JP4534307B2 - Surface acoustic wave filter - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は例えば、無線通信機器における高周波回路などに使用される弾性表面波フィルタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、RF段に適する弾性表面波フィルタとしては、縦モード結合共振器型弾性表面波フィルタがよく知られており、回路の簡素化、高性能化のため、選択的に高減衰量を確保できるものが要望されている。
【0003】
以下、従来の縦モード結合型設計を用いた弾性表面波フィルタについて説明する。
【0004】
図12は従来の縦モード結合型弾性表面波フィルタの上面図である。
【0005】
圧電基板80上に一点鎖線で囲んだ三電極型櫛電極81,82を縦続接続する。三電極型櫛電極81,82はそれぞれ点線で囲んだ第1の櫛型電極81a,82a、第2の櫛型電極81b,82b、第3の櫛型電極81c,82cと、それらの両側の反射器電極81d,82dが表面波伝搬方向に配置されている。
【0006】
三電極型櫛電極81の第1の櫛型電極81aは、対向する両電極指の一方が出力端子83に他方がアース端子85に接続されている。三電極型櫛電極82の第1の櫛型電極82aも、対向する両電極指の一方が出力端子84に他方がアース端子86に接続されている。
【0007】
三電極型櫛電極81,82の第1の櫛型電極81a,82aに電圧を印加することにより表面波が励起され、反射器電極81d,82dでエネルギーが閉じ込められることによりフィルタ特性が形成される。
【0008】
また反射器電極81d,82dは電極指幅及び電極指間隔を一定にして形成したものであった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
反射器電極特性は反射効率の良い通過周波数範囲とその両側の周期的なスロープ特性で形成される。そのため上記構成においては通過帯域近傍で反射器電極の周期的な特性が波形として現われ、スプリアスが発生することになる。その結果通過周波数帯域近傍での減衰量確保が困難であるという問題点を有していた。
【0010】
そこで本発明は、通過周波数帯域近傍の減衰量を十分に確保することのできる弾性表面波フィルタを提供することを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板と、この圧電基板上に設けた第1の櫛型電極と、この第1の櫛型電極のその表面波伝搬方向の両側に設けた第2、第3の櫛型電極と、この第2及び第3の櫛型電極を挟むように設けた第1及び第2の反射器電極とを備え、前記反射器電極は複数本の電極指の反射器電極ピッチ(電極指幅+電極指間隔幅)が一定となる、複数の反射器電極群に分けられ、それぞれの前記反射器電極群の間で前記反射器電極ピッチが異なり、隣り合う前記反射器電極群の反射器電極ピッチ同士は、0.05%以上の差を有しているものであり、反射器電極の通過周波数帯域近傍の周期的なスロープ特性を乱すことにより、スプリアスを抑制し、上記目的を達成することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項1に記載の発明は、圧電基板と、この圧電基板上に設けた第1の櫛型電極と、この第1の櫛型電極のその表面波伝搬方向の両側に設けた第2、第3の櫛型電極と、この第2及び第3の櫛型電極を挟むように設けた第1及び第2の反射器電極とを備え、前記反射器電極は複数本の電極指の反射器電極ピッチ(電極指幅+電極指間隔幅)が一定となる、複数の反射器電極群に分けられ、それぞれの前記反射器電極群の間で前記反射器電極ピッチが異なり、隣り合う前記反射器電極群の反射器電極ピッチ同士は、0.05%以上の差を有している弾性表面波フィルタであり、通過周波数帯域近傍の減衰量を十分に確保することができるものである。
【0013】
以下図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
【0014】
(参考例1)
図1は本発明の参考例1における弾性表面波フィルタの上面図である。
【0015】
圧電基板10上に、第1の櫛型電極11とその表面波伝搬方向の両側に第2、第3の櫛型電極12,13を配置し、それらの両側に第1の反射器電極14と第2の反射器電極15を備えている。第1及び第2の反射器電極14,15の反射器電極ピッチは、隣り合う第2及び第3の櫛型電極12,13から離れるにつれて徐々に小さく変化させてある。
【0016】
この構成により、第1及び第2の反射器電極14,15の特性は図2のようになり、従来よりも通過帯域内近傍の低周波数側の反射効率を下げることができる。
【0017】
また、第1及び第2の反射器電極14,15の反射器電極ピッチを、隣り合う第2、第3の櫛型電極12,13側から離れるにつれて大きく変化させると、図3に示すように通過帯域内近傍の高周波数側の反射効率を下げることができる。
【0018】
すなわち第1、第2の反射器電極14,15の反射器電極ピッチを一定でなく、変えることにより反射特性を乱し、スプリアスの発生を抑制することにより、通過帯域近傍の低周波数側あるいは高周波数側の帯域外減衰量を十分に確保することができる。
【0019】
(参考例2)
図4は本発明の参考例2における弾性表面波フィルタの上面図である。
【0020】
圧電基板30上に、第1の櫛型電極31とその表面波伝搬方向の両側に第2、第3の櫛型電極32,33を配置し、それらの両側に第1の反射器電極34と第2の反射器電極35を備えている。また、第1、第2の反射器電極34,35は、それぞれ反射器電極ピッチが異なる。二つの反射器電極群(図4中点線で囲んでいる)34a,34b,35a,35bで構成されている。また反射器電極群34a,35aの反射器電極ピッチは、反射器電極群34b,35bの反射器電極ピッチよりも大きくしてある。
【0021】
図5は図4に示す第1及び第2の反射器電極34,35の特性図であり、第1の反射器電極34,35を二つの反射器電極群34a,34b,35a,35bに分割することにより、通過帯域内近傍の低周波数側の反射効率を下げることが可能である。
【0022】
また、反射器電極群34a,35aの反射器電極ピッチを反射器電極群34b,35bの反射器電極ピッチより小さくすると、図6に示すように通過帯域内近傍の高周波数側の反射効率を下げることが可能である。
【0023】
すなわち第1及び第2の反射器電極34,35を二つ以上の反射器電極群に分割し、それぞれの反射器電極ピッチを変えてそれぞれの周期が異なるようにすることにより、反射特性の山と谷が重なり合い、この部分の反射器特性が平坦になり、スプリアスを抑制し、通過帯域近傍の低周波数側あるいは高周波数側の帯域外減衰量を十分に確保することができるのである。
【0024】
(実施の形態1)
図7は本発明の実施の形態1における弾性表面波フィルタの上面図である。
【0025】
圧電基板50上に、第1の櫛型電極51とその表面波伝搬方向の両側に第2、第3の櫛型電極52,53を配置し、それらの両側に第1の反射器電極54と第2の反射器電極55を備えた三電極縦モード結合型櫛電極56が形成されている。また、第1の反射器電極54及び第2の反射器電極55は、反射器電極ピッチが異なる三つの反射器電極群54a,54b,54c,55a,55b,55cで構成されている。反射器電極ピッチは反射器電極群54a,55aが一番大きく、次いで反射器電極群54b,55bが大きく、反射器電極群54c,55cを最も小さくしている。
【0026】
さらに、三電極縦モード結合型櫛電極56にこれと同じ構成の三電極縦モード結合型櫛電極57が縦続接続されている。
【0027】
このような構成の弾性表面波フィルタにおいて、反射器電極群54a,54b,54c,55a,55b,55cの構成を(表1)に示すような構成とした時の、第1及び第2の反射器電極54,55の特性を図8に示す。また図9は図8の要部拡大図である。
【0028】
【表1】
【0029】
図9を見るとわかるように反射器電極群54a,55aの反射効率が第1及び第2の反射器電極54,55の反射効率に対して支配的にならない範囲で、反射器電極特性を変化させることにより、通過帯域近傍の低周波数側のスプリアスを抑制し、減衰量を確保することができる。
【0030】
つまり反射器電極群54a,55aの電極指本数を10本から30本とすることが望ましいのである。第1及び第2の反射器電極54,55の反射効率に大きく寄与するのは第2、第3の櫛型電極52,53に最も近い反射器電極群54a,55aであることを考慮すると第1及び第2の反射器電極54,55を構成する電極指の本数が変化したとしても、反射器電極群54a,55aの電極指本数は10本から30本とすることが望ましい。
【0031】
また、反射器電極群54a,55aの電極指本数が30本よりも多くなると(図9の(d))、反射器電極群54a,55aの反射効率が支配的となり、第1及び第2の反射器電極54,55の特性を変化させて通過帯域近傍のスプリアスを抑制することが困難となる。反対に反射器電極群54a,55aの電極指本数が9本以下となると反射効率が不十分となり所望の特性を確保することが難しい。
【0032】
次に反射器電極群54a,55aの反射器電極ピッチをλa、反射器電極群54b,55bの反射器電極ピッチをλb、反射器電極群54c,55cの反射器ピッチをλcとし、(表2)に示すような構成とした場合の第1及び第2の反射器電極54,55の特性を図10に、その要部拡大図を図11に示す。
【0033】
【表2】
【0034】
図10を見るとわかるように、通過帯域近傍の低周波数側に減衰量を確保するには、反射器電極ピッチは第2、第3の櫛型電極52,53に近いほど大きく、反隣り合う反射器電極群との反射器ピッチは0.05%以上、好ましくは0.1%以上の差を有するようにし、第2及び第3の櫛型電極52,53との距離が長い反射器電極群ほど反射器電極ピッチを小さくすれば良い。
【0035】
なお、実施の形態1においては、第1及び第2の反射器電極54,55をそれぞれ複数の反射器電極群に分割し、第2及び第3の櫛型電極52,53からの距離が長い反射器電極群ほど反射器電極ピッチを小さくして通過帯域近傍の低周波数側のスプリアスを抑制し、減衰量を確保した。高周波数側の減衰量を確保したい場合は、第2及び第3の櫛型電極52,53からの距離が長い反射器電極群ほど反射器電極ピッチを大きくすれば良い。
【0036】
また、三電極縦モード結合型櫛電極56についてのみ説明したが同じ構成の三電極縦モード結合型櫛電極57についても同様のことがいえる。
【0037】
さらに実施の形態3においては二つの三電極縦モード結合型櫛電極56,57を複数縦続接続した弾性表面波フィルタについて説明したが、図1、図2に示すように一つあるいは三つ以上の三電極縦モード結合型櫛電極で構成されている弾性表面波フィルタについても、それぞれの三電極縦モード結合型櫛電極の第1及び第2の反射器電極を実施の形態1のように構成することにより同様の効果が得られるものである。
【0038】
【発明の効果】
以上本発明によると、通過周波数帯域近傍のスプリアスを抑制し、帯域外減衰量を十分に有する弾性表面波フィルタを提供することができる。従ってこの弾性表面波フィルタを用いる携帯電話などの無線機器の高性能化及び回路の簡素化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の参考例1における弾性表面波フィルタの上面図
【図2】 図1に示す弾性表面波フィルタの周波数特性曲線図
【図3】 本発明の参考例1における弾性表面波フィルタの周波数特性曲線図
【図4】 本発明の参考例2における弾性表面波フィルタの上面図
【図5】 図4に示す弾性表面波フィルタの周波数特性曲線図
【図6】 本発明の参考例2における弾性表面波フィルタの周波数特性曲線図
【図7】 本発明の実施の形態1における弾性表面波フィルタの上面図
【図8】 本発明の実施の形態1における弾性表面波フィルタの周波数特性曲線図
【図9】 図8の要部拡大図
【図10】 本発明の実施の形態1における弾性表面波フィルタの周波数特性曲線図
【図11】 図10の要部拡大図
【図12】 従来の弾性表面波フィルタの上面図
【符号の説明】
10 圧電基板
11 第1の櫛型電極
12 第2の櫛型電極
13 第3の櫛型電極
14 第1の反射器電極
15 第2の反射器電極
30 圧電基板
31 第1の櫛型電極
32 第2の櫛型電極
33 第3の櫛型電極
34 第1の反射器電極
34a 反射器電極群
34b 反射器電極群
35 第2の反射器電極
35a 反射器電極群
35b 反射器電極群
50 圧電基板
51 第1の櫛型電極
52 第2の櫛型電極
53 第3の櫛型電極
54 第1の反射器電極
54a 反射器電極群
54b 反射器電極群
54c 反射器電極群
55 第2の反射器電極
55a 反射器電極群
55b 反射器電極群
55c 反射器電極群
56 三電極縦モード結合型櫛電極
57 三電極縦モード結合型櫛電極[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface acoustic wave filter used for, for example, a high-frequency circuit in a wireless communication device.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a surface acoustic wave filter suitable for the RF stage, a longitudinal mode coupled resonator type surface acoustic wave filter is well known, and a high attenuation can be selectively ensured in order to simplify the circuit and improve the performance. Things are desired.
[0003]
Hereinafter, a surface acoustic wave filter using a conventional longitudinal mode coupled design will be described.
[0004]
FIG. 12 is a top view of a conventional longitudinal mode coupled surface acoustic wave filter.
[0005]
Three-
[0006]
In the first comb electrode 81 a of the three-
[0007]
A surface wave is excited by applying a voltage to the first comb electrodes 81a and 82a of the three-
[0008]
The
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
The reflector electrode characteristic is formed by a pass frequency range with good reflection efficiency and a periodic slope characteristic on both sides thereof. Therefore, in the above configuration, the periodic characteristic of the reflector electrode appears as a waveform near the pass band, and spurious is generated. As a result, there is a problem that it is difficult to secure an attenuation near the pass frequency band.
[0010]
Therefore, an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave filter that can sufficiently secure an attenuation near the pass frequency band.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
To achieve this object, a surface acoustic wave filter according to the present invention includes a piezoelectric substrate, a first comb electrode provided on the piezoelectric substrate, and both sides of the first comb electrode in the surface wave propagation direction. And the first and second reflector electrodes provided so as to sandwich the second and third comb electrodes, and a plurality of the reflector electrodes are provided. The reflector electrode pitch of the electrode fingers (electrode finger width + electrode finger interval width) is divided into a plurality of reflector electrode groups, and the reflector electrode pitch differs between the reflector electrode groups. The reflector electrode pitches of the adjacent reflector electrode groups have a difference of 0.05% or more, and disturb the periodic slope characteristics near the pass frequency band of the reflector electrodes. Therefore, the above object can be achieved by suppressing spurious.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
According to the first aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric substrate, a first comb electrode provided on the piezoelectric substrate, and first electrodes provided on both sides of the first comb electrode in the surface wave propagation direction. 2 and a third comb-shaped electrode, and first and second reflector electrodes provided so as to sandwich the second and third comb-shaped electrodes, and the reflector electrode includes a plurality of electrode fingers. The reflector electrode pitch (electrode finger width + electrode finger interval width) is constant, and is divided into a plurality of reflector electrode groups, and the reflector electrode pitch is different between each of the reflector electrode groups, and adjacent to each other. The reflector electrode pitch of the reflector electrode group is a surface acoustic wave filter having a difference of 0.05% or more , and can sufficiently secure an attenuation near the pass frequency band.
[0013]
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0014]
( Reference Example 1 )
FIG. 1 is a top view of a surface acoustic wave filter according to Reference Example 1 of the present invention.
[0015]
On the
[0016]
With this configuration, the characteristics of the first and
[0017]
Further, when the reflector electrode pitch of the first and
[0018]
That is, the reflector electrode pitch of the first and
[0019]
( Reference Example 2 )
FIG. 4 is a top view of a surface acoustic wave filter according to Reference Example 2 of the present invention.
[0020]
On the
[0021]
FIG. 5 is a characteristic diagram of the first and
[0022]
Further, if the reflector electrode pitch of the
[0023]
That is, the first and
[0024]
( Embodiment 1 )
FIG. 7 is a top view of the surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention.
[0025]
A
[0026]
Further, a three-electrode longitudinal mode coupled
[0027]
In the surface acoustic wave filter having such a configuration, the first and second reflections when the configurations of the
[0028]
[Table 1]
[0029]
As can be seen from FIG. 9, the reflector electrode characteristics are changed within a range in which the reflection efficiency of the
[0030]
That is, it is desirable that the number of electrode fingers of the
[0031]
Further, when the number of electrode fingers of the
[0032]
Next, the reflector electrode pitch of the
[0033]
[Table 2]
[0034]
As can be seen from FIG. 10, in order to secure attenuation on the low frequency side in the vicinity of the pass band, the reflector electrode pitch is larger as it is closer to the second and third comb-shaped
[0035]
In the first embodiment , the first and
[0036]
Although only the three-electrode longitudinal mode coupled
[0037]
Furthermore, in the third embodiment, the surface acoustic wave filter in which a plurality of two three-electrode longitudinal mode coupled
[0038]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a surface acoustic wave filter that suppresses spurious in the vicinity of the pass frequency band and has a sufficient out-of-band attenuation. Therefore, it is possible to improve the performance and simplify the circuit of a wireless device such as a mobile phone using the surface acoustic wave filter.
[Brief description of the drawings]
1 is a top view of a surface acoustic wave filter in Reference Example 1 of the present invention. FIG. 2 is a frequency characteristic curve diagram of the surface acoustic wave filter shown in FIG. 1. FIG. 3 is a surface acoustic wave filter in Reference Example 1 of the present invention. FIG. 4 is a top view of the surface acoustic wave filter in Reference Example 2 of the present invention. FIG. 5 is a frequency characteristic curve diagram of the surface acoustic wave filter shown in FIG. 4. FIG. 6 is a reference example 2 of the present invention. frequency characteristic curve of the surface acoustic wave filter in definitive first embodiment of a top view of a SAW filter in the first embodiment of the frequency characteristic diagram [7] the present invention of the surface acoustic wave filter 8 the invention FIG. 9 is an enlarged view of the main part of FIG. 8. FIG. 10 is a frequency characteristic curve diagram of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention. Above the surface acoustic wave filter Figure [Description of the code]
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