JP4524474B2 - Elastic wave device and manufacturing method thereof - Google Patents

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本発明は弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、特に弾性波素子の上部に空洞を有する封止樹脂部を備えた弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to an acoustic wave device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an acoustic wave device including a sealing resin portion having a cavity above an acoustic wave element and a manufacturing method thereof.

弾性波デバイスは、例えば45MHz〜2GHzの周波数帯における無線信号を処理する各種回路、例えば送信用バンドパスフィルタ、受信用バンドパスフィルタ、局所発振フィルタ、アンテナ共用器、中間周波数フィルタ、FM変調器等に用いられている。近年これらの信号処理機器は小型化が進み、使用される弾性波デバイス等の電子部品も小型化が求められている。弾性波素子デバイスに用いる弾性波素子としては、圧電基板上に金属膜を用いすだれ電極(IDT:Interdigital Transducer)や反射器を形成した弾性表面波(SAW)素子、圧電薄膜を金属電極で挟む圧電薄膜共振器(FBAR)素子などがある。   The acoustic wave device is, for example, various circuits that process radio signals in a frequency band of 45 MHz to 2 GHz, such as a transmission bandpass filter, a reception bandpass filter, a local oscillation filter, an antenna duplexer, an intermediate frequency filter, an FM modulator, and the like. It is used for. In recent years, these signal processing devices have been miniaturized, and electronic components such as acoustic wave devices used are also required to be miniaturized. As an acoustic wave element used for an acoustic wave element device, a surface acoustic wave (SAW) element in which a interdigital electrode (IDT) or reflector is formed using a metal film on a piezoelectric substrate, or a piezoelectric film in which a piezoelectric thin film is sandwiched between metal electrodes. Examples include a thin film resonator (FBAR) element.

特に移動体電話端末等の携帯用電子機器においては、電子部品をモジュール化して用いることが多くなってきている。モジュール化は、低コスト化のため、電子部品を表面実装し樹脂封止することにより行われる。そのため、表面実装可能で、モジュール化の樹脂封止の際の圧力に耐えられる弾性波デバイスが求められる。同時に、弾性波素子の特性を維持するためには弾性波素子の機能部分(振動部分)上面に空洞を設けることが求められている。弾性波素子の機能部分としては、弾性表面波素子ではIDTの電極指であり、圧電薄膜共振器素子では圧電薄膜を挟みこむ上下電極の重なる領域である。   In particular, in portable electronic devices such as mobile telephone terminals, electronic parts are increasingly used as modules. Modularization is performed by surface mounting electronic components and sealing them with resin for cost reduction. Therefore, there is a demand for an acoustic wave device that can be surface-mounted and can withstand the pressure during modular resin sealing. At the same time, in order to maintain the characteristics of the acoustic wave element, it is required to provide a cavity on the upper surface of the functional part (vibration part) of the acoustic wave element. The functional part of the acoustic wave element is an IDT electrode finger in the surface acoustic wave element, and an area where the upper and lower electrodes sandwich the piezoelectric thin film in the piezoelectric thin film resonator element.

このような要求を満たすために、弾性波素子内の機能部分上に接する空洞を有する封止樹脂部を設けた構造(いわゆる中空構造)を形成する方法が提案されている。特許文献1には、弾性波素子上に空洞となるべき領域に溶解用樹脂を形成し、溶解用樹脂上に上部板を形成した後、溶解用樹脂を除去することにより中空構造を形成する方法(従来例1)が開示されている。特許文献2には、電気的構造素子を包囲するフレーム構造体を形成し、電気的構造素子上が空洞になるように、フレーム構造体上に補助フィルムを貼り、その上に樹脂層を形成し、フレーム構造体の屋根部分以外を除去することにより中空構造を形成する方法(従来例2)が開示されている。特許文献3には、弾性波素子を形成した圧電基板上に樹脂フィルムを貼り、弾性波素子が複数設けられた基板の機能部分上部の樹脂フィルムを開口し、樹脂フィルム上に回路基板を接着し中空構造を形成する方法(従来例3)が開示されている。特許文献4には、弾性波素子を複数設けた基板上に感光性樹脂を形成し、弾性波素子の機能部分上部の感光性樹脂を開口し、その上に配線基板集合体の基板を実装し、ダイシングで分割することにより中空構造を形成する方法(従来例4)が開示されている。特許文献5には、弾性波素子を包囲する包囲壁と、中空構造を形成するための蓋体とを異なる樹脂を用いる方法が開示されている。また、包囲壁と蓋体との熱膨張係数の差に起因し、蓋体が膨らむことを防止するために、蓋体の上面の一部に支持体を設ける技術(従来例5)が開示されている。
特許3291046号公報 特表2003−523082号公報 特許3196693号公報 特許3225906号公報 特開平10−93383号公報
In order to satisfy such a requirement, a method of forming a structure (so-called hollow structure) provided with a sealing resin portion having a cavity in contact with a functional portion in an acoustic wave element has been proposed. Patent Document 1 discloses a method of forming a hollow structure by forming a dissolving resin in a region to be a cavity on an acoustic wave element, forming an upper plate on the dissolving resin, and then removing the dissolving resin. (Conventional example 1) is disclosed. In Patent Document 2, a frame structure surrounding the electrical structure element is formed, an auxiliary film is pasted on the frame structure so that the electrical structure element is hollow, and a resin layer is formed thereon. A method (conventional example 2) for forming a hollow structure by removing the frame structure other than the roof portion is disclosed. In Patent Document 3, a resin film is pasted on a piezoelectric substrate on which an acoustic wave element is formed, a resin film on an upper part of a functional part of the substrate on which a plurality of acoustic wave elements are provided is opened, and a circuit board is bonded onto the resin film. A method of forming a hollow structure (conventional example 3) is disclosed. In Patent Document 4, a photosensitive resin is formed on a substrate on which a plurality of acoustic wave elements are provided, the photosensitive resin at the upper part of the functional part of the acoustic wave element is opened, and the substrate of the wiring board assembly is mounted thereon. A method of forming a hollow structure by dividing by dicing (conventional example 4) is disclosed. Patent Document 5 discloses a method of using different resins for the surrounding wall that surrounds the acoustic wave element and the lid for forming the hollow structure. Further, a technique (prior art 5) is disclosed in which a support is provided on a part of the upper surface of the lid in order to prevent the lid from swelling due to a difference in thermal expansion coefficient between the surrounding wall and the lid. ing.
Japanese Patent No. 3291406 Special table 2003-523082 gazette Japanese Patent No. 3196693 Japanese Patent No. 3225906 JP-A-10-93383

従来例1ないし4の方法で形成された弾性波デバイスは、モジュール化の際に加わる圧力に対し耐えられず、中空構造が変形してしまう。一方、従来例5の方法はモジュール化の際に中空構造が変形することを抑制することを目的としている。しかしながら、その形成が難しい。   The elastic wave devices formed by the methods of Conventional Examples 1 to 4 cannot withstand the pressure applied during modularization, and the hollow structure is deformed. On the other hand, the method of Conventional Example 5 is intended to suppress the deformation of the hollow structure during modularization. However, its formation is difficult.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、モジュール化の際の圧力で変形しない中空構造を有する弾性波デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a problem, and an object thereof is to provide an elastic wave device having a hollow structure that is not deformed by pressure during modularization and a method for manufacturing the same.

本発明は、圧電基板または圧電膜の表面に設けられた弾性波素子と、前記圧電基板上に設けられ、前記弾性波素子上に空洞を有する第1樹脂部と、前記第1樹脂部上に設けられた、前記第1樹脂部の弾性率より大きい弾性率を有する第2樹脂部と、前記第1樹脂部を貫通する開口部に設けられた、前記弾性波素子と電気的に接続する接続部と、を具備し、前記第2樹脂部は、前記第1樹脂部の上面に前記空洞を投影した領域を全て含むように設けられ、かつ前記第1樹脂部の全ての縁および前記開口部の全ての縁から離れて設けられていることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、第2樹脂部が第1樹脂部の空洞の上部に設けられているため、中空構造が変形することを抑制することができる。また、第2樹脂部は第1樹脂部より歪が小さい、よって中空構造が変形することをより抑制することができる。また、第2樹脂部を形成する際に第1樹脂部の接続部を形成すべき開口部に残渣が形成されることを抑制することができる。 The present invention provides an acoustic wave element provided on the surface of a piezoelectric substrate or a piezoelectric film, a first resin part provided on the piezoelectric substrate and having a cavity on the acoustic wave element, and on the first resin part A provided second resin portion having a modulus of elasticity greater than that of the first resin portion, and a connection electrically connected to the acoustic wave element provided in an opening penetrating the first resin portion. And the second resin part is provided so as to include the entire area where the cavity is projected on the upper surface of the first resin part, and all the edges of the first resin part and the opening part The acoustic wave device is provided apart from all edges of the elastic wave device. According to this invention, since the 2nd resin part is provided in the upper part of the cavity of the 1st resin part, it can suppress that a hollow structure deform | transforms. In addition, the second resin portion has a smaller strain than the first resin portion, and therefore, the deformation of the hollow structure can be further suppressed. Moreover, it can suppress that a residue is formed in the opening part which should form the connection part of a 1st resin part when forming a 2nd resin part.

上記構成において、前記第2樹脂部はフィラーを含有する構成とすることができる。この構成によれば、第2樹脂部の弾性率を大きくすることができる。   The said structure WHEREIN: A said 2nd resin part can be set as the structure containing a filler. According to this configuration, the elastic modulus of the second resin portion can be increased.

上記構成において、前記第2樹脂部は感光性樹脂である構成とすることができる。この構成によれば、露光現像により容易に第2樹脂部を形成することができる。   The said structure WHEREIN: A said 2nd resin part can be set as the structure which is photosensitive resin. According to this configuration, the second resin portion can be easily formed by exposure and development.

上記構成において、前記フィラーはシリカフィラーである構成とすることができる。この構成によれば、この構成によれば、第2樹脂部の弾性率をより向上させることができる。   The said structure WHEREIN: The said filler can be set as the structure which is a silica filler. According to this configuration, according to this configuration, the elastic modulus of the second resin portion can be further improved.

上記構成において、前記第1樹脂部および前記第2樹脂部はエポキシ樹脂およびポリイミド樹脂のいずれか一方を含む構成とすることができる。この構成によれば、安価で簡単に第1樹脂部および第2樹脂部を形成することができる。   The said structure WHEREIN: The said 1st resin part and the said 2nd resin part can be set as the structure containing any one of an epoxy resin and a polyimide resin. According to this configuration, the first resin portion and the second resin portion can be formed inexpensively and easily.

本発明は、圧電基板または圧電膜上に弾性波素子を形成する工程と、前記圧電基板または圧電膜上に、前記弾性波素子上に空洞を有する第1樹脂部を形成する工程と、前記第1樹脂部の上面に前記空洞を投影した全ての領域を含み、かつ前記第1樹脂部の全ての縁および前記弾性波素子と電気的に接続する接続部を形成すべき前記第1樹脂部の開口部の全ての縁から離れるように、前記第1樹脂部の弾性率より大きい弾性率を有する第2樹脂部を形成する工程と、前記第1樹脂部の前記開口部に前記接続部を形成する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、第2樹脂部を第1樹脂部の空洞の上部に形成するため、中空構造が変形することを抑制することができる。
The present invention includes a step of forming an acoustic wave element on a piezoelectric substrate or a piezoelectric film, a step of forming a first resin portion having a cavity on the acoustic wave element on the piezoelectric substrate or the piezoelectric film, look including the whole region defined by projecting the cavity on the upper surface of the first resin section, and wherein the first resin portion to be formed all edges and the elastic wave device and connecting portions for electrically connecting the first resin portion Forming a second resin part having an elastic modulus larger than that of the first resin part so as to be separated from all edges of the opening part, and connecting the connection part to the opening part of the first resin part. And forming the acoustic wave device. According to the present invention, since the second resin part is formed in the upper part of the cavity of the first resin part, it is possible to suppress the deformation of the hollow structure.

上記構成において、前記第1樹脂部を形成する工程は、前記空洞となるべき領域に開口部を有する第1樹脂膜を前記圧電基板または圧電膜上に形成する工程と、前記第1樹脂膜上に、前記開口部を空洞として残存させるように第2樹脂膜を形成する工程と、前記第2樹脂膜の所定領域を除去し、前記第1樹脂膜と前記第2樹脂膜とより前記第1樹脂部を形成する工程と、を含み、記第2樹脂部を形成する工程は、前記第2樹脂膜上に感光性樹脂膜である第3樹脂膜を形成する工程と、前記第3樹脂膜の所定領域を露光する工程と、前記第3樹脂膜を現像し、前記第3樹脂膜より前記第2樹脂部を形成する工程と、を含む構成とすることができる。この構成によれば、空洞を有する第1樹脂部および第2樹脂部を簡単に形成することができる。   In the above configuration, the step of forming the first resin portion includes a step of forming a first resin film having an opening in the region to be the cavity on the piezoelectric substrate or the piezoelectric film, and a step on the first resin film. And forming a second resin film so that the opening remains as a cavity, removing a predetermined region of the second resin film, and forming the first resin film and the second resin film by the first resin film and the second resin film. Forming the resin portion, and forming the second resin portion includes forming a third resin film, which is a photosensitive resin film, on the second resin film, and the third resin film. And a step of developing the third resin film and forming the second resin portion from the third resin film. According to this structure, the 1st resin part and 2nd resin part which have a cavity can be formed easily.

上記構成において、前記第2樹脂膜は感光性樹脂膜であり、前記第1樹脂膜と前記第2樹脂膜とより前記第1樹脂部を形成する工程は、前記第2樹脂膜の所定領域を露光する工程と、前記第2樹脂膜を現像し、前記第1樹脂膜および前記第2樹脂膜より前記第1樹脂部を形成する工程と、を含み、前記第2樹脂膜の所定領域を露光する工程は、前記第3樹脂膜を形成する工程の前に行い、前記第2樹脂膜を現像し、前記第1樹脂膜と前記第2樹脂膜とより前記第1樹脂部を形成する工程は、前記第3樹脂膜を現像し前記第3樹脂膜より前記第2樹脂部を形成する工程と同時に行われる構成とすることができる。この構成によれば、第2樹脂膜および第3樹脂膜の現像を一度で行うことができる。よって製造工程を短縮することができる。   In the above configuration, the second resin film is a photosensitive resin film, and the step of forming the first resin portion from the first resin film and the second resin film includes forming a predetermined region of the second resin film. And exposing the predetermined region of the second resin film by exposing the predetermined region of the second resin film, and developing the second resin film to form the first resin portion from the first resin film and the second resin film. The step of forming is performed before the step of forming the third resin film, the step of developing the second resin film, and the step of forming the first resin portion from the first resin film and the second resin film includes The third resin film can be developed and formed at the same time as the second resin portion is formed from the third resin film. According to this configuration, the development of the second resin film and the third resin film can be performed at a time. Therefore, the manufacturing process can be shortened.

本発明によれば、モジュール化の際の圧力で変形しない中空構造を有する弾性波デバイスおよびその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the elastic wave device which has a hollow structure which does not deform | transform with the pressure in the case of modularization, and its manufacturing method can be provided.

まず、発明者が、従来例1ないし5の課題を明確にするために行った実験について説明する。図1(a)ないし図1(c)は実験に用いた比較例1に係る弾性波デバイスを示す図である。図1(a)は平面図、図1(b)は図1(a)のA−A断面図、図1(c)は図1(a)のB−B断面図である。なお、図1(a)は、樹脂部20を透視して弾性波素子12、配線16および空洞18を図示し、弾性波素子12および配線16は実線、空洞18は破線で示している。図1(a)および図1(b)を参照に、圧電基板10表面に金属膜で形成されたIDT、反射器等からなる弾性波素子12が設けられ、さらに圧電基板10上には弾性波素子12の機能部分上に空洞18を有する樹脂部20が設けられている。   First, an experiment conducted by the inventor in order to clarify the problems of the conventional examples 1 to 5 will be described. FIG. 1A to FIG. 1C are diagrams showing an acoustic wave device according to Comparative Example 1 used in the experiment. 1A is a plan view, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1A, and FIG. 1C is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 1A shows the acoustic wave element 12, the wiring 16, and the cavity 18 through the resin portion 20, and the acoustic wave element 12 and the wiring 16 are indicated by a solid line, and the cavity 18 is indicated by a broken line. Referring to FIGS. 1A and 1B, an acoustic wave element 12 made of a metal film, such as an IDT and a reflector, is provided on the surface of the piezoelectric substrate 10, and an acoustic wave is further formed on the piezoelectric substrate 10. A resin portion 20 having a cavity 18 is provided on the functional portion of the element 12.

図1(a)および図1(c)を参照に、圧電基板10上に配線16が形成され、配線16上に樹脂部20が設けられている。樹脂部20を貫通するプラグ金属30が設けられ、弾性波素子12とプラグ金属30とは配線16および配線16上の電極パッド17により接続されている。プラグ金属30上にはハンダボール32が設けられる。このように、弾性波素子12は中空構造を有する樹脂部20に封止され、配線16、プラグ金属30を介しハンダボール32に接続される。なお、比較例1に係る弾性波デバイスは、樹脂部20の高さが約90μm、空洞18の高さが約30μm、空洞18の幅が約500μmである。   With reference to FIG. 1A and FIG. 1C, a wiring 16 is formed on the piezoelectric substrate 10, and a resin portion 20 is provided on the wiring 16. A plug metal 30 penetrating the resin portion 20 is provided, and the acoustic wave element 12 and the plug metal 30 are connected by the wiring 16 and the electrode pad 17 on the wiring 16. Solder balls 32 are provided on the plug metal 30. As described above, the acoustic wave element 12 is sealed by the resin portion 20 having a hollow structure, and is connected to the solder ball 32 via the wiring 16 and the plug metal 30. In the acoustic wave device according to Comparative Example 1, the height of the resin portion 20 is about 90 μm, the height of the cavity 18 is about 30 μm, and the width of the cavity 18 is about 500 μm.

図2(a)から図2(f)を参照に、比較例1に係る弾性波デバイスの樹脂部20の形成工程を説明する。図2(a)から図2(c)は図1(a)のA−A断面に相当する断面図であり、図2(d)から図2(f)は図1(a)のB−B断面に相当する断面図である。図2(a)および図2(d)を参照に、弾性波素子12および配線16が形成された圧電基板10上に、感光性を有しノボラック型エポキシ樹脂を含有する第1樹脂膜19を約30μmの膜厚になるようにスピンコート法を用い塗布する。その後乾燥する。露光現像することで、弾性波素子12上、切断領域上64および電極パッド17上の第1樹脂膜19を除去する。これにより、第1樹脂膜19には弾性波素子12上に開口部60、電極パッド17上に開口部62および切断領域64上に開口部が形成される。さらに、約200℃の窒素雰囲気中で約1時間加熱し、第1樹脂膜19を硬化させる。   With reference to FIG. 2A to FIG. 2F, a process of forming the resin portion 20 of the acoustic wave device according to Comparative Example 1 will be described. 2 (a) to 2 (c) are cross-sectional views corresponding to the AA cross section of FIG. 1 (a), and FIGS. 2 (d) to 2 (f) are B- It is sectional drawing equivalent to B cross section. 2A and 2D, a first resin film 19 having photosensitivity and containing a novolac type epoxy resin is formed on the piezoelectric substrate 10 on which the acoustic wave element 12 and the wiring 16 are formed. Application is performed using a spin coat method so as to have a film thickness of about 30 μm. Then dry. By exposing and developing, the first resin film 19 on the acoustic wave element 12, the cutting region 64, and the electrode pad 17 is removed. As a result, an opening 60 is formed in the first resin film 19 on the acoustic wave element 12, an opening 62 is formed on the electrode pad 17, and an opening is formed on the cutting region 64. Further, the first resin film 19 is cured by heating in a nitrogen atmosphere at about 200 ° C. for about 1 hour.

図2(b)および図2(e)を参照に、第1樹脂膜19上に、開口部60、62等を保持するように、厚さが約60μmのフィルム状の感光性のノボラック型エポキシ樹脂を含有する第2樹脂膜21をラミネート法を用い貼り付ける。これにより、開口部60は空洞18に開口部62は空洞66となる。図2(c)および図2(f)を参照に、現像露光することで、第1樹脂膜19に形成された切断領域64上の空洞上、空洞66上の第2樹脂膜21に開口部を設ける。これにより、弾性波素子12上に空洞18を有し、電極パッド17上にプラグ金属30を形成すべき開口部68を有する樹脂部20が形成される。   2B and 2E, a film-like photosensitive novolac epoxy having a thickness of about 60 μm so as to hold the openings 60, 62 and the like on the first resin film 19. A second resin film 21 containing a resin is attached using a laminating method. As a result, the opening 60 becomes the cavity 18 and the opening 62 becomes the cavity 66. With reference to FIG. 2C and FIG. 2F, an opening is formed in the cavity on the cutting region 64 formed in the first resin film 19 and in the second resin film 21 on the cavity 66 by development exposure. Is provided. Thereby, the resin part 20 having the cavity 18 on the acoustic wave element 12 and the opening 68 in which the plug metal 30 is to be formed on the electrode pad 17 is formed.

比較例1に係る弾性波デバイスは、弾性波素子12の機能部分上に空洞18を有する樹脂部20で保護されているため、モジュール化のため樹脂封止した際、弾性波素子12の機能部分は中空構造により保護される。また、樹脂部20にプラグ金属30を設けられており、プラグ電極30が樹脂部20上に形成されたハンダボール32と弾性波素子12とを接続している。プラグ金属30は樹脂部20で囲まれた開口部68に金属を充填し形成するため、容易にプラグ金属30の形成ができる。ハンダボール32は樹脂部20上に設けられているため、ハンダボール32は樹脂部20の上面より高くすることができ、表面実装を行うことができる。   Since the acoustic wave device according to Comparative Example 1 is protected by the resin part 20 having the cavity 18 on the functional part of the acoustic wave element 12, the functional part of the acoustic wave element 12 is sealed when resin-sealed for modularization. Is protected by a hollow structure. Further, a plug metal 30 is provided on the resin portion 20, and the plug electrode 30 connects the solder ball 32 formed on the resin portion 20 and the acoustic wave element 12. Since the plug metal 30 is formed by filling the opening 68 surrounded by the resin portion 20 with metal, the plug metal 30 can be easily formed. Since the solder ball 32 is provided on the resin part 20, the solder ball 32 can be made higher than the upper surface of the resin part 20, and surface mounting can be performed.

このような弾性波デバイスがモジュール化の樹脂封止に耐えられるかを実験した。まず、図3(a)を参照に、圧電基板10上の樹脂部20を有する弾性波デバイスをプリント板70に取り付けた。通常、モジュール化する際は樹脂部20の方をプリント板70に取り付けるが、この実験では中空構造の変形を確認しやすくするため圧電基板10の方をプリント板70に取り付けた。図3(b)を参照に、弾性波デバイスを取り付けたプリント板70をトランスファーモールド金型72内に取り付けた。封止樹脂注入用金型74に175℃に加熱したフィラーを含有する熱硬化型エポキシ樹脂80を封入した。熱硬化型エポキシ樹脂80にプランジャー76を用い70kg/cmの圧力を加え、トランスファーモールド金型72内に押し込んだ。モジュール化の樹脂封止の際、樹脂80の温度は一般的に150℃から200℃が用いられ、封止する樹脂80の圧力は一般的に30から100Kg/cmが用いられる。今回の実験はこれらの値のほぼ中心の値を用いている。このようにして、弾性波デバイスにモジュール化の際加わる圧力を印加した。 An experiment was conducted to determine whether such an acoustic wave device can withstand modular resin sealing. First, referring to FIG. 3A, the acoustic wave device having the resin portion 20 on the piezoelectric substrate 10 was attached to the printed board 70. Usually, when modularizing, the resin portion 20 is attached to the printed board 70. In this experiment, the piezoelectric substrate 10 is attached to the printed board 70 in order to make it easy to confirm the deformation of the hollow structure. With reference to FIG. 3B, the printed board 70 to which the acoustic wave device was attached was attached in the transfer mold 72. A thermosetting epoxy resin 80 containing a filler heated to 175 ° C. was sealed in a sealing resin injection mold 74. A pressure of 70 kg / cm 2 was applied to the thermosetting epoxy resin 80 using a plunger 76 and pushed into the transfer mold die 72. At the time of modular resin sealing, the temperature of the resin 80 is generally 150 ° C. to 200 ° C., and the pressure of the resin 80 to be sealed is generally 30 to 100 Kg / cm 2 . In this experiment, the value at the center of these values is used. In this way, the pressure applied during modularization was applied to the acoustic wave device.

図4は、上記実験後の弾性波デバイスの断面SEM写真の模式図である。フィラー82を含有するエポキシ樹脂80により圧電基板10上に設けられた樹脂部20は、空洞18が潰れ樹脂部20が変形している。これは、樹脂部20は空洞18を有しているため、エポキシ樹脂80の圧力に樹脂部20が耐えられず塑性変形したものと考えられる。比較例1に係る弾性波デバイスで用いた第1樹脂膜19および第2樹脂膜21の弾性率は室温では2.4GPaに対し、モジュール化する際に加わる温度である150℃から200℃では900MPaに低下してしまう。このように、一般的な樹脂では弾性率が高温になると低下してしまう。このため、モジュール化の樹脂封止の際、その温度および圧力により樹脂部20が塑性変形してしまうのではないかと考えた。   FIG. 4 is a schematic diagram of a cross-sectional SEM photograph of the acoustic wave device after the experiment. In the resin part 20 provided on the piezoelectric substrate 10 by the epoxy resin 80 containing the filler 82, the cavity 18 is crushed and the resin part 20 is deformed. This is presumably because the resin part 20 has the cavity 18 and thus the resin part 20 cannot withstand the pressure of the epoxy resin 80 and is plastically deformed. The elastic modulus of the first resin film 19 and the second resin film 21 used in the elastic wave device according to Comparative Example 1 is 2.4 MPa at room temperature, and 900 MPa at 150 to 200 ° C., which is a temperature applied when modularizing. It will drop to. Thus, with a general resin, the elastic modulus decreases when the temperature becomes high. For this reason, at the time of modular resin sealing, it was thought that the resin part 20 might be plastically deformed by the temperature and pressure.

そこで、比較例1に係る弾性波デバイスの中空構造の変形状態を調査した。図5(a)を参照に、比較例1に係る弾性波デバイスの天井部にダイナミック微小硬度計(島津製作所製)の圧子を押し込んだ。このときの天井部の凹み量をDとした。このように、天井部の凹み量Dを変えて調べたところ、天井部の凹み量Dが10μmを越えると変形が元に戻らなくなり、12μmを越えると完全に塑性変形することがわかった。   Therefore, the deformation state of the hollow structure of the acoustic wave device according to Comparative Example 1 was investigated. With reference to Fig.5 (a), the indenter of the dynamic micro hardness tester (made by Shimadzu Corporation) was pushed into the ceiling part of the elastic wave device which concerns on the comparative example 1. FIG. The amount of dent in the ceiling at this time was D. As described above, when the dent amount D of the ceiling portion was changed, the deformation was not restored when the dent amount D of the ceiling portion exceeded 10 μm, and it was found to be completely plastically deformed when it exceeded 12 μm.

さらに、比較例1の樹脂部20と同じ寸法のモデルを用い、樹脂部20の天井部に70Kg/cm2の圧力を印加したときの、樹脂部20の弾性率に対する天井の凹み量Dを計算した。図5(b)はその結果を示す図である。なお、計算は有限要素を用いたシミュレーションソフトANSYS(商品名)を用い樹脂部20は完全弾性体と仮定した。樹脂の温度が150℃から200℃の弾性率である900MPaでは天井部の凹み量は22μmとなる(図5(b)のA点)。このように、樹脂の弾性率が900MPaのときは、天井部の凹み量は天井部の弾性限界である12μmを大きく越えている。以上を勘案すると、トランスファーモールドの成形時に、過熱により樹脂部20の天井部の弾性率が低下し、圧力により天井部の凹み量が弾性限界を越え、図4のように、樹脂部20が塑性変形に至ったものと考えられる。   Furthermore, using a model having the same dimensions as the resin part 20 of Comparative Example 1, the amount of ceiling depression D with respect to the elastic modulus of the resin part 20 when a pressure of 70 kg / cm 2 was applied to the ceiling part of the resin part 20 was calculated. . FIG. 5B shows the result. For the calculation, simulation software ANSYS (trade name) using a finite element was used, and the resin part 20 was assumed to be a complete elastic body. When the temperature of the resin is 900 MPa, which is an elastic modulus of 150 ° C. to 200 ° C., the amount of recess in the ceiling is 22 μm (point A in FIG. 5B). Thus, when the elastic modulus of the resin is 900 MPa, the amount of recess in the ceiling part greatly exceeds 12 μm, which is the elastic limit of the ceiling part. Considering the above, at the time of molding the transfer mold, the elastic modulus of the ceiling portion of the resin portion 20 is reduced due to overheating, and the amount of depression of the ceiling portion exceeds the elastic limit due to pressure, and the resin portion 20 is plastic as shown in FIG. It is thought that it has led to deformation.

樹脂部20の天井部が弾性限界を超えないためには、図5(b)より、樹脂部20の天井部の弾性率は1.8GPa以上が好ましい。このように、樹脂部20の天井部の樹脂には一般的な樹脂の約2倍の弾性率が求められる。   In order that the ceiling part of the resin part 20 does not exceed the elastic limit, the elastic modulus of the ceiling part of the resin part 20 is preferably 1.8 GPa or more from FIG. Thus, the resin of the ceiling part of the resin part 20 is required to have a modulus of elasticity about twice that of a general resin.

樹脂の弾性率を安価に向上させるための手段として、樹脂にフィラーを添加する方法がある。そこで、粒径が0.01μmから8μmで、平均粒径が約4μmのシリカフィラーを添加した樹脂を用い、その弾性率を調査した。図6は、樹脂へのフィラーの添加の割合(樹脂に対する重量比)に対する、フィラーを添加する前の樹脂単体で規格化した弾性率である。規格化した弾性率はフィラーの添加量40重量%以上で急激に大きくなり、45重量%以上で規格化した弾性率が2を越える。このように、フィラーの添加量が45重量%以上の樹脂を樹脂部20の天井部に用いることにより、モジュール化の際においても、樹脂部20の天井部の凹み量は図5(b)の弾性変形の範囲内とすることができる。   As a means for improving the elastic modulus of the resin at low cost, there is a method of adding a filler to the resin. Then, the elasticity modulus was investigated using resin which added the silica filler whose particle size is 0.01 micrometer-8 micrometers and whose average particle diameter is about 4 micrometers. FIG. 6 shows the elastic modulus normalized by the resin alone before adding the filler to the ratio of the filler added to the resin (weight ratio to the resin). The normalized elastic modulus increases rapidly when the added amount of filler is 40% by weight or more, and the normalized elastic modulus exceeds 2 at 45% by weight or more. In this way, by using a resin with an added amount of filler of 45% by weight or more for the ceiling portion of the resin portion 20, even when modularized, the amount of recess in the ceiling portion of the resin portion 20 is as shown in FIG. It can be within the range of elastic deformation.

一方、図7は、樹脂へのフィラーの添加の割合(樹脂に対する重量比)に対する、フィラーを添加しない樹脂単体の粘度で規格化したフィラーを添加した樹脂の粘度を示している。フィラーを添加すると樹脂の粘度は大きくなる。そして、フィラーの添加量が60重量%を越えると、樹脂の粘度は急激に上昇し、スピンコート法での塗布が困難であった。このため、60重量%以上の粘度の測定は行っていない。このように、フィラーの添加量が60重量%を越える樹脂の形成は、印刷機等を用い形成することとなり、製造コストが高くなってしまう。   On the other hand, FIG. 7 shows the viscosity of the resin added with the filler normalized by the viscosity of the single resin not added with the filler with respect to the ratio of the filler added to the resin (weight ratio to the resin). When the filler is added, the viscosity of the resin increases. When the added amount of the filler exceeds 60% by weight, the viscosity of the resin rapidly increases, and it is difficult to apply by spin coating. For this reason, the measurement of the viscosity of 60 weight% or more is not performed. As described above, the formation of the resin in which the added amount of the filler exceeds 60% by weight is performed using a printing machine or the like, resulting in an increase in manufacturing cost.

比較例2に係る弾性波デバイスでは、樹脂部20の天井部にフィラーを45重量%から60重量%添加した樹脂を用い形成した。図8(a)から図8(f)は実施例2に係る弾性波デバイスの樹脂部の形成工程を説明するための断面図である。図8(a)および図8(d)は比較例1の図2(a)および図2(d)と同じ図であり同じ部材は同じ符号を付し説明を省略する。図8(b)および図8(e)を参照に、シリカフィラーを45重量%から60重量%添加した厚さが約60μmのフィルム状の感光性のノボラック型エポキシ樹脂を含有する第2樹脂膜21aをラミネート法を用い貼り付ける。その他の構成は図2(b)および図2(e)と同じであり説明を省略する。   In the acoustic wave device according to Comparative Example 2, the resin part 20 was formed using a resin to which 45 wt% to 60 wt% of filler was added to the ceiling part. FIG. 8A to FIG. 8F are cross-sectional views for explaining a process of forming a resin portion of the acoustic wave device according to the second embodiment. 8 (a) and 8 (d) are the same as FIGS. 2 (a) and 2 (d) of Comparative Example 1, and the same members are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. Referring to FIGS. 8B and 8E, a second resin film containing a photosensitive novolak type epoxy resin having a film thickness of about 60 μm to which 45 wt% to 60 wt% of silica filler is added. 21a is pasted using a laminating method. Other configurations are the same as those in FIG. 2B and FIG.

図8(c)および図8(f)を参照に、第2樹脂膜21aのプラグ金属30を形成すべき領域の空洞66および切断領域64に開口部を設けるべく、マスクを用い第2樹脂膜21aの所定の領域に紫外線(UV光)を照射する。図9(a)から図9(c)は第2樹脂膜21aを現像した後の図である。図9(a)は平面図、図9(b)および図9(c)はそれぞれ、図9(a)のA−A、B―B断面図である。図1(a)から図1(c)と同じ部材は同じ符号を付し説明を省略する。第2樹脂膜21aから形成された天井部46の形状はいびつである。また、プラグ金属30を形成すべき開口部68および切断領域64の開口部にはフィラーの残渣44が残存している。これは、フィラーの添加量を増やしたため第2樹脂膜21aの現像性が悪くなったためである。   With reference to FIG. 8C and FIG. 8F, the second resin film is used by using a mask to provide openings in the cavity 66 and the cutting region 64 of the region of the second resin film 21a where the plug metal 30 is to be formed. Ultraviolet rays (UV light) are irradiated to a predetermined area of 21a. FIG. 9A to FIG. 9C are views after the second resin film 21a is developed. 9A is a plan view, and FIGS. 9B and 9C are cross-sectional views taken along lines AA and BB in FIG. 9A, respectively. The same members as those in FIG. 1A to FIG. The shape of the ceiling portion 46 formed from the second resin film 21a is irregular. Further, the filler residue 44 remains in the opening 68 where the plug metal 30 is to be formed and the opening of the cutting region 64. This is because the developability of the second resin film 21a is deteriorated because the amount of filler added is increased.

このように、樹脂部20の天井部の弾性率を向上させるため、フィラーを添加した樹脂を用いると、感光性の第2樹脂膜21aを用いた樹脂部20の形成が難しい。しかし、感光性の第2樹脂膜21aを用いた樹脂部20の形成は樹脂部20の形成コストが削減できるため有効な方法である。そこで、上記課題を解決するための実施例を以下に説明する。   As described above, in order to improve the elastic modulus of the ceiling portion of the resin portion 20, it is difficult to form the resin portion 20 using the photosensitive second resin film 21a when a resin to which a filler is added is used. However, the formation of the resin part 20 using the photosensitive second resin film 21a is an effective method because the formation cost of the resin part 20 can be reduced. An embodiment for solving the above problem will be described below.

図10(a)は実施例1に係る弾性波デバイスの平面図である。第1樹脂部20および第2樹脂部40を透視し弾性波素子12、配線16および空洞18を図示し、弾性波素子12および配線16は実線、空洞18および第2樹脂部40は破線で示している。図10(b)および図10(c)はそれぞれ図10(a)のA−AおよびB−B断面図である。図10(a)から図10(c)を参照に、第1樹脂部(比較例1および2では樹脂部)20上に第2樹脂部40が形成されている。その他の構成は比較例1の図1(a)から図1(c)と同じであり、同じ部材は同じ符号を付し説明を省略する。第2樹脂部40は、第1樹脂部20の上面に空洞18を投影した領域を含むように設けられ、かつ第1樹脂部20の上面の一部に設けられている。   FIG. 10A is a plan view of the acoustic wave device according to the first embodiment. The elastic wave element 12, the wiring 16, and the cavity 18 are illustrated through the first resin part 20 and the second resin part 40, the elastic wave element 12 and the wiring 16 are indicated by solid lines, and the cavity 18 and the second resin part 40 are indicated by broken lines. ing. FIGS. 10B and 10C are cross-sectional views taken along lines AA and BB in FIG. 10A, respectively. With reference to FIG. 10A to FIG. 10C, a second resin portion 40 is formed on the first resin portion (resin portion in Comparative Examples 1 and 2) 20. Other configurations are the same as those in FIG. 1A to FIG. 1C of Comparative Example 1, and the same members are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. The second resin part 40 is provided so as to include a region where the cavity 18 is projected on the upper surface of the first resin part 20, and is provided on a part of the upper surface of the first resin part 20.

次に、図11(a)から図14(f)を用い実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図11(a)ないし図11(c)、図12(a)ないし図12(c)、図13(a)および図13(b)並びに図14(a)ないし図14(c)は図10(a)のA−A断面に相当する断面の製造工程を示した図である。一方、図11(d)ないし図11(f)、図12(d)ないし図12(f)、図13(c)および図13(d)並びに図14(d)ないし図14(f)は図10(a)のB−B断面に相当する断面の製造工程を示した図である。また、図11(a)ないし図14(f)は、ウェハ状態の圧電基板10を用いで行われる製造工程であり、複数の弾性波デバイスとなるべき領域がウェハ上に存在するが、1つの複数の弾性波デバイスとなるべき領域を図示して説明する。図中の切断領域64は複数の弾性波デバイスとなるべき領域を、例えばダイシングで分離するための領域である。   Next, a method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 11 (a) through 11 (c), 12 (a) through 12 (c), 13 (a) and 13 (b), and 14 (a) through 14 (c) are shown in FIG. It is the figure which showed the manufacturing process of the cross section corresponded to the AA cross section of (a). On the other hand, FIGS. 11 (d) to 11 (f), 12 (d) to 12 (f), 13 (c) and 13 (d), and 14 (d) to 14 (f) are shown. It is the figure which showed the manufacturing process of the cross section corresponded to the BB cross section of Fig.10 (a). FIGS. 11A to 14F show a manufacturing process performed using the piezoelectric substrate 10 in a wafer state, and there are a plurality of regions to be acoustic wave devices on the wafer. A region to be a plurality of acoustic wave devices is illustrated and described. A cutting region 64 in the drawing is a region for separating regions to be a plurality of acoustic wave devices by, for example, dicing.

図11(a)および図11(d)を参照に、圧電基板10(LiTaO3、LiNbO3等)上にAlを用い金属膜を形成し、弾性波素子12および配線16を形成する。配線16上のプラグ金属30を形成すべき領域に電極パッド17を形成する。図11(b)および図11(e)を参照に、圧電基板10、弾性波素子12および配線16上に照射部が現像されなくなるネガ型の感光性を有するノボラック型のエポキシ樹脂である第1樹脂膜19を30μm程度塗布しポストベークする。図11(c)および図11(f)を参照に、マスクを用い紫外線(UV光)を、第1樹脂膜19の弾性波素子12の機能部分上の空洞18を形成すべき領域、電極パッド17および切断領域64以外の領域に照射する。   11A and 11D, a metal film is formed using Al on the piezoelectric substrate 10 (LiTaO 3, LiNbO 3, etc.), and the acoustic wave element 12 and the wiring 16 are formed. An electrode pad 17 is formed in a region on the wiring 16 where the plug metal 30 is to be formed. Referring to FIGS. 11B and 11E, a first novolak epoxy resin having negative photosensitivity that prevents the irradiated portion from being developed on the piezoelectric substrate 10, the acoustic wave element 12, and the wiring 16. A resin film 19 is applied to about 30 μm and post-baked. With reference to FIGS. 11C and 11F, ultraviolet light (UV light) using a mask is applied to the region where the cavity 18 on the functional portion of the acoustic wave element 12 of the first resin film 19 is to be formed, the electrode pad Irradiate the area other than 17 and the cutting area 64.

図12(a)および図12(d)を参照に、第1樹脂膜19を現像することで、紫外線(UV光)を照射していない領域の第1樹脂膜19を除去する。これにより、第1樹脂膜19に空洞となるべき開口部60、電極パッド17周辺の開口部62、切断領域64の開口部が形成される。さらに、窒素雰囲気中の200℃で1時間熱処理することで第1樹脂膜19を硬化させる。図12(b)および図12(e)を参照に、保護フィルム52に塗られたフィルム状のネガ型感光性樹脂である第2樹脂膜21をラミネータ等の押し付けロール50を用い、第1樹脂膜19上に押し付け貼り付ける。図12(c)および図12(f)を参照に、電極パッド17上および切断領域64以外の領域に紫外線を照射する。   Referring to FIGS. 12A and 12D, the first resin film 19 is developed to remove the first resin film 19 in the region not irradiated with ultraviolet rays (UV light). As a result, the opening 60 to be a cavity, the opening 62 around the electrode pad 17, and the opening of the cutting region 64 are formed in the first resin film 19. Furthermore, the 1st resin film 19 is hardened by heat-processing at 200 degreeC in nitrogen atmosphere for 1 hour. Referring to FIG. 12B and FIG. 12E, the first resin is applied to the second resin film 21 that is a film-like negative photosensitive resin applied to the protective film 52 by using a pressing roll 50 such as a laminator. Press and paste onto the film 19. With reference to FIG. 12C and FIG. 12F, ultraviolet rays are irradiated on the electrode pad 17 and a region other than the cutting region 64.

図13(a)および図13(c)を参照に、保護フィルム2を剥がし、第2樹脂膜21上に、シリカフィラーを45重量%から60重量%添加した感光性の第3樹脂膜41を塗布する、図13(b)および図13(d)を参照に、空洞18の上部の第2樹脂部を形成すべき領域に紫外線(UV光)を照射する。図14(a)および図14(d)を参照に、現像することにより紫外線を照射していない領域の第3樹脂膜41を除去し、第2樹脂部40を形成する。また、同時に紫外線を照射していない領域の第2樹脂膜21を除去し、第1樹脂膜19と第2樹脂膜21とから圧電基板10上の弾性波素子12上に空洞18有する第1樹脂部20が形成される。第1樹脂部20は切断領域64およびプラグ金属30を形成すべき開口部68には形成されていない。また、第2樹脂部40は、第1樹脂部20の上面に前記空洞を投影した領域を含むように形成され、かつプラグ金属30を形成すべき開口部68の周辺には第2樹脂部40を形成していない。つまり、第2樹脂部40は第1樹脂部20の上面の一部に形成される。第3樹脂膜41はフィラーを多く含有するため現像性が悪化しているが、第2樹脂部40を第1樹脂部20の上面の一部にしか形成しないことにより、図8(a)から図8(c)のように、フィラーの残渣44が残存することを抑制できる。   Referring to FIG. 13A and FIG. 13C, the protective film 2 is peeled off, and a photosensitive third resin film 41 in which a silica filler is added at 45 wt% to 60 wt% on the second resin film 21. With reference to FIG. 13B and FIG. 13D to be applied, the region where the second resin portion above the cavity 18 is to be formed is irradiated with ultraviolet rays (UV light). Referring to FIG. 14A and FIG. 14D, the third resin film 41 in the region not irradiated with ultraviolet rays is removed by development, and the second resin portion 40 is formed. At the same time, the second resin film 21 in the region not irradiated with ultraviolet rays is removed, and the first resin having the cavity 18 on the acoustic wave element 12 on the piezoelectric substrate 10 from the first resin film 19 and the second resin film 21. Part 20 is formed. The first resin portion 20 is not formed in the opening 68 where the cutting region 64 and the plug metal 30 are to be formed. The second resin part 40 is formed so as to include a region where the cavity is projected on the upper surface of the first resin part 20, and the second resin part 40 is formed around the opening 68 where the plug metal 30 is to be formed. Does not form. That is, the second resin portion 40 is formed on a part of the upper surface of the first resin portion 20. Since the third resin film 41 contains a large amount of filler, the developability is deteriorated. However, by forming the second resin portion 40 only on a part of the upper surface of the first resin portion 20, from FIG. As shown in FIG. 8C, the filler residue 44 can be prevented from remaining.

図14(b)および図14(e)を参照に、開口部68内にNi、CuまたはAu等を無電解メッキし導電性のプラグ金属30を形成する。プラグ金属30は銀ペースト等の導電性物質を印刷で開口部42内に充填する方法で形成しても良い。図14(c)および図14(f)を参照に、プラグ金属30上に、プラグ金属30に接続するハンダボール32を形成する。以上により、弾性波素子12と電気的に接続するプラグ金属30(接続部)およびハンダボール32が形成される。その後、切断領域64の圧電基板10をダイシングにより切断する。以上により、実施例1に係る弾性波デバイスが完成する。   Referring to FIGS. 14B and 14E, Ni, Cu, Au, or the like is electrolessly plated in opening 68 to form conductive plug metal 30. The plug metal 30 may be formed by a method of filling a conductive material such as silver paste into the opening 42 by printing. Referring to FIG. 14C and FIG. 14F, a solder ball 32 connected to the plug metal 30 is formed on the plug metal 30. Thus, the plug metal 30 (connection portion) and the solder ball 32 that are electrically connected to the acoustic wave element 12 are formed. Thereafter, the piezoelectric substrate 10 in the cutting region 64 is cut by dicing. Thus, the acoustic wave device according to Example 1 is completed.

実施例1に係る弾性波デバイスは、第1樹脂部20上に設けられた第2樹脂部40を有し、第2樹脂部40は、第1樹脂部20の上面に空洞18を投影した領域を含むよう設けられている。第2樹脂部40が第1樹脂部20の空洞18の上部を覆っているため、比較例のように、例えば弾性波デバイスをモジュール化する際に、第2樹脂部40および第1樹脂部20が塑性変形し空洞18が潰れるすなわち中空構造が変形することを抑制することができる。第2樹脂部40は少なくとも第1樹脂部20の上面に空洞18を投影した領域を含んでいれば、空洞18が潰れることを抑制できる。第2樹脂部40の第1樹脂部20の上面に接する面が、第1樹脂部20の上面に空洞18を投影した領域を含んでいればその効果を奏する。しかし、第2樹脂部40の上面を第1樹脂部の上面に投影した面が、第1樹脂部20の上面に空洞18を投影した領域を含んでいることが、空洞18の潰れを抑制するためにより好ましい。   The acoustic wave device according to the first embodiment includes a second resin portion 40 provided on the first resin portion 20, and the second resin portion 40 is a region where the cavity 18 is projected on the upper surface of the first resin portion 20. Is provided. Since the 2nd resin part 40 has covered the upper part of the cavity 18 of the 1st resin part 20, when modularizing an elastic wave device like a comparative example, for example, the 2nd resin part 40 and the 1st resin part 20 Can be prevented from being plastically deformed and the cavity 18 being crushed, that is, the hollow structure being deformed. If the 2nd resin part 40 contains the area | region which projected the cavity 18 on the upper surface of the 1st resin part 20 at least, it can suppress that the cavity 18 is crushed. If the surface of the second resin part 40 in contact with the upper surface of the first resin part 20 includes a region where the cavity 18 is projected on the upper surface of the first resin part 20, the effect is obtained. However, the fact that the surface obtained by projecting the upper surface of the second resin portion 40 onto the upper surface of the first resin portion includes a region where the cavity 18 is projected on the upper surface of the first resin portion 20 suppresses the collapse of the cavity 18. Therefore, it is more preferable.

また、第2樹脂部40が有する弾性率を第1樹脂部20の有する弾性率より大きくすることが好ましい。図5(b)のように、弾性波デバイスをモジュール化する際に、第2樹脂部40は第1樹脂部20より歪が小さい、よって中空構造が変形することをより抑制することができる。   Moreover, it is preferable to make the elasticity modulus which the 2nd resin part 40 has larger than the elasticity modulus which the 1st resin part 20 has. As illustrated in FIG. 5B, when the acoustic wave device is modularized, the second resin portion 40 has a smaller strain than the first resin portion 20, and thus the deformation of the hollow structure can be further suppressed.

さらに、第2樹脂部40はフィラーを含有することが好ましい。これにより、第2樹脂部40の弾性率を向上させることができる。実施例1においては、第1樹脂部20はフィラーを含有していないが、現像が容易な範囲でフィラーを含有していても良い。   Furthermore, it is preferable that the 2nd resin part 40 contains a filler. Thereby, the elasticity modulus of the 2nd resin part 40 can be improved. In Example 1, although the 1st resin part 20 does not contain a filler, you may contain the filler in the range with easy development.

さらに、第2樹脂部40のフィラーの添加量は、第2樹脂部40に対する重量比が45重量%以上60重量%以下であることが好ましい。図6に示したように、フィラーの添加量が45重量%以上では規格化した弾性率を2以上とすることができる。また、図7に示したように、60重量%以下では、樹脂のスピンコート法での塗布を容易にする。また、フィラーの添加量は47重量%以上55重量%以下がより好ましい。   Furthermore, the amount of the filler added to the second resin part 40 is preferably 45% by weight or more and 60% by weight or less with respect to the second resin part 40. As shown in FIG. 6, when the added amount of the filler is 45% by weight or more, the normalized elastic modulus can be 2 or more. Further, as shown in FIG. 7, when the amount is 60% by weight or less, the resin can be easily applied by spin coating. The amount of filler added is more preferably 47% by weight to 55% by weight.

さらに、第2樹脂部40は感光性樹脂であることが好ましい。これにより、露光現像により容易に第2樹脂部を形成することができる。また、第2樹脂部がフィラーを含有する場合は、比較例2の図8(a)から図8(c)のようにフィラーの残渣が残存することを抑制することができる。   Furthermore, the second resin portion 40 is preferably a photosensitive resin. Thereby, the second resin portion can be easily formed by exposure and development. Moreover, when the 2nd resin part contains a filler, it can suppress that the residue of a filler remains like FIG. 8 (a) of FIG. 8 (c) of the comparative example 2. FIG.

さらに、フィラーはシリカフィラーであることが好ましい。シリカをフィラーとして用いることにより、第2樹脂部40の弾性率を向上させることができる。   Furthermore, the filler is preferably a silica filler. By using silica as a filler, the elastic modulus of the second resin portion 40 can be improved.

第2樹脂部40の150℃から200℃の弾性率は1.8GPa以上であることが好ましい。これにより、図5に示したように、第2樹脂部40が塑性変形することをより抑制でき、中空構造が変形することをより抑制することができる。   The elastic modulus of the second resin part 40 from 150 ° C. to 200 ° C. is preferably 1.8 GPa or more. Thereby, as shown in FIG. 5, it can suppress more that the 2nd resin part 40 deforms plastically, and can suppress that a hollow structure deform | transforms more.

さらに、第1樹脂部20および第2樹脂部40はエポキシ樹脂およびポリイミド樹脂のいずれか一方を含むことが好ましい。これらの樹脂を用いることにより安価で簡単に第1樹脂部20および第2樹脂部40を形成することができる。   Furthermore, it is preferable that the 1st resin part 20 and the 2nd resin part 40 contain either one of an epoxy resin and a polyimide resin. By using these resins, the first resin portion 20 and the second resin portion 40 can be easily formed at low cost.

図10(a)および図10(c)のように、第1樹脂部20を貫通し、弾性波素子12と接続するプラグ金属30(接続部)が設けられている。プラグ金属30はハンダボール32と接続する。ハンダボール32は表面実装するための端子であり、第2樹脂部40の上面より高く形成されているため、表面実装が可能となる。また、第2樹脂部40は、プラグ金属30(接続部)の周辺部には形成されていない。すなわち、第2樹脂部40は第1樹脂部20に形成されたプラグ金属30を含むような開口部を有することが好ましい。これにより、図9(a)から図9(c)に示した比較例2のように、プラグ金属30を形成すべき開口部に残渣44が形成されることを抑制することができる。   As shown in FIGS. 10A and 10C, a plug metal 30 (connection portion) that penetrates the first resin portion 20 and is connected to the acoustic wave element 12 is provided. The plug metal 30 is connected to the solder ball 32. The solder ball 32 is a terminal for surface mounting, and is formed higher than the upper surface of the second resin portion 40, so that surface mounting is possible. Further, the second resin portion 40 is not formed in the peripheral portion of the plug metal 30 (connection portion). That is, the second resin part 40 preferably has an opening including the plug metal 30 formed in the first resin part 20. Thereby, as in Comparative Example 2 shown in FIGS. 9A to 9C, it is possible to prevent the residue 44 from being formed in the opening where the plug metal 30 is to be formed.

さらに、図12(a)のように、空洞18となるべき開口部60を有する第1樹脂膜19を圧電基板または圧電膜上に形成し、図12(b)のように、第1樹脂膜19上に、開口部60を空洞18として残存させるように第2樹脂膜21を形成し、図14(a)のように、第2樹脂膜21の所定領域を除去し、第1樹脂膜19と第2樹脂膜21とより第1樹脂部20を形成する。これにより第1樹脂部20が形成される。また、図13(a)のように、第2樹脂膜21上に感光性樹脂膜である第3樹脂膜41を形成し、図13(b)のように、第3樹脂膜41の所定領域を露光し、図14(a)のように、第3樹脂膜41を現像し、第3樹脂膜41より第2樹脂部40を形成する。これにより、第2樹脂部40が形成される。このような工程により、空洞18を有する第1樹脂部20および第2樹脂部40をウェハ状態で形成することができる。   Further, as shown in FIG. 12A, a first resin film 19 having an opening 60 to be the cavity 18 is formed on the piezoelectric substrate or the piezoelectric film, and as shown in FIG. 12B, the first resin film 19 is formed. A second resin film 21 is formed on 19 so as to leave opening 60 as cavity 18, and a predetermined region of second resin film 21 is removed as shown in FIG. The first resin portion 20 is formed from the second resin film 21. Thereby, the 1st resin part 20 is formed. Further, as shown in FIG. 13A, a third resin film 41, which is a photosensitive resin film, is formed on the second resin film 21, and a predetermined region of the third resin film 41 is formed as shown in FIG. As shown in FIG. 14A, the third resin film 41 is developed, and the second resin portion 40 is formed from the third resin film 41. Thereby, the 2nd resin part 40 is formed. By such a process, the first resin part 20 and the second resin part 40 having the cavity 18 can be formed in a wafer state.

さらに、図12(c)のように、第2樹脂膜41の所定領域を露光し、図14(a)のように、第2樹脂膜41を現像する。これにより、第1樹脂膜19および第2樹脂膜21より第1樹脂部20が形成されている。また、図12(c)のように、第2樹脂膜21の所定領域を露光は、第3樹脂膜41を形成する(図13(a))の前に行う。図14(a)のように、第2樹脂膜21を現像し、第1樹脂膜19および第2樹脂膜21より第1樹脂部20を形成する工程は、第3樹脂膜41を現像し、第3樹脂膜41より第2樹脂部40を形成する工程と同時に行われている。このような工程により、第2樹脂膜21および第3樹脂膜41の現像を一度で行うことができる。よって製造工程を短縮することができる。   Further, a predetermined region of the second resin film 41 is exposed as shown in FIG. 12C, and the second resin film 41 is developed as shown in FIG. Thereby, the first resin portion 20 is formed from the first resin film 19 and the second resin film 21. Further, as shown in FIG. 12C, the predetermined region of the second resin film 21 is exposed before the third resin film 41 is formed (FIG. 13A). As shown in FIG. 14A, the step of developing the second resin film 21 and forming the first resin portion 20 from the first resin film 19 and the second resin film 21 develops the third resin film 41, It is performed simultaneously with the step of forming the second resin portion 40 from the third resin film 41. By such a process, the development of the second resin film 21 and the third resin film 41 can be performed at a time. Therefore, the manufacturing process can be shortened.

図15(a)ないし図15(c)は実施例1の変形例を示す図である。図15(a)を参照に、第2樹脂部40aは2つの空洞18上を全て覆うように形成され、かつ空洞18上の第2樹脂部40aは接続している。図15(b)を参照に、第2樹脂部40bは2つの空洞18上を全て覆うように形成され、かつ空洞18上の第2樹脂部40aは接続していない。図15(c)を参照に、第2樹脂部40cは2つの空洞18上を全て覆うように形成され、かつプラグ金属30の周辺部には第2樹脂部40cは形成されていない。このような変形例を用いることもできる。   FIG. 15A to FIG. 15C are diagrams showing modifications of the first embodiment. Referring to FIG. 15A, the second resin portion 40a is formed so as to cover all of the two cavities 18, and the second resin portion 40a on the cavities 18 is connected. Referring to FIG. 15B, the second resin portion 40b is formed so as to cover all of the two cavities 18, and the second resin portion 40a on the cavities 18 is not connected. Referring to FIG. 15C, the second resin portion 40 c is formed so as to cover all of the two cavities 18, and the second resin portion 40 c is not formed in the peripheral portion of the plug metal 30. Such a modification can also be used.

実施例1においては、弾性波素子は、圧電基板10上に形成された弾性表面波(SAW)素子の例であった。弾性波素子は、例えばシリコン基板等の基板上に形成した圧電膜に形成された弾性表面波素子であってもよい。また、弾性波素子として圧電薄膜共振器(FBAR)素子を用いることもできる。FBAR素子を用いる場合、基板は圧電基板ではなく、例えばシリコン基板等を用い、FBARは基板上の圧電膜を用い形成される。   In the first embodiment, the acoustic wave element is an example of a surface acoustic wave (SAW) element formed on the piezoelectric substrate 10. The acoustic wave element may be a surface acoustic wave element formed on a piezoelectric film formed on a substrate such as a silicon substrate. A piezoelectric thin film resonator (FBAR) element can also be used as the acoustic wave element. When the FBAR element is used, the substrate is not a piezoelectric substrate, but a silicon substrate, for example, is used, and the FBAR is formed using a piezoelectric film on the substrate.

実施例1では、弾性波素子12および空洞18はそれぞれ2つづつ形成されているが、これらの数に限られるものではない。第1樹脂部20および第2樹脂部40として、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂の例を示したが、これらに限られず、弾性波素子12を保護する樹脂であれば良い。また、第2樹脂部40に添加するフィラーはシリカフィラーに限られず、第2樹脂部40の弾性率を向上させるフィラーであればよい。   In the first embodiment, two acoustic wave elements 12 and two cavities 18 are formed, but the number is not limited thereto. Although the example of the epoxy resin or the polyimide resin was shown as the 1st resin part 20 and the 2nd resin part 40, it is not restricted to these, What is necessary is just a resin which protects the acoustic wave element 12. FIG. Moreover, the filler added to the 2nd resin part 40 is not restricted to a silica filler, What is necessary is just a filler which improves the elasticity modulus of the 2nd resin part 40. FIG.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

図1(a)は比較例1に係る弾性波デバイスの平面図である。図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。図1(c)は図1(a)のB−B断面図である。FIG. 1A is a plan view of an acoustic wave device according to Comparative Example 1. FIG. FIG.1 (b) is AA sectional drawing of Fig.1 (a). FIG.1 (c) is BB sectional drawing of Fig.1 (a). 図2(a)から図2(f)は比較例1に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。FIG. 2A to FIG. 2F are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the acoustic wave device according to Comparative Example 1. 図3(a)および図3(b)は比較例1に係る弾性波デバイスのモジュール化を想定した実験を説明するための模式図である。FIGS. 3A and 3B are schematic views for explaining an experiment assuming modularization of the acoustic wave device according to Comparative Example 1. FIG. 図4は比較例1のモジュール化を想定した実験後の断面SEM写真の模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram of a cross-sectional SEM photograph after the experiment assuming the modularization of Comparative Example 1. 図5(a)は比較例1の樹脂部の天井部の凹みを示す図である。図5(b)は樹脂部の天井部の弾性率に対する天井部の凹み量をシミュレーションした結果を示す図である。FIG. 5A is a view showing a recess in the ceiling portion of the resin portion of Comparative Example 1. FIG. FIG. 5B is a diagram illustrating a result of simulating the amount of depression in the ceiling with respect to the elastic modulus of the ceiling of the resin portion. 図6は樹脂へのフィラー添加の割合に対する規格化した弾性率を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the normalized elastic modulus with respect to the ratio of filler addition to the resin. 図7は樹脂へのフィラー添加の割合に対する規格化した粘度を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the normalized viscosity with respect to the ratio of filler addition to the resin. 図8(a)から図8(f)は比較例2に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。FIG. 8A to FIG. 8F are cross-sectional views showing manufacturing steps of the acoustic wave device according to Comparative Example 2. 図9(a)は比較例2に係る弾性波デバイスの製造工程途中の平面図であり、図9(b)は図9(a)のA−A断面図である。図9(c)は図9(a)のB−B断面図である。9A is a plan view in the middle of the manufacturing process of the acoustic wave device according to Comparative Example 2, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 9A. FIG.9 (c) is BB sectional drawing of Fig.9 (a). 図10(a)は実施例1に係る弾性波デバイスの平面図である。図10(b)は図10(a)のA−A断面図である。図10(c)は図10(a)のB−B断面図である。FIG. 10A is a plan view of the acoustic wave device according to the first embodiment. FIG.10 (b) is AA sectional drawing of Fig.10 (a). FIG.10 (c) is BB sectional drawing of Fig.10 (a). 図11(a)から図11(f)は実施例1に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図(その1)である。FIG. 11A to FIG. 11F are cross-sectional views (part 1) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment. 図12(a)から図12(f)は実施例1に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図(その2)である。12A to 12F are cross-sectional views (part 2) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment. 図13(a)から図13(d)は実施例1に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図(その3)である。FIG. 13A to FIG. 13D are cross-sectional views (part 3) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment. 図14(a)から図14(f)は実施例1に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図(その4)である。FIG. 14A to FIG. 14F are cross-sectional views (part 4) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment. 図15(a)から図15(c)は実施例1の変形例に係る弾性波フィルタの平面図である。15A to 15C are plan views of an elastic wave filter according to a modification of the first embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 圧電基板
12 弾性波素子
16 配線
17 電極パッド
18 空洞
19 第1樹脂膜
20 第1樹脂部(樹脂部)
21 第2樹脂膜
30 プラグ金属
32 ハンダボール
40 第2樹脂部
41 第3樹脂膜
60 空洞となるべき開口部
64 切断領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Piezoelectric substrate 12 Elastic wave element 16 Wiring 17 Electrode pad 18 Cavity 19 1st resin film 20 1st resin part (resin part)
21 Second resin film 30 Plug metal 32 Solder ball 40 Second resin part 41 Third resin film 60 Opening to be hollow 64 Cutting region

Claims (8)

圧電基板または圧電膜の表面に設けられた弾性波素子と、
前記圧電基板上に設けられ、前記弾性波素子上に空洞を有する第1樹脂部と、
前記第1樹脂部上に設けられた、前記第1樹脂部の弾性率より大きい弾性率を有する第2樹脂部と、
前記第1樹脂部を貫通する開口部に設けられた、前記弾性波素子と電気的に接続する接続部と、を具備し、
前記第2樹脂部は、前記第1樹脂部の上面に前記空洞を投影した領域を全て含むように設けられ、かつ前記第1樹脂部の全ての縁および前記開口部の全ての縁から離れて設けられていることを特徴とする弾性波デバイス。
An acoustic wave element provided on the surface of the piezoelectric substrate or the piezoelectric film;
A first resin portion provided on the piezoelectric substrate and having a cavity on the acoustic wave element;
A second resin portion provided on the first resin portion and having a modulus of elasticity greater than that of the first resin portion;
A connecting portion provided in an opening penetrating the first resin portion and electrically connected to the acoustic wave element ;
The second resin portion is provided so as to include the entire region where the cavity is projected on the upper surface of the first resin portion, and is separated from all edges of the first resin portion and all edges of the opening. An acoustic wave device characterized by being provided .
前記第2樹脂部はフィラーを含有することを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。   The acoustic wave device according to claim 1, wherein the second resin portion contains a filler. 前記第2樹脂部は感光性樹脂であることを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。 Claim 1 or 2 acoustic wave device, wherein said second resin part is a photosensitive resin. 前記フィラーはシリカフィラーであることを特徴とする請求項記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 2 , wherein the filler is a silica filler. 前記第1樹脂部および前記第2樹脂部はエポキシ樹脂およびポリイミド樹脂のいずれか一方を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 It said first resin part and the second resin portion acoustic wave device of any one of claims 1 to 4, characterized in that it comprises the one either epoxy resin and polyimide resin. 圧電基板または圧電膜上に弾性波素子を形成する工程と、
前記圧電基板または圧電膜上に、前記弾性波素子上に空洞を有する第1樹脂部を形成する工程と、
前記第1樹脂部の上面に前記空洞を投影した全ての領域を含み、かつ前記第1樹脂部の全ての縁および前記弾性波素子と電気的に接続する接続部を形成すべき前記第1樹脂部の開口部の全ての縁から離れるように、前記第1樹脂部の弾性率より大きい弾性率を有する第2樹脂部を形成する工程と、
前記第1樹脂部の前記開口部に前記接続部を形成する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
Forming an acoustic wave element on the piezoelectric substrate or the piezoelectric film;
Forming a first resin portion having a cavity on the acoustic wave element on the piezoelectric substrate or the piezoelectric film;
Look including the whole region defined by projecting the cavity on the upper surface of the first resin section, and all edges and the elastic wave device and electrically the first to form the connecting portion connecting the first resin portion Forming a second resin portion having an elastic modulus larger than that of the first resin portion so as to be separated from all edges of the opening portion of the resin portion;
Forming the connection portion in the opening of the first resin portion . A method of manufacturing an acoustic wave device, comprising:
前記第1樹脂部を形成する工程は、前記空洞となるべき領域に開口部を有する第1樹脂膜を前記圧電基板または圧電膜上に形成する工程と、
前記第1樹脂膜上に、前記開口部を空洞として残存させるように第2樹脂膜を形成する工程と、
前記第2樹脂膜の所定領域を除去し、前記第1樹脂膜と前記第2樹脂膜とより前記第1樹脂部を形成する工程と、を含み、
前記第2樹脂部を形成する工程は、前記第2樹脂膜上に感光性樹脂膜である第3樹脂膜を形成する工程と、
前記第3樹脂膜の所定領域を露光する工程と、
前記第3樹脂膜を現像し、前記第3樹脂膜より前記第2樹脂部を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項記載の弾性波デバイスの製造方法。
The step of forming the first resin portion includes forming a first resin film having an opening in the region to be the cavity on the piezoelectric substrate or the piezoelectric film;
Forming a second resin film on the first resin film so that the opening remains as a cavity;
Removing a predetermined region of the second resin film, and forming the first resin portion from the first resin film and the second resin film,
Forming the second resin portion includes forming a third resin film, which is a photosensitive resin film, on the second resin film;
Exposing a predetermined region of the third resin film;
The method of manufacturing an acoustic wave device according to claim 6 , further comprising: developing the third resin film and forming the second resin portion from the third resin film.
前記第2樹脂膜は感光性樹脂膜であり、
前記第1樹脂膜と前記第2樹脂膜とより前記第1樹脂部を形成する工程は、前記第2樹脂膜の所定領域を露光する工程と、前記第2樹脂膜を現像し、前記第1樹脂膜と前記第2樹脂膜とより前記第1樹脂部を形成する工程と、を含み、
前記第2樹脂膜の所定領域を露光する工程は、前記第3樹脂膜を形成する工程の前に行い、前記第2樹脂膜を現像し、前記第1樹脂膜と前記第2樹脂膜とより前記第1樹脂部を形成する工程は、前記第3樹脂膜を現像し前記第3樹脂膜より前記第2樹脂部を形成する工程と同時に行われることを特徴とする請求項記載の弾性波デバイスの製造方法。
The second resin film is a photosensitive resin film;
The step of forming the first resin portion from the first resin film and the second resin film includes the step of exposing a predetermined region of the second resin film, developing the second resin film, and Forming the first resin portion from a resin film and the second resin film,
The step of exposing a predetermined region of the second resin film is performed before the step of forming the third resin film, the second resin film is developed, and the first resin film and the second resin film are used. 8. The elastic wave according to claim 7 , wherein the step of forming the first resin portion is performed simultaneously with the step of developing the third resin film and forming the second resin portion from the third resin film. Device manufacturing method.
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