JP4552002B2

JP4552002B2 - 気液分離膜およびその製造方法

Info

Publication number: JP4552002B2
Application number: JP2003363594A
Authority: JP
Inventors: 学根岸; 宏光八谷; 誠志郎大屋; 雅彦三橋
Original assignee: Kanagawa Prefecture; DKK TOA Corp
Current assignee: Kanagawa Prefecture; DKK TOA Corp
Priority date: 2003-10-23
Filing date: 2003-10-23
Publication date: 2010-09-29
Anticipated expiration: 2023-10-23
Also published as: JP2005125232A

Description

本発明は、ガスセンサなどに用いられる気液分離膜およびその製造方法に関する。

電量式及び定電位電解式ガスセンサは、気液分離膜（隔膜）とセンサ本体等の内部に、作用極（検知極）・対極などとともに内部液（電解液）などを保持した構造を有したものであり、低濃度ガスに対しても迅速に応答する性能を有したガスセンサである。このガスセンサに備えられる気液分離膜は、測定対象試料気体中の成分ガスをセンサの内部に輸送し、電気化学的な検出反応に供するとともに、反応に不可欠な内部液をセンサの内部に閉じこめて保持するという機能を有する。
ガスセンサに備えられる気液分離膜としては、例えば、貫通孔が形成された２枚のシリコン基板が有機接着剤等を用いて接合され、その接合面に各シリコン基板の貫通孔同士を連通させる浅溝が形成されたものが提案されている（特許文献１参照）。この気液分離膜は、一方のシリコン基板の片面に有機接着剤を塗布して接着層を設けた後、２枚のシリコン基板を位置合わせ（アライメント）し、重ね合わせて接合することで製造される。
特開２００２−２６３４５８号公報

しかしながら、特許文献１に記載の気液分離膜では、その製造方法において、有機接着剤を介して２枚のシリコン基板を接合するために、接着剤塗布面と被接着面とを接触させた時点で、有機接着剤が被接着面に付着してしまうことがあった。その際には、アライメントを続行することができなくなり、不正確な位置で接触させてしまった場合には修正することが困難になり、製品として利用できないことがあった。
ところで、この製造方法のように、２枚のシリコン基板をアライメントする際には、アライメント装置を用いることができる。アライメント装置でのアライメントでは顕微鏡観察しながら行うため、シリコン基板同士が近接したときにはじめてアライメントが可能になる。しかし、特許文献１に記載の気液分離膜の製造方法では、接着層を設けた分だけシリコン基板間の距離が離れており、顕微鏡のピントを合わせにくくなっているので、アライメントが困難であった。そのため、アライメントが不十分な時点でシリコン基板同士が接触し、不要な部分に有機接着剤が付着してしまうことがあったり、所定の位置以外の位置で接着してしまったりすることがあった。

また、特許文献１に記載の気液分離膜を製造する場合には、浅溝に有機接着剤を付着させてはならないため、有機接着剤の塗布方法が制限されるという問題があった。例えば、特許文献１の実施例では、シリコン基板を３ｍｍ×５ｍｍに切り分けてから、各シリコン基板の外側から有機接着剤を塗布していた。このように有機接着剤を塗布した結果、各製品の性能にバラツキが生じやすくなり、製品の信頼性や均一性が低下した。しかも、１個ずつ製造しなければならないため、多数を一括して製造できるという半導体プロセスのメリットが損なわれていた。
さらに、有機接着剤からなる接合層の厚みは、接着剤の塗布厚、接合時の加圧条件、硬化における膜厚変化など様々な条件によって変化するため、均一な製品を得ることが困難であった。
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、有機接着剤を用いずに２枚のシリコン基板を接合した気液分離膜およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の気液分離膜の製造方法は、表面に絶縁膜を備えた第１のシリコン基板と、第２のシリコン基板とに各々貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
第１のシリコン基板の絶縁膜あるいは第２のシリコン基板上に、気体透過孔となる部分を除いて、気体を選択的に透過し液体を透過しない開口長と同等の厚みのガラス膜を形成するガラス膜形成工程と、
第１のシリコン基板の絶縁膜と第２のシリコン基板とをガラス膜を介して接触させ、これらを陽極接合法により接合する接合工程とを有し、
前記ガラス膜形成工程では、前記気体透過孔となる部分が、第１のシリコン基板の貫通孔と連通する箇所と第２のシリコン基板の貫通孔と連通する箇所を有すると共に、前記各々の連通する箇所の間に、対向する第１のシリコン基板及び第２のシリコン基板によって前記ガラス膜の厚みと同等の開口長とされる部分を有するようにして、ガラス膜を成膜することを特徴とする。
また、本発明の気液分離膜は、絶縁膜を備えた第１のシリコン基板と、第１のシリコン基板の絶縁膜に接して、気体透過孔の部分を除き、気体を選択的に透過し液体を透過しない開口長と同等の厚みで設けられたガラス膜と、ガラス膜に接する第２のシリコン基板とを有し、
第１のシリコン基板および第２のシリコン基板には各々貫通孔が形成され、
前記気体透過孔は、第１のシリコン基板の貫通孔と連通する箇所と第２のシリコン基板の貫通孔と連通する箇所を有すると共に、前記各々の連通する箇所の間に、対向する第１のシリコン基板及び第２のシリコン基板によって前記ガラス膜の厚みと同等の開口長とされた部分を有することを特徴とする。
ここで、ガラス膜とは、アルカリ金属含有ケイ酸塩ガラスからなる薄膜のことであり、絶縁膜とは、酸化シリコン及び／又は窒化シリコンを主成分とし、アルカリ金属の含有量が１質量％以下の薄膜のことである。

本発明の気液分離膜の製造方法では、有機接着剤を用いていないから、アライメント工程にて第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とが接触しても接着することがなく、アライメント作業しやすい。また、通常の半導体プロセスを適用できるから、多数の気液分離膜を一括して製造できる。さらに、製品の性能のバラツキを抑えることができる。
本発明の気液分離膜は高精度であり、ガスセンサに備えた場合にはガス応答性を一定にできる。

本発明の気液分離膜およびその製造方法の実施形態例について説明する。
図１は、本実施形態例の気液分離膜の構成を示す図である。この気液分離膜１０は、シリコン層１１の表面に絶縁膜である酸化シリコン膜１２ａを備えた矩形状の第１のシリコン基板１３と、第１のシリコン基板１３の酸化シリコン膜１２ａに接するガラス膜１４と、ガラス膜１４に接する矩形状の第２のシリコン基板１５とを有するものである。
この気液分離膜１０の第１のシリコン基板１３には、その中央部に、第１のシリコン基板１３表裏を貫通する断面矩形状の貫通孔１６が１つ形成されている。また、第２のシリコン基板１５には、その中央部の両側に、第２のシリコン基板１５表裏を貫通する断面矩形状の貫通孔１７，１７が２つ形成されている。
また、ガラス膜１４は、酸化シリコン膜１２ａと第２のシリコン基板１５との間に、各シリコン基板１３，１５の貫通孔同士を連通する気体透過孔１８が形成されるように成膜されている。ここで、気体透過孔１８は、第１のシリコン基板１３の酸化シリコン膜１２ａと第２のシリコン基板１５との間にてガラス膜が成膜されなかった部分であり、ガラス膜１４と第２のシリコン基板１５とが重ねられたことにより形成された部分である。よって、気体透過孔１８の開口長Ｌはガラス膜１４の膜厚と同じである。

この気液分離膜１０においては、ガラス膜１４の膜厚は０．２〜５μｍである。ガラス膜１４の膜厚と気体透過孔１８の開口長Ｌとは同じであるから、ガラスの膜厚が５μｍ以下であれば、気体透過孔１８の開口長Ｌも５μｍ以下になる。そして、このような短い開口長であることで気体を選択的に透過する（すなわち、液体を透過しない）気体透過孔になる。
また、酸化シリコン膜１２ａを備えた第１のシリコン基板１３は、市販の酸化膜付きシリコン基板であり、酸化シリコン膜１２ａのアルカリ金属含有量が１×１０^１８ｃｍ^−３以下のものである。
第１のシリコン基板１３の貫通孔１６は、液体が透過できる大きさで開口している。

このように、気液分離膜１０においては、酸化シリコン膜１２ａと第２のシリコン基板１５との間に、第１のシリコン基板１３の貫通孔１６と第２のシリコン基板１５の貫通孔１７とを連通する気体透過孔１８が形成されており、この気体透過孔１８は気体を選択的に透過するので、第１のシリコン基板１３の貫通孔１６と第２のシリコン基板１５の貫通孔１７との間を気体は自由に移動でき、液体は移動不可能になっている。
そのため、この気液分離膜１０をガスセンサに備え、第２のシリコン基板１５の貫通孔１７，１７を試料気体導入孔とし、第１のシリコン基板１３の貫通孔１６に内部液を充填した場合には、試料気体は、第２のシリコン基板１５の貫通孔１７，１７から気体透過孔１８を通って第１のシリコン基板１３の貫通孔１６に充填された内部液に移動することができる。一方、第１のシリコン基板１３の貫通孔１６に充填された内部液は、第２のシリコン基板１５の貫通孔１７，１７からの漏洩が防がれている。

次に、気液分離膜の製造方法について図２〜図１２を参照して説明する
この製造方法では、図２に示すような、酸化シリコン膜１２ａ，１２ｂがシリコン層１１の両面に設けられたシリコン基板２１を出発材料として用い、まず、貫通孔形成工程において、シリコン基板２１の一方の酸化シリコン膜１２ａの中央部に、矩形状の孔部を１つ形成するようなエッチングパターンをフォトリソグラフィ技術により転写する。続いて、図３に示すように、一方の酸化シリコン膜１２ａをエッチングして、酸化シリコン膜１２ａ中央部に矩形状の孔部２２を１つ形成させる。そして、このようなパターンが形成された酸化シリコン膜１２ａを、その下層のシリコン１１層のマスクパターンとして利用して、酸化シリコン膜１２ａで覆われていないシリコン基板２１中央部のシリコン層１１をエッチングし、図４に示すように、貫通加工して貫通孔１６を形成する。このようにして貫通孔１６を有する第１のシリコン基板１３を得る。

次いで、ガラス膜形成工程において、図５に示すように、エッチングされた酸化シリコン膜１２ａの上にステンシルマスク２３を載せ、図６に示すように、スパッタ成膜して酸化シリコン膜１２ａ上にガラス膜１４を形成する。ここで、ステンシルマスク２３は、ガラス膜を形成させた際に、第１のシリコン基板の貫通孔と第２のシリコン基板の貫通孔とが連通するように、酸化シリコン膜と第２のシリコン基板との間に気体透過孔が形成するようなパターンが形成されたものである。具体的には、ステンシルマスク２３は、図５に示すように、酸化シリコン膜１２ａの上に載せた際に、第１のシリコン基板１３の貫通孔１６およびその少し外側を覆う被覆部２４と、被覆部２４の外側に位置し、レーザ加工で開けられた窓部２５を有する厚さ０．１ｍｍ厚のステンレス板である。このようなステンシルマスク２３を用いてガラス膜１４を成膜することによって、酸化シリコン膜１２ａと第２のシリコン基板１５との間に各シリコン基板の貫通孔同士を連通するような気体透過孔１８を形成することができる。

次いで、図７に示すように、上述のように形成したガラス膜１４の上に、保護層としての粘着シート２６を貼り合わせた後、図８に示すように、貫通孔が形成されていない他方の酸化シリコン膜を、フッ酸またはバッファードフッ酸でエッチング除去する。

これとは別に、図２に示すようなシリコン基板２１の一方の酸化シリコン膜１２ａの中央部の両側に、矩形状の孔部を２つ形成するようなエッチングパターンをフォトリソグラフィ技術により転写し、酸化シリコン膜１２ａをエッチングして、図９に示すように、酸化シリコン膜１２ａ中央部の両側に矩形状の孔部２７，２７を２つ形成させる。そして、この孔部２７，２７が形成された酸化シリコン膜１２ａをマスクパターンとして利用し、酸化シリコン膜１２ａで覆われないシリコン基板２１中央部両側のシリコン層１１をエッチングして、図１０に示すように、貫通加工して貫通孔１７，１７を形成する。次いで、図１１に示すように、両面の酸化シリコン膜をフッ酸またはバッファードフッ酸でエッチング除去する。このようにして、貫通孔１７，１７を有する第２のシリコン基板１５を得る。

そして、接合工程において、図１２に示すように、ガラス膜１４上に貼り合わされた粘着シートを剥離し、露出したガラス膜と第２のシリコン基板とを近接させる。この際、第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とが重なった際に形成される気体透過孔が、第１のシリコン基板の貫通孔と第２のシリコン基板の貫通孔とを連通するように第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを配置する。そして、その配置を保ったまま、第１のシリコン基板に電源の正極を接続し、第２のシリコン基板に電源の負極を接続し、電圧を印加して陽極接合して、図１に示すような気液分離膜１０を得る。

この製造方法の貫通孔形成工程において、シリコン基板のシリコン層１１のエッチングは、ほぼ垂直にエッチングできることから、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチングが好ましい。また、パターン形状や結晶方位を工夫すれば、水酸化カリウムによる異方性エッチング等も可能である。
また、ガラス膜形成工程において、ガラス膜１４の膜厚を制御する方法としては、スパッタ装置における、プラズマを発生させるアルゴンガスの流量、高周波電源の電圧、成膜時間を適宜選択する方法が挙げられる。

上述した製造方法にあっては、有機接着剤を用いないから、第１のシリコン基板１３と第２のシリコン基板１５とが接触してもアライメントを続けることができ、第１のシリコン基板１３と第２のシリコン基板１５とを所定の位置で正確に接合できる。また、半導体プロセスに適用できるから、１つずつ製造しなくてもよくなり、各製品の性能のバラツキを抑えることができ、製品の信頼性および均一性を向上させることができる。さらに、接合層であるガラス膜の厚みを一定にしやすいという点でも、製品の均一性が向上する。また、多数を一括して製造できるという半導体プロセスのメリットが損なわれない上に、この気液分離膜を用いれば、ガスセンサまで半導体プロセスによって製造できる。

また、上述した製造方法では、第１のシリコン基板１３が、絶縁膜である酸化シリコン膜１２ａを備えているので、陽極接合する際のガラス膜１４の絶縁破壊を抑制でき、その結果、ガラス膜１４を薄くできる。このように、ガラス膜１４を薄くできたため、酸化シリコン膜１２ａと第２のシリコン基板１５との間に形成される気体透過孔１８の開口長Ｌを、気体を選択的に透過する程度に短くできる。
さらに、上述した製造方法では、シリコン基板に浅溝を形成しないで、第１のシリコン基板１３の酸化シリコン膜１２ａと第２のシリコン基板１５との間に、ガラス膜１４の膜厚に応じた気体を選択的に透過する気体透過孔１８を形成するので、シリコン基板に浅溝を形成する場合に比べて気液分離膜を製造する工程数を少なくできる。

なお、上述した実施形態例では、酸化シリコン膜を備えたシリコン基板としては、市販の酸化膜付きシリコン基板を用いたが、本発明はこれに限定されず、例えば、シリコン基板の表面を酸化処理、ＣＶＤ、スパッタにより酸化シリコン膜を形成したものが挙げられる。

本実施例は、本発明の気液分離膜を用いた窒素酸化物濃度測定装置である。以下、窒素酸化物濃度測定装置の製造方法について説明する。
図１３および図１４に、この窒素酸化物濃度測定装置を示す。この窒素酸化物濃度測定装置３０は、厚さ１ｍｍのケイ酸塩ガラス板３１と、ケイ酸塩ガラス板３１に接し、酸化シリコン膜３２を備えた厚さ３００μｍの第１のシリコン基板３３と、第１のシリコン基板３３の酸化シリコン膜３２に接する厚さ２μｍのガラス膜３４と、ガラス膜３４に接する厚さ３００μｍの第２のシリコン基板３５とを有するものである。
この窒素酸化物濃度測定装置３０において、第１のシリコン基板３３および第２のシリコン基板３５には各々貫通孔３６，３７が形成されている。また、ガラス膜３４は、各シリコン基板の貫通孔３６，３７同士を連通し、気体を選択的に透過する気体透過孔３８が形成されるように成膜されている。ここで、気体透過孔３８が形成された部分およびその周辺のことを気液分離膜４０という。

第１のシリコン基板３３に形成された貫通孔３６は、ケイ酸塩ガラス板３１と重ねた際にケイ酸塩ガラス板３１の２つの貫通孔４１，４２に対応する各位置を端部４３，４４とし、これらの端部４３，４４を繋ぎつつ折り返し部（第１の折り返し部４５、第２の折り返し部４６）を２カ所有する形状のものである。この貫通孔３６には、液体状の発色試薬（ザルツマン試薬）が充填される。なお、第１のシリコン基板３５の貫通孔３６において、端部４３から第１の折り返し部４５までの直線部分のことを第１の直線部４７という。
第２のシリコン基板３５に形成された貫通孔３７，３７は、第１のシリコン基板３３と重ねた際に第１の直線部４７の少し外側の部分に対応する位置にスリット状に形成されている。
ケイ酸塩ガラス板３１には、２つの貫通孔４１，４２が形成されており、一方の貫通孔４１が発色試薬導入孔になり、他方の貫通孔４２が発色試薬排出孔になる。

この窒素酸化物濃度測定装置においては、気体が、第２のシリコン基板３５の貫通孔３７，３７および気体透過孔３８を介して第１のシリコン基板３３の貫通孔３６に移動できるようになっている。その一方で、貫通孔３６内の発色試薬が、貫通孔３７，３７および気体透過孔３８を介して漏洩しないようになっている。

この窒素酸化物濃度測定装置を用いて窒素酸化物濃度を測定する際には、まず、発色試薬導入孔（貫通孔４１）から発色試薬を導入する。その導入された発色試薬は、第１のシリコン基板３３の貫通孔３６からなる流路を通って発色試薬排出孔（貫通孔４２）に向かって流れる。ここで、発色試薬が気液分離膜４０を通過する際に、大気中の窒素酸化物が、第２のシリコン基板３５の貫通孔３７，３７および気体透過孔３８を介して第１のシリコン基板の貫通孔３６を流れる発色試薬に取り込まれる。窒素酸化物が取り込まれた発色試薬は発色し、その発色の程度は窒素酸化物濃度に応じる。
次いで、測定部４８にてケイ酸塩ガラス板３１側から第１のシリコン基板の貫通孔３６内の発色試薬に向けて測定光を当てる。光源から発した光は第１のシリコン基板３３の貫通孔３６を流れる発色試薬を透過し、さらに第２のシリコン基板３５にて反射する。そして、その反射光の減衰量を測定することで、大気中の窒素酸化物濃度を求めることができる。

次に、この窒素酸化物濃度測定装置の製造方法について説明する。
まず、図１５に示すように、ケイ酸塩ガラス板３１に２つの貫通孔４１，４２を形成させる。
次いで、酸化シリコン膜がシリコン層の両面に設けられ、ケイ酸塩ガラス板３１と同じ大きさの厚さ１μｍの市販のシリコン基板を出発材料として用い、貫通孔形成工程において、図１６に示すように、シリコン基板の一方の酸化シリコン膜に、１つの貫通孔３６をＩＣＰエッチングにより形成して第１のシリコン基板３３を得た。ここで、ＩＣＰエッチングの際に用いたエッチング装置は、住友精密工業製ＳＴＳＭｕｌｔｉｐｌｅｘ−ＩＣＰ：９８０９０２０であり、エッチングガスとしてＳＦ_６、Ｃ_４Ｆ_８、Ｏ_２を用い、エッチング時間を１時間以内とした。

これとは別に、図１７に示すように、シリコン基板の一方の酸化シリコン膜に２つのスリット状の貫通孔３７，３７をＩＣＰエッチングにより形成した。次いで、これを１：６バッファードフッ酸（５０質量％のＨＦ：４０質量％のＮＨ_４Ｆ＝１：６［ＨＦ；０．０７質量％＋ＨＦ；０．３４質量％］）に浸漬し、両面の酸化シリコン膜をエッチング除去して、貫通孔３７，３７を有する第２のシリコン基板３５を得た。

次いで、ガラス膜形成工程において、エッチングされた第１のシリコン基板３３の酸化シリコン膜３２の上に、被覆部と窓部を有するステンシルマスクを載せ、スパッタ成膜して酸化シリコン膜３２上にガラス膜を形成した。ここで、ガラス膜は、第１の直線部４７およびその直線部４７の少し外側の部分以外の部分上に成膜して、第１のシリコン基板３３の貫通孔３６と第２のシリコン基板３５の貫通孔３７，３７とが連通するようにした。また、ガラス膜形成時のターゲットとしてはコーニング社製＃７７４０を用い、ガス組成を３％Ｏ_２／Ａｒ、成膜時圧力を０．５ＭＰａ、基板温度を３００℃、陽極電圧を３ｋＶとした。
次いで、ガラス膜の上に保護層としての粘着シートを貼り合わせた後、貫通孔が形成されていない他方の酸化シリコン膜を、１：６バッファードフッ酸でエッチング除去した。

そして、ガラス膜上に貼り合わされた粘着シートを剥離し、接合工程において、ケイ酸塩ガラス板３１と第１のシリコン基板３３の酸化シリコン膜が形成されていない面とを接合した後、第１のシリコン基板３３上のガラス膜３４と第２のシリコン基板３５とを陽極接合装置チャンバ内で近接させた。この際、第１のシリコン基板３３と第２のシリコン基板３５とが重なった際に形成される気体透過孔３８が、第１のシリコン基板３３の貫通孔３６と第２のシリコン基板３５の貫通孔３７，３７とを連通するように第１のシリコン基板３３と第２のシリコン基板３５とを配置した。そして、その配置を保ったまま、第１のシリコン基板３３に電源の正極を接続し、第２のシリコン基板３５に電源の負極を接続し、電圧を印加して陽極接合した。この陽極接合においては、印加電圧を６０〜９０Ｖとし、陽極接合装置チャンバ内の圧力を２×１０^−３Ｐａ以下とし、陽極接合装置のヒータ温度を５００℃とした。
このようにして、図１３または図１４に示されるような、気体を選択的に透過する気体透過孔が形成された気液分離膜を設けた窒素酸化物濃度測定装置３０を得た。

本発明の気液分離膜は、ガスセンサなどに好適に利用できる。

本発明の一実施形態例に係る気液分離膜を示す図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ’断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態例に係る気液分離膜の製造方法の一工程を示す断面図である。実施例における窒素酸化物濃度測定装置を示す上面図である。図１３のＥ−Ｅ’断面図である。実施例におけるケイ酸塩ガラス板を示す上面図である。実施例における第１のシリコン基板を示す上面図である。実施例における第２のシリコン基板を示す上面図である。

符号の説明

１０気液分離膜
１２ａ酸化シリコン膜（絶縁膜）
１３第１のシリコン基板
１４ガラス膜
１５第２のシリコン基板
１６，１７貫通孔
１８気体透過孔

Claims

表面に絶縁膜を備えた第１のシリコン基板と、第２のシリコン基板とに各々貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
第１のシリコン基板の絶縁膜あるいは第２のシリコン基板上に、気体透過孔となる部分を除いて、気体を選択的に透過し液体を透過しない開口長と同等の厚みのガラス膜を形成するガラス膜形成工程と、
第１のシリコン基板の絶縁膜と第２のシリコン基板とをガラス膜を介して接触させ、これらを陽極接合法により接合する接合工程とを有し、
前記ガラス膜形成工程では、前記気体透過孔となる部分が、第１のシリコン基板の貫通孔と連通する箇所と第２のシリコン基板の貫通孔と連通する箇所を有すると共に、前記各々の連通する箇所の間に、対向する第１のシリコン基板及び第２のシリコン基板によって前記ガラス膜の厚みと同等の開口長とされる部分を有するようにして、ガラス膜を成膜することを特徴とする気液分離膜の製造方法。
絶縁膜を備えた第１のシリコン基板と、第１のシリコン基板の絶縁膜に接して、気体透過孔の部分を除き、気体を選択的に透過し液体を透過しない開口長と同等の厚みで設けられたガラス膜と、ガラス膜に接する第２のシリコン基板とを有し、
第１のシリコン基板および第２のシリコン基板には各々貫通孔が形成され、
前記気体透過孔は、第１のシリコン基板の貫通孔と連通する箇所と第２のシリコン基板の貫通孔と連通する箇所を有すると共に、前記各々の連通する箇所の間に、対向する第１のシリコン基板及び第２のシリコン基板によって前記ガラス膜の厚みと同等の開口長とされた部分を有することを特徴とする気液分離膜。