JP4545438B2 - 半導体装置、カード、システムならびに半導体装置の真正性および識別性を初期化し検査する方法 - Google Patents
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Description
第1および第2のインピーダンスの実際値を測定する測定手段が設けられ、
中央データベース装置を含むか、または、中央データベース装置にアクセスする外部アクセス装置へ実際値を転送する転送手段が設けられる、
ことによって達成される。
本発明による半導体装置が設けられ、
アクセス装置は、中央データベース装置を含むか、または、中央データベース装置にアクセスすることができ、
中央データベース装置は、第1および第2のセキュリティ素子の実際値を、それぞれ、第1および第2の基準値として記憶するために適した記憶素子を含む。
第1および第2のインピーダンスの実際値を測定し、
実際値を中央データベース装置へ転送し、第1および第2の記憶素子にそれぞれ第1および第2の基準値として記憶する、
ことにより実現される。
第1のインピーダンスの実際値を測定するステップと、
実際値をアクセス装置へ転送するステップと、
半導体装置の識別性を中央データベース装置へ供給するステップと、
半導体装置に対応した第1の基準値を読み込むステップと、
中央データベース装置からアクセス装置へ第1の基準値を供給するステップと、
実際値と第1の基準値との間の差が所定の閾値よりも小さいならば、半導体装置の真正性を承認するステップと、
を有する。
第1および第2のインピーダンスの実際値を、第1および第2の基準値としてそれぞれ第1および第2の記憶素子に記憶することによって初期化済みであり、
半導体装置を識別するための識別情報の少なくとも一部分を、第1および第2のインピーダンスの実際値の組み合わせによって定める、半導体装置を識別する方法において、
この方法は、
第1および第2のインピーダンスの実際値を、前記半導体装置の測定手段により測定するステップと、
実際値を、半導体装置の転送手段から中央データベース装置へ転送するステップと、
少なくとも実際値と第1の基準値との間の差が所定の閾値より小さい場合に、半導体装置の識別情報を、アクセス装置により承認するステップと、
を有する。
図2は、本発明の半導体装置11の第2の実施形態の説明図である。本実施形態の装置11において、第1のセキュリティ素子12Aは、第1の電極14、第2の電極15および誘電体17を具備したキャパシタと、2個の巻き線55,56を具備したコイルと、を含むLC構造体である。図1の実施形態とは異なり、第1および第2の電極14,15は、パッシベーション構造体50の同じ側面上の同じ層に存在しない。第1の電極14および第2の巻線56は、パッシベーション構造体50と能動素子33,43との間の金属層28に存在する。第1の電極14と第2の巻線56の両方は、配線部48を介してさらなる回路に接続される。第2の電極15および第1の巻線55は、相互に接続され、パッシベーション構造体50とパッケージ54の間の付加的な金属層58に存在する。付加的な金属層58は、付加的なパッシベーティング層59によってパッケージ54から保護される。
Claims (11)
- 基板(31)と、前記基板の一面(32)に設けられた能動素子(33,43)を含む回路と、前記能動素子(33,43)を含む前記回路を覆うパッシベーション構造体(50)と、を備える半導体装置(11)において、
前記半導体装置(11)は、前記パッシベーション構造体(50)の第1の局部エリアを含むと共に第1のインピーダンスを有する第1のセキュリティ素子(12A)と、前記パッシベーション構造体(50)の第2の局部エリアを含むと共に第2のインピーダンスを有する第2のセキュリティ素子(12B)と、を備え、
前記第1および第2のセキュリティ素子(12A,12B)はそれぞれが個別の第1の電極(14,14A,14B)および共通の第2の電極(15)を有すると共に、
前記第1および第2のインピーダンスの実際値をそれぞれ測定する測定手段(4)と、
中央データベース装置(3)にアクセス可能な外部アクセス装置(2)に前記第1および第2のインピーダンスの実際値を転送する転送手段(6)と、
を備えることを特徴とする、半導体装置。 - 前記測定された実際値を、所定のレンジに収まる値にするために、前記測定された実際値が整数値によって乗算される、所定のアルゴリズムに従って、前記転送される実際値の変更を制御する制御手段(8)を備えることを特徴とする、請求項1記載の装置。
- 前記パッシベーション構造体(50)は、前記第1のインピーダンスが前記第2のインピーダンスと異なるように、前記回路上で前記基板の一面に沿って変化する実効誘電率を持つことを特徴とする、請求項1記載の装置。
- 前記パッシベーション構造体(50)は、粘着層(51)を介して前記第1の電極(14)の上に積層されたパッシベーティング層(52)と、前記パッシベーティング層(52)の上に積層されたセキュリティ層(53)を含み、
前記セキュリティ層(53)は、マトリックス材料と、前記マトリックス材料内に不均一に分布したセラミックを含む粒子と、を含むことを特徴とする、請求項3記載の半導体装置。 - 前記パッシベーション構造体(50)は、個別の前記第1の電極(14A,14B)を含む金属層(28)の上部に存在し、
前記第1のセキュリティ素子(12A)は、個別の前記第1の電極(14A)および共通の第2の電極(15)が相互に組み合わされた電極のペアを構成すると共に、
前記第2のセキュリティ素子(12B)もまた、個別の前記第1の電極(14B)および共通の第2の電極(15)が相互に組み合わされた電極のペアを構成することを特徴とする、請求項3または4記載の半導体装置。 - 半導体装置(11)とアクセス装置(12)とを含むシステムであって、
請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置(11)が設けられ、
前記アクセス装置(2)は、前記中央データベース装置(3)にアクセス可能であり、
前記中央データベース装置(3)は、前記第1および第2のインピーダンスの実際値を第1および第2の基準値として、それぞれ記憶するために適した記憶素子(7A,7B)を含むことを特徴とする、システム。 - カード形状に構成されたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 請求項6に記載されたシステムで使用する、請求項1に記載された半導体装置(11)を初期化する方法であって、
前記第1および第2のインピーダンスの前記実際値を、前記半導体装置(11)の測定手段(4)により測定するステップと、
測定された前記実際値を、それぞれ前記第1および第2の基準値として前記第1および第2の記憶素子(7A,7B)に記憶させるために、前記中央データベース装置(3)へ、前記半導体装置(11)の転送手段(6)により、転送するステップと、を備えることを特徴とする半導体装置を初期化する方法。 - 請求項6に記載されたシステムにおいて、請求項1に記載された半導体装置(11)の真正性を承認する方法であって、
前記半導体装置(11)は、前記第1および第2のインピーダンスの実際値を、前記第1および第2の記憶素子(7A,7B)にそれぞれ前記第1および第2の基準値として記憶することにより初期化済みである半導体装置の真正性を承認する方法において、
前記第1のインピーダンスの実際値を、前記半導体装置(11)の測定手段(4)により、測定するステップと、
前記実際値を前記アクセス装置(2)へ、前記半導体装置(11)の転送手段(6)により、転送するステップと、
前記半導体装置(11)を識別するための識別情報としての前記第1のインピーダンスの実際値を前記アクセス装置(2)から前記中央データベース装置(3)へ供給するステップと、
前記半導体装置(11)の前記識別情報に対応した前記第1の基準値を前記中央データベース装置(3)が読み込むステップと、
前記中央データベース装置(3)から前記アクセス装置(2)へ前記第1の基準値を供給するステップと、
前記第1のインピーダンスの実際値と前記第1の基準値との間の差が所定の閾値よりも小さい場合に、前記半導体装置の真正性を、前記アクセス装置(2)により、承認するステップと、を有することを特徴とする、半導体装置の真正性を承認する方法。 - 請求項6に記載されたシステムにおいて、請求項1に記載された半導体装置(11)を識別する方法であって、
前記半導体装置(11)は、
前記第1および第2のインピーダンスの実際値を、前記第1および第2の記憶素子(7A,7B)にそれぞれ前記第1および第2の基準値として記憶することにより初期化済みであり、
前記半導体装置(11)を識別するための識別情報の少なくとも一部分を、前記第1および第2のインピーダンスの実際値の組み合わせによって定める、半導体装置を識別する方法において、
前記第1および第2のインピーダンスの実際値を、前記半導体装置(11)の測定手段(4)により、測定するステップと、
前記実際値を前記中央データベース装置(3)へ、前記半導体装置(11)の転送手段(6)により、転送するステップと、
少なくとも前記実際値と前記第1の基準値との間の差が所定の閾値より小さい場合に、前記半導体装置(11)の前記識別情報を、前記アクセス装置(2)により、承認するステップと、
を有することを特徴とする、半導体装置を識別する方法。 - 前記測定された実際値を転送する前に、前記測定された実際値が、所定のレンジに収まる値にするために、前記測定された実際値が整数値によって乗算される、所定のアルゴリズムに従って、前記測定された実際値から前記転送される実際値への変更を、前記半導体装置(11)の制御手段(8)により制御することを特徴とする、請求項8ないし10のいずれか一項に記載の方法。
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