JP4540640B2 - 電気二重層コンデンサ装置 - Google Patents
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Description
しかし、EDLCの各セルは、静電容量や内部抵抗にばらつきがあり、直列に接続した状態で充電を行うと、静電容量や内部抵抗のばらつきにより各EDLCセルに加わる充電電圧に差が生じる。そのため充電時にEDLCセルの耐電圧を超え、過充電となってしまうことがある。
また、半導体デバイス12に電圧が印加された状態でバイパス電流が流れるため、損失(発熱)が生じバイパス電流が過大であれば半導体デバイス12の破損が起きるという問題がある。
図7は、EDLC装置のブロック図で、EDLC装置は、商用電源が充電装置31に入力され、充電装置31で直流電流に変換してEDLC10を充電する。EDLC10の各セルにはそれぞれバイパス回路部13と充電電圧検出回路部23が接続されており、充電電圧検出回路部23から充電電流制御回路部32に信号が出力される。
図1は、そのバイパス回路部13と充電電圧検出回路部23の詳細である。図1に示すEDLC装置は、EDLC10とバイパス回路部13と充電電圧検出回路部23とで構成され、バイパス回路部13と充電電圧検出回路部23とがEDLC10に並列接続されている。
充電電圧検出回路部23は、EDLC10の両端電圧値をリファレンス値として検出する2つの抵抗と、リレー22およびそれを駆動するドライブ回路21とで構成され、ドライブ回路21の可変シャントレギュレータ24がオンすると、リレー22のフォトカプラに順電流が流れ、その2次側のリレーがオンされる。
バイパス回路部13は、EDLC10の両端電圧値をリファレンス値として検出する2つの抵抗と、半導体デバイス12およびそれを駆動するドライブ回路11とで構成される。ドライブ回路11のトランジスタがオンされると、半導体デバイス12のベース・エミッタ間に電圧が印加され、半導体デバイス12がオンされる。また、半導体デバイスは発熱するため放熱板を設けてあり、その過熱検出手段を備えている。
続いて、バイパス回路部が動作すると半導体デバイス12がオンし、EDLCへの充電電流を遮断し、EDLCの過充電を防止する。充電電圧検出回路部が動作するまで、急速充電が可能であり、充電時間の短縮となる。
検出回路を持たない従来例では、バイパス回路部の動作電圧は、EDLCセルのばらつきを考慮した低い動作値としなければならないため、充電が制限される。
本EDLC装置は、各々のEDLC10(定格電圧2.5V)に並列接続されたバイパス回路部13、充電電圧検出回路部23とが複数個で構成されている。分圧抵抗や半導体デバイス12の部品ばらつきを考慮し、本実施例ではバイパス回路部13の抵抗分圧比は10:11、充電電圧検出回路部23は10:13とした。
抵抗分圧比により、バイパス回路部13の動作検出基準値Vr1、および充電電圧検出回路部23の動作検出基準値Vr2は
Vr1=1.26V×((10+11)/11)=2.41V・・・・・・(1)
Vr2=1.26V×((10+13)/13)=2.23V・・・・・・(2)
となる。なお、(1)(2)式の1.26Vはドライブ回路11、21に選定した可変シャントレギュレータの基準電圧である。
また、抵抗分圧比は、上記設定値に限られるものではなく、部品のばらつき、回路の構成により適宜変更可能である。
充電電流を更に大きくする場合は、熱抵抗値の低い放熱板を採用するか、最大定格の大きいトランジスタを採用すればよい。充電電流(Ipass)が流れる半導体デバイス12には、Vr1の電圧が印加されているため、
P=Ipass ×Vr1 = 2.2A × 2.41V = 5.3W・・・・・(3)
の熱Pが発生する。その放熱のため半導体デバイス12には放熱板を設け、さらに放熱板過熱の検出器を設けている。Ipassの連続電流が流れても半導体デバイス12が熱破壊しない設計とし、それでも過熱となる場合、放熱板過熱の検出器が動作する構成とした。
複数の充電電圧検出回路部の1つでも充電電圧検出回路部の基準値Vr2を超えて検出したとき、リレー22からEDLCの充電電流を制御をする充電電流制御回路部に出力される。充電電流制御回路部がバイパス回路部に通電可能な充電電流2.2Aまで抑制しながらEDLCへの充電を行い、充電到達電圧まで充電させる。
充電到達電圧までにバイパス回路部が動作しても、充電電流は2.2Aであり、バイパスされる電流を抑制しているので半導体デバイス12の破損を防ぐことができる。
この動作によりEDLCの充電電流を制御する充電電流制御回路部において、充電電圧検出回路部が動作するまでEDLCへの急速充電が可能となる。
このような動作を数回繰り返し、充電電流がバイパス回路部に適した許容電流値となるまで継続する。充電電流がバイパス回路部に適した許容電流値となれば、充電電圧検出回路部は動作したままとなる。
段階的に電流値を抑制する回数は、充電電流を大幅に抑制して少なくすることもできるが、充電時間が長くなるため、3〜4回実施するのが好適である。EDLCの内部抵抗値、バイパス電流値、充電電流値により選定するのがよい。また、充電電圧検出回路部が繰り返し動作から充電電圧を検出したままとするのは、検出回路に公知のヒステリシス効果を持つ回路を追加すればよい。
内部抵抗の影響を考慮しても、充電時間短縮の効果が得られ、また段階的に充電電流を減少させることで、一挙にバイパス電流値まで低下させる場合と比べて、充電電流値が大きい分、充電時間も短縮できる。
また、充電電流制御回路部は、充電電圧検出回路部から信号を受けて、初期充電電流値からバイパス電流値までに所定の回数で段階的に抑制する機能を有する公知の回路を用いればよい。
11 バイパス回路部ドライブ回路
12 半導体デバイス
13 バイパス回路部
14 シャントレギュレータ
21 充電電圧検出回路部ドライブ回路
22 充電電圧検出回路部リレー
23 充電電圧検出回路部
24 シャントレギュレータ
31 充電装置
32 充電電流制御回路部
Claims (2)
- 電気二重層コンデンサと、該電気二重層コンデンサと並列に接続されるとともに、半導体デバイス素子を有するバイパス回路部とを備え、前記バイパス回路部は、前記電気二重層コンデンサが充電され、該電気二重層コンデンサが第1の電圧に達すると、前記半導体デバイス素子を動作状態にして充電電流をバイパスする電気二重層コンデンサ装置において、
前記電気二重層コンデンサと並列に接続され、前記電気二重層コンデンサの充電電圧を検出し、該充電電圧が前記第1の電圧よりも低い第2の電圧に達すると前記電気二重層コンデンサへの充電電流を抑制する信号を出力する充電電圧検出回路部と、
前記充電電圧検出回路部からの信号を受けて前記電気二重層コンデンサの充電電流の抑制動作を行う充電電流制御回路部と
をさらに備え、
前記充電電流制御回路部は、前記バイパス回路部が動作する前に前記充電電流の抑制動作を行うことで、前記半導体デバイス素子を保護することを特徴とする電気二重層コンデンサ装置。 - 前記充電電流抑制後、抑制された充電電流によって上昇した前記電気二重層コンデンサの充電電圧が前記第2の電圧に達すると、充電電流制御回路部は前記充電電流の抑制動作を、前記電気二重層コンデンサの充電電流が前記バイパス回路部の許容電流値以下になるまで実行し、充電電流を段階的に抑制することを特徴とする請求項1記載の電気二重層コンデンサ装置。
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