能な保持層と、板体に設けられて保持層に被覆された凹部の気体を外部に排気する排気孔とを含み、凹部には、保持層を支持する複数の支持突起を設け、
吸着パッドは、吸着治具の板体裏面に重なるパッドと、このパッドから伸びるアームとを含み、パッドには、吸着治具の板体裏面に対向する対向穴と、吸着治具の排気孔に連通する連通穴とをそれぞれ設け、パッドとアームのうち少なくともアームには、パッドの対向穴に連通する給排路、及びパッドの連通穴に連通する排出路を設け、
吸着治具の凹部に保持層の一部を変形させて取り付け、この保持層の変形した一部から板体にかけて吸着パッドの対向穴に連通する貫通部を設けたことを特徴とする吸着装置。
A suction device in which a suction jig for holding a substrate is removably supported by a suction pad,
The suction jig is provided on the plate body having rigidity, a concave portion formed on the surface of the plate body, a deformable holding layer that covers the concave portion and detachably adheres and holds the substrate. An exhaust hole for exhausting the gas in the concave portion covered with the holding layer to the outside, and the concave portion is provided with a plurality of support protrusions for supporting the holding layer,
The suction pad includes a pad that overlaps the back surface of the suction jig plate and an arm that extends from the pad. The pad includes an opposing hole that faces the back surface of the suction jig and an exhaust hole of the suction jig. A communication hole that communicates with each other, and at least the arm of the pad and the arm is provided with a supply / discharge path that communicates with the opposing hole of the pad, and a discharge path that communicates with the communication hole of the pad,
A suction device characterized in that a part of the holding layer is deformed and attached to the recess of the suction jig, and a penetrating part communicating with the opposing hole of the suction pad is provided from the deformed part of the holding layer to the plate .
吸着パッドの給排路を給排装置に接続し、吸着パッドの排出路を負圧源に接続した請求項1記載の吸着装置。 The suction device according to claim 1 , wherein the suction pad supply / discharge path is connected to a supply / discharge device, and the suction pad discharge path is connected to a negative pressure source.
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