JP4529409B2 - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents
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主成分が組成式
{{Ba(1−x)Cax}O}A{Ti(1−y)Zry}BO2
(ただし、A,B,x,yが、0.995≦A/B≦1.020、0≦x≦0.25、0.1≦y≦0.3)
で表され、副成分として、主成分100モルに対して、Mnの酸化物をMnO換算で0.03〜1.70モル、Siの酸化物をSiO2換算で0〜1.00モル、VおよびWの少なくとも1種の酸化物をV2O5およびWO3換算で0.001〜0.7モル含有する誘電体磁器組成物であって、
2種類の希土類元素の酸化物(R1の酸化物、R2の酸化物)をさらに副成分として含み、前記R1の酸化物と前記R2の酸化物の含有量の合計が、主成分100モルに対して、R1の酸化物およびR2の酸化物換算で0.1〜1.2モルであることを特徴とする。
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図2は本発明の実施例および比較例に係る誘電体磁器組成物における希土類元素の酸化物のモル数と、比誘電率との関係を示すグラフ、
図3は本発明の実施例および比較例に係る誘電体磁器組成物における希土類元素の酸化物のモル数と、IR不良率との関係を示すグラフである。
本発明の誘電体磁器組成物は、{{Ba(1−x)Cax}O}A{Ti(1−y)Zry}BO2で表される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Mnの酸化物と、Siの酸化物と、VおよびWの少なくとも1種の酸化物と、2種類の希土類元素の酸化物(R1の酸化物、R2の酸化物)とを含む副成分とを有する。この際、酸素(O)量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚してもよい。
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
出発原料として、ゾルゲル合成により生成された{{Ba(1−x)Cax}O}A{Ti(1−y)Zry}BO2で示される組成の誘電体酸化物から成る主成分を用いた。主成分を示す式中の組成比を示す記号A,B,x,yが、
A/B=1.005、
x=0.01、
y=0.20の関係の関係にあった。
なお、上記誘電体酸化物の平均粒径は、0.5μmであった。
コンデンサの試料に対し、基準温度20℃において、デジタルLCRメータ(YHP社製4274A)にて、周波数120Hz,入力信号レベル(測定電圧)0.625Vrms/μmの条件下で、静電容量Cおよび誘電損失tanδを測定した。そして、得られた静電容量から、比誘電率(単位なし)を算出した。その後、絶縁抵抗計(アドバンテスト社製R8340A)を用いて、20℃においてDC20Vを、コンデンサ試料に60秒間印加した後の絶縁抵抗IRを測定した。CR積は、静電容量(C,μF)と、絶縁抵抗(IR,MΩ)との積で表した。CR積は、大きいほど好ましい。
コンデンサの試料に対し、20V直流電圧を1分間印加して、絶縁抵抗を測定し、絶縁抵抗値が1.0×106以下となった試料を不良品とし、不良品の発生割合を%で示した。この値が小さいほど、IR不良率が低く、良品が多いこととなる。結果を表1および2に示す。
コンデンサの試料に対し、直流電圧を昇温速度100V/sec.で印加し、100mAの漏洩電流を検知するか、または素子の破壊時の電圧(破壊電圧、単位はV/μm)を測定した。本実施例では、破壊電圧は、10個のコンデンササンプルを用いて測定した値の平均値として算出した。破壊電圧は大きいほどよい。結果を表1および2に示す。
表1は、希土類元素の酸化物の含有量の合計(R1+R2)を、主成分100モルに対して、一定量0.60モルとしたコンデンサ試料について組成と特性についてまとめたものである。
表2は、希土類元素の酸化物の含有量の合計(R1+R2)を変化させたコンデンサ試料について組成と特性についてまとめたものである。また、図2,3に実施例の試料(R1=Y、R2=Ho)と比較例の試料(R1=Y、R2無し)について、希土類元素の酸化物の含有量の合計(R1+R2)と比誘電率との関係(図2)、希土類元素の酸化物の含有量の合計(R1+R2)とIR不良率との関係(図3)を示した。
実施例1で作成した試料4および9と同様の誘電体磁器組成物を誘電体層とし、誘電体層の積層数の異なる試料および誘電体層の厚みの異なる試料を作成した。表3に作製したコンデンサの誘電体層の積層数および厚みと、比誘電率およびIR不良率との関係を示す。
10… コンデンサ素子本体
2… 誘電体層
3… 内部電極層
4… 外部電極
Claims (7)
- 主成分が組成式
{{Ba(1−x)Cax}O}A{Ti(1−y)Zry}BO2
(ただし、A,B,x,yが、0.995≦A/B≦1.020、0≦x≦0.25、0.1≦y≦0.3)
で表され、副成分として、主成分100モルに対して、Mnの酸化物をMnO換算で0.03〜1.70モル、Siの酸化物をSiO2換算で0〜1.00モル、VおよびWの少なくとも1種の酸化物をV2O5およびWO3換算で0.001〜0.7モル含有する誘電体磁器組成物であって、
2種類の希土類元素の酸化物(R1の酸化物、R2の酸化物)をさらに副成分として含み、前記R1の酸化物と前記R2の酸化物の含有量の合計が、主成分100モルに対して、R1の酸化物およびR2の酸化物換算で0.4〜0.9モルであり、
前記R1の酸化物が、Yの酸化物であり、
前記R2の酸化物が、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、TmまたはYbのいずれかの元素の酸化物であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 前記R1の酸化物の含有量が、主成分100モルに対して、R1の酸化物換算で0.1〜0.6モルであることを特徴とする請求項1に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記R2の酸化物の含有量が、主成分100モルに対して、R2の酸化物換算で0.1〜0.6モルであることを特徴とする請求項1または2に記載の誘電体磁器組成物。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体を有する積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層の積層数が、20以上であることを特徴とする請求項5記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層の厚みが、4.5μm以下であることを特徴とする請求項5または6に記載の積層セラミックコンデンサ。
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