JP4549779B2

JP4549779B2 - 半導体装置

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Publication number: JP4549779B2
Application number: JP2004243828A
Authority: JP
Inventors: 潤小山; 剛長多; 隆徳松嵜
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2003-09-02
Filing date: 2004-08-24
Publication date: 2010-09-22
Anticipated expiration: 2024-08-24
Also published as: JP2005102488A

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に薄膜半導体素子で構成された整流回路を有する半導体装置に関する。また、整流回路を有する半導体装置を用いた電子機器に関する。

近年、通信技術の進歩に伴って、携帯電話が普及している。今後は更に動画の伝送やより多くの情報伝達が予想される。一方、パーソナルコンピュータもその軽量化によって、モバイル対応の製品が生産されている。電子手帳に始まったＰＤＡと呼ばれる情報端末も多数生産され普及しつつある。また、表示装置の発展により、それらの携帯情報機器のほとんどにはフラットパネルディスプレイが装備されている。

特に最近、低温ポリシリコンと呼ばれ、主にレーザーアニールを使ってガラス上にポリシリコンを形成する技術を使用して、画素のみでなくドライバーを薄膜トランジスタで構成した表示装置が普及しつつある。また、このような低温ポリシリコン技術を用いて回路の開発が進められている。ＣＰＵやメモリ回路なども発表されている。さらにはアナログ回路への応用も視野にはいってきている。
このようなアナログ回路では、表示装置の外部の非電気情報、たとえば、音声や、圧力などを検出するのにも使用することができる。音声信号をマイクロホンで電気信号に変換し、それを増幅したのち、整流回路および平滑回路で直流に変換し、その直流電位で検出の判断をおこなうことができる。
このような場合において、整流回路が必要であり、それを絶縁基板上の薄膜トランジスタで実現することができれば、低温ポリシリコンを用いた表示装置をよりシステマティックに構成することが可能となる。

一般に整流回路では図３に示すように、ダイオードとオペアンプを用いて整流回路を構成していた。このような回路は公知のものである。このような整流回路は電子機器を構成する上では、簡単に構成されるためよく使用されている（例えば非特許文献１参照。）。
定本ＯＰアンプ回路の設計３１６ページＣＱ出版

図３に示す回路の動作を以下に説明する。図３の整流回路は、オペアンプ３０１、ダイオード３０２、ダイオード３０３、抵抗３０４、抵抗３０５、平滑回路３０６、入力端子３０７、出力端子３０８、電源３０９で構成されている。

まず入力端子３０７に電源３０９より高い電位の信号が入力された場合を考える。オペアンプ３０１の反転入力端子は、非反転入力端子と等電位であり、非反転入力端子は電源３０９に接続されているため、反転入力端子の電位も電源３０９と等電位となる。従って、入力端子３０７から反転入力端子に向かって電流が流れる。その電流はダイオード３０３を介して、オペアンプ３０１の出力端子に流れる。オペアンプ３０１の出力電位は電源３０９の電位よりダイオード３０３のＶＦ１つ分下がった電位となる。このとき抵抗３０５には電流が流れないため、抵抗３０５の両端の電位はいずれも電源３０９と同じとなる。

次に、入力端子３０７に電源３０９より低い電位の信号が入力された場合を考える。この場合電流は、オペアンプ３０１の出力端子から、ダイオード３０２、抵抗３０５、抵抗３０４を介して入力端子３０７に流れる。この場合抵抗３０５とダイオード３０２の接続点には入力信号と逆相の出力が現れる。図４（Ａ）に入力信号、図４（Ｂ）に整流後の出力を示す。

前述したような従来の整流回路を薄膜トランジスタで構成し、絶縁基板上に整流回路を用いる場合、以下のような問題点があった。
従来の整流回路ではオペアンプを基本として、回路を組んでいるため、交流帰還をかけて使用する必要がある。ところが、薄膜トランジスタでは、素子の電流能力が小さいため、電流能力を上げるには素子を大きくする必要があるが、素子を大きくすると、寄生容量も大きくなるため、発振安定度が悪化し、交流帰還をかけられないという問題点があった。

したがって、従来の薄膜トランジスタで従来の整流回路を構成した場合、発振の問題を防ぐため、内部に発振防止容量を多く接続する必要があり、そのため周波数特性が低下するという問題点があった。これによって、整流波形は図４（Ｃ）のようになり、期待する波形が得られなくなっていた。

以上のような問題を解決するため、本発明者らは薄膜素子を用いて整流回路を搭載した半導体装置を実現するために、増幅機能と、増幅された信号波形を整形する波形整形機能と、波形整形された信号で制御可能なスイッチ機能とを備えた整流回路を備えたことを特徴としている。

本発明は、絶縁基板上に薄膜トランジスタによって構成された整流回路を有する半導体装置において、前記整流回路は増幅回路と、前記増幅回路の出力信号を波形整形する波形整形回路と、前記波形整形回路の出力信号で制御されるスイッチ回路とを有することを特徴としている。

本発明は、絶縁基板上に薄膜トランジスタによって構成された整流回路を有する半導体装置において、前記整流回路は増幅回路と、前記増幅回路の出力信号を波形整形する波形整形回路と、前記波形整形回路の出力信号で制御されるスイッチ回路、前記スイッチ回路に接続された抵抗とを有することを特徴としている。

本発明は、絶縁基板上に薄膜トランジスタによって構成された整流回路を有する半導体装置において、前記整流回路は入力端子と、電源と、増幅回路と、前記増幅回路の出力信号を波形整形する波形整形回路と、前記波形整形回路の出力信号で制御されるスイッチ回路とバッファアンプを有し、前記電源は前記スイッチ回路の第１の端子に接続され、前記入力端子は前記スイッチの第２の端子と、前記増幅回路に接続されることを特徴としている。

本発明は、絶縁基板上に薄膜トランジスタによって構成された整流回路を有する半導体装置において、前記整流回路は第１の入力端子と、第２の入力端子と、増幅回路と、前記増幅回路の出力信号を波形整形する波形整形回路と、前記波形整形回路の出力信号で制御されるスイッチ回路とバッファアンプを有し、前記第１の入力端子は前記スイッチ回路の第１の端子と、前記増幅回路の第１の入力端子に接続され、前記第２の入力端子は前記スイッチ回路の第２の端子と、前記増幅回路の第２の入力端子に接続されることを特徴としている。

本発明は、上記において、前記スイッチ回路はアナログスイッチ回路であることを特徴としている。

本発明は、上記において、前記アナログスイッチ回路はＮ型薄膜トランジスタとＰ型薄膜トランジスタを組み合わせたものであり、且つ、前記Ｎ型薄膜トランジスタと前記Ｐ型薄膜トランジスタのゲート幅は概ね等しいことを特徴としている。

本発明は、上記において、前記波形整形回路はインバータ回路であることを特徴としている。

本発明は、上記の半導体装置を備える電子機器である。

前述したように、本発明の半導体装置では、絶縁基板上に薄膜トランジスタを用い、且つ入力信号を増幅し、波形整形した信号によって、スイッチを制御し、入力信号をスイッチングすることによって、周波数特性に優れた整流回路を形成することが可能である。

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。

（実施形態１）
図１に本発明の第１の実施形態を示す。図１に示す実施形態は増幅回路１０１、波形整形回路１０２、抵抗１０３、スイッチ１０４、バッファアンプ１０５、平滑回路１０６、入力端子１０７、出力端子１０８によって構成されている。この回路は薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す。）によって形成されている。以下本実施形態の動作について説明をおこなう。

まず、入力端子１０７に入力された信号は増幅回路１０１によって増幅される。増幅回路１０１の出力は波形整形回路１０２に入力され、波形整形回路１０２によって、論理信号に整形される。波形整形された信号はスイッチ１０４の制御信号として入力され、スイッチ１０４をオンオフする。一方、入力端子１０７に入力された信号は、増幅回路１０１とともに抵抗１０３に入力される。

スイッチ１０４がオフのときは、信号は抵抗１０３を介して、バッファアンプ１０５に入力される。このとき、バッファアンプの入力インピーダンスを抵抗１０３の抵抗値より十分高く設定しておけば、抵抗でのロスはほとんど発生しないため、入力信号はバッファアンプ１０５を経て平滑回路１０６に入力される。

スイッチ１０４がオンのときはバッファアンプ１０５の入力は電源１０９に接続されるため、バッファアンプ１０５の出力は直流電位のみが出力される。これは図４（Ｂ）相当になる。整流された波形は、平滑回路で平滑されたのち、出力端子１０８に出力される。

このように本実施形態では、帰還をかけない増幅回路、波形整形回路、抵抗およびスイッチという構成を用いることによって、周波数特性を劣化させることなく、絶縁基板上にＴＦＴを用いて整流回路を構成できる。
このようにして、表示部分と整流回路を絶縁基板上に一体形成した半導体装置を形成することが可能になる。

（実施形態２）
図２に本発明の第２の実施形態を示す。図２に示す実施形態は増幅回路２０１、波形整形回路２０２、スイッチ２０４、バッファアンプ２０５、平滑回路２０６、入力端子２０７、出力端子２０８によって構成されている。以下本実施形態の動作について説明をおこなう。

まず、入力端子２０７に入力された信号は増幅回路２０１によって増幅される。増幅回路２０１の出力は波形整形回路２０２に入力され、波形整形回路２０２によって、論理信号に整形される。波形整形された信号はスイッチ２０４の制御信号として入力され、スイッチ２０４の接続を切り換える。一方、入力端子２０７に入力された信号は、増幅回路２０１とともにスイッチ２０４に入力される。

スイッチ２０４が「Ｂ」に接続されるときは、入力信号はバッファアンプ２０５に入力され、さらにバッファアンプ２０５を経て平滑回路２０６に入力される。

スイッチ２０４が「Ａ」に接続されるときは、バッファアンプ２０５の入力は電源２０９に接続されるため、バッファアンプ２０５の出力は直流電位のみが出力される。これは図４（Ｂ）相当となる。整流された波形は、平滑回路２０６で平滑されたのち、出力端子２０８に出力される。

このように本実施形態では、帰還をかけない増幅回路、波形整形回路、およびスイッチという構成を用いることによって、周波数特性を劣化させることなく、絶縁基板上にＴＦＴを用いて整流回路を構成できる。
このようにして、表示部分と整流回路を絶縁基板上に一体形成した半導体装置を形成することが可能になる。

図５に本発明の第１の実施例を示す。図５は図１に示した第１の実施形態を具体化したものである。図５に示す実施形態は増幅回路５０１、波形整形回路５０２、抵抗５０３、アナログスイッチＴＦＴ５１７、５１８、バッファアンプ５０５、平滑回路５０６、入力端子５０７、出力端子５０８によって構成されている。さらに、増幅回路５０１はＴＦＴ５１０〜５１３、電流源５１４によって構成され、波形整形回路５０２はインバータ５１５、５１６によって構成され、平滑回路５０６は抵抗５１９、容量５２０によって構成される。以下本実施例の動作について説明をおこなう。

まず、入力端子５０７に入力された信号は増幅回路５０１によって増幅される。増幅回路５０１はＴＦＴ５１２、５１３によって構成される差動回路とＴＦＴ５１０、５１１から構成されるカレントミラー回路によって構成される。入力端子５０７に電源５０９より高い電位の信号が入力されるとＴＦＴ５１２、５１０、５１１の電流がＴＦＴ５１３の電流より増加する。そして増幅回路５０１の出力はハイが出力される。入力端子５０７に電源５０９より低い電位の信号が入力されるとＴＦＴ５１２、５１０、５１１の電流がＴＦＴ５１３の電流より減少する。そして増幅回路５０１の出力はロウが出力される。

増幅回路５０１の出力は波形整形回路５０２に入力され、波形整形回路５０２によって、論理信号に整形される。本実施例では波形整形回路はインバータを用いており、波形整形された信号はアナログスイッチＴＦＴ５１７、５１８の制御信号として入力され、アナログスイッチＴＦＴ５１７、５１８をオンオフする。

増幅回路５０１の出力がハイであるとき、アナログスイッチＴＦＴ５１７、５１８はオフとなる。増幅回路５０１の出力がロウであるとき、アナログスイッチＴＦＴ５１７、５１８はオンになる。一方、入力端子５０７に入力された信号は、増幅回路５０１とともに抵抗５０３に入力される。

アナログスイッチＴＦＴ５１７、５１８がオフのときは、信号は抵抗５０３を介して、バッファアンプ５０５に入力される。このとき、バッファアンプの入力インピーダンスを抵抗５０３の抵抗値より十分高く設定しておけば、抵抗でのロスはほとんど発生しないため、入力信号はバッファアンプ５０５を経て平滑回路５０６に入力される。

アナログスイッチＴＦＴ５１７、５１８がオンのときはバッファアンプ５０５の入力は電源５０９に接続されるため、バッファアンプ５０５の出力は直流電位のみが出力される。これは図４（Ｂ）相当になる。整流された波形は、抵抗５１９、容量５２０よりなる平滑回路５０６で平滑されたのち、出力端子５０８に出力される。

ここで、スイッチＴＦＴのゲート容量による制御信号の影響を防止するため、アナログスイッチを構成するＰ型ＴＦＴ５１８、Ｎ型ＴＦＴ５１７のゲート幅は概ね等しいことが望ましい。

図１０に図５の第１の実施例に示す回路の動作を検証するために入力された正弦波と半波整流された出力波を示す。入力波は入力端子５０７に入力された１ｋＨｚ，１Ｖｐｐの正弦波の信号であり、出力波は出力端子５０８から出力された信号である。
出力波は、正弦波の半サイクルおきに一定電位となり、正弦波が正の半サイクルのときは同様の波形を出力し、正弦波が負の半サイクルのときは一定電位を出力している。
このように、出力波形を鈍らせることなく周波数特性に優れた整流回路が得られ、本発明の効果を確認することができた。

図６に本発明の第２の実施例を示す。図６は図２に示した第２の実施形態を具体化したものである。図６に示す実施形態は増幅回路６０１、波形整形回路６０２、アナログスイッチＴＦＴ６１７〜６２０、バッファアンプ６０５、平滑回路６０６、入力端子６０７、出力端子６０８によって構成されている。さらに、増幅回路６０１はＴＦＴ６１０〜６１３、電流源６１４によって構成され、波形整形回路６０２はインバータ６１５、６１６によって構成され、平滑回路６０６は抵抗６２１、容量６２２によって構成される。以下本実施例の動作について説明をおこなう。

まず、入力端子６０７に入力された信号は増幅回路６０１によって増幅される。増幅回路６０１はＴＦＴ６１２、６１３によって構成される差動回路とＴＦＴ６１０、６１１から構成されるカレントミラー回路によって構成される。入力端子６０７に電源６０９より高い電位の信号が入力されるとＴＦＴ６１２、６１０、６１１の電流がＴＦＴ６１３の電流より増加する。そして増幅回路６０１の出力はハイが出力される。入力端子６０７に電源６０９より低い電位の信号が入力されるとＴＦＴ６１２、６１０、６１１の電流がＴＦＴ６１３の電流より減少する。そして増幅回路６０１の出力はロウが出力される。

増幅回路６０１の出力は波形整形回路６０２に入力され、波形整形回路６０２によって、論理信号に整形される。本実施例では波形整形回路はインバータを用いており、波形整形された信号はアナログスイッチＴＦＴ６１７〜６２０の制御信号として入力され、アナログスイッチＴＦＴ６１７〜６２０をオンオフする。

増幅回路６０１の出力がハイであるとき、アナログスイッチＴＦＴ６１７、６１８はオフ、６１９、６２０はオンとなる。増幅回路６０１の出力がロウであるとき、アナログスイッチＴＦＴ６１７、６１８はオン、６１９、６２０はオフになる。一方、入力端子６０７に入力された信号は、増幅回路６０１とともにアナログスイッチＴＦＴ６１７、６１８に入力される。

アナログスイッチＴＦＴ６１７、６１８がオン、６１９、６２０がオフのときは、バッファアンプ６０５に入力され、バッファアンプ６０５を経て平滑回路６０６に入力される。アナログスイッチＴＦＴ６１７、６１８がオフ、６１９、６２０がオンのときはバッファアンプ６０５の入力は電源６０９に接続されるため、バッファアンプ６０５の出力は直流電位のみが出力される。これは図４（Ｂ）相当になる。整流された波形は、抵抗６２１、容量６２２よりなる平滑回路６０６で平滑されたのち、出力端子６０８に出力される。

ここで、スイッチＴＦＴのゲート容量による制御信号の影響を防止するため、アナログスイッチを構成するＰ型ＴＦＴ６１８、６１９、Ｎ型ＴＦＴ６１７、６２０のゲート幅は概ね等しいことが望ましい。

図８に本発明の第３の実施形態を示す。図８は全波整流回路の実施例である。図８に示す実施形態は増幅回路８０１、波形整形回路８０２、スイッチ８０４、バッファアンプ８０５、平滑回路８０６、入力端子８０７、８０９、出力端子８０８によって構成されている。以下本実施形態の動作について説明をおこなう。

入力端子８０７、８０９にはそれぞれ逆相の信号が入力され、入力端子８０７、８０９に入力された信号は増幅回路８０１によって増幅される。ここで増幅回路８０１は差動入力の増幅回路である。増幅回路８０１の出力は波形整形回路８０２に入力され、波形整形回路８０２によって、論理信号に整形される。波形整形された信号はスイッチ８０４の制御信号として入力され、スイッチ８０４の接続を切り換える。一方、入力端子８０７、８０９に入力された信号は、増幅回路８０１とともにスイッチ８０４に入力される。

スイッチ８０４が「Ａ」に接続されるときは、入力端子８０７の入力信号がバッファアンプ８０５に入力され、バッファアンプ８０５を経て平滑回路８０６に入力される。

スイッチ８０４が「Ｂ」に接続されるときは、入力端子８０９の入力信号がバッファアンプ８０５に入力され、バッファアンプ８０５を経て平滑回路８０６に入力される。全波整流された波形は、平滑回路８０６で平滑されたのち、出力端子８０８に出力される。

このように本実施形態では、帰還をかけない増幅回路、波形整形回路およびスイッチという構成を用いることによって、周波数特性を劣化させることなく、絶縁基板上にＴＦＴを用いて整流回路を構成できる。
このようにして、表示部分と整流回路を絶縁基板上に一体形成した半導体装置を形成することが可能になる。

図９は液晶表示部を備えた半導体装置９０１である。半導体装置９０１はＴＦＴ基板９０７、対向基板９０８、ＴＦＴ基板上に形成されたソース信号線駆動回路９０２、ゲート信号線駆動回路９０３、画素部９０４、音声信号回路９０５、ＦＰＣ９０６からなっている。音声信号回路はスピーカーを駆動するためのものでメインアンプ９０９、プリアンプ９１０、整流回路９１１よりなっている。

音声信号回路は外部より小さな音声信号を入力し、増幅をおこないスピーカーを駆動するものである。ここで、整流回路９１１は入力された音声信号を整流しその信号レベルを検出するものである。このようにして、たとえば、音量を自動調整することができる。
このように、本発明を用いることにより、絶縁基板上に、ＴＦＴを用いて周波数特性の良好な整流回路を構成することが可能となる。以上において、音声信号を整流する例を説明したが、本発明は音声信号に限定されず他の信号を整流することも可能であり、センサーなどを構成することも可能である。

以上のようにして構成される本発明の半導体装置は各種電子機器の用いることができる。以下に、本発明の半導体装置を組み込んだ電子機器について説明する。

その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）、テレビなどが挙げられる。

図７（Ａ）はノートパソコンであり、本体３２０１、筐体３２０２、表示部３２０３、キーボード３２０４、外部接続ポート３２０５、ポインティングマウス３２０６等を含んでおり、本発明の半導体装置は前記表示部などに使用することが可能である。本発明の整流回路を有する半導体装置を用いることにより、よりシステマティックな電子機器を構成することができる。

図７（Ｂ）は携帯情報端末であり、本体３３０１、表示部３３０２、スイッチ３３０３、操作キー３３０４、赤外線ポート３３０５等を含んでおり、本発明の半導体装置は前記表示部などに使用することが可能である。本発明の整流回路を有する半導体装置を用いることにより、よりシステマティックな電子機器を構成することができる。

本発明の適用範囲は極めて広く、上記のノートパソコン、携帯情報端末に限定されず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施形態１、２、実施例１〜３のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。

本発明の半導体装置に含まれる整流回路の実施形態を示す図。本発明の半導体装置に含まれる整流回路の実施形態を示す図。従来の半導体装置に含まれる整流回路の例を示す図。整流回路の波形を示す図。本発明の半導体装置に含まれる整流回路の実施例を示す図。本発明の半導体装置に含まれる整流回路の実施例を示す図。本発明の半導体装置を応用した電子機器を示す図。本発明の半導体装置に含まれる整流回路の実施例を示す図。本発明の半導体装置の実施例を示す図。実施例１により測定した整流回路の波形を示す図。

符号の説明

１０１増幅回路
１０２波形整形回路
１０３抵抗
１０４スイッチ
１０５バッファアンプ
１０６平滑回路
１０７入力端子
１０８出力端子
１０９電源

Claims

入力信号が入力される入力端子と、
出力端子と、
抵抗と、
前記入力信号に基づいて論理信号を形成する手段と、
前記論理信号により制御されるスイッチ回路と、
を有する整流回路を有し、
前記抵抗の第１の端子は前記入力端子に接続され、前記抵抗の第２の端子は前記出力端子に接続され、
前記スイッチ回路の第１の端子は電源に接続され、前記スイッチ回路の第２の端子は前記出力端子と前記抵抗の第２の端子に接続され、
前記スイッチ回路の動作により前記抵抗を介した前記入力信号又は前記電源の電位が前記出力端子に出力されることを特徴とする半導体装置。
絶縁基板上に整流回路を有し、
前記整流回路は、
入力信号が入力される入力端子と、
出力端子と、
抵抗と、
前記入力信号と電源の電位を比較する増幅回路と、
前記増幅回路の出力信号の波形を整形する波形整形回路と、
前記波形整形回路の出力信号によって制御されるスイッチ回路と、
を有し、
前記抵抗の第１の端子は前記入力端子に接続され、前記抵抗の第２の端子は前記出力端子に接続され、
前記スイッチ回路の第１の端子は前記電源に接続され、前記スイッチ回路の第２の端子は前記出力端子と前記抵抗の第２の端子に接続され、
前記スイッチ回路の動作により前記抵抗を介した前記入力信号又は前記電源の電位が前記出力端子に出力されることを特徴とする半導体装置。
絶縁基板上に整流回路を有し、
前記整流回路は、
入力信号が入力される入力端子と、
出力端子と、
抵抗と、
前記入力信号と電源の電位を比較する増幅回路と、
前記増幅回路の出力信号の波形を整形する波形整形回路と、
前記波形整形回路の出力信号によって制御されるスイッチ回路と、
を有し、
前記抵抗の第１の端子は前記入力端子に接続され、前記抵抗の第２の端子は前記出力端子に接続され、
前記スイッチ回路の第１の端子は前記電源に接続され、前記スイッチ回路の第２の端子は前記出力端子と前記抵抗の第２の端子に接続され、
前記スイッチ回路の動作により前記抵抗を介した前記入力信号又は前記電源の電位が前記出力端子に出力され、
前記増幅回路、前記波形整形回路、及び前記スイッチ回路は薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
絶縁基板上に整流回路を有し、
前記整流回路は、
入力信号が入力される入力端子と、
抵抗と、
前記入力信号と電源の電位を比較する増幅回路と、
前記増幅回路の出力信号の波形を整形する波形整形回路と、
前記波形整形回路の出力信号によって制御されるスイッチ回路と、
バッファアンプと、
を有し、
前記抵抗の第１の端子は前記入力端子に接続され、前記抵抗の第２の端子は前記バッファアンプの入力部に接続され、
前記スイッチ回路の第１の端子は前記電源に接続され、前記スイッチ回路の第２の端子は前記バッファアンプの入力部と前記抵抗の第２の端子に接続され、
前記スイッチ回路の動作により前記抵抗を介した前記入力信号又は前記電源の電位が前記バッファアンプの入力部に入力され、
前記増幅回路、前記波形整形回路、及び前記スイッチ回路は薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
整流回路を有し、
前記整流回路は、
入力信号が入力される入力端子と、
バッファアンプと、
抵抗と、
前記入力信号と電源の電位を比較する増幅回路と、
前記増幅回路の出力信号の波形を整形する波形整形回路と、
前記波形整形回路の出力信号によって制御されるスイッチ回路と、
を有し、
前記抵抗の第１の端子は前記入力端子に接続され、前記抵抗の第２の端子は前記バッファアンプの入力部に接続され、
前記スイッチ回路の第１の端子は前記電源に接続され、前記スイッチ回路の第２の端子は前記バッファアンプの入力部と前記抵抗の第２の端子に接続され、
前記スイッチ回路の動作により、前記抵抗を介した前記入力信号又は前記電源の電位が前記バッファアンプの入力部に入力されることを特徴とする半導体装置。
請求項４または５において、
前記バッファアンプの出力部に平滑回路が接続されることを特徴とする半導体装置。
請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
前記波形整形回路はインバータ回路であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記スイッチ回路はアナログスイッチ回路であることを特徴とする半導体装置。
請求項８において、
前記アナログスイッチ回路はＮ型薄膜トランジスタとＰ型薄膜トランジスタを組み合わせたものであり、且つ、前記Ｎ型薄膜トランジスタと前記Ｐ型薄膜トランジスタのゲート幅は概ね等しいことを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置を備える電子機器。