JP4568975B2

JP4568975B2 - Capacitor manufacturing method

Info

Publication number: JP4568975B2
Application number: JP2000252751A
Authority: JP
Inventors: 巌雄藤田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-08-23
Filing date: 2000-08-23
Publication date: 2010-10-27
Anticipated expiration: 2020-08-23
Also published as: JP2002075775A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極の表面にＡｕＳｎロウ材が形成された平行平板単板コンデンサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
平行平板単板コンデンサは一般に、セラミック板とその両主面に形成された一対の電極から構成されており、配線基板上に半田等のロウ材を介して実装される。この際、実装の容易化を図るために、コンデンサの電極表面にあらかじめロウ材を被着する方法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
コンデンサの電極表面にＡｕＳｎロウ材を被着するには、例えば、電極表面にＡｕＳｎ合金めっき層を形成する方法がある。しかし、この方法ではAｕとＳｎの組成の制御が難しく、安定性に欠けるという問題がある。
【０００４】
また、特開平８−１４８３７４号公報に記載のように、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の薄膜プロセスを用いて、ＡｕＳｎ合金層を形成する方法が提案されている。しかし、この方法では、接合に必要な合金層の厚みを得るためには長時間を要すること、成膜設備が非常に高価なことなどから、コストアップにつながるという問題がある。
【０００５】
さらに、Ａｕ薄膜層とＳｎ薄膜層を繰り返し積層してロウ材を形成する方法が提案されているが、共晶温度よりも高い温度で加熱しながら実装を行う必要があり、熱に弱い部材を使用する場合には特性劣化を招く恐れがある。
【０００６】
そこで本発明は、作製が容易で安価であり、高温での実装を必要としないＡｕＳｎロウ材の被着されたコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のコンデンサの製造方法は、セラミック板と、セラミック板の両主面に形成された電極と、電極の少なくとも一方の表面に被着されたロウ材とを有するコンデンサの製造方法であって、ロウ材は、前記電極の表面に湿式めっきによりＡｕ層とＳｎ層を積層形成する工程と、加熱によりＡｕ層とＳｎ層を相互に拡散させて、ＡｕＳｎ拡散層を形成する工程とを用いて形成されることを特徴とする。
【０００８】
また、電極の最外層はＡｕ層からなり、ロウ材は、前記電極の表面に湿式めっきによりＳｎ層を形成する工程と、加熱により前記電極の最外層のＡｕ層とＳｎ層を相互に拡散させて、ＡｕＳｎ拡散層を形成する工程とを用いて形成されてもよい。
【０００９】
また、前記Ａｕ層とＳｎ層を積層形成する工程は、Ａｕ層とＳｎ層の合計重量に対して、Ａｕ層の割合が６３ｗｔ％以上となるようにＡｕ層とＳｎ層を積層形成することが望ましく、前記Ｓｎ層を形成する工程は、前記電極の最外層のＡｕ層と前記Ｓｎ層の合計重量に対して、Ａｕ層の割合が６３ｗｔ％以上となるようにＳｎ層を形成することが望ましい。さらに、ＡｕＳｎ拡散層を形成する工程は、共晶温度よりも低い温度で相互拡散を行うことが望ましい。
【００１０】
共晶温度よりも低い温度で相互拡散を行うと、ＡｕＳｎ拡散層はＳｎ、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｎ₂、ＡｕＳｎ₄、Ａｕ₅Ｓｎ等の種々の金属間化合物相の組成比をとることになる。
【００１１】
これらの金属間化合物相のなかでもＡｕＳｎの組成比を持つもの（ＡｕＳｎ＝３７：６３ｗｔ％）は、はんだ濡れ性の良好さ等からロウ材として最も好ましいと考えられるが、本発明はＡｕの含有量を６３ｗｔ％以上とすることで、Ｓｎ組成比の大きな他の相に優先してＡｕＳｎを形成させることができるものである。
【００１２】
このように、本発明は湿式めっきを用いてＡｕＳｎ積層金属層を形成するため、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の薄膜プロセスを用いる場合と比較して、安価で容易なロウ材の形成が可能になる。また、Ａｕめっき層とＳｎめっき層を交互に形成後、加熱によりＡｕとＳｎを拡散させるため、ＡｕＳｎ合金めっき層を形成する場合のように組成の制御が困難になることもない。
【００１３】
ＡｕＳｎ拡散層を形成する工程は、中性雰囲気中または還元雰囲気中で相互拡散を行うことが望ましい。Ｓｎは加熱により容易に酸化されるという性質を持つため、酸化防止のためのＡｕ層を最外層に形成する構成がしばしば用いられるが、このように中性雰囲気中や還元雰囲気中で相互拡散を行うことで、Ａｕ層を最外層に形成することなくＡｕＳｎ拡散層の表面に酸化膜が形成されるのを抑制することができるものである。
【００１４】
また、大気中で相互拡散を行った場合のようにＡｕＳｎ拡散層の表面に酸化膜が形成された場合は、ＡｕＳｎ拡散層を形成する工程の後、さらにＡｕＳｎ拡散層の表面の酸化膜を除去する工程を行ってもよい。このように酸化膜を除去することで、ＡｕＳｎロウ材のはんだ濡れ性を向上させることができることとなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を図１を用いて説明する。
【００１６】
（実施例１）チタン酸バリウム等からなるセラミック基板１を用意し、厚み０．６５ｍｍ、表面粗さ１μｍ以下となるように鏡面研磨を施す。続いて、図１（ａ）に示すように、このセラミック基板１の両主面に、蒸着、イオンプレーティング、湿式めっき等のプロセスによりＴｉ層２ａ、２ｂ（膜厚８０ｎｍ）、Ｐｄ層３ａ、３ｂ（膜厚１５０ｎｍ）、Ａｕ層４ａ、４ｂ（膜厚８μｍ）を順次積層して電極５ａ、５ｂを形成する。次に、図１（ｂ）に示すように、一方の電極５ａの表面に、厚さ２μｍのＡｕ層６を湿式めっきにより形成した後、該Ａｕ層６表面に厚さ３μｍのＳｎ層７ａを湿式めっきにより形成する。この際、同時に他方の電極５ｂ表面にもＳｎ層７ｂを湿式めっきにより形成する。最後に、大気中２００℃で８時間加熱してＡｕとＳｎを相互に拡散させ、図１（ｃ）に示すようなＡｕＳｎ拡散層８ａ、８ｂが形成される。ここで、ＡｕＳｎ拡散層８ａは、Ａｕ層６とＳｎ層７ａの相互拡散により形成されたものであり、ＡｕＳｎ拡散層８ｂは、電極５ｂの最外層であるＡｕ層４ｂの一部とＳｎ層７ｂの相互拡散により形成されたものである。
【００１７】
以上の工程で、電極表面にロウ材（ＡｕＳｎ拡散層８ａ、８ｂ）が被着された平行平板単板コンデンサが形成される。ロウ材（ＡｕＳｎ拡散層８ａ、８ｂ）は膜厚が５μｍで、ＡｕＳｎ（Ｓｎ：３７ｗｔ％、Ａｕ：６３ｗｔ％）の均一組成のものが得られた。
【００１８】
このように本実施例では、湿式めっきを用いてＡｕＳｎ積層金属層を形成するため、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の薄膜プロセスを用いる場合と比較して、安価で容易なロウ材の形成が可能になる。
【００１９】
さらに本実施例では、Ａｕ層とＳｎ層を適当な組成比で順次形成後、加熱によりＡｕとＳｎを拡散させることで、所望の組成を有するＡｕＳｎロウ材を容易に形成することができる。すなわち本実施例では、一方の電極５ａの表面に厚さ２μｍのＡｕ層６と厚さ３μｍのＳｎ層７ａを積層形成したが、このＡｕ層６とＳｎ層７ａの割合を重量比に換算すると、Ａｕが６３ｗｔ％以上に該当する。すなわち、このような比率のＡｕ層とＳｎ層を相互拡散させることで均一な組成比を有するＡｕＳｎ（Ｓｎ：３７ｗｔ％、Ａｕ：６３ｗｔ％）層が得られるものである。また、他方の電極５ｂ最外層のＡｕ層４ｂとＳｎ層７ｂの割合も、当然ながらＡｕが６３ｗｔ％以上という条件を満たしている。
【００２０】
また、本実施例では、共晶温度（ＡｕＳｎ系合金の最低融点）よりも低い温度で相互拡散を行うため、固溶体相ではなく金属間化合物相が形成される。すなわち、本実施例では、ＡｕＳｎの共晶温度である２７８℃よりも少し低温の２００℃で相互拡散を行うため、ＡｕＳｎ金属間化合物相を安定して得ることができる。表１に、加熱時間を変化させたときに存在する金属間化合物相の種類を示す。
【００２１】
【表１】

【００２２】
ＡｕＳｎ系金属間化合物には、ＡｕＳｎ以外にもＳｎ、ＡｕＳｎ₂、ＡｕＳｎ₄、Ａｕ₅Ｓｎ等の組成比を有するものが存在するが、長時間の加熱を行うことによって、このようなＳｎ含有比の大きな層は拡散により消滅し、ＡｕＳｎ層のみが残ることがわかる。
【００２３】
また、本実施例では、ＡｕＳｎの共晶温度よりも低温で加熱するため、ＡｕＳｎ層の表面状態や形状に変化が生じることもない。
【００２４】
さらに、本実施例で形成されたロウ材はＡｕＳｎ合金となっているため、表面にウイスカーが発生することもなく、隣接する回路や電子部品との短絡の原因ともならない。
【００２５】
このようにして形成されたＡｕＳｎロウ材の下層にはＡｕ層が存在するため、実装時においてＡｕＳｎロウ材はＡｕＳｎ共晶（Ｓｎ：２０ｗｔ％、Ａｕ：８０ｗｔ％）と同様の２７８℃という比較的低い温度で瞬時に溶解し、良好な接合性、通電性および機械特性を示す。
【００２６】
（実施例２）本実施例では、実施例１と同様、電極表面にロウ材が被着された平行平板単板コンデンサを形成した。詳しくは、ＡｕとＳｎを相互に拡散させる工程においてＮ₂雰囲気中で加熱を行う以外は、実施例１と同一の工程を用いた。
【００２７】
本実施例において形成したＡｕＳｎ積層金属層は、酸化反応を起しやすいＳｎ層が表面に露出した構成となっている。しかし、本実施例では、Ｎ₂中性雰囲気中で加熱を行うため、Ａｕ層等の酸化保護膜を最外層に形成することなく、ＡｕＳｎ拡散層の表面に酸化膜が形成されるのを抑制することができる。
【００２８】
具体的には、実施例１において最終的に形成されたＡｕＳｎロウ材表面の酸化膜の膜厚を１．０とした場合、実施例１および本実施例で加熱を行う前のＡｕＳｎ積層金属層表面の酸化膜の膜厚は０．５０であり、本実施例加熱後のＡｕＳｎロウ材表面の酸化膜の膜厚は０．６７であることから、Ｎ₂中性雰囲気中で加熱を行ったことにより酸化膜の形成が抑制されたことが確認できる。
【００２９】
（実施例３）本実施例では、実施例１と同様、電極表面にロウ材が被着された平行平板単板コンデンサを形成した。詳しくは、実施例１において平行平板単板コンデンサを形成した後、さらに５０倍希釈した希塩酸で３分間エッチングするという工程を加えた。
【００３０】
上述の通り、本実施例のＡｕＳｎ積層金属層は、酸化反応を起しやすいＳｎ層が表面に露出した構成となっている。したがって、大気中で加熱を行ってＡｕＳｎ拡散層を形成した後のＡｕＳｎロウ材表面には酸化膜が形成されているが、本実施例では最終工程においてエッチングにより表面の酸化膜を除去するものである。
【００３１】
具体的には、加熱後のＡｕＳｎロウ材表面の酸化膜の膜厚を１．０とした場合、エッチング処理後のＡｕＳｎロウ材表面の酸化膜の膜厚は０．３５であることから、エッチングにより酸化膜の大部分が除去されたことが確認できる。また、黒色〜紫色を呈していたロウ材表面が、エッチング処理後には白銀色に変化したことが観察された。すなわち、Ｓｎ酸化物（ＳｎＯ）は、ほぼ全ての酸とアルカリに溶解するが、ＡｕＳｎ合金は酸に溶解しにくいため、酸によるエッチングを行うことによって黒色のＳｎ酸化物が溶解してＡｕＳｎ合金が表面に現れたものであると考えられる。
【００３２】
以上のように、本発明により形成された平行平板単版コンデンサは、あらかじめ電極表面にＡｕＳｎロウ材が被着されているため、新たにロウ材を用意する工程を必要とすることなく、加熱をするのみで配線基板上に容易に実装することができる。
【００３３】
なお、上記実施例では、ＡｕＳｎロウ材の膜厚が５μｍの場合について示したが、ロウ材の膜厚は３〜２５μｍの間で適宜変更することができる。例えば、厚さ８μｍのＡｕ層と厚さ１２μｍのＳｎ層からなるＡｕＳｎ積層金属層を形成した場合には、大気中２００℃で１６時間の加熱を行うことにより、膜厚が２０μｍで、ＡｕＳｎ（Ｓｎ：３７ｗｔ％、Ａｕ：６３ｗｔ％）の均一組成を有するロウ材が得られた。このように膜厚の比較的大きなロウ材が電極表面に被着されている場合には、表面のソリや表面粗さの大きな基板上にも安定して実装することができるようになる。
【００３４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、あらかじめ電極にＡｕＳｎ金属間化合物からなるロウ材の被着されたコンデンサを容易な方法で安価に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す工程断面図である。
【符号の説明】
１セラミック基板
５ａ、５ｂ電極
６Ａｕ層
７ａ、７ｂＳｎ層
８ａ、８ｂＡｕＳｎ拡散層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a parallel plate single plate capacitor in which an AuSn brazing material is formed on the surface of an electrode.
[0002]
[Prior art]
A parallel plate single plate capacitor is generally composed of a ceramic plate and a pair of electrodes formed on both main surfaces thereof, and is mounted on a wiring board via a brazing material such as solder. At this time, in order to facilitate mounting, a method of previously applying a brazing material to the electrode surface of the capacitor has been proposed.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In order to deposit the AuSn brazing material on the electrode surface of the capacitor, for example, there is a method of forming an AuSn alloy plating layer on the electrode surface. However, this method has a problem that the composition of Au and Sn is difficult to control and lacks stability.
[0004]
Further, as described in JP-A-8-148374, a method of forming an AuSn alloy layer using a thin film process such as a sputtering method or an ion plating method has been proposed. However, this method has a problem in that it takes a long time to obtain the thickness of the alloy layer necessary for bonding, and the film forming equipment is very expensive.
[0005]
Furthermore, a method of repeatedly laminating an Au thin film layer and an Sn thin film layer to form a brazing material has been proposed. However, it is necessary to perform mounting while heating at a temperature higher than the eutectic temperature. When used, there is a risk of deteriorating characteristics.
[0006]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a capacitor coated with an AuSn brazing material that is easy and inexpensive to manufacture and does not require mounting at a high temperature.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The method for producing a capacitor of the present invention is a method for producing a capacitor comprising a ceramic plate, electrodes formed on both main surfaces of the ceramic plate, and a brazing material deposited on at least one surface of the electrode, The brazing material is formed using a process in which an Au layer and an Sn layer are laminated on the surface of the electrode by wet plating, and a process in which the Au layer and the Sn layer are diffused mutually by heating to form an AuSn diffusion layer. It is characterized by being.
[0008]
Further, the outermost layer of the electrode is composed of an Au layer, and the brazing material diffuses the Au layer and the Sn layer of the outermost layer of the electrode by a process of forming a Sn layer on the surface of the electrode by wet plating and heating. And the step of forming the AuSn diffusion layer.
[0009]
In the step of forming the Au layer and the Sn layer, the Au layer and the Sn layer may be formed so that the ratio of the Au layer is 63 wt% or more with respect to the total weight of the Au layer and the Sn layer. Desirably, the step of forming the Sn layer preferably forms the Sn layer such that the ratio of the Au layer is 63 wt% or more with respect to the total weight of the outermost Au layer and the Sn layer of the electrode. . Furthermore, it is desirable that the step of forming the AuSn diffusion layer performs interdiffusion at a temperature lower than the eutectic temperature.
[0010]
When interdiffusion is performed at a temperature lower than the eutectic temperature, the AuSn diffusion layer takes a composition ratio of various intermetallic compound phases such as Sn, AuSn, AuSn ₂ , AuSn ₄ , and Au ₅ Sn.
[0011]
Among these intermetallic compound phases, those having a composition ratio of AuSn (AuSn = 37: 63 wt%) are considered to be most preferable as a brazing material from the viewpoint of good solder wettability. By setting the amount to 63 wt% or more, AuSn can be formed in preference to other phases having a large Sn composition ratio.
[0012]
In this way, since the AuSn laminated metal layer is formed by wet plating in the present invention, it is possible to easily form a brazing material at a lower cost than when using a thin film process such as a sputtering method or an ion plating method. become. Further, since Au and Sn are diffused by heating after alternately forming the Au plating layer and the Sn plating layer, it is not difficult to control the composition as in the case of forming the AuSn alloy plating layer.
[0013]
In the step of forming the AuSn diffusion layer, it is desirable to perform interdiffusion in a neutral atmosphere or a reducing atmosphere. Since Sn has the property of being easily oxidized by heating, a structure in which an Au layer for preventing oxidation is formed in the outermost layer is often used. In this way, mutual diffusion is performed in a neutral atmosphere or a reducing atmosphere. By doing so, it is possible to suppress the formation of an oxide film on the surface of the AuSn diffusion layer without forming the Au layer as the outermost layer.
[0014]
In addition, when an oxide film is formed on the surface of the AuSn diffusion layer as in the case of mutual diffusion in the atmosphere, the oxide film on the surface of the AuSn diffusion layer is further removed after the step of forming the AuSn diffusion layer. You may perform the process to do. By removing the oxide film in this way, the solder wettability of the AuSn brazing material can be improved.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
[0016]
(Example 1) A ceramic substrate 1 made of barium titanate or the like is prepared, and mirror polishing is performed so that the thickness is 0.65 mm and the surface roughness is 1 μm or less. Subsequently, as shown in FIG. 1 (a),

Ti layers

2a, 2b (thickness 80 nm), Pd layer 3a, Pd layer 3a are formed on both main surfaces of the ceramic substrate 1 by processes such as vapor deposition, ion plating, and wet plating. 3b (film thickness of 150 nm) and Au layers 4a and 4b (film thickness of 8 μm) are sequentially laminated to form electrodes 5a and 5b. Next, as shown in FIG. 1B, an Au layer 6 having a thickness of 2 μm is formed on the surface of one electrode 5 a by wet plating, and then an Sn layer 7 a having a thickness of 3 μm is formed on the surface of the Au layer 6. It is formed by wet plating. At this time, the Sn layer 7b is simultaneously formed on the surface of the other electrode 5b by wet plating. Finally, Au and Sn are diffused mutually by heating in the atmosphere at 200 ° C. for 8 hours, and

AuSn diffusion layers

8a and 8b as shown in FIG. 1C are formed. Here, the AuSn diffusion layer 8a is formed by mutual diffusion of the Au layer 6 and the Sn layer 7a, and the AuSn diffusion layer 8b includes a part of the Au layer 4b that is the outermost layer of the electrode 5b and the Sn layer 7b. Formed by mutual diffusion.
[0017]
Through the above steps, a parallel plate single plate capacitor having a brazing material (AuSn diffusion layers 8a and 8b) deposited on the electrode surface is formed. The brazing material (AuSn diffusion layers 8a and 8b) had a film thickness of 5 μm and a uniform composition of AuSn (Sn: 37 wt%, Au: 63 wt%).
[0018]
As described above, in this embodiment, since the AuSn laminated metal layer is formed by wet plating, it is possible to form a brazing material that is cheaper and easier than using a thin film process such as a sputtering method or an ion plating method. It becomes possible.
[0019]
Furthermore, in this embodiment, an AuSn brazing material having a desired composition can be easily formed by sequentially forming an Au layer and an Sn layer at an appropriate composition ratio and then diffusing Au and Sn by heating. That is, in this embodiment, the Au layer 6 having a thickness of 2 μm and the Sn layer 7 a having a thickness of 3 μm are laminated on the surface of one of the electrodes 5 a, but when the ratio of the Au layer 6 and the Sn layer 7 a is converted into a weight ratio. , Au corresponds to 63 wt% or more. That is, an AuSn (Sn: 37 wt%, Au: 63 wt%) layer having a uniform composition ratio can be obtained by mutually diffusing the Au layer and the Sn layer in such a ratio. Further, the ratio of the Au layer 4b and the Sn layer 7b, which is the outermost layer of the other electrode 5b, naturally satisfies the condition that Au is 63 wt% or more.
[0020]
In this example, since interdiffusion is performed at a temperature lower than the eutectic temperature (the lowest melting point of the AuSn alloy), an intermetallic compound phase is formed instead of a solid solution phase. That is, in this example, since mutual diffusion is performed at 200 ° C., which is slightly lower than 278 ° C. which is the eutectic temperature of AuSn, an AuSn intermetallic compound phase can be obtained stably. Table 1 shows the types of intermetallic compound phases that exist when the heating time is changed.
[0021]
[Table 1]

[0022]
Some AuSn-based intermetallic compounds have composition ratios such as Sn, AuSn ₂ , AuSn ₄ , and Au ₅ Sn in addition to AuSn. By performing heating for a long time, such Sn content ratio It can be seen that the large layer disappears by diffusion and only the AuSn layer remains.
[0023]
In this embodiment, since the heating is performed at a temperature lower than the eutectic temperature of AuSn, the surface state and shape of the AuSn layer do not change.
[0024]
Furthermore, since the brazing material formed in this embodiment is an AuSn alloy, whiskers are not generated on the surface, and it does not cause a short circuit with an adjacent circuit or electronic component.
[0025]
Since the Au layer exists in the lower layer of the AuSn brazing material thus formed, the AuSn brazing material is relatively 278 ° C., which is similar to AuSn eutectic (Sn: 20 wt%, Au: 80 wt%) at the time of mounting. Dissolves instantly at low temperatures and exhibits good bondability, electrical conductivity and mechanical properties.
[0026]
(Embodiment 2) In this embodiment, as in Embodiment 1, a parallel plate single plate capacitor in which a brazing material was deposited on the electrode surface was formed. For details, except that heating is carried out in a N ₂ atmosphere in the step of diffusing the Au and Sn each other, using the same process as in Example 1.
[0027]
The AuSn multilayer metal layer formed in this example has a structure in which an Sn layer that easily causes an oxidation reaction is exposed on the surface. However, in this example, since heating is performed in a N ₂ neutral atmosphere, the formation of an oxide film on the surface of the AuSn diffusion layer is suppressed without forming an oxidation protective film such as an Au layer on the outermost layer. can do.
[0028]
Specifically, when the thickness of the oxide film on the surface of the AuSn brazing material finally formed in Example 1 is 1.0, the AuSn laminated metal layer before heating in Example 1 and this example Since the thickness of the oxide film on the surface is 0.50 and the thickness of the oxide film on the surface of the AuSn brazing material after heating in this example is 0.67, heating was performed in a N ₂ neutral atmosphere. This confirms that the formation of the oxide film is suppressed.
[0029]
(Embodiment 3) In this embodiment, as in Embodiment 1, a parallel plate single plate capacitor having a brazing material deposited on the electrode surface was formed. Specifically, after the parallel plate single plate capacitor was formed in Example 1, a step of etching for 3 minutes with dilute hydrochloric acid diluted 50 times was added.
[0030]
As described above, the AuSn laminated metal layer of this example has a configuration in which the Sn layer that easily causes an oxidation reaction is exposed on the surface. Therefore, an oxide film is formed on the surface of the AuSn brazing material after heating in the atmosphere to form the AuSn diffusion layer. In this embodiment, however, the oxide film on the surface is removed by etching in the final step. is there.
[0031]
Specifically, when the thickness of the oxide film on the surface of the AuSn brazing material after heating is 1.0, the thickness of the oxide film on the surface of the AuSn brazing material after the etching process is 0.35. This confirms that most of the oxide film has been removed. In addition, it was observed that the surface of the brazing material exhibiting black to purple changed to white silver after the etching treatment. That is, Sn oxide (SnO) dissolves in almost all acids and alkalis, but AuSn alloy is difficult to dissolve in acid. Therefore, by etching with acid, black Sn oxide is dissolved and AuSn alloy is dissolved. It is thought that it appeared on the surface.
[0032]
As described above, the parallel plate single plate capacitor formed according to the present invention is pre-coated with AuSn brazing material on the electrode surface, so that heating is not required without newly preparing a brazing material. It can be easily mounted on the wiring board only by doing.
[0033]
In the above embodiment, the case where the film thickness of the AuSn brazing material is 5 μm is shown, but the film thickness of the brazing material can be appropriately changed between 3 and 25 μm. For example, when an AuSn laminated metal layer composed of an Au layer having a thickness of 8 μm and a Sn layer having a thickness of 12 μm is formed, heating is performed in the atmosphere at 200 ° C. for 16 hours, so that the film thickness becomes 20 μm and AuSn ( A brazing material having a uniform composition of Sn: 37 wt% and Au: 63 wt% was obtained. When the brazing material having a relatively large film thickness is deposited on the electrode surface in this way, it can be stably mounted on a substrate having a large surface warp or surface roughness.
[0034]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a capacitor in which a brazing material made of an AuSn intermetallic compound is previously applied to an electrode can be formed at a low cost by an easy method.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process sectional view showing an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Ceramic substrate 5a, 5b Electrode 6 Au layer 7a,

7b Sn layer

8a, 8b AuSn diffusion layer

Claims

A capacitor manufacturing method comprising a ceramic plate, electrodes formed on both main surfaces of the ceramic plate, and a brazing material deposited on at least one surface of the electrode,
The brazing material includes a step of laminating and forming an Au layer and an Sn layer by wet plating on the surface of the electrode, and a step of forming an AuSn diffusion layer by diffusing the Au layer and the Sn layer mutually by heating. A method of manufacturing a capacitor, wherein the capacitor is formed.

A capacitor manufacturing method comprising a ceramic plate, electrodes formed on both main surfaces of the ceramic plate, and a brazing material deposited on at least one surface of the electrode,
The outermost layer of the electrode is composed of an Au layer, and the brazing material diffuses the Au layer and the Sn layer of the outermost layer of the electrode by a process of forming an Sn layer on the surface of the electrode by wet plating and heating. And a step of forming an AuSn diffusion layer.

The step of laminating and forming the Au layer and the Sn layer is characterized by laminating and forming the Au layer and the Sn layer so that the ratio of the Au layer is 63 wt% or more with respect to the total weight of the Au layer and the Sn layer. The method of manufacturing a capacitor according to claim 1.

The step of forming the Sn layer is characterized in that the Sn layer is formed so that a ratio of the Au layer is 63 wt% or more with respect to a total weight of the outermost Au layer and the Sn layer of the electrode. The manufacturing method of the capacitor | condenser of Claim 2.

Wherein the step of forming the AuSn diffusion layer, and performing a mutual diffusion at a temperature lower than the eutectic temperature, method of manufacturing the capacitor according to any one of claims 1 to 4.

Wherein the step of forming the AuSn diffusion layer, and performing a mutual diffusion in a neutral atmosphere or a reducing atmosphere, the production method of a capacitor according to any one of claims 1 to 5.

The capacitor according to any one of claims 1 to 6 , further comprising a step of removing an oxide film formed on a surface of the AuSn diffusion layer after the step of forming the AuSn diffusion layer. Manufacturing method.