JP4571003B2 - クラスターイオンビーム装置 - Google Patents
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Description
希ガスのクラスタービームの進行方向にはスキマー214が配置されている。
また、本発明は、前記バイアス電極の後方には衝突板が配置され、前記バイアス電極に引きつけられた前記残留ガスイオンは、前記衝突板に照射されるように構成されたクラスターイオンビーム装置である。
また、本発明は、前記バイアス電極には通過孔が設けられ、前記残留ガスは前記通過孔を通過した前記衝突板に照射されるように構成されたクラスターイオンビーム装置である。
また、本発明は、前記スキマーに対して正電圧が印加された反発電極を有し、前記反発電極により、前記残留ガスイオンを前記バイアス電極が位置する方向に押し戻すように構成されたクラスターイオンビーム装置である。
先ず、第一、第二例のクラスターイオンビーム装置1、2の共通の構成について説明する。
図1、図2を参照し、第一、第二例のクラスターイオンビーム装置1、2はノズル室28と真空槽11を有している。
ノズル室28の内部にはノズル13が配置されており、該ノズル13の前面には、ノズル室28を真空槽11の内部から分離する隔壁20が配置されている。
イオン化室16a、16bの試料12側の壁面13には、出口側孔34が形成されている。
イオン化室16a、16bの前記壁面22a、22b、23には、アノードグリッド40と同電位の正の高電圧数10kVが印加されている。
第一例のクラスターイオンビーム装置1では、隔壁20とイオン化室16aの間であって、スキマー14から放出されたクラスタービームの飛行経路上にバイアス電極21aが配置されている。
一例としてスキマー14及びその隔壁20は接地電位に接続され、バイアス電極21a、21bは−1000〜−2000Vの負電圧が印加されている。
次に、図2に示した第二例のクラスターイオンビーム装置2を説明する。
第二例のクラスターイオンビーム装置2は、隔壁20と試料12の間の位置にバイアス電極21bが配置されている点は第一例のクラスターイオンビーム装置1と同じであるが、この第二例のクラスターイオンビーム装置2では、バイアス電極21bは、スキマー14から放出されたクラスタービームの飛行経路から離間し、クラスタービームが通過しない位置に配置されている。
反発電極26には、スキマー14やその隔壁20に対して正電圧が印加されている。例えば1000V程度の電圧である。
11……真空槽
12……試料
13……ノズル
14……スキマー
15a、15b……衝突板
16a、16b……イオン化室
21a、21b……バイアス電極
26……反発電極
27……加速電極
28……ノズル室
32a……通過孔
Claims (4)
- ノズルから放出され、スキマーによって切り出されたガスクラスタービームがイオン化室内でイオン化され、試料に照射されるクラスターイオンビーム装置であって、
前記スキマーと前記イオン化室との間には、前記スキマーに対して負電圧のバイアス電極が配置され、
前記イオン化室から前記スキマー側に漏出した残留ガスイオンは、前記バイアス電極に引きつけられ、前記スキマーに照射されないように構成されたクラスターイオンビーム装置。 - 前記バイアス電極の後方には衝突板が配置され、前記バイアス電極に引きつけられた前記残留ガスイオンは、前記衝突板に照射されるように構成された請求項1記載のクラスターイオンビーム装置。
- 前記バイアス電極には通過孔が設けられ、前記残留ガスは前記通過孔を通過した前記衝突板に照射されるように構成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のクラスターイオンビーム装置。
- 前記スキマーに対して正電圧が印加された反発電極を有し、
前記反発電極により、前記残留ガスイオンを前記バイアス電極が位置する方向に押し戻すように構成された請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のクラスターイオンビーム装置。
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