JP4564294B2 - 電界放出型ディスプレイ - Google Patents

Description

本発明は、電界放出型ディスプレイに係り、特に冷陰極を備えた電界放出型ディスプレイに関する。

電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ；Field
Emission Display）には、カソード電極上に先端が先鋭な冷陰極エミッタと、カソード電極上に冷陰極エミッタを取り囲むような絶縁層と、絶縁膜上にゲート電極とを形成して、冷陰極エミッタとゲート電極との間に電圧を印加して、高電界を発生させて冷陰極エミッタの先端から電子の放出を行うＳｐｉｎｄｔ型や、カソード電極とゲート電極との間に形成された絶縁層に電圧を印加し、高電界を発生させて、トンネル効果により電子の放出を行うＭＩＭ（Metal Insulator Metal）型や、カソード電極とゲート電極との間に形成された薄膜に微小ギャップを形成し、カソード電極とゲート電極との間に電圧を印加して、微小ギャップから電子の放出を行うＳＣＥ（Surface Conduction Emitter）型等の方式が検討されている。また、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）やＣＮＴ（Carbon Nanotube）等の炭素系材料を冷陰極エミッタの材料としてカソード電極上に設けて、ゲート電極とカソード電極とに電圧を印加して、電子を放出する方式も検討されている。

このような電界放出型ディスプレイは、冷陰極エミッタを蛍光体の面と対向するように配置し、冷陰極エミッタから放出された電子を加速して蛍光体に照射することで発光させている。

従来の炭素系冷陰極を備えた電界放出型ディスプレイは、基板と、アノード電極と、蛍光体と、複数の冷陰極とを備えた構成とされている。冷陰極は、サブピクセル毎に複数設けられている。冷陰極は、カソード電極と、冷陰極エミッタと、絶縁層と、ゲート電極とを有した構成とされている。

しかし、冷陰極エミッタは、微細な形状であるため、複数の冷陰極エミッタを均一な形状に製造することは困難である。そのため、冷陰極エミッタ間の形状のばらつきにより、冷陰極エミッタ間で電子放出特性が異なり、画素間において輝度のバラツキやちらつきが生じてしまうという問題があった。このような問題を解決する従来技術として、図１及び図２に示す電界放出型ディスプレイ１０がある。

図１は、従来技術である電界放出型ディスプレイの概略を示した斜視図であり、図２は、図１に示した電界放出型ディスプレイのＡ−Ａ線方向の断面図である。なお、図１及び図２において、Ｘ，Ｘ方向は、ゲート電極１６−１〜１６−３の長手方向を示しており、Ｙ，Ｙ方向は、Ｘ，Ｘ方向と直交する方向（カソード電極１４の長手方向）を示している。また、図２には、走査ライン２５−２を走査した際の電子ビームＣの軌道を示す。

図１及び図２に示すように、電界放出型ディスプレイ１０は、大略すると基板１３と、カソード電極１４と、ゲート電極１６−１〜１６−３と、絶縁層１５と、冷陰極１１と、基板２１と、アノード電極２２と、蛍光体２４とを有した構成とされている。また、画素２０は、Ｒ用サブピクセル１７、Ｇ用サブピクセル１８及びＢ用サブピクセル１９により構成されている。

カソード電極１４は、基板１３上に複数設けられており、このカソード電極１４を覆うよう絶縁層１５が形成されている。絶縁層１５上には、カソード電極１４と直交するようゲート電極１６−１〜１６−３が設けられている。なお、３つのゲート電極１６−１〜１６−３は、同一構成とされている。

ゲート電極１６−１〜１６−３及び絶縁層１５には、カソード電極１４を露出する開口部Ｂが形成されており、カソード電極１４上には、冷陰極エミッタ２６が形成されている。この冷陰極エミッタ２６は、微細な形状に形成されている。冷陰極１１は、カソード電極１４と、冷陰極エミッタ２６と、絶縁層１５と、ゲート電極１６−１と、開口部Ｂとを含むよう構成されている。冷陰極１１は、Ｒ用サブピクセル１７、Ｇ用サブピクセル１８、Ｂ用サブピクセル１９のそれぞれに対して複数設けられている。

このように、１つのサブピクセルに対して複数の冷陰極１１を設け、複数の冷陰極エミッタ２６から電子を放出することで、冷陰極エミッタ２６の形状のばらつきによる個々の冷陰極エミッタ２６の電子放出特性の差が画素２０間の輝度に及ぼす影響を小さくして、輝度のばらつきやちらつきを抑制することができる（例えば、非特許文献１及び２参照。）。

基板２１は、冷陰極エミッタ２６と対向するよう配置されている。基板２１には、アノード電極２２が設けられており、アノード電極２２には、蛍光体２４が形成されている。蛍光体２４は、赤色蛍光体２４Ｒと、緑色蛍光体２４Ｇと、青色蛍光体２４Ｂとから構成されている。

このような構成とされた電界放出型ディスプレイ１０においては、走査ライン２５−１、走査ライン２５−２、走査ライン２５−３の順で走査が行われる。図２に示すように、例えば走査ライン２５−２を走査する場合には、ゲート電極１６−２のみに所定の正の電圧を印加し、冷陰極エミッタ２６から電子を放出させ、等電位線Ｄにより電子ビームＣは多少集束して、蛍光体２４に照射されて発光する。

また、他の従来技術としては、画素毎にＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｉｔｏｒ）やＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をアレイ状に配置して、冷陰極エミッタに十分な電圧を供給して、画素間の電子の放出量を均一にする電界放出型ディスプレイがある。

さらに、その他の従来技術としては、走査したい所望の走査ラインと、走査したい所望の走査ラインの上下方向に隣接する走査ラインとを同時に発光させて、輝度のばらつきを抑制する技術がある（例えば、特許文献１参照。）。
日経マイクロデバイス別冊‘フラットパネル・ディスプレイ2002戦略編’，日経BP社，pp.190-204，2002 G.G.Lee, et al,’The Full-Color Video Images with Uniquely-GatedCarbon Nano-tube Field Emission Display’,SID '02 Digest,pp.1125-1127,2002 特開２００３−１７７６９４号公報

しかしながら、ディスプレイを高精細化した際、画素２０の大きさは小さくなるため、従来の電界放出型ディスプレイ１０のように１つのサブピクセルに複数の冷陰極１１を形成することは困難であるという問題があった。

また、大画面の電界放出型ディスプレイを高精細化した場合には、小さな画素毎に数多くのＦＥＴやＴＦＴを設けることが困難であるという問題があった。

さらに、走査したい所望の走査ラインと、その上下方向に隣接する走査ラインとを同時に発光させる従来技術の場合には、表示された画像の解像度が低下するため、ディスプレイの高精細化ができないという問題があった。

そこで本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、画素間の輝度のばらつきやちらつきを抑制し、高精細な画像を得ることのできる電界放出型ディスプレイを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。

請求項１記載の発明では、第１の基板上で走査ラインに直交するよう設けられた複数のカソード電極と、絶縁層を介して、前記カソード電極と直交するよう設けられた複数のゲート電極と、該ゲート電極と前記カソード電極とが直交する位置に設けられた冷陰極群と、前記第１の基板に対向した第２の基板上で、該冷陰極群の位置に対向して設けられた蛍光体とを備えた電界放出型ディスプレイにおいて、前記第１の基板上の走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に正の電圧を印加し、該正の電圧が印加されたゲート電極に隣接する２つのゲート電極に、前記正の電圧よりも小さい正の電圧を印加することを特徴とする電界放出型ディスプレイにより、解決できる。

上記発明によれば、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に対応した冷陰極群と、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に隣接する２つのゲート電極に対応した冷陰極群とから従来よりも多くの数の電子を放出させ、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する電圧とこれに隣接する２つのゲート電極に印加する電圧の差により、電子ビームを集束させて、所望の走査ラインに対応した蛍光体に照射し、画素間の輝度のばらつきやちらつきを抑制して、高精細な画像を得ることができる。

請求項２記載の発明では、前記走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する前記正の電圧は、ゲート電極毎に変えることを特徴とする請求項１に記載の電界放出型ディスプレイにより、解決できる。

上記発明によれば、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する前記正の電圧をゲート電極毎に変えることにより、放出される電子の数の調整と電子ビームの集束とを行うことができる。また、従来の電界放出型ディスプレイの構成を変更する必要がなく、従来の電界放出型ディスプレイに適用することができる。

請求項３記載の発明では、前記走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極、及びこれに隣接した２つのゲート電極以外のゲート電極には、負の電圧を印加することを特徴とする請求項２に記載の電界放出型ディスプレイにより、解決できる。

上記発明によれば、等電位線の形状を下に凸の分布にして、この等電位線により冷陰極群から放出された電子ビームの集束をさらに促進して、画素間の輝度のばらつきやちらつきを抑制し、高精細な画像を得ることができる。

請求項４記載の発明では、第１の基板上で走査ラインに直交するよう設けられた複数のカソード電極と、該カソード電極上に設けられた絶縁層を介して、前記カソード電極と直交するよう設けられた複数のゲート電極と、該ゲート電極と前記カソード電極とが直交する位置に設けられた複数の冷陰極群と、前記第１の基板に対向した第２の基板上で、前記走査ラインと直交する方向に配置された前記冷陰極群の冷陰極群間の位置に対向して設けられた蛍光体とを備えた電界放出型ディスプレイにおいて、前記第１の基板上の走査したい所望の走査ラインに対応した２つのゲート電極に正の電圧を印加し、該正の電圧が印加されたゲート電極以外のゲート電極には、負の電圧を印加することを特徴とする電界放出型ディスプレイにより、解決できる。

上記発明によれば、走査したい所望の走査ラインに対応した２つのゲート電極に正の電圧を印加し、該正の電圧が印加されたゲート電極以外のゲート電極には、負の電圧を印加することにより、２つのゲート電極に対応した冷陰極群から電子を放出させると共に、等電位線を形成して、この等電位線により電子ビームを走査したい所望の走査ラインに対応した蛍光体に集束させ、画素間の輝度のばらつきやちらつきを抑制して、高精細な画像を得ることができる。

請求項５記載の発明では、前記走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する正の電圧は、前記ゲート電極毎に変えることを特徴とする請求項４に記載の電界放出型ディスプレイにより、解決できる。

上記発明によれば、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する前記正の電圧をゲート電極毎に変えることにより、放出される電子の数の調整と電子ビームの集束とを行うことができる。また、従来の電界放出型ディスプレイの構成を変更する必要がなく、従来の電界放出型ディスプレイに適用することができる。

請求項６記載の発明では、第１の基板上で走査ラインに直交するよう設けられた複数のカソード電極と、該カソード電極上に設けられた絶縁層を介して、前記カソード電極と直交するよう設けられた複数のゲート電極と、該ゲート電極と前記カソード電極とが直交する位置で、走査ライン方向及び前記走査ラインに直交する方向に交互に設けられた冷陰極群と、前記第１の基板に対向した第２の基板上で、冷陰極群間の位置に対向してデルタ配列された蛍光体とを備えた電界放出型ディスプレイにおいて、前記第１の基板上の走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に正の電圧を印加し、該正の電圧が印加されたゲート電極に隣接する２つのゲート電極に、前記正の電圧よりも小さい正の電圧を印加し、前記正の電圧が印加されたゲート電極、及びこれに隣接する２つのゲート電極以外のゲート電極には、負の電圧を印加することを特徴とする電界放出型ディスプレイにより、解決できる。

上記発明によれば、正の電圧が印加されたゲート電極に隣接する２つのゲート電極に対応した冷陰極群から電子を放出すると共に、等電位線を形成し、この等電位線により電子ビームを走査したい所望の走査ラインに対応した蛍光体に集束させて、画素間の輝度のばらつきやちらつきを抑制して、高精細な画像を得ることができる。

請求項７記載の発明では、前記走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する正の電圧は、ゲート電極毎に変えることを特徴とする請求項６に記載の電界放出型ディスプレイにより、解決できる。

上記発明によれば、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する前記正の電圧をゲート電極毎に変えることにより、放出される電子の数の調整と電子ビームの集束とを行うことができる。また、従来の電界放出型ディスプレイの構成を変更する必要がなく、従来の電界放出型ディスプレイに適用することができる。

本発明によれば、画素間の輝度のばらつきやちらつきを抑制して、高精細な画像を得ることができる。

次に、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。

（第１実施例）
始めに、図３を参照して、第１実施例による電界放出型ディスプレイ４０の構成について説明する。図３は、本発明の第１実施例による電界放出型ディスプレイの概略図である。なお、図３において、Ｘ，Ｘ方向は、図５に示す走査ライン６５−１〜６５−ｎの長手方向を示しており、Ｙ，Ｙ方向は、Ｘ，Ｘ方向と直交する方向（カソード電極５２の長手方向）を示している。

電界放出型ディスプレイ４０は、データ入力端子４１と、制御装置４２と、ゲートドライバ４３と、データドライバ４４と、ディスプレイ本体４５とにより構成されている。データ入力端子４１は、映像データである画像データａを制御装置４２に供給するためのものである。制御装置４２は、電界放出型ディスプレイ４０の制御全般を行うものであり、制御信号ｂによりデータドライバ４４の駆動を制御し、制御信号ｃによりゲートドライバ４３の駆動を制御するためのものである。

また、制御装置４２は、データ入力端子４１から入力された画像データａをデータドライバ４４に入力する。データドライバ４４は、制御信号ｂに基づいて、電界放出型ディスプレイ４０内に設けられたカソード電極５２（図５参照）に対して電圧を印加するためのものである。ゲートドライバ４３は、制御信号ｃに基づき、走査を行うためのものである。これにより、データドライバ４４に入力された画像データａをどの垂直位置で表示するかが制御される。

電界放出型ディスプレイ４０は、ディスプレイ本体４５の表示領域４６に画像を表示するためのものであり、複数の冷陰極５０を有した構成とされている。

次に、図４及び図５を参照して、第１実施例のディスプレイ本体４５について説明する。図４は、第１実施例のディスプレイ本体の断面図であり、図５は、図４に示した背面板の平面図である。

ディスプレイ本体４５は、前面板４７と、複数の冷陰極５０を有した冷陰極群１２０を有した背面板４８とにより構成されている。前面板４７は、大略すると第２の基板である基板６１と、アノード電極６２と、蛍光体６３とを有した構成とされている。基板６１の背面板４８と対向する面には、アノード電極６２が設けられている。蛍光体６３は、冷陰極群１２０の位置に対向するアノード電極６２上に設けられている。蛍光体６３は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体から構成されており、サブピクセル６８毎に上記３色のいずれかの蛍光体が設けられている。サブピクセル６８は、前面板４７上に位置している。画素７５は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体に対応した３つのサブピクセル６８により構成されており、前面板４７上に位置している。複数の上記３色の蛍光体６３は、それぞれのカソード電極５２に対応している。

背面板４８は、複数の冷陰極５０を有した冷陰極群１２０と、電子放出部７０，７１とを有しており、大略すると第１の基板である基板５１と、ｍ（１，２，３，・・・）本のカソード電極５２と、絶縁層５３と、ゲート電極５５−０〜５５−（ｎ＋１）と、冷陰極エミッタ５６−０〜５６−（ｎ＋１）とを有した構成とされている。冷陰極群１２０は、カソード電極５２とゲート電極５５−０〜５５−（ｎ＋１）とが直交する位置に設けられている。なお、説明の便宜上、ゲート電極と冷陰極エミッタの符号を変えたが、それぞれのゲート電極５５−０〜５５−（ｎ＋１）は同一構成とされており、それぞれの冷陰極エミッタ５６−０〜５６−（ｎ＋１）も同一構成とされている。

次に、図４に示した冷陰極５０を例に挙げて、冷陰極５０の構成について説明する。冷陰極５０は、基板５１上に設けられており、カソード電極５２と、絶縁層５３と、ゲート電極５５−１と、冷陰極エミッタ５６−１とにより構成されている。

基板５１上には、カソード電極５２と、絶縁層５３と、ゲート電極５５−１とが順次形成されており、絶縁層５３及びゲート電極５５−１には、カソード電極５２を露出する開口部Ｅが形成されている。開口部Ｅは、走査ライン６５−１と対向する位置に形成されている。開口部Ｅにより露出されたカソード電極５２には、冷陰極エミッタ５６−１が形成されている。このような構成とされた冷陰極５０は、サブピクセル６８に対して複数設けられている。なお、開口部Ｅは、走査ライン６５−２〜６５−ｎと対向する位置にも形成されている。

ディスプレイ本体４５には、ｎ（１，２，３，・・・）本の走査ラインが設けられており、それぞれの走査ライン６５−１〜６５−ｎと対向する背面板４８の位置に設けられた構造体の構成は同一構成とされている。

次に、電子放出部７０，７１について説明する。電子放出部７０は、複数の冷陰極５０を有した冷陰極群１２０を有しており、大略するとゲート電極５５−０と、冷陰極エミッタ５６−０と、絶縁層５３と、カソード電極５２とから構成されている。電子放出部７０は、１番目の走査ライン６５−１（表示領域の最上部に形成された走査ライン）が隣接する非表示領域６４に設けられている。非表示領域６４は、表示領域４６の外に設けられており、画像を表示しない領域である。冷陰極群１２０は、ゲート電極５５−０とカソード電極５２とが直交する位置に設けられている。

このような電子放出部７０を設けることで、１番目の走査ライン６５−１を走査する際、電子放出部７０に設けられた冷陰極群１２０からも電子を放出することができる。

電子放出部７１は、複数の冷陰極５０を有した冷陰極群１２０を有しており、大略するとゲート電極５５−（ｎ＋１）と、冷陰極エミッタ５６−（ｎ＋１）と、絶縁層５３と、カソード電極５２とから構成されている。電子放出部７１は、ｎ番目の走査ライン６５−ｎ（表示領域の最下部に形成された走査ライン）が隣接する非表示領域６４に設けられている。冷陰極群１２０は、ゲート電極５５−（ｎ＋１）とカソード電極５２とが直交する位置に設けられている。

このような電子放出部７１を設けることで、ｎ番目の走査ライン６５−ｎを走査する際、電子放出部７１に設けられた冷陰極群１２０からも電子を放出することができる。さらに、後述するように、走査したい所望の走査ラインに対向したゲート電極と、その両側のゲート電極に位置する冷陰極群１２０とから電子を放出させる場合には、それぞれの走査ライン６５−１〜６５−ｎに対して放出される電子の数の差が小さくなるため、画素７５間の輝度のばらつきやちらつきを抑制することができる。なお、電子放出部７０，７１は、走査ライン６５−１〜６５−ｎと対向する背面板４８の構造体と同様な構成とされている。

次に、図４を参照して、１本目の走査ライン６５−１を走査する場合を例に挙げて、走査方法について説明する。走査ライン６５−１を走査する際には、ゲート電極５５−１（この場合の走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極）に正の電圧Ｖ_ＦＰ、ゲート電極５５−１の両隣に位置するゲート電極５５−０，５５−２とに電圧Ｖ_ＦＰよりも小さい正の電圧Ｖ_Ｇ、それ以外のゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

このように、ゲート電極５５−１に正の電圧Ｖ_ＦＰ、ゲート電極５５−１の両隣に位置するゲート電極５５−０とゲート電極５５−２とに正の電圧Ｖ_Ｇを印加することで、冷陰極エミッタ５６−０〜５６−２からそれぞれ電子が放出される。 また、ゲート電極５５−１に正の電圧Ｖ_ＦＰを印加し、ゲート電極５５−０，５５−２に正の電圧Ｖ_ＦＰよりも小さい電圧Ｖ_Ｇを印加し、かつその他のゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮを印加することで、等電位線Ｈの分布は下に凸になり、この下に凸の等電位線Ｈにより電子ビームＪは集束し、アノード電極６２により加速されて走査ライン６５−１に対応した蛍光体に照射される。

また、走査したい所望の走査ライン６５−１に対応したゲート電極５５−１と隣り合うゲート電極５５−０，５５−２に正の電圧Ｖ_Ｇを印加し、ゲート電極５５−１に位置する冷陰極５０の冷陰極エミッタ５６−１から電子を放出させるだけでなく、ゲート電極５５−０，５５−２に位置する冷陰極５０の冷陰極エミッタ５６−０，５６−２からも電子を放出させることができる。

これにより、電界放出型ディスプレイ４０の高精細化により画素７５のサイズが小さい場合（サブピクセル６８のサイズが小さく、サブピクセル６８に対して多くの冷陰極５０を設けることができない場合）において、それぞれの画素７５に対応した蛍光体に電子を放出する冷陰極５０の個数を増加させ、個々の冷陰極エミッタの電子放出特性が画像に及ぼす影響を小さくして、電界放出型ディスプレイの画素７５間の輝度のばらつきやちらつきを抑制して、高精細な画像を得ることができる。

さらに、複数のゲート電極５５−０〜５５−（ｎ＋１）に印加する電圧の値をゲート電極毎に変えて、放出される電子の数の調整と電子ビームＪの集束とを行うため、別途電界放出型ディスプレイの構成を変更する必要がなく、従来の構成の電界放出型ディスプレイに適用することができる。

次に、図６を参照して、第１実施例の電界放出型ディスプレイ４０の駆動方法について説明する。図６は、第１実施例の電界放出型ディスプレイの駆動波形を示した図である。なお、図６において、１Ｈは１水平ラインを走査する時間を示しており、１Ｆは１画面を構成する（１画面を走査する）のに要する時間を示している。本実施例では、ｎ本の走査ライン６５−１〜６５−ｎがあるので、１Ｆ＝ｎ×１Ｈとなる。また、図６中に示した、（ａ）はゲート電極５５−０の電圧パルスの波形、（ｂ）はゲート電極５５−１の電圧パルスの波形、（ｃ）はゲート電極５５−２の電圧パルスの波形、（ｄ）はゲート電極５５−３の電圧パルスの波形、（ｅ）はゲート電極５５−（ｎ−１）の電圧パルスの波形、（ｆ）はゲート電極５５−ｎの電圧パルスの波形、（ｇ）はゲート電極５５−（ｎ＋１）の電圧パルスの波形、（ｈ）はアノード電極６２の電圧パルスの波形、（ｉ）はカソード電極５２の電圧パルスの波形をそれぞれ示している。なお、カソード電極５２は、表示輝度レベルにより電圧−Ｖ_ＣＣが印加される時間が変化するため、電圧パルスは斜線で示している。

図６に示すように、１番目（表示領域の最上部に形成された走査ライン）の走査ライン６５−１を走査するために、時刻ｔ１において、ゲート電極５５−０とゲート電極５５−２とに正の電圧Ｖ_Ｇ、ゲート電極５５−１に正の電圧Ｖ_ＦＰ（Ｖ_ＦＰ＞Ｖ_Ｇ）、それ以外のゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

これにより、冷陰極エミッタ５６−０〜５６−２から電子が放出され、また、先の図４で説明したように、等電位線Ｈは下に凸の分布になるため、電子ビームＪは集束し、アノード電極６２により加速されて蛍光体６３に照射され、蛍光体６３が発光する。

次に、２番目の走査ライン６５−２を走査するために、時刻ｔ２において、ゲート電極５５−１とゲート電極５５−３とに正の電圧Ｖ_Ｇ、ゲート電極５５−２に正の電圧Ｖ_ＦＰ、それ以外のゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

これにより、冷陰極エミッタ５６−１〜５６−３から電子が放出され、また、
等電位線Ｈは下に凸の分布になるため、電子ビームＪは集束し、アノード電極６２により加速されて蛍光体６３−２に照射され、蛍光体６３−２が発光する。同様に、３番目の走査ライン６５−３，４番目の走査ライン，・・・，ｎ番目の走査ライン６５−ｎと順次走査を行う。ｎ番目（表示領域の最下部に形成された走査ライン）の走査ライン６５−ｎを走査する際は、時刻ｔｎにおいて、ゲート電極５５−（ｎ−１）とゲート電極５５−（ｎ＋１）とに正の電圧Ｖ_Ｇ、ゲート電極５５−ｎに正の電圧Ｖ_ＦＰ、それ以外のゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

以上説明したように、電界放出型ディスプレイ４０の非表示領域６４に電子放出部７０，７１を設け、上記駆動方法により電界放出型ディスプレイ４０を駆動させることにより、駆動回路を変更することなく、画素７５間の輝度のばらつきやちらつきを抑制し、高精細な画像を得ることができる。なお、本実施例では、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極とこれに隣接する２つのゲート電極との３つのゲート電極に正の電圧を印加して、電子を放出させたが、３つ以上のゲート電極に正の電圧を印加して、電子を放出させても良い。また、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極とこれに隣接する２つのゲート電極とに正の電圧を印加し、他のゲート電極に電圧を印加しない場合においても、本実施例と同様な効果を得ることができる。

（第２実施例）
第２実施例の電界放出型ディスプレイは、ディスプレイ本体以外の構成は、第１の電界放出型ディスプレイ４０と同様な構成とされている。

次に、図７及び図８を参照して、第２実施例のディスプレイ本体８０について説明する。図７は、第２実施例のディスプレイ本体の断面図であり、図８は、図７に示した背面板の平面図である。なお、図７において、図４と同一構成部分には同一符号を付す。

ディスプレイ本体８０は、前面板８１と、複数の冷陰極群１２０を備えた背面板８２とにより構成されている。前面板８１は、大略すると第２の基板である基板６１と、アノード電極６２と、蛍光体６３とを有した構成とされている。また、本実施例の走査ライン８４−１〜８４−ｎの基板５１（第１の基板）に対する位置は、第１実施例に示したディスプレイ本体４５の走査ライン６５−１〜６５−ｎの基板５１に対する位置と比較して、半ピッチずれた構成とされている。

蛍光体６３は、基板５１上に設けられた冷陰極群１２０間の位置に対向するアノード電極６２上の位置に設けられている。蛍光体６３は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体から構成されており、サブピクセル８５毎に上記３色のいずれかの蛍光体が設けられている。サブピクセル８５は、前面板８１上に位置している。画素８６は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体に対応した３つのサブピクセル８５により構成されており、前面板８１上に位置している。複数の上記３色の蛍光体６３は、それぞれのカソード電極５２に対応している。

背面板８２には、複数の冷陰極５０を有した冷陰極群１２０が設けられており、大略すると、第１の基板である基板５１と、ｍ（１，２，３，・・・）本のカソード電極５２と、絶縁層５３と、ゲート電極５５−１〜５５−（ｎ＋１）と、冷陰極エミッタ５６−１〜５６−（ｎ＋１）とを有した構成とされている。背面板８２は、第１実施例に示した背面板４８の構成から電子放出部７０，７１に対応した構成を取り除いた構成とされている。冷陰極群１２０は、サブピクセル８５毎に設けられている。

次に、図７を参照して、走査ライン８４−１を走査する場合を例に挙げて、走査方法について説明する。走査ライン８４−１（この場合の走査したい所望の走査ライン）を走査する際には、走査ライン８４−１に対応した２つのゲート電極５５−１，５５−２に正の電圧Ｖ_Ｇ、それ以外の全てのゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

このように、走査したい所望の走査ライン８４−１に対応したゲート電極５５−１，５５−２に正の電圧Ｖ_Ｇを印加することで、冷陰極エミッタ５６−１，５６−２から電子が放出するため、従来の電界放出型ディスプレイと比較して電子数が２倍になる。また、走査したい所望の走査ライン８４−１に対応したゲート電極５５−１，５５−２に正の電圧Ｖ_Ｇ、それ以外の全てのゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮをそれぞれ印加することで、等電位線Ｋの分布は下に凸になり、電子ビームＬは集束し、アノード電極６２により加速されて走査ライン８４−１に対応する蛍光体に照射される。

これにより、電界放出型ディスプレイの高精細化により画素８６のサイズが小さい場合（サブピクセル８５のサイズが小さく、サブピクセル８５毎に設けられた冷陰極群１２０に数多くの冷陰極５０を設けることができない場合）において、それぞれの画素８６に対応した蛍光体に電子を放出する冷陰極５０の個数を増加させ、個々の冷陰極エミッタの電子放出特性が画像に及ぼす影響を小さくして、電界放出型ディスプレイの画素８６間の輝度のばらつきやちらつきを抑制して、高精細な画像を得ることができる。

さらに、複数のゲート電極５５−１〜５５−（ｎ＋１）に印加する電圧の値をゲート電極毎に変えて、放出される電子の数の調整と電子ビームＬの集束とを行うため、別途電界放出型ディスプレイの構成を変更する必要がなく、従来の構成の電界放出型ディスプレイに適用することができる。

次に、図９を参照して、第２実施例の電界放出型ディスプレイの駆動方法について説明する。図９は、第２実施例の電界放出型ディスプレイの駆動波形を示した図である。なお、図９において、１Ｈは１水平ラインを走査する時間を示しており、１Ｆは１画面を構成する（１画面を走査する）のに要する時間を示している。本実施例では、ｎ本の走査ライン８４−１〜８４−ｎがあるので、１Ｆ＝ｎ×１Ｈとなる。また、図９中に示した、（ａ）はゲート電極５５−１の電圧パルスの波形、（ｂ）はゲート電極５５−２の電圧パルスの波形、（ｃ）はゲート電極５５−３の電圧パルスの波形、（ｄ）はゲート電極５５−４の電圧パルスの波形、（ｅ）はゲート電極５５−ｎの電圧パルスの波形、（ｆ）はゲート電極５５−（ｎ＋１）の電圧パルスの波形、（ｇ）はアノード電極６２の電圧パルスの波形、（ｈ）はカソード電極５２の電圧パルスの波形をそれぞれ示している。なお、カソード電極５２は、表示輝度レベルにより電圧−Ｖ_ＣＣが印加される時間が変化するため、電圧パルスは斜線で示している。

図９に示すように、１番目の走査ライン８４−１を走査するために、時刻ｔ１において、１番目の走査ライン８４−１に対応した２つのゲート電極５５−１，５５−２に正の電圧Ｖ_Ｇ、それ以外の全てのゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

これにより、冷陰極エミッタ５６−１，５６−２から電子が放出され、また、先の図７で説明したように、等電位線Ｋは下に凸の分布になるため、電子ビームＬは集束し、アノード電極６２により加速されて走査ライン８４−１に対応する蛍光体に照射され、蛍光体が発光する。

次に、２番目の走査ライン８４−２を走査するために、時刻ｔ２において、２番目の走査ライン８４−２に対応した２つのゲート電極５５−２，５５−３に正の電圧Ｖ_Ｇ、それ以外の全てのゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

これにより、冷陰極エミッタ５６−２，５６−３から電子が放出され、また、等電位線Ｋの分布は下に凸になるため、電子ビームＬは集束し、アノード電極６２により加速されて走査ライン８４−２に対応する蛍光体に照射され、蛍光体が発光する。同様に、３番目の走査ライン８４−３，４番目の走査ライン，・・・，ｎ番目の走査ライン８４−ｎと順に走査を行う。

ｎ番目の走査ライン８４−ｎを走査する際は、時刻ｔｎにおいて、ｎ番目の走査ライン８４−ｎに対応した２つのゲート電極５５−ｎ，５５−（ｎ＋１）に正の電圧Ｖ_Ｇ、それ以外の全てのゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加して行う。

以上説明したような電界放出型ディスプレイを上記駆動方法で駆動させることにより、駆動回路を変更することなく、画素８６間の輝度のばらつきやちらつきを抑制し、高精細な画像を得ることができる。なお、本実施例では、走査したい所望の走査ラインに対応した２つのゲート電極に正の電圧を印加して、電子を放出させたが、走査したい所望の走査ラインに対応した２つのゲート電極の近傍に位置するゲート電極にも正の電圧を印加して、電子を放出させても良い。

（第３実施例）
第３実施例の電界放出型ディスプレイは、第１及び第２実施例に示した電界放出型ディスプレイの２倍の数の走査ライン（２ｎ本）を有した構成とされている。

次に、図１０及び図１１を参照して、第３実施例のディスプレイ本体１００について説明する。図１０は、第３実施例のディスプレイ本体の断面図であり、図１１は、図１０に示した背面板の平面図である。なお、図１０において、図４と同一構成部分には同一符号を付す。

ディスプレイ本体１００は、前面板１０３と、複数の冷陰極５０を有した冷陰極群１０８を備えた背面板１０４とにより構成されている。前面板１０３は、大略すると第２の基板である基板６１と、アノード電極６２と、蛍光体１０２−１〜１０２−２ｎとを有した構成とされている。蛍光体１０２−１〜１０２−２ｎは、冷陰極群１０８間の位置に対向するアノード電極６２上に、デルタ状に配設されている。蛍光体１０２−１〜１０２−２ｎは、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体から構成されており、サブピクセル１０９毎に上記３色のいずれかの蛍光体が設けられている。サブピクセル１０９は、前面板１０３上に位置している。画素１１０は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体に対応した３つのサブピクセル１０９により構成されており、前面板１０３上に位置している。また、表示領域４６には、２ｎ本の走査ライン１０１−１〜１０１−２ｎが設けられており、１本目（表示領域の最上部に形成された走査ライン）の走査ライン１０１−１には蛍光体１０２−１、２本目の走査ライン１０１−２には蛍光体１０２−２、・・・、２ｎ本目（表示領域の最下部に形成された走査ライン）の走査ライン１０１−２ｎには蛍光体１０２−２ｎがそれぞれ対応している。

背面板１０４には、複数の冷陰極５０を備えた冷陰極群１０８と、電子放出部１０５，１０６とを有しており、大略すると、第１の基板である基板５１と、ｍ（１，２，３，・・・）本のカソード電極１０７と、絶縁層５３と、ゲート電極５５−０〜５５−（２ｎ＋１）と、冷陰極エミッタ５６−０〜５６−（２ｎ＋１）とを有した構成とされている。冷陰極形成部１０８は、平面視した図１１において、蛍光体１０２−１〜１０２−２ｎと対向しない位置で、かつゲート電極５５−０〜５５−（２ｎ＋１）とカソード電極１０７とが直交する位置に設けられている。

電子放出部１０５は、複数の冷陰極５０を備えた冷陰極群１０８を有しており、大略するとゲート電極５５−０と、冷陰極エミッタ５６−０と、絶縁層５３と、カソード電極１０７とを有した構成されている。電子放出部１０５は、１番目の走査ライン１０１−１の近傍の非表示領域６４に設けられている。電子放出部１０５の冷陰極群１０８に設けられた冷陰極５０は、蛍光体１０２−１に電子を放出するためのものである。

このような電子放出部１０５を設けることで、１番目の走査ライン１０１−１（表示領域の最上部に形成された走査ライン）を走査する際、電子放出部１０５に設けられた冷陰極５０からも電子を放出することができる。

電子放出部１０６は、複数の冷陰極５０を備えた冷陰極群１０８を有しており、大略するとゲート電極５５−（２ｎ＋１）と、冷陰極エミッタ５６−（２ｎ＋１）と、絶縁層５３と、カソード電極１０７とを有した構成されている。電子放出部１０６は、２ｎ番目（表示領域の最下部に形成された走査ライン）の走査ライン１０１−２ｎの近傍の非表示領域６４に設けられている。電子放出部１０６の冷陰極群１０８に設けられた冷陰極５０は、蛍光体１０２−２ｎに電子を放出するためのものである。

このような電子放出部１０６を設けることで、２ｎ番目の走査ライン１０１−ｎを走査する際、電子放出部１０６に設けられた冷陰極５０からも電子を放出することができる。

さらに、走査したい所望の走査ラインの上下方向に位置する２つのゲート電極に設けられた冷陰極５０から電子を放出させる場合、ゲート電極５５−１又はゲート電極５５−２ｎと隣接するゲート電極５５−０又はゲート電極５５−２ｎ＋１に位置する冷陰極５０から電子を放出させて、走査ライン１０１−１又は走査ライン１０１−２ｎが発光した際の画素１１０間の輝度のばらつきを小さくすることができる。

次に、図１０を参照して、１本目の走査ライン１０１−１を走査する場合を例に挙げて、走査方法について説明する。走査ライン１０１−１を走査する際には、走査ライン１０１−１に対応したゲート電極５５−１に正の電圧Ｖ_ＦＰ、ゲート電極５５−１の両隣に位置する２つのゲート電極５５−０，５５−２に電圧Ｖ_ＦＰよりも小さい正の電圧Ｖ_Ｇ、それ以外の全てのゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極１０７に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

このように、走査ライン１０１−１に対応したゲート電極５５−１に正の電圧Ｖ_ＦＰ、ゲート電極５５−１の両隣に位置する２つのゲート電極５５−０，５５−２に電圧Ｖ_ＦＰよりも小さい正の電圧Ｖ_Ｇを印加することで、従来技術よりも多くの電子を冷陰極エミッタ５６−０，５６−２から放出することができる。また、ゲート電極５５−１に正の電圧Ｖ_ＦＰを印加し、ゲート電極５５−０，５５−２に電圧Ｖ_ＦＰよりも低い正の電圧Ｖ_Ｇを印加し、かつその他のゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＣＣを印加することで、等電位線Ｍは下に凸の分布になるため、電子ビームＮは集束し、アノード電極６２により加速されて蛍光体１０２−１に照射される。

これにより、電界放出型ディスプレイの高精細化により画素１１０のサイズが小さい場合（サブピクセル１０９のサイズが小さい場合）において、それぞれの画素１１０に対応した蛍光体に電子を放出する冷陰極５０の個数を増加させ、個々の冷陰極エミッタの電子放出特性が画像に及ぼす影響を小さくして、電界放出型ディスプレイの画素１１０間の輝度のばらつきやちらつきを抑制して、高精細な画像を得ることができる。

さらに、複数のゲート電極５５−０〜５５−（２ｎ＋１）に印加する電圧の値をゲート電極毎に変えて、放出される電子の数の調整と電子ビームＮの集束とを行うため、別途電界放出型ディスプレイの基本構成を変更する必要がなく、従来の電界放出型ディスプレイと同様な手法により作成することができる。

次に、図１２を参照して、第３実施例の電界放出型ディスプレイの駆動方法について説明する。図１２は、第３実施例の電界放出型ディスプレイの駆動波形を示した図である。なお、図１２において、１Ｈは１水平ラインを走査する時間を示しており、１Ｆは１画面を構成する（１画面を走査する）のに要する時間を示している。本実施例では、２ｎ本の走査ライン１０１−１〜１０１−２ｎがあるので、１Ｆ＝２ｎ×１Ｈとなる。また、図１２中に示した（ａ）はゲート電極５５−０の電圧パルスの波形、（ｂ）はゲート電極５５−１の電圧パルスの波形、（ｃ）はゲート電極５５−２の電圧パルスの波形、（ｄ）はゲート電極５５−３の電圧パルスの波形、（ｅ）はゲート電極５５−（２ｎ−１）の電圧パルスの波形、（ｆ）はゲート電極５５−２ｎの電圧パルスの波形、（ｇ）はゲート電極５５−（２ｎ＋１）の電圧パルスの波形、（ｈ）はアノード電極６２の電圧パルスの波形、（ｉ）はカソード電極５２の電圧パルスの波形をそれぞれ示している。なお、カソード電極５２は、表示輝度レベルにより電圧−Ｖ_ＣＣが印加される時間が変化するため、電圧パルスは斜線で示している。

図１２に示すように、１番目の走査ライン１０１−１を走査するために、時刻ｔ１において、ゲート電極５５−１に正の電圧Ｖ_ＦＰ、ゲート電極５５−０とゲート電極５５−２とに正の電圧Ｖ_Ｇ（Ｖ_Ｇ＜Ｖ_ＦＰ）、それ以外のゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

これにより、冷陰極エミッタ５６−０，５６−２から電子が放出され、また、先の図１０で説明したように、等電位線Ｍは下に凸の分布になるため、電子ビームＮは集束し、アノード電極６２により加速されて蛍光体１０２−１に照射され、蛍光体１０２−１が発光する。

次に、２番目の走査ライン１０１−２を走査するために、時刻ｔ２において、ゲート電極５５−２に正の電圧Ｖ_ＦＰ、ゲート電極５５−１とゲート電極５５−３とに正の電圧Ｖ_Ｇ、それ以外のゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

これにより、冷陰極エミッタ５６−１，５６−３から電子が放出され、等電位線Ｍは下に凸の分布になるため、冷陰極エミッタ５６−１，５６−３から電子が放出され、電子ビームＮは集束し、アノード電極６２により加速されて蛍光体１０２−２に照射され、蛍光体１０２−２が発光する。同様に、３番目の走査ライン１０１−３，４番目の走査ライン１０１−４，・・・，２ｎ番目の走査ライン１０１−２ｎの順に走査を行う。２ｎ番目の走査ライン１０１−２ｎの走査する際は、時刻ｔ２ｎにおいて、ゲート電極５５−（２ｎ−１）とゲート電極５５−（２ｎ＋１）とに正の電圧Ｖ_Ｇ、ゲート電極５５−２ｎに正の電圧Ｖ_ＦＮ、それ以外のゲート電極に負の電圧−Ｖ_ＦＮ、アノード電極６２に正の電圧Ｖ_Ａ、カソード電極５２に負の電圧−Ｖ_ＣＣをそれぞれ印加する。

以上説明したような電界放出型ディスプレイを上記駆動方法で駆動させることにより、駆動回路を変更することなく、画素１１０間の輝度のばらつきやちらつきを抑制し、高精細な画像を得ることができる。なお、本実施例では、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に正の電圧を印加し、所望の走査ラインに対応したゲート電極と隣接する２つのゲート電極に正の電圧を印加して電子を放出させたが、走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極と隣接する２つのゲート電極を含む２つ以上のゲート電極に正の電圧を印加して、電子を放出させても良い。

以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。なお、第１実施例〜第３実施冷に記載した電界放出型ディスプレイの駆動方法を先の背景技術で例に挙げた「特開２００３−１７７６９４号公報」に記載の電界放出型ディスプレイに適用しても良い。

本発明は、画素間の輝度のばらつきやちらつきを抑制して、高精細な画像を得ることができる電界放出型ディスプレイに適用できる。

従来技術である電界放出型ディスプレイの概略を示した斜視図である。 図１に示した電界放出型ディスプレイのＡ−Ａ線方向の断面図である。 本発明の第１実施例による電界放出型ディスプレイの概略図である。 第１実施例のディスプレイ本体の断面図である。 図４に示した背面板の平面図である。 第１実施例の電界放出型ディスプレイの駆動波形を示した図である。 第２実施例のディスプレイ本体の断面図である。 図７に示した背面板の平面図である。 第２実施例の電界放出型ディスプレイの駆動波形を示した図である。 第３実施例のディスプレイ本体の断面図である。 図１０に示した背面板の平面図である。 第３実施例の電界放出型ディスプレイの駆動波形を示した図である。

符号の説明

１０，４０ 電界放出型ディスプレイ
１１，５０ 冷陰極
１３，２１，５１，６１ 基板
１４，５２，１０７ カソード電極
１８，２６，５６−０〜５６−（２ｎ＋１） 冷陰極エミッタ
１５，５３ 絶縁層
１６−１〜１６−３，５５−０〜５５−（２ｎ＋１） ゲート電極
１７ Ｒ用サブピクセル
１８ Ｇ用サブピクセル
１９ Ｂ用サブピクセル
２０，７５，８６，１１０ 画素
２２，６２ アノード電極
２４，６３，１０２−１〜１０２−２ｎ 蛍光体
２４Ｒ 赤色蛍光体
２４Ｇ 緑色蛍光体
２４Ｂ 青色蛍光体
２５−１〜２５−３，６５−１〜６５−ｎ，８４−１〜８４−ｎ，１０１−１〜１０１−２ｎ 走査ライン
４１ データ入力端子
４２ 制御装置
４３ ゲートドライバ
４４ データドライバ
４５，８０，１００ ディスプレイ本体
４６ 表示領域
４７，８１，１０３ 前面板
４８，８２，１０４ 背面板
６４ 非表示領域
６８，８５，１０９ サブピクセル
７０，７１，１０５，１０６ 電子放出部
１０８，１２０ 冷陰極群
Ｂ，Ｅ 開口部
Ｃ，Ｊ，Ｌ，Ｎ 電子ビーム
Ｄ，Ｈ，Ｋ，Ｍ 等電位線
ａ 画像データ
ｂ，ｃ 制御信号

Claims (7)

1. 第１の基板上で走査ラインに直交するよう設けられた複数のカソード電極と、
   絶縁層を介して、前記カソード電極と直交するよう設けられた複数のゲート電極と、
   該ゲート電極と前記カソード電極とが直交する位置に設けられた冷陰極群と、
   前記第１の基板に対向した第２の基板上で、該冷陰極群の位置に対向して設けられた蛍光体とを備えた電界放出型ディスプレイにおいて、
   前記第１の基板上の走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に正の電圧を印加し、
   該正の電圧が印加されたゲート電極に隣接する２つのゲート電極に、前記正の電圧よりも小さい正の電圧を印加することを特徴とする電界放出型ディスプレイ。
2. 前記走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する前記正の電圧は、ゲート電極毎に変えることを特徴とする請求項１に記載の電界放出型ディスプレイ。
3. 前記走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極、及びこれに隣接した２つのゲート電極以外のゲート電極には、負の電圧を印加することを特徴とする請求項２に記載の電界放出型ディスプレイ。
4. 第１の基板上で走査ラインに直交するよう設けられた複数のカソード電極と、
   該カソード電極上に設けられた絶縁層を介して、前記カソード電極と直交するよう設けられた複数のゲート電極と、
   該ゲート電極と前記カソード電極とが直交する位置に設けられた複数の冷陰極群と、
   前記第１の基板に対向した第２の基板上で、前記走査ラインと直交する方向に配置された前記冷陰極群の冷陰極群間の位置に対向して設けられた蛍光体とを備えた電界放出型ディスプレイにおいて、
   前記第１の基板上の走査したい所望の走査ラインに対応した２つのゲート電極に正の電圧を印加し、
   該正の電圧が印加されたゲート電極以外のゲート電極には、負の電圧を印加することを特徴とする電界放出型ディスプレイ。
5. 前記走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する正の電圧は、前記ゲート電極毎に変えることを特徴とする請求項４に記載の電界放出型ディスプレイ。
6. 第１の基板上で走査ラインに直交するよう設けられた複数のカソード電極と、
   該カソード電極上に設けられた絶縁層を介して、前記カソード電極と直交するよう設けられた複数のゲート電極と、
   該ゲート電極と前記カソード電極とが直交する位置で、走査ライン方向及び前記走査ラインに直交する方向に交互に設けられた冷陰極群と、
   前記第１の基板に対向した第２の基板上で、冷陰極群間の位置に対向してデルタ配列された蛍光体とを備えた電界放出型ディスプレイにおいて、
   前記第１の基板上の走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に正の電圧を印加し、
   該正の電圧が印加されたゲート電極に隣接する２つのゲート電極に、前記正の電圧よりも小さい正の電圧を印加し、
   前記正の電圧が印加されたゲート電極、及びこれに隣接する２つのゲート電極以外のゲート電極には、負の電圧を印加することを特徴とする電界放出型ディスプレイ。
7. 前記走査したい所望の走査ラインに対応したゲート電極に印加する正の電圧は、ゲート電極毎に変えることを特徴とする請求項６に記載の電界放出型ディスプレイ。

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