JP4561330B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態について、以下に、図面を参照して説明する。図1は、本実施形態における撮像装置の構成を示すブロック図である。
図1に示す撮像装置は、被写体を撮像することで入射光量に応じた画像信号と出力部のゲイン及びオフセットを表すダミー信号とを出力する固体撮像装置1と、固体撮像装置1から出力される画像信号及びダミー信号をデジタル信号に変換するA/D変換部2と、A/D変換部2でデジタル信号に変換されたダミー信号の平均値を求める平均値算出部3と、平均値演算部で得られたダミー信号の平均値に基づいて補正量を設定する補正量演算部4と、補正量演算部4で得られた補正量に基づいてA/D変換部2でデジタル信号に変換された画像信号に対して補正処理を施す補正処理部5と、補正処理部5で補正処理された画像信号に対して各種画像処理を施す画像処理部6と、固体撮像装置1における各信号の電圧値の制御を行う信号制御部7と、を備える。
このように構成される撮像装置における固体撮像装置1について、図2を参照して説明する。図2の固体撮像装置1は、行列配置(マトリクス配置)されるとともに撮像動作を行う画素G11〜Gmnと、2行分設置されるとともにダミー信号を出力するダミー画素Gx11〜Gxm2とを備える。そして、画素G11〜Gmn及びダミー画素Gx11〜Gxm2より、垂直走査回路11によって行毎に信号が行(ライン)13−a,13−b,13−1,13−2,…,13−nに順次与えられることで、各行毎に、各列のダミー画素及び画素の信号が出力信号線14−1,14−2,…,14−mそれぞれに出力される。尚、mを2以上の偶数とするとともに、nを1以上の自然数とする。
この図2のような構成の固体撮像装置1における各画素G11〜Gmn及び各ダミー画素Gx11〜Gxm2の一構成例を、図3に示す。図3に示す画素は、カソードに直流電圧VPSが印加されたフォトダイオードPDのアノードにMOSトランジスタT1のソースが接続され、このMOSトランジスタT1のドレインにMOSトランジスタT4のソース及びMOSトランジスタT2のゲートが接続される。
まず、固体撮像装置1のダミー画素Gx11〜Gxm2によってダミー信号生成動作が行われるときの各部の動作について、図面を参照して説明する。図4は、固体撮像装置1のダミー画素Gx11〜Gxm2とスイッチS1−1〜S1−m,S2−1〜S2−mそれぞれに与える信号の状態を示す水平ブランク期間のタイミングチャートである。このダミー信号生成動作は、水平ブランク期間毎に、ダミー画素Gx11〜Gxm2が、Gx11〜Gxm1、Gx12〜Gxm2の順で、各行毎にダミー信号生成動作を行って、各ダミー画素からのダミー信号が出力される。
次に、この固体撮像装置1の画素G11〜Gmnによって通常の撮像動作が行われるときの各部の動作について、図面を参照して説明する。図5は、固体撮像装置1の画素G11〜GmnとスイッチS1−1〜S1−m,S2−1〜S2−mそれぞれに与える信号の状態を示す水平ブランク期間のタイミングチャートである。このとき、水平ブランク期間毎に、画素G11〜Gmnが、G11〜Gm1、G12〜Gm2、…、G1n〜Gmnの順で、各行毎に撮像動作を行うとともに、撮像して得られた画像信号が出力される。
ダミー信号生成動作と通常の撮像動作とが各フレーム毎に同一フレームにおいて行われるとき、信号制御部7より固体撮像装置1に各信号が与えられると、固体撮像装置1において、ダミー画素Gx11〜Gxm2によるダミー信号生成動作が行われる。このとき、まず、ダミー画素Gx11,Gx31,…,Gx(m-1)1によるダミー信号が差動増幅器17aから順番に出力されるとともに、ダミー画素Gx21,Gx41,…,Gxm1によるダミー信号が差動増幅器17bから順番に出力される。そして、ダミー画素Gx12,Gx32,…,Gx(m-1)2によるダミー信号が差動増幅器17aから順番に出力されるとともに、ダミー画素Gx22,Gx42,…,Gxm2によるダミー信号が差動増幅器17bから順番に出力される。
ダミー信号生成動作と通常の撮像動作とが別のフレームにおいて行われるとき、複数フレームに毎に1フレームのダミー信号生成動作が行われる。まず、信号制御部7より固体撮像装置1に各信号が与えられて、ダミー画素Gx11〜Gxm2によるダミー信号生成動作が行われるとき、同一フレームの場合と同様、差動増幅器17a,17bそれぞれから各画素毎に出力されるダミー信号が、A/D変換部2に与えられてデジタル信号に変換された後、平均値算出部3に与えられる。
平均値算出部3より差動増幅器17aからのダミー信号の平均値V1a,V1bと差動増幅器17bからのダミー信号の平均値V2a,V2bとが、補正量演算部4に与えられると、補正量演算部4において、ダミー信号の平均値V1a,V1b,V2a,V2bに基づいて、差動増幅器17a,17bのオフセット量β1,β2の差が求められる。このとき、平均値算出部3より入力されるダミー信号の平均値に基づいて演算することによって、オフセット量の差Δβ(=β1−β2)が求められる。
この場合、平均値算出部3より差動増幅器17aからのダミー信号の平均値V1a,V1bと差動増幅器17bからのダミー信号の平均値V2a,V2bとが、補正量演算部4に与えられると、補正量演算部4において、ダミー信号の平均値V1a,V1b,V2a,V2bに基づいて、差動増幅器17a,17bのゲイン量α1,α2の比が求められる。このとき、平均値算出部3より入力されるダミー信号の平均値に基づいて演算することによって、ゲイン量の比dα(=α1/α2)が求められる。
V4x=(V4−β2)×dα+β2 …(1)
この場合、平均値算出部3より差動増幅器17aからのダミー信号の平均値V1a,V1bと差動増幅器17bからのダミー信号の平均値V2a,V2bとが、補正量演算部4に与えられると、補正量演算部4において、ダミー信号の平均値V1a,V1b,V2a,V2bに基づいて、差動増幅器17a,17bのゲイン量α1,α2及びオフセット量β1,β2それぞれが求められる。そして、求められた差動増幅器17a,17bのゲイン量α1,α2及びオフセット量β1,β2から、ゲイン量の比dα(=α1/α2)及びオフセットの差Δβ(=β1−β2)が求められる。
α1=(V1a−V1b)/(VLa−VLb) …(2)
α2=(V2a−V2b)/(VLa−VLb) …(3)
V4x=(V4−β2)×dα+(β2+Δβ) …(4)
本発明の第2の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、図6は、本実施形態における撮像装置に備えられる固体撮像装置の構成を示すブロック図である。又、本実施形態における撮像装置の構成が、第1の実施形態と同様の図1に示す構成とされる。更に、図6の固体撮像装置における画素及びダミー画素の構成はそれぞれ、第1の実施形態と同様、図3の構成となる。この画素及びダミー画素それぞれの動作についても、第1の実施形態と同様、図4及び図5それぞれのタイミングチャートに従った動作を行う。又、図6の構成において、図2の構成と同一の目的で使用する部分については、同一の符号を付してその詳細な説明は省略する。
2 A/D変換部
3 平均値算出部
4 補正量演算部
5 補正処理部
6 画像処理部
7 信号制御部
11 垂直走査回路
12 水平走査回路
13−1〜13−n ライン
14−1〜14−m 出力信号線
15−1〜15−m,16−1〜16−m バッファ
17a,17b 差動増幅器
S1−1〜S1−m,S2−1〜S2−m スイッチ
C1−1〜C1−m,C2−1〜C2−m キャパシタ
Qa1〜Qam MOSトランジスタ
G11〜Gmn 画素
Gx11〜Gxm2 ダミー画素
Claims (11)
- 入射光量に応じた電気信号を出力する光電変換部を備える複数の画素と、所定数の前記画素と接続されるとともに前記画素の出力信号を時系列に読み出して画像信号を出力する読み出し回路と、を備える固体撮像装置において、
前記画素が、前記光電変換部から出力される電気信号が与えられる蓄積部を備え、当該蓄積部に与えられる電気信号に応じた出力信号を出力するものであり、
前記読み出し回路に接続され、前記画素と同一の構成であり、受光した光量に依存せず外部から蓄積部に与えられる電気信号に応じた出力信号をダミー信号として出力するとともに、当該蓄積部がリセットされた際の出力信号をノイズ信号として出力する複数のダミー画素を備え、
前記読み出し回路が、前記読み出し回路の特性を反映した値となる、ダミー信号とノイズ信号との差に基づいた差信号を出力することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ダミー画素の前記蓄積部に、ダミー信号が出力される際に与えられる電気信号の電圧値よりも大きい電圧値の電気信号が与えられることで、前記蓄積部がリセットされることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の画素がマトリクス状に配置されるとともに、前記ダミー画素が1行分配置されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記ダミー画素それぞれからダミー信号が複数回出力されることで、複数行分のダミー信号が出力されるとともに、ダミー信号が出力される毎に、前記ダミー画素の前記蓄積部に外部から与えられる電気信号の電圧値が異なることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の画素がマトリクス状に配置されるとともに、前記ダミー画素が2行以上配置されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置。
- 各行毎にダミー信号が出力される際に、前記ダミー画素の前記蓄積部に外部から与えられる電気信号の電圧値が異なることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。
- 前記ダミー画素の前記蓄積部に外部から異なる電圧値の電気信号が与えられて出力されるそれぞれのダミー信号と、ノイズ信号と、のそれぞれの差に基づいたそれぞれの差信号により、前記読み出し回路のオフセット量が確認されるとともに、
前記読み出し回路が、前記画素の前記蓄積部に前記光電変換部から出力された電気信号が与えられた状態の出力信号と当該蓄積部がリセットされた際の出力信号との差に基づいた画像信号を出力するとき、
画像信号に、前記読み出し回路のオフセット量に基づいた補正処理が施されることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記ダミー画素の前記蓄積部に外部から異なる電圧値の電気信号が与えられて出力されるそれぞれのダミー信号と、ノイズ信号と、のそれぞれの差に基づいたそれぞれの差信号により、前記読み出し回路のゲイン量が確認されるとともに、
前記読み出し回路が、前記画素の前記蓄積部に前記光電変換部から出力された電気信号が与えられた状態の出力信号と当該蓄積部がリセットされた際の出力信号との差に基づいた画像信号を出力するとき、
画像信号に、前記読み出し回路のゲイン量に基づいた補正処理が施されることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記ダミー画素の前記蓄積部に外部から異なる電圧値の電気信号が与えられて出力されるそれぞれのダミー信号と、ノイズ信号と、のそれぞれの差に基づいたそれぞれの差信号により、前記読み出し回路のゲイン量及びオフセット量が確認されるとともに、
前記読み出し回路が、前記画素の前記蓄積部に前記光電変換部から出力された電気信号が与えられた状態の出力信号と当該蓄積部がリセットされた際の出力信号との差に基づいた画像信号を出力するとき、
画像信号に、前記読み出し回路のゲイン量及びオフセット量に基づいた補正処理が施されることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記読み出し回路を複数備え、差信号により確認されるそれぞれの前記読み出し回路の特性の差を小さくする補正処理が、前記読み出し回路が前記画素から読み出した画像信号に施されることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれかに記載の固体撮像装置。
- いずれかの前記読み出し回路を基準とし、基準とならない前記読み出し回路の特性を基準となる前記読み出し回路の特性に近づける補正処理が、基準とならない前記読み出し回路が前記画素から読み出した画像信号に施されることを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。
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