JP2007194482A - Chuck device - Google Patents

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Kinya Mochida
欣也 持田
Takeshi Segawa
丈士 瀬川
Satoshi Odajima
智 小田嶋
Noriyoshi Hosono
則義 細野
Kiyobumi Tanaka
清文 田中
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Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Lintec Corp
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Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Lintec Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chuck device which can attain the enhancement of working efficiency and the speeding up of work. <P>SOLUTION: The chuck device includes a device body 1 which is movable in the direction of three dimensions of XYZ and is installed rotatably, a plurality of depression holes 10 formed respectively in a plurality of planes of the device body 1, a plurality of holding layers 20 to tightly hold held articles detachably such as semiconductor wafers W etc. by covering the each depression holes 10, and a plurality of exhaust paths 30 to exhaust outside the air of the depression holes 10 covered by the each holding layer 20. Since the semiconductor wafers W can be held tightly not at one side but at both sides, the speeding up of work is expectable. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェーハ等からなる被保持物品を着脱自在に保持するチャック治具に関するものである。   The present invention relates to a chuck jig for detachably holding an article to be held made of a semiconductor wafer or the like.

半導体ウェーハは、半導体製造の諸工程において反らないように厚いことが好ましいが、そのままの厚さでは薄片化、小型化、軽量化が要求される近年の半導体パッケージには適さないので、バックグラインド工程と呼ばれる工程で裏面が削られ、薄くされた後、次工程に移される。   The semiconductor wafer is preferably thick so as not to warp in various processes of semiconductor manufacturing, but the thickness as it is is not suitable for recent semiconductor packages that require thinning, miniaturization, and weight reduction. After the back surface is cut and thinned in a process called a process, the process is transferred to the next process.

半導体ウェーハをバックグラインド工程で薄くして次工程に移す場合には図示しないが、先ず、半導体ウェーハのパターン形成面に保護シートを貼付して好ましい大きさにカットし、半導体ウェーハを真空パッド付きのチャック治具により一枚ずつ基板収納カセットに収納してグラインダ装置に搬送する。   When the semiconductor wafer is thinned in the back grinding process and transferred to the next process, it is not shown in the figure, but first, a protective sheet is attached to the pattern forming surface of the semiconductor wafer and cut into a preferred size, and the semiconductor wafer is attached with a vacuum pad. One by one is stored in the substrate storage cassette by the chuck jig and conveyed to the grinder device.

基板収納カセットをグラインダ装置に搬入したら、グラインダ装置のチャックテーブルに半導体ウェーハをセットし、チャックテーブルを回転させて半導体ウェーハの裏面に粗研削と仕上げ研削とを回転砥石により順次施し、これにより750μm程度の厚さから50μm程度に薄片化された半導体ウェーハを洗浄装置で洗浄する。   When the substrate storage cassette is loaded into the grinder apparatus, the semiconductor wafer is set on the chuck table of the grinder apparatus, the chuck table is rotated, and rough grinding and finish grinding are sequentially performed on the back surface of the semiconductor wafer with a rotating grindstone, thereby approximately 750 μm. The semiconductor wafer thinned to about 50 μm from the thickness is cleaned with a cleaning device.

そして、薄片化された半導体ウェーハをグラインダ装置から下流にインラインされたストレスリリーフ装置に搬送ラインで搬送し、半導体ウェーハの強度が低下した裏面のダメージ層をエッチング液又はポリッシュにより除去して抗折強度を向上させた後、半導体ウェーハを真空パッドにより一枚ずつ基板収納カセットに収納すれば、半導体ウェーハを基板収納カセットによりダイシング工程に移すことができる(特許文献1、2参照)。
特開2003‐77982号公報 特開2005‐150528号公報
Then, the thinned semiconductor wafer is transported from the grinder device to a stress relief device inline downstream with a transport line, and the damaged layer on the back surface where the strength of the semiconductor wafer has been reduced is removed with an etching solution or polish to obtain a bending strength. After the semiconductor wafer is improved, if the semiconductor wafers are stored one by one in the substrate storage cassette by the vacuum pad, the semiconductor wafer can be transferred to the dicing process by the substrate storage cassette (see Patent Documents 1 and 2).
JP 2003-77982 A JP-A-2005-150528

ところで、従来のチャック治具は、その一方の側のみが真空吸着可能な片面持ちの構造に構成されている。この片面持ちのチャック治具の場合、その処理は、搬入用カセットの半導体ウェーハの吸着把持、処理テーブル上面への移動、半導体ウェーハの処理テーブルへの転置、半導体ウェーハの研削時における待機、処理テーブル上の半導体ウェーハの吸着把持、搬入用カセットへの移動、及び搬入用カセットへの収納を一連の動作とする。   By the way, the conventional chuck jig has a single-sided structure in which only one side can be vacuum-sucked. In the case of this single-sided chuck jig, the processing is performed by sucking and holding the semiconductor wafer of the loading cassette, moving it to the upper surface of the processing table, transferring the semiconductor wafer to the processing table, waiting for the semiconductor wafer to be ground, and processing table. A series of operations includes suction gripping of the upper semiconductor wafer, movement to the loading cassette, and storage in the loading cassette.

係るチャック治具が半導体ウェーハを操作している間は、装置本体は処理を行えずに待機状態にあり、装置本体が半導体ウェーハを処理している間はチャック治具が待機している状態にある。このような片面持ちのチャック治具は、作業の迅速化を図ることができないという問題を抱えている。   While the chuck jig is operating the semiconductor wafer, the apparatus main body is in a standby state without processing, and while the apparatus main body is processing the semiconductor wafer, the chuck jig is in a standby state. is there. Such a single-sided chuck jig has a problem that the operation cannot be speeded up.

本発明は上記に鑑みなされたもので、作業効率を向上させ、作業の迅速化を図ることのできるチャック治具を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a chuck jig capable of improving work efficiency and speeding up work.

本発明においては上記課題を解決するため、被保持物品を保持するチャック治具であって、
三次元方向に移動可能でかつ回転可能な治具本体と、この治具本体が有する複数の面に形成された複数の凹部と、各凹部を被覆して被保持物品を着脱自在に密着保持する複数の保持層と、各保持層に被覆された凹部内の気体を外部に排気する複数の排気路とを含んでなることを特徴としている。
In the present invention, in order to solve the above problems, a chuck jig for holding an article to be held,
A jig body that is movable and rotatable in a three-dimensional direction, a plurality of recesses formed on a plurality of surfaces of the jig body, and covering each recess to detachably hold an article to be held. It is characterized by comprising a plurality of holding layers and a plurality of exhaust passages for exhausting the gas in the recesses covered with each holding layer to the outside.

なお、排気路に接続され、凹部を負圧にして保持層を変形させる負圧源を含むことが好ましい。
また、治具本体を略板状に形成してその両面に凹部を形成することができる。
また、治具本体を多面体としてその複数の面に凹部を形成することができる。
さらに、凹部に、保持層を支持する複数の支持突起を設けることが好ましい。
It is preferable to include a negative pressure source that is connected to the exhaust path and deforms the holding layer by setting the concave portion to a negative pressure.
Further, the jig body can be formed in a substantially plate shape, and concave portions can be formed on both sides thereof.
Moreover, a recessed part can be formed in the several surface as a jig body as a polyhedron.
Furthermore, it is preferable to provide a plurality of support protrusions for supporting the holding layer in the recess.

ここで、特許請求の範囲における被保持物品には、少なくともバックグラインドされた厚さ300μm以下の薄い半導体ウェーハ(例えば、口径200mmや300mmのシリコンウェーハ等)、厚い半導体ウェーハ、1mm以下の薄さが要求されるガラス基板、100μm以下の薄さが要望される可撓性の高密度フレキシブル配線板、プリント配線板、液晶セル、光学フィルム、セラミックコンデンサやその材料、あるいは各種の電子部品等が含まれる。   Here, the article to be held in the claims includes at least a back-ground thin semiconductor wafer having a thickness of 300 μm or less (for example, a silicon wafer having a diameter of 200 mm or 300 mm), a thick semiconductor wafer, and a thickness of 1 mm or less. Includes required glass substrates, flexible high-density flexible wiring boards that require a thickness of 100 μm or less, printed wiring boards, liquid crystal cells, optical films, ceramic capacitors and their materials, and various electronic components. .

治具本体は、平板や断面が三角形、六角形、八角形等の多面体の立体に構成することができる。また、凹部、保持層、排気路は、複数であれば、その数を特に問うものではない。凹部や保持層は、平面視で楕円形、矩形、多角形等に形成することができる。保持層は、被保持物品の大きさに対応する大きさであれば、単数のエラストマーからなるものでも良いし、性質(材料、硬度、弾性等)の異なる積層した複数のエラストマー等とすることもできる。また、負圧源は、例えば各種の真空ポンプ等からなり、エジェクタ取り付けの有無を特に問うものではない。   The jig body can be configured as a polyhedron such as a flat plate or a cross section having a triangular shape, hexagonal shape, octagonal shape, or the like. Further, the number of the concave portions, the holding layers, and the exhaust passages is not particularly limited as long as it is plural. The recess and the holding layer can be formed in an elliptical shape, a rectangular shape, a polygonal shape, or the like in plan view. As long as the holding layer has a size corresponding to the size of the article to be held, it may be made of a single elastomer, or may be a plurality of laminated elastomers having different properties (material, hardness, elasticity, etc.). it can. The negative pressure source is composed of various vacuum pumps, for example, and does not particularly ask whether or not the ejector is attached.

複数の支持突起は、凹部に規則的に配列されるものでも良いし、不規則に配列されるものでも良く、凹部と一体構造あるいは別体として設けることができる。各支持突起は、円錐台形、角柱形、角錐台形等に形成することができ、保持層に接着していても良いし、そうでなくても良い。さらに、本発明に係るチャック治具は、各種の半導体製造装置やロボット等に設置して被保持物品を掴む治具として利用することができる他、空中に被保持物品を保持する保持テーブルとして利用したり、被保持物品を保持して搬送する搬送装置として利用することもできる。   The plurality of support protrusions may be regularly arranged in the recesses, or may be irregularly arranged, and may be provided as an integral structure or separate from the recesses. Each support protrusion can be formed in a truncated cone shape, a prism shape, a truncated pyramid shape, or the like, and may or may not be adhered to the holding layer. Furthermore, the chuck jig according to the present invention can be used as a jig for holding an article to be held by being installed in various semiconductor manufacturing apparatuses or robots, and also as a holding table for holding the article to be held in the air. It can also be used as a transport device that holds and transports articles to be held.

本発明によれば、被保持物品をチャック治具により保持したい場合には、被保持物品と一面の保持層とを強く接触させれば、当該保持層の密着力により被保持物品を密着支持することができる。そして、被保持物品を当該保持層に保持した後、別の被保持物品を同一のチャック治具により保持する場合には、チャック治具を回転させ、別の被保持物品と未だ不使用の他面の保持層とを強く接触させれば、上記と同様、被保持物品を密着支持することができる。   According to the present invention, when the article to be held is to be held by the chuck jig, the article to be held is in close contact with the holding layer when the article to be held is brought into strong contact with the holding layer. be able to. Then, after holding the article to be held on the holding layer, when holding another article to be held by the same chuck jig, the chuck jig is rotated and another article to be held is not yet used. If the holding layer on the surface is in strong contact, the article to be held can be tightly supported as described above.

保持層に密着した被保持物品を取り外したい場合には、負圧源を駆動すれば良い。すると、凹部の気体が排気路により凹部の外に排気され、保持層が凹部の底方向に変形して被保持物品との間に隙間を形成するので、保持層に密着している被保持物品を取り外すことができる。   In order to remove the article to be held in close contact with the holding layer, the negative pressure source may be driven. Then, the gas in the concave portion is exhausted out of the concave portion by the exhaust passage, and the holding layer is deformed in the bottom direction of the concave portion to form a gap between the holding article and the held article that is in close contact with the holding layer. Can be removed.

本発明によれば、回転可能な治具本体に複数の保持層を設けるので、作業効率を向上させ、作業の迅速化を図ることができるという効果がある。
また、排気路に接続され、凹部を負圧にして保持層を変形させる負圧源を利用すれば、変形した保持層と被保持物品との間に気体が流入するので、保持層に対する被保持物品の非接触部分が増加して取り外しが容易になる。
According to the present invention, since a plurality of holding layers are provided on a rotatable jig body, there are effects that work efficiency can be improved and work can be speeded up.
Also, if a negative pressure source is used that is connected to the exhaust passage and deforms the holding layer with negative pressure in the recess, gas flows between the deformed holding layer and the article to be held. The non-contact portion of the article is increased and removal is facilitated.

また、治具本体を略板状に形成してその両面に凹部を形成すれば、治具本体の表面と裏面とに被保持物品を保持層を介しそれぞれ密着支持することができる。
また、治具本体を多面体としてその複数の面に凹部を形成すれば、治具本体の複数の平面に被保持物品を保持層を介しそれぞれ密着支持することができるので、一度に扱える被保持物品の増大が期待できる。
さらに、凹部に、保持層を支持する複数の支持突起を設ければ、保持層が過剰に変形するのを防ぎ、被保持物品の位置や姿勢を安定させることができる。
Further, if the jig body is formed in a substantially plate shape and the concave portions are formed on both sides thereof, the articles to be held can be closely adhered to the front and back surfaces of the jig body via the holding layer.
Further, if the jig body is a polyhedron and concave portions are formed on a plurality of surfaces thereof, the articles to be held can be closely adhered to the plurality of planes of the jig body via the holding layer, so that the articles to be held that can be handled at one time. Can be expected to increase.
Furthermore, if a plurality of support protrusions for supporting the holding layer are provided in the recess, the holding layer can be prevented from being excessively deformed, and the position and posture of the article to be held can be stabilized.

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明する。図1や図2に示す実施形態のチャック治具は、剛性を有する平板で平面円形の治具本体1と、この治具本体1の上下2面に形成された2個の凹み穴10と、各凹み穴10を被覆してバックグラインドにより薄片化された半導体ウェーハWを着脱自在に密着保持する2個の保持層20と、各保持層20に被覆された凹み穴10の空気を外部に排気する2列の排気路30とを備え、グラインダ装置のハンドリング装置として機能する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The chuck jig of the embodiment shown in FIG. 1 and FIG. 2 is a flat and circular jig main body 1 having a rigid flat plate, two recessed holes 10 formed on two upper and lower surfaces of the jig main body 1, The two holding layers 20 that detachably adhere to and hold the semiconductor wafer W thinned by the back grind by covering the respective recessed holes 10 and the air in the recessed holes 10 covered by the respective holding layers 20 are exhausted to the outside. And two rows of exhaust passages 30 functioning as a handling device for a grinder device.

治具本体1は、所定の材料を使用して半導体ウェーハWを保持可能な広さを有する円板に形成され、後部に直線的なアーム2が水平に接続されており、このアーム2がグラインダ装置にXYZの三次元方向に移動可能、そして回転(回動、反転、揺動を含む)可能に支持される。   The jig body 1 is formed in a disk having a size capable of holding the semiconductor wafer W by using a predetermined material, and a linear arm 2 is horizontally connected to the rear part. The arm 2 is a grinder. The apparatus is supported so as to be movable in the three-dimensional directions of XYZ and to be rotatable (including rotation, inversion, and swinging).

治具本体1の材料としては、特に限定されるものではないが、例えばポリエーテルスルフォン、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート等の樹脂成形材料、アルミニウム、マグネシウム、銅、ステンレス、ニッケル等の金属材料、ガラス、セラミックス等があげられる。   The material of the jig body 1 is not particularly limited. For example, polyether sulfone, polyamide imide, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyether imide, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, poly Examples thereof include resin molding materials such as arylate, metal materials such as aluminum, magnesium, copper, stainless steel and nickel, glass and ceramics.

半導体ウェーハWは、例えば口径300mmのシリコンウェーハからなり、周縁部に結晶方向の判別や整列を容易にするノッチnが平面略半円形に切り欠かれる。   The semiconductor wafer W is made of, for example, a silicon wafer having a diameter of 300 mm, and a notch n for facilitating discrimination and alignment of the crystal direction is cut out in a substantially semicircular plane on the periphery.

2個の凹み穴10は、治具本体1の表裏両面の周縁部を除く大部分にそれぞれ浅く凹み形成され、半導体ウェーハWより広い大きさか、あるいは僅かに小さい平面円形に形成される。各凹み穴10の底面には、保持層20を下方から支持する複数の支持突起11が間隔をおき規則的に並設され、各支持突起11が凹み穴10の深さと略同じ長さ・高さの円柱形に形成される。複数の支持突起11は、例えば凹み穴10の底面に成形法、サンドブラスト法、エッチング法等により一体形成される。   The two recessed holes 10 are formed to be shallowly recessed at most of the jig body 1 except for the peripheral portions on both the front and back surfaces, and are formed in a planar circle that is wider than or slightly smaller than the semiconductor wafer W. A plurality of support protrusions 11 supporting the holding layer 20 from below are regularly arranged in parallel on the bottom surface of each recess hole 10, and each support protrusion 11 has substantially the same length and height as the depth of the recess hole 10. It is formed in a cylindrical shape. The plurality of support protrusions 11 are integrally formed on the bottom surface of the recessed hole 10 by a molding method, a sandblast method, an etching method, or the like, for example.

2個の保持層20は、可撓性、密着性、弾性の材料を使用して半導体ウェーハWよりも大きい平面円形で柔軟な薄膜に成形され、治具本体1の表裏両面にそれぞれ積層して接着されるとともに、各支持突起11の表面に接着されており、凹み穴10を被覆してその底面との間に空気流通用の空間を区画する。この保持層20の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば耐熱性、耐候性、耐水性、剥離性、経時安定性等に優れるシリコーン系、ウレタン系、オレフィン系、フッ素系のエラストマーが使用される。   The two holding layers 20 are formed into a flat circular and flexible thin film larger than the semiconductor wafer W using flexible, adhesive, and elastic materials, and are laminated on both the front and back surfaces of the jig body 1. In addition to being bonded, it is bonded to the surface of each support protrusion 11, covers the recessed hole 10, and divides a space for air circulation between the bottom surface. The material of the holding layer 20 is not particularly limited. For example, a silicone-based, urethane-based, olefin-based, or fluorine-based elastomer having excellent heat resistance, weather resistance, water resistance, peelability, stability over time, and the like. Is used.

2列の排気路30は、治具本体1からアーム2の内部長手方向にかけて交差しないよう並設され、上流端部が凹み穴10の底に連通されており、下流端部が真空ポンプ31に切換バルブ32を介して接続される。真空ポンプ31は、例えばグラインダ装置に内蔵され、凹み穴10の空気(図1の矢印参照)を排気路30を介し外部に排気して保持層20を凹み穴10の底面方向に凹ませ、半導体ウェーハWと保持層20との間に空気流入用の隙間を多数形成して半導体ウェーハWの剥離を容易化するよう機能する。   The two rows of exhaust passages 30 are juxtaposed so as not to cross from the jig main body 1 to the inner longitudinal direction of the arm 2, the upstream end portion communicates with the bottom of the recessed hole 10, and the downstream end portion is the vacuum pump 31. Is connected via a switching valve 32. The vacuum pump 31 is built in, for example, a grinder device, and exhausts the air in the recessed hole 10 (see the arrow in FIG. 1) to the outside through the exhaust passage 30 to cause the holding layer 20 to be recessed toward the bottom surface of the recessed hole 10. A large number of air inflow gaps are formed between the wafer W and the holding layer 20 so as to facilitate the separation of the semiconductor wafer W.

上記において、バックグラインドにより薄片化された半導体ウェーハWをチャック治具により保持する場合には、薄片化された半導体ウェーハWの被吸着面における全面上にチャック治具の一方の保持層20を僅かな力で押圧して重ねれば良い。すると、一方の保持層20の密着力により半導体ウェーハWが反ることなく安定した平坦な姿勢で密着する。   In the above, when the semiconductor wafer W thinned by the back grind is held by the chuck jig, one holding layer 20 of the chuck jig is slightly placed on the entire surface of the semiconductor wafer W to be attracted. It is only necessary to press and stack with great force. Then, the semiconductor wafer W adheres in a stable flat posture without warping due to the adhesion force of the one holding layer 20.

半導体ウェーハWを一方の保持層20に保持した後、薄片化された別の半導体ウェーハWを同一のチャック治具により保持したい場合には、チャック治具を元の基準位置に復帰させることなく、180°反転させて他方の保持層20を別の半導体ウェーハWに対向させ、別の半導体ウェーハWにおける被吸着面の全面に他方の保持層20を僅かな力で押圧して重ねれば良い。すると、上記と同様に半導体ウェーハWが反ることなく安定した姿勢で密着するので、複数枚の半導体ウェーハWを一度に搬送したり、装置のチャックテーブルに選択的に吸着させたり、あるいは基板収納カセットに順次収納することができる。   After holding the semiconductor wafer W on one holding layer 20, when it is desired to hold another semiconductor wafer W that has been cut into pieces by the same chuck jig, the chuck jig is not returned to the original reference position, The other holding layer 20 may be reversed by 180 ° so that the other holding layer 20 faces another semiconductor wafer W, and the other holding layer 20 may be pressed and overlapped on the entire surface of the other semiconductor wafer W with a slight force. Then, the semiconductor wafer W adheres in a stable posture without warping in the same manner as described above, so that a plurality of semiconductor wafers W can be transported at once, selectively attracted to the chuck table of the apparatus, or stored in the substrate. Can be sequentially stored in a cassette.

保持層20に密着した半導体ウェーハWを取り外したい場合には、真空ポンプ31を駆動すれば良い。すると、凹み穴10の空気が排気路30を経由して凹み穴10の外部に排気され、保持層20が複数の支持突起11に沿い凹凸に撓んで半導体ウェーハWとの間に隙間を形成するので、保持層20に密着していた半導体ウェーハWを簡単に取り外すことができる。   In order to remove the semiconductor wafer W adhered to the holding layer 20, the vacuum pump 31 may be driven. Then, the air in the recessed hole 10 is exhausted to the outside of the recessed hole 10 via the exhaust path 30, and the holding layer 20 is bent along the plurality of support protrusions 11 to form a gap with the semiconductor wafer W. Therefore, the semiconductor wafer W that has been in close contact with the holding layer 20 can be easily removed.

上記構成によれば、半導体ウェーハWを片面持ちではなく、両面持ちで密着保持することができるので、作業の著しい迅速化を図ることができる。したがって、半導体ウェーハWが複数の搬送ラインから搬送される場合や半導体ウェーハWが立体的に積み重ねられる場合でも、チャック治具の動作数や反転数を低減することができ、この結果、作業効率を大幅に向上させ、サイクルタイムの遅延化を抑制防止することができる。   According to the above configuration, the semiconductor wafer W can be held in close contact with both sides instead of being held on one side, so that the operation can be significantly speeded up. Therefore, even when the semiconductor wafer W is transported from a plurality of transport lines or when the semiconductor wafers W are three-dimensionally stacked, the number of operations and the number of inversions of the chuck jig can be reduced. It is possible to greatly improve and prevent the delay of the cycle time from being suppressed.

また、保持層20の密着力により半導体ウェーハWが弓なりに反ることのない安定した姿勢で密着するので、半導体ウェーハWの割れや変形を確実に防止することができる。また、半導体ウェーハWの固定に際し、保持層20を密着させる以外、何らの処理、動力、及びエネルギーを要しないので、そのまま保持、搬送、保管等することができる。   In addition, since the semiconductor wafer W adheres in a stable posture without bowing due to the adhesion force of the holding layer 20, the semiconductor wafer W can be reliably prevented from being cracked or deformed. Further, when fixing the semiconductor wafer W, no processing, power, and energy are required except that the holding layer 20 is brought into close contact, so that it can be held, transported, stored, and the like as it is.

また、保持層20の密着力のみにより半導体ウェーハWを長時間密着支持することができるので、半導体ウェーハWを平坦に保持するための専用真空装置等を省略することができ、装置の簡素化や大幅なコスト削減が大いに期待できる。また、薄片化された半導体ウェーハWの反りを矯正することができるので、半導体ウェーハWの周縁部が周囲に干渉するのを防止することができ、基板収納カセットに半導体ウェーハWを円滑かつ確実に収納したり、以後の作業におけるハンドリング性を著しく向上させたり、工程間のハンドリングの安全性に資することが可能になる。   Further, since the semiconductor wafer W can be supported in close contact with the holding layer 20 only for a long time, a dedicated vacuum device or the like for holding the semiconductor wafer W flat can be omitted. Significant cost savings can be expected. Further, since the warpage of the thinned semiconductor wafer W can be corrected, the peripheral edge of the semiconductor wafer W can be prevented from interfering with the surroundings, and the semiconductor wafer W can be smoothly and reliably placed in the substrate storage cassette. It can be housed, the handling property in the subsequent work can be remarkably improved, and the handling safety between processes can be contributed.

また、凹み穴10の底面に、保持層20を接着支持する複数の支持突起11を配列するので、保持層20が広範囲に亘って過剰に大きく凹んだり、保持層20の半導体ウェーハWの姿勢が傾斜して崩れたり、位置ずれして脱落するのを確実に防止することが可能になる。さらに、半導体ウェーハWの中央部にチャック治具の保持層20を単に重ねて密着させるのではなく、半導体ウェーハWの被吸着面の全てにチャック治具の保持層20を重ねて密着させるので、薄片化された半導体ウェーハWの周縁部が下方に撓んで割れることがない。   In addition, since a plurality of support protrusions 11 that adhere and support the holding layer 20 are arranged on the bottom surface of the recessed hole 10, the holding layer 20 is excessively recessed over a wide range, or the posture of the semiconductor wafer W of the holding layer 20 is It is possible to reliably prevent the tilting and breaking, or the position shifting and falling off. In addition, the chuck jig holding layer 20 is not simply overlapped and adhered to the central portion of the semiconductor wafer W, but the chuck jig holding layer 20 is overlapped and adhered to all the attracted surfaces of the semiconductor wafer W. The peripheral edge portion of the thinned semiconductor wafer W is not bent and cracked downward.

次に、図3は本発明の第2の実施形態を示すもので、この場合には、回転する治具本体1を平板ではなく、角柱形の多面体とし、この治具本体1が有する複数の面に、凹み穴10、保持層20、排気路30をそれぞれ配設して任意の保持層20にガラス基板Gを着脱自在に密着支持させるようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。   Next, FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. In this case, the rotating jig body 1 is not a flat plate but a prismatic polyhedron, and the jig body 1 has a plurality of pieces. A concave hole 10, a holding layer 20, and an exhaust path 30 are provided on the surface, respectively, and the glass substrate G is detachably attached to and supported by an arbitrary holding layer 20. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、治具本体1を所定の回転角度で回転させて複数の保持層20をガラス基板Gに順に対向させ、複数枚のガラス基板Gを保持することができるので、一度に処理できる処理量の増大が大いに期待できるのは明らかである。   In this embodiment, the same effect as that of the above embodiment can be expected, and the jig body 1 is rotated at a predetermined rotation angle so that the plurality of holding layers 20 are sequentially opposed to the glass substrate G, and a plurality of glass sheets are formed. Since the substrate G can be held, it is obvious that an increase in the amount of processing that can be performed at a time can be greatly expected.

本実施形態のチャック治具を用いて処理時間を短縮化できる操作について説明する。先ず、処理前の半導体ウェーハWを収納している処理前ウェーハカセットにチャック治具が移動し、その下面側の保持層20で処理前の半導体ウェーハWを1枚密着保持する。こうして半導体ウェーハWを密着保持したら、半導体ウェーハWを処理テーブルに搬送し、処理テーブル上に処理前の半導体ウェーハWを転置する。   An operation capable of shortening the processing time using the chuck jig of the present embodiment will be described. First, the chuck jig moves to the pre-processing wafer cassette that stores the pre-processing semiconductor wafer W, and the pre-processing semiconductor wafer W is held in close contact with the holding layer 20 on the lower surface side. When the semiconductor wafer W is held in close contact in this way, the semiconductor wafer W is transferred to the processing table, and the semiconductor wafer W before processing is transferred onto the processing table.

処理装置が半導体ウェーハWを処理している間、チャック治具は、待機せず、処理前ウェーハカセットに移動して次の処理を行うための半導体ウェーハWを、下面側の保持層20で密着保持する。続いて、チャック治具は、処理テーブルの近傍に移動し、180°回転して処理前の半導体ウェーハWを密着保持している面を上面とし、半導体ウェーハWを保持していない面を下面側にした状態で処理テーブル上の半導体ウェーハWの処理の終了まで待機する。   While the processing apparatus is processing the semiconductor wafer W, the chuck jig does not stand by, and the semiconductor wafer W for moving to the pre-processing wafer cassette and performing the next processing is adhered to the holding layer 20 on the lower surface side. Hold. Subsequently, the chuck jig moves to the vicinity of the processing table, rotates 180 °, and the surface holding the semiconductor wafer W before processing is used as the upper surface, and the surface not holding the semiconductor wafer W is used as the lower surface side. In this state, the process waits until the processing of the semiconductor wafer W on the processing table is completed.

半導体ウェーハWの処理が終了したら、チャック治具は、その下面の保持層20で処理テーブル上の半導体ウェーハWの上面を密着保持し、上昇して処理テーブルから十分離間した後、180°回転して保持していた処理済みの半導体ウェーハWを上面、処理前の半導体ウェーハWを下面にする。処理済みの半導体ウェーハWを上面、処理前の半導体ウェーハWを下面に配置したら、チャック治具は、下降し、処理前の半導体ウェーハWを処理テーブル上に転置する。   After the processing of the semiconductor wafer W is completed, the chuck jig holds the upper surface of the semiconductor wafer W on the processing table in close contact with the holding layer 20 on the lower surface thereof, and is lifted and sufficiently separated from the processing table, and then rotated by 180 °. The processed semiconductor wafer W held in this way is set as the upper surface, and the unprocessed semiconductor wafer W is set as the lower surface. When the processed semiconductor wafer W is disposed on the upper surface and the unprocessed semiconductor wafer W is disposed on the lower surface, the chuck jig is lowered to transfer the unprocessed semiconductor wafer W onto the processing table.

続いて、チャック治具は、処理済みの半導体ウェーハWを収納するための処理済みカセットへと移動し、180°回転して処理済みの半導体ウェーハWを下面にして処理済みカセット内の棚上へ処理済みの半導体ウェーハWを収納する。さらに、チャック治具は、次の処理を行うための半導体ウェーハWを受け取りに処理前ウェーハカセットへと移動する。   Subsequently, the chuck jig moves to a processed cassette for storing processed semiconductor wafers W, and rotates 180 ° to place the processed semiconductor wafers W on the lower surface onto a shelf in the processed cassette. A processed semiconductor wafer W is stored. Further, the chuck jig moves to the pre-processing wafer cassette to receive the semiconductor wafer W for the next processing.

このように本発明のチャック治具によれば、半導体ウェーハWをカセットから搬出収納させる時間を、処理装置本体が半導体ウェーハWを処理している時間で行うことが可能となり、作業効率を向上させることになる。また、半導体ウェーハWを密着保持し続けるための操作が不要であり、半導体ウェーハWの剥離時のみに真空ポンプ31を駆動すれば良いため、真空を維持する大がかりな構造も不要である。このため、チャック治具として比較的軽い素材を使用することができ、大面積の半導体ウェーハWにも対応が容易になるというメリットもある。   As described above, according to the chuck jig of the present invention, it is possible to carry out the time for carrying out and storing the semiconductor wafer W from the cassette in the time during which the processing apparatus main body processes the semiconductor wafer W, thereby improving the work efficiency. It will be. Further, an operation for keeping the semiconductor wafer W in close contact is unnecessary, and the vacuum pump 31 only needs to be driven only when the semiconductor wafer W is peeled off, so that a large structure for maintaining the vacuum is also unnecessary. For this reason, a relatively light material can be used as the chuck jig, and there is an advantage that it is easy to cope with a semiconductor wafer W having a large area.

なお、上記実施形態では保持層20に半導体ウェーハWを単に密着支持させたが、半導体ウェーハWの保護シート面側を密着しても良いし、半導体ウェーハWの裏面側を密着しても良い。また、凹み穴10の周面に保持層20の周縁部を接着支持させ、凹み穴10の底面と保持層20との間に空間を区画しても良い。さらに、半導体ウェーハWの保持や保持層20の変形に特に支障を来たさなければ、支持突起11を省略するとともに、保持層20を、ある程度の強度を有するメッシュ体とエラストマーとから積層形成し、この保持層20により凹み穴10を被覆することも可能である。   In the above-described embodiment, the semiconductor wafer W is simply adhered and supported on the holding layer 20, but the protective sheet surface side of the semiconductor wafer W may be adhered, or the back surface side of the semiconductor wafer W may be adhered. Alternatively, the peripheral portion of the holding layer 20 may be bonded and supported on the peripheral surface of the recessed hole 10, and a space may be defined between the bottom surface of the recessed hole 10 and the holding layer 20. Further, if the holding of the semiconductor wafer W and the deformation of the holding layer 20 are not particularly hindered, the support protrusion 11 is omitted, and the holding layer 20 is formed by laminating a mesh body having a certain degree of strength and an elastomer. It is also possible to cover the recessed hole 10 with this holding layer 20.

本発明に係るチャック治具の実施形態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically an embodiment of a chuck jig concerning the present invention. 本発明に係るチャック治具の実施形態を模式的に示す斜視説明図である。It is a perspective explanatory view showing typically an embodiment of a chuck jig concerning the present invention. 本発明に係るチャック治具の第2の実施形態を模式的に示す斜視説明図である。It is a perspective explanatory view showing typically a 2nd embodiment of the chuck jig concerning the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 治具本体
10 凹み穴(凹部)
11 支持突起
20 保持層
30 排気路
31 真空ポンプ(負圧源)
G ガラス基板(被保持物品)
W 半導体ウェーハ (被保持物品)
1 Jig body 10 Recess hole (recess)
11 Support projection 20 Retaining layer 30 Exhaust passage 31 Vacuum pump (negative pressure source)
G glass substrate (held article)
W Semiconductor wafer (held article)

Claims (5)

被保持物品を保持するチャック治具であって、三次元方向に移動可能でかつ回転可能な治具本体と、この治具本体が有する複数の面に形成された複数の凹部と、各凹部を被覆して被保持物品を着脱自在に密着保持する複数の保持層と、各保持層に被覆された凹部内の気体を外部に排気する複数の排気路とを含んでなることを特徴とするチャック治具。   A chuck jig for holding an article to be held, which is a jig body that is movable and rotatable in a three-dimensional direction, a plurality of recesses formed on a plurality of surfaces of the jig body, and each recess A chuck comprising: a plurality of holding layers that cover and hold the article to be held in a detachable manner; and a plurality of exhaust passages that exhaust the gas in the recesses covered by each holding layer to the outside. jig. 排気路に接続され、凹部を負圧にして保持層を変形させる負圧源を含んでなる請求項1記載のチャック治具。   The chuck jig according to claim 1, further comprising a negative pressure source connected to the exhaust path and deforming the holding layer by setting the concave portion to a negative pressure. 治具本体を略板状に形成してその両面に凹部を形成した請求項1又は2記載のチャック治具。   The chuck jig according to claim 1 or 2, wherein the jig main body is formed in a substantially plate shape and concave portions are formed on both sides thereof. 治具本体を多面体としてその複数の面に凹部を形成した請求項1又は2記載のチャック治具。   The chuck jig according to claim 1, wherein the jig main body is a polyhedron and concave portions are formed on a plurality of surfaces thereof. 凹部に、保持層を支持する複数の支持突起を設けた請求項1ないし4いずれかに記載のチャック治具。   The chuck jig according to claim 1, wherein a plurality of support protrusions for supporting the holding layer are provided in the recess.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018010923A (en) * 2016-07-12 2018-01-18 東京エレクトロン株式会社 Substrate delivery device

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