JP4514773B2 - 光アイソレータ - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態1に係る光アイソレータについて説明する。本光アイソレータでは、基板として、シリコン(Si)基板上に酸化珪素(SiO2)とSiが順に積層されたSOI(Silicon On Insulator)基板が用いられる。すなわち、図1および図2に示すように、Si基板3上に厚さ約1μmのSiO2層4が積層され、さらに、そのSiO2層4上にSi層5が積層された基板2が用いられている。その基板2のSi層5の表面上には、シリコンから形成されて、それぞれ形状が異なる複数の光導波路7が形成されている。なお、図1および図2では、複数の光導波路7がそれぞれ間隔を隔てて配設される方向がX軸方向とされ、光導波路7が延在する方向がY軸方向とされ、X軸方向とY軸方向のそれぞれに垂直な方向がZ軸方向とされる。
次に、実施の形態2に係る光アイソレータについて説明する。この光アイソレータでは、光導波路の幅が一定とされ、また、基板を加熱するヒータとヒートシンクが配設されている。図8および図9に示すように、基板2のSi層5の表面上に形成される複数の光導波路7は、それぞれY軸方向に直線状に延在し、互いにX軸方向に所定の間隔を隔てて形成されている。
次に、実施の形態3に係る光アイソレータについて説明する。この光アイソレータでは、光導波路の幅が単調増加するように形成され、また、基板を加熱するヒータとヒートシンクが配設されている。図12および図13に示すように、基板2のSi層5の表面上に形成される複数の光導波路7は、それぞれY軸方向に直線状に延在し、互いにX軸方向に所定の間隔を隔てられている。その複数の光導波路7のそれぞれのX軸方向の長さW(幅)は、X軸方向(正)に沿って単調増加するように設定されている。
Claims (4)
- 主表面を有する基板と、
それぞれ所定の幅、第1端面および第2端面を有し、前記第1端面から前記第2端面に向かって第1の方向に延在するとともに、前記第1の方向と直交する第2の方向に互いに間隔を隔てて前記基板の主表面に形成された、光を伝搬する複数の光導波路と、
複数の前記光導波路のうち、少なくとも第1の光導波路の前記第1端面に形成された、光を入力させる入力部と、
複数の前記光導波路のうち、前記第1の光導波路とは異なる少なくとも第2の光導波路の前記第2端面に形成された、光を出力させる出力部と、
前記第2の方向に沿って等価屈折率を変化させて、前記光導波路を伝搬する光に光学的ブロッホ振動を発現するための振動発現部と
を備え、
前記入力部に入力した光が前記出力部へ向って進む距離は、前記等価屈折率に起因する前記光学的ブロッホ振動の位相が0からπへ変化する間に光が進む距離に略等しく設定された、光アイソレータ。 - 前記振動発現部は、複数の前記光導波路として、前記幅が互いに異なった光導波路を含む、請求項1記載の光アイソレータ。
- 前記振動発現部は、前記基板における前記第2の方向の一端側に配設されて、前記一端側から前記基板に熱を与える加熱部を含む、請求項1または2に記載の光アイソレータ。
- 複数の前記光導波路のそれぞれの前記幅は一定とされ、
前記振動発現部は、前記基板における前記第2の方向の一端側に配設されて、前記一端側から前記基板に熱を与える加熱部を含む、請求項1記載の光アイソレータ。
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