JPS60142503A - Varistor - Google Patents

Varistor

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JPS60142503A
JPS60142503A JP58251005A JP25100583A JPS60142503A JP S60142503 A JPS60142503 A JP S60142503A JP 58251005 A JP58251005 A JP 58251005A JP 25100583 A JP25100583 A JP 25100583A JP S60142503 A JPS60142503 A JP S60142503A
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JP
Japan
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varistor
plating layer
electrode
ohmic contact
plating
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金男 森
泰伸 及川
昭 佐々木
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、例えばチップ状或いはリング状バリスタ等の
ように、外装樹脂モールド等を施さずに、電極を直接に
半田付けするタイプのバリスタに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a type of varistor, such as a chip-shaped or ring-shaped varistor, in which electrodes are directly soldered without applying an exterior resin mold or the like.

バリスタは印加電圧がその素子の持つバリスタ電圧(制
限電圧)を越える範囲で抵抗値が激減する41F異な特
性を有する。この特異性に着目し、バリスタは、音響機
器に関連する小型直流モータのノイズ防11−、リレー
接点の保護、カラーテレビブラウン管回路の放電吸収等
の手段として広く利用されている。
A varistor has a 41F characteristic in which the resistance value decreases dramatically in a range where the applied voltage exceeds the varistor voltage (limiting voltage) of the element. Taking note of this specificity, varistors are widely used as a means for noise prevention 11- of small DC motors related to audio equipment, protection of relay contacts, discharge absorption of color TV cathode ray tube circuits, and the like.

従来技術 例えば酸化チタン(TiOz)系、チタン酸ストロンチ
ウム(SrTi03)系及び酸化亜鉛(ZnO)系のバ
リスタSのように、バリスタ素体I」体がバリスタ特性
を有するバリスタにおいては、焼結体自身の持つバリス
タ特性を充分に発揮させるために、第11図にポす如く
、バリスタ素体1に対してオーム性接触となる電極2を
形成することが行なわれる。このようなオーム性接触′
電極2は、一般には、銀をド成分とし、これにオーム性
接触化を助ける微1i1の金+irj成分1例えばIn
、 Ga、 Sn、Sb、Cd、 Zn、 AI等の少
なくとも一種を添加し、これらをフリントとノ(にバリ
スタ素体lの表面にスクリーン印刷へ゛の手段によって
塗!IJシ、かつ焼伺けて形成される。
Prior Art In varistors in which the varistor body I'' has varistor properties, such as titanium oxide (TiOz)-based, strontium titanate (SrTi03)-based, and zinc oxide (ZnO)-based varistors S, the sintered body itself In order to fully exhibit the varistor characteristics of the varistor, as shown in FIG. 11, an electrode 2 is formed in ohmic contact with the varistor body 1. Such ohmic contact′
The electrode 2 generally has silver as a doping component, and a fine 1i1 gold + irj component 1, for example, Indium, to help form an ohmic contact.
, Ga, Sn, Sb, Cd, Zn, AI, etc., and apply these to the surface of the varistor element by means of screen printing, IJ, and burnout. It is formed.

また、このオーム性接触゛市極2の半田伺は性及び密盾
強度を補うと同時に、醇化によるオーム性接触の劣化等
を防1にするため、第2図に示すように、該オーム性接
触電極2の4−に銀ペーストをスクリーン印刷等の手段
によって塗4j焼伺して、保護′電極3を形成すること
も、汀通に取られている。
In addition, in order to compensate for the solder contact of this ohmic contact (city pole 2) and to supplement the strength of the ohmic contact, as well as to prevent the deterioration of the ohmic contact due to oxidation, as shown in Figure 2, the ohmic contact is It has also been common practice to apply silver paste to 4- of the contact electrode 2 by means such as screen printing to form a protective electrode 3.

従来技術の欠点 しかしながら、従来のバリスタには次のような欠点があ
る。
Disadvantages of the Prior Art However, conventional varistors have the following drawbacks.

(イ)オーム性接触電極2及び保護電極3の伺れにも銀
が多量に含まれるため、半田付けの際に電極2.3中に
含まれている銀が半田中に拡散移行する半1]コ喰われ
現象が発生し、電極とバリスタ素体との間の接着強度の
低ド及び電気的特性の劣化を招く。
(b) Since the ohmic contact electrode 2 and the protective electrode 3 also contain a large amount of silver, the silver contained in the electrode 2.3 diffuses into the solder during soldering. ] A chipping phenomenon occurs, leading to a decrease in the adhesive strength between the electrode and the varistor body and deterioration of the electrical characteristics.

(ロ)Ti、極の接着力の強化手段として、電極を厚く
する方法が考えられる。しかし、゛電極を厚くしたので
は、貴金属材料たる銀の使用量が多くなり、コスト高に
なる。
(b) As a means of strengthening the adhesion of Ti and electrodes, it is possible to make the electrodes thicker. However, if the electrodes are made thicker, the amount of silver, which is a precious metal material, will be increased, resulting in higher costs.

(ハ)電極の接着力を強化する別の方法として、フリッ
ト含有廣を増加する方法が考えられるが、この場合には
バリスタ素体lの粒界への拡散が増し、バリスタ特性が
取れなくなり、特性的に著しく限定されたものしか得ら
れないこと、信頼性が悪くなる。
(c) Another method to strengthen the adhesive force of the electrode is to increase the frit content, but in this case, the diffusion of the varistor element into the grain boundaries increases, making it impossible to maintain the varistor properties. Only extremely limited characteristics can be obtained, and reliability deteriorates.

木発明の目的 木発明は−1;述する従来からの問題点を解決し、N6
1JI 4rIけによる電極の接着強度の低下及び電気
的特性の劣化を防E1・することができ、しかも半+4
」伺は性が良好でコストの安価な電極を有する/くリス
クを提供することを目的とする。
Purpose of the tree invention The tree invention solves the conventional problems mentioned in -1;N6
1JI 4rI can prevent the decrease in adhesive strength of electrodes and the deterioration of electrical characteristics due to E1, and moreover, half +4
The purpose of this research is to provide an electrode with good performance and low cost.

未発明の構成 ヒ記目的を達成するため、本発明は、半田付は性が良好
で、耐半口]侵蝕性のあるメ、ンキ層を有する゛電極を
備えることを特徴とする。
DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to achieve the object described above, the present invention is characterized in that it comprises an electrode having a paint layer with good solderability and corrosion resistance.

実施例 第3図は本発明に係るバリスタのIE面図である。図に
おいて、1はバリスタ素体である。この実施例では、該
バリスタ素体lは素体自体がバリスタ4−ν性を示す焼
結体、例えばZnO系、TlO2系または5rTi03
系の焼結体によって構成しである。
Embodiment FIG. 3 is an IE side view of a varistor according to the present invention. In the figure, 1 is a varistor element. In this embodiment, the varistor element l is a sintered body that exhibits varistor 4-v properties, such as a ZnO system, a TlO2 system, or a 5rTi03
It is composed of a sintered body.

2は該バリスタ素体lの面一ヒに被着形成されたオーム
シ1接触電極である。該オーム性接触電極2は、前述し
た如く、銀を主成分とし、これにオーム性接触化を助け
る微量の金属成分、例えばIn、Ga、 Sn、 Sb
、 Cd、 Zn、、 AI等の少なくとも一種を添加
し、これらをフリットと共にバリスタ素体lの表面にス
クリーン印刷等の手段によって塗布し、かつ焼付けて形
成しである。
Reference numeral 2 denotes a contact electrode of the ohm 1 formed flush with the varistor body 1. As described above, the ohmic contact electrode 2 has silver as its main component, and a trace amount of metal components that help make the ohmic contact, such as In, Ga, Sn, and Sb.
, Cd, Zn, AI, etc., are applied to the surface of the varistor body l together with a frit by means such as screen printing, and then baked.

3は半田伺は性が良好で、耐半田侵蝕性のあるメッキ層
であり、オーム性接触電極2を覆うように、その表面に
形成されている。このようなメッキ層3は、例えばNi
、 Cu、 Snまたは半田等の化学メッキによって形
成できる。この実施例では、メッキ層3は、オーム性接
触電極2の表面を覆うように形成された耐半[1]侵蝕
性に優れた第1のメッキ層31と、このメッキ層31の
表面に形成された半田付は性の良好な第2のメッキ層3
2との二層構茹となっている。前記メッキ層31はNi
またはCu等の化学メッキによって構成され、半田伺は
性の良好なメッキ層32はCu、 Snまたは半田メッ
キによって構成される。
3 is a plated layer having good solderability and corrosion resistance, and is formed on the surface of the ohmic contact electrode 2 so as to cover it. Such a plating layer 3 is made of, for example, Ni
, Cu, Sn, or chemical plating such as solder. In this embodiment, the plating layer 3 includes a first plating layer 31 having excellent semi-corrosion resistance and a first plating layer 31 formed to cover the surface of the ohmic contact electrode 2, and a first plating layer 31 formed on the surface of the plating layer 31. The second plating layer 3 has good soldering properties.
It is boiled in two layers. The plating layer 31 is made of Ni
Alternatively, the plating layer 32 is formed by chemical plating such as Cu, and has good solderability, and is formed by Cu, Sn or solder plating.

に述の如く、本発明に係るバリスタは、電極の構造を、
半田付は性が良tイで耐半田侵蝕性のあるメッキ層3を
有する構造としたから、例えば酸化チタン(Ti02)
系、チタン酸ストロンチウム(SrTi03)系及び酸
化11i鉛(Zn0)系のイくリスク等のように、バリ
スタ素体自体がバリスタ特性を有するバリスタにおいて
、焼結体自身の持つ/バリスタ特性を充分に発揮させる
ため、バリスタ素体に対して銀合金より成るオーム性接
触電J412を形成した場合でも、半]]1喰われ現象
を生じることがない。
As described in , the varistor according to the present invention has an electrode structure that is
Since the structure has a plating layer 3 with good soldering properties and solder corrosion resistance, titanium oxide (Ti02), for example, can be used.
For varistors in which the varistor body itself has varistor characteristics, such as the risk of strontium titanate (SrTi03) and 11i lead oxide (Zn0) systems, it is necessary to fully utilize the varistor characteristics of the sintered body itself. Even when an ohmic contact conductor J412 made of a silver alloy is formed on the varistor element body in order to achieve the desired effect, the half-]]1-eating phenomenon does not occur.

従って、オーム性接触電極2と、<リスク素体lとの間
の接着強四の低−ト及び電気的特性の劣化を防11−す
ることができる。
Therefore, it is possible to prevent a decrease in the adhesive strength between the ohmic contact electrode 2 and the risk element 1 and to prevent deterioration of the electrical characteristics.

また、メッキ層3は安(曲”@NI、 Cu、 Snま
たは半111等の化学メッキによって形成できるから、
電極形成コストが安価である。しかもメッキ層3は化学
メンキにより容易に量産的に形成できるから、1゛業性
に富んだものとなる。
In addition, the plating layer 3 can be formed by chemical plating such as NI, Cu, Sn or semi-111.
Electrode formation cost is low. Moreover, since the plating layer 3 can be easily formed in mass production by chemical polishing, it is highly workable.

第4図は未発明に係るバリスタの別の実施例を示し、オ
ーム性接触電極2の1−にNiメンキ層311及びCu
メッキ層312で成る耐半uJ優蝕性に優れた第1のメ
ッキ層31を形成すると共に、このメッキ層31の表面
にCuの化学メッキで形成された半田イ1け性の良好な
第2のメッキ層32を設けた電極構造となっている。図
示は省略したが、第1のメッキ層31はオーム性接触電
812の上にCuメ・ンキ層を設け、その−1−にNi
メッキ層を設けた構造としても良い。また第2のメッキ
層32も、9uメ、。
FIG. 4 shows another embodiment of the varistor according to the invention, in which a Ni coating layer 311 and a Cu coating layer 1- of the ohmic contact electrode 2 are shown.
A first plating layer 31 consisting of a plating layer 312 having excellent semi-UJ corrosion resistance is formed, and a second plating layer 31 having good solderability and being formed by chemical plating of Cu is formed on the surface of this plating layer 31. The electrode structure includes a plating layer 32. Although not shown, the first plating layer 31 includes a Cu plating layer provided on the ohmic contact electrode 812, and a Ni plating layer on the -1- side.
A structure including a plating layer may also be used. Further, the second plating layer 32 is also 9 mm.

キの代りにSnメッキまたは半田メッキによって形成し
てもよい。
It may be formed by Sn plating or solder plating instead.

なお、北記実施例では、バリスタ素体1の片面に電極?
、3を有するものを例に取って説明したが、バリスタ素
体lの片面または両面に?に数の分割電極を有する電極
構めのもの等、他の電極構造のものにも同様に適用が可
能である。また、バリスタ素体lの形状も、実施例に示
すものに限定されない。更に素体自体がバリスタ特性を
示すバリスタに限らず、焼結体の粒子間の接触面でバリ
スタ特性を得るシリコンカーパイ) (Sin)系のも
の、焼結体自身は直線性抵抗体であるがこれに刊年され
る電極との接触状態によってバリスタ特性を得る酸化錫
(SnO→系、酸化鉄(Fe、203)系のもの等、他
の種類のバリスタにも適用が可能である。
In addition, in the embodiment described above, an electrode is provided on one side of the varistor body 1.
, 3, but on one or both sides of the ballista body l? The present invention can be similarly applied to other electrode structures, such as an electrode structure having a number of divided electrodes. Furthermore, the shape of the varistor body l is not limited to that shown in the embodiment. Furthermore, it is not limited to varistors in which the element body itself exhibits varistor properties, but also silicon type (Sin) type varistors that obtain varistor properties at the contact surfaces between the particles of the sintered body, and the sintered body itself is a linear resistor. It is also possible to apply the present invention to other types of varistors, such as those based on tin oxide (SnO→) and iron oxide (Fe, 203), which obtain varistor characteristics depending on the state of contact with the electrodes.

第5図は半田付は時間と電極接着強度との関係を示す図
である6図において、曲線Aは第4図に示した構造の本
発明に係るバリスタの特性、曲線Bは第2図に承す従来
のバリスタの特性である。
Figure 5 is a graph showing the relationship between soldering time and electrode adhesion strength. In Figure 6, curve A is the characteristic of the varistor according to the present invention having the structure shown in Figure 4, and curve B is the graph shown in Figure 2. This is a characteristic of conventional varistors.

この第5図から明らかなように、従来のバリスタでは、
半日1付は時間が5秒置1−になると、電極の接着強度
が急激に低下してしまい、20秒以−ヒでは接着強度が
JXtと零になってしまうが、本発明に係るバリスタは
半1」」付け11キ間30秒になっても、電極の接着強
度が殆ど劣化しない。
As is clear from Fig. 5, in the conventional varistor,
In the case of half-day one, when the time becomes 1- every 5 seconds, the adhesive strength of the electrode decreases rapidly, and after 20 seconds, the adhesive strength becomes zero (JXt), but the varistor according to the present invention The adhesive strength of the electrode hardly deteriorates even after 30 seconds of attachment.

本発明の効果 以(−述べたように、本発明に係るバリスタは、゛1月
1:I (=Iけ性が良好で、耐半u1侵蝕性のあるメ
ッキ層を有する電極を備えることを特徴とするから、半
FH付けによる電極の接着強度の低ド及び電気的特性の
劣化を防11−することができ、しがも半1’J−1伺
は性が良好でコスI・の安イ曲な゛電極を有するバリス
タを提供することができる。
In view of the effects of the present invention (-), the varistor according to the present invention is equipped with an electrode having a plating layer with good scratch resistance and semi-corrosion resistance. Because of its characteristics, it is possible to prevent the low adhesion strength of the electrode and the deterioration of electrical characteristics caused by half-FH attachment, and the half-FH bonding has good properties and low cost I. A varistor having a flexible electrode can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のバリスタの正面図、第2図は同じく別の
従来例における止血図、第3図は本発明に係るバリスタ
の正面図、第4図は同じく別の実施例における正面図、
第5図は半11−+伺は時間と電極接着強度との関係を
示す図である。 l・・・バリスタ素体 2φ・・オーム性接触電極 3・ψ・メッキ層 31・中・耐半田侵蝕性のあるメッキ層32・・・半田
付は性の良好なメッキ層第1図 2 第2図 第3図 第41・1 第5図 」らロシイ?r1時I!梢 (葎ンつ
FIG. 1 is a front view of a conventional varistor, FIG. 2 is a hemostatic diagram in another conventional example, FIG. 3 is a front view of a varistor according to the present invention, and FIG. 4 is a front view in another embodiment.
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between time and electrode bonding strength. l...Varistor element body 2φ...Ohmic contact electrode 3・ψ・Plating layer 31・Medium・Plating layer with solder corrosion resistance 32...Plating layer with good soldering properties Fig. 1 2 Figure 2 Figure 3 Figure 41.1 Figure 5 "Roshii?" r1 o'clock I! treetops

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) 半トロ千1け性が良好で耐半田侵蝕性を有する
メッキ層を有する電極を備えることを特徴とするバリス
タ。
(1) A varistor characterized by comprising an electrode having a plating layer having good solder corrosion resistance and solder corrosion resistance.
(2) 前記メッキ層は、−1J半田侵蝕性に優れたメ
ッキ層と、このメッキ層の1−に形成された半田伺は性
の良好なメッキ層との複層構造で成ることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載のバリスタ。
(2) The plating layer is characterized by having a multilayer structure of a plating layer having excellent -1J solder corrosion resistance and a plating layer having good solder resistance formed on the plating layer 1-. A varistor according to claim 1.
(3) Ij:I記メッキ層はN1、Cu、 Snまた
は半IBメッキで成ることを#1[徴とする特5′1請
求の範囲第1項または第2工fiに言Q ili覧のバ
リスタ。
(3) Ij: The plating layer I is made of N1, Cu, Sn or half IB plating. Barista.
(4) /<リスタ素体自体がバリスタ特性を示すもの
で成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2引
または第3ダ1に記載のバリスタ。
(4) /<The varistor according to claim 1, 2 or 3, wherein the ristor body itself exhibits varistor characteristics.
(5) 前記バリスタ素体はTiOz、5rTi03ま
たはZnO系焼結体の何れかで成ることを特徴とする特
許請求の範囲第4項に記載のバリスタ。
(5) The varistor according to claim 4, wherein the varistor body is made of TiOz, 5rTi03, or ZnO-based sintered body.
(6) 前記バリスタ素体の表面にオーム性接触電極を
有し、該オーム性接触電極の、Lに前記メ・ンキ層を設
けたことを特徴とする特許請求の範囲第4項または第5
項に記載のバリスタ。
(6) Claim 4 or 5, characterized in that the varistor body has an ohmic contact electrode on its surface, and the coating layer is provided on L of the ohmic contact electrode.
Barista as described in section.
JP58251005A 1983-12-28 1983-12-28 Varistor Granted JPS60142503A (en)

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