JP4553183B2 - マルチpHセンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)半導体基板を下地として、先端にAu−Si合金からなる合金部を有する、突起からなるプローブを複数結晶成長させる、
(2)プローブの表面にAu、Pt、または、Irからなる素地を付着する、
(3)前記素地にチオール基を有する物質を固定する、
(4)前記チオール基を有する物質の上にアミノ基を有する物質を固定する、
各プロセスを有することを特徴とする。
図1は、この発明に係るマルチpHセンサの基本的な構成を例示している。
(1)化学顕微鏡としての応用分野;pH計測・電気化学的分野、ガス分布計測分野・滴定の二次元的動的観察および解析
(2)環境計測・環境;バイオリメディエーションへの適用
(3)食品検査・食品、微生物
(4)ME分野・医学・生態組織;組織細胞表面および内部のpH計測、DNA計測
(5)バイオ分野
(6)動植物分野・植物;カルスの表面および内部電位分布計測・生物・正面図動物
(7)腐蝕計測分野・金属;金属腐蝕と塗装・コーティング
(8)ゼータ電位等表面解析・粉体、セラミックスのゼータ電位。
2 プローブ
3 信号処理回路
4 先端部(pH検出端)
5 側面部
Claims (4)
- 半導体基板を下地として結晶成長させた、突起からなるプローブを複数有するマルチプローブタイプのセンサであって、
前記プローブは、先端にAu−Si合金からなる合金部を有しており、
前記合金部には、Au、Pt、または、Irからなる素地が固定されており、
前記素地には、チオール基を有する物質が固定されており、
前記チオール基を有する物質には、アミノ基を有する物質が固定されており、
試料中の水素イオン濃度(pH)に感応する機能を有することを特徴とするマルチpHセンサ。 - 前記マルチpHセンサであって、異なる高さを有するプローブが配列されて形成されることを特徴とする請求項1記載のマルチpHセンサ。
- 前記半導体基板に、少なくとも1以上の増幅回路あるいは/および信号処理回路を形成したことを特徴とする請求項1または2記載のマルチpHセンサ。
- マルチプローブタイプのセンサの製造方法であって、
(1)半導体基板を下地として、先端にAu−Si合金からなる合金部を有する、突起からなるプローブを複数結晶成長させる、
(2)プローブの表面にAu、Pt、または、Irからなる素地を付着する、
(3)前記素地にチオール基を有する物質を固定する、
(4)前記チオール基を有する物質の上にアミノ基を有する物質を固定する、
各プロセスを有することを特徴とするマルチpHセンサの製造方法。
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JP2004153747A JP4553183B2 (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | マルチpHセンサおよびその製造方法 |
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