JP4505218B2 - フォトリソグラフィ・マスクのための位相競合解決法 - Google Patents
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Description
1.マスク上に作成するのが難しく、十分な処理寛容度を提供しない小さな位相シフトウインドウの生成を避けるように努める。
2.切断数が最小になるようにし、切断が最大処理寛容度を維持するように努める。例えば、外側の不透明な(一般的にはクロム)コーナーから切断を始めると、内側の不透明なコーナーから始める場合よりも優れた処理寛容度を有する傾向にある。元の不透明な造形から元の不透明な造形までの長い切断は、短い切断よりもより大きな処理寛容度を有する傾向にある。元の不透明な造形からフィールドエリアまでの切断は、元の不透明な造形から元の不透明な造形までの切断よりも、より大きな処理寛容度を有する傾向にある。
1.切断なしで位相層を作る。位相シフト領域を画定するシフター層を、元のレイアウトを所与の幅(シフター幅)で採寸して作る。ライン端部だけは採寸しない。
2.レイアウトのノンクリティカル領域を識別する。どちらのツールでも、同じ手法が用いられる。例えばAssuraを使うのであれば、以下のように定義する:
5.可能な切断領域を作る:切断無しの位相層(ステップ1、図9参照)と位相シフト領域(ステップ4、図15参照)の間の差異は、切断が許されるエリアを表す。
6.位相値(例えば、0又は180度)を割り当て、どの切断を使うかを決定する:位相値割り当て及び切断の選択に関する決定は、以下の基準を使って行われる。
a)マスク上に製作するのが難しく、十分な処理寛容度を提供しない小さな位相シフトウインドウが出来ないように努める。
b)切断数を最小に維持し、切断が最大処理寛容度を維持するように努める。例えば、外側の不透明な(クロムの)コーナーから切断を始めると、内側の不透明なコーナーから切断を始める場合よりも良好な処理寛容度を有する傾向がある。元の不透明な造形から元の不透明な造形まで長く切断すると、短く切断する場合よりも大きい処理寛容度を有する傾向がある。元の不透明な造形からフィールドエリアまでの切断は、元の不透明な造形から元の不透明な造形までの切断の場合よりも大きな処理寛容度を有する傾向がある。
c)位相を割り当て切断を選定するプロセスの間に最小化される既知技術に従って、選択ルールを使用して、費用関数が作られる。
Claims (16)
- フォトリソグラフィ・マスクを使って形成される層内の、複数の造形を含んでいるパターンを定義する、フォトリソグラフィ・マスクに関するコンピューター読み取り可能な定義を製作する方法において、
前記パターンの特性に基づいて位相シフト領域に関して切断エリアを識別する段階であって、ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形を識別して、一式の造形を画定する段階、
クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形の間のフィールドを識別して、一式のクリティカルフィールドを画定する段階、及び
前記切断エリアを、前記一式の造形内の2つの造形の間、又は一式の造形内の1つの造形と前記位相シフト領域の外側の1つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアとして画定する段階、を含む段階と、
前記位相シフト領域内の位相シフトウインドウに位相値を割り当てる段階であって、前記切断エリアの中の選択されたエリア内の前記位相シフト領域を切断して、前記位相シフトウインドウを画定する段階を含んでいる位相値を割り当てる段階、及び
前記レイアウトと前記割り当ての結果を、コンピューター読み取り可能媒体内に記憶する段階を含む段階と、から成ることを特徴とする方法。 - 前記割り当てる段階は、費用関数を適用して、前記切断エリアの中の選択されたエリアを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記割り当てる段階は、前記パターンの特性に基づいて前記切断エリアを格付けする段階と、前記格付けに基づいて前記切断エリアの中の選択されたエリアを決定する段階とを含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記切断エリアを識別する段階に用いられる前記パターンの特性は、前記パターンがL字型造形を含んでいることであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記切断エリアを識別する段階に用いられる前記パターンの特性は、前記パターンがT字型造形を含んでいることであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記切断エリアを識別する段階に用いられる前記パターンの特性は、前記パターンが特定の寸法より大きい多角形を含んでいることであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記切断エリアを識別する段階は、ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる造形にフラグを立てる傾向にあるシミュレーション基準に基づいて、シミュレーションを使って前記識別を行うためのパラメーターを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記切断エリアを識別する段階は、ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる造形にフラグを立てる傾向にある過剰露光状態のシミュレーションを使って前記識別を行うためのパラメーターを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記切断エリアを識別する段階は、クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる前記パターン内の造形の間のフィールドにフラグを立てる傾向にあるシミュレーション基準に基づいて、シミュレーションを使って前記識別を行うためのパラメーターを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記切断エリアを識別する段階は、クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる前記パターン内の造形の間のフィールドにフラグを立てる傾向にある露光不足状態のシミュレーションを使って、前記識別を行うためのパラメーターを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記位相シフト値を割り当てる段階は、θ度の位相シフトを誘起する第1セットの位相シフトウインドウと、φ度の位相シフトを誘起する第2セットの位相シフトウインドウとを画定する段階を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記φは、略θ+180度に等しいことを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- データ処理システムにおいて、
プロセッサと、
フォトリソグラフィ・マスクを使って形成される層内に複数の造形を含むパターンを画定するフォトリソグラフィ・マスクをレイアウトするためのステップを定義する、前記プロセッサが実行可能な指令を記憶している、前記プロセッサに連結された機械読み取り可能データ記憶媒体と、を備えており、前記ステップは、
前記パターンの特性に基づいて位相シフト領域に関して切断エリアを識別する段階であって、ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形を識別して、一式の造形を画定する段階、
クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形の間のフィールドを識別して、一式のクリティカルフィールドを画定する段階、及び
前記切断エリアを、前記一式の造形内の2つの造形の間、又は一式の造形内の1つの造形と前記位相シフト領域の外側の1つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアとして画定する段階、を含む段階と、
前記位相シフト領域内の位相シフトウインドウに位相値を割り当てる段階であって、前記切断エリアの中の選択されたエリア内の前記位相シフト領域を切断して、前記位相シフトウインドウを画定する段階を含んでいる位相値を割り当てる段階、及び
前記レイアウトと前記割り当ての結果を、コンピューター読み取り可能媒体内に記憶する段階を含む段階と、から成ることを特徴とするデータ処理システム。 - フォトリソグラフィ・マスクを使って形成される層内に複数の造形を含むパターンを画定するフォトリソグラフィ・マスクをレイアウトするためのステップを定義する、データ処理システムが実行可能な指令を記憶している、機械読み取り可能データ記憶媒体であって、前記ステップは、
前記パターンの特性に基づいて位相シフト領域に関して切断エリアを識別する段階であって、ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形を識別して、一式の造形を画定する段階、
クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形の間のフィールドを識別して、一式のクリティカルフィールドを画定する段階、及び
前記切断エリアを、前記一式の造形内の2つの造形の間、又は一式の造形内の1つの造形と前記位相シフト領域の外側の1つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアとして画定する段階を含む段階と、
前記位相シフト領域内の位相シフトウインドウに位相値を割り当てる段階であって、前記切断エリアの中の選択されたエリア内の前記位相シフト領域を切断して、前記位相シフトウインドウを画定する段階を含んでいる位相値を割り当てる段階、及び
前記レイアウトと前記割り当ての結果を、コンピューター読み取り可能媒体内に記憶する段階を含む段階と、から成ることを特徴とする機械読み取り可能データ記憶媒体。 - フォトリソグラフィ・マスクを使って形成される層内に複数の造形を含むパターンを画定するフォトリソグラフィ・マスクを製作するための方法において、
前記パターンの特性に基づいて位相シフト領域に関して切断エリアを識別する段階であって、ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形を識別して、一式の造形を画定する段階、
クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形の間のフィールドを識別して、一式のクリティカルフィールドを画定する段階、及び
前記切断エリアを、前記一式の造形内の2つの造形の間、又は前記一式の造形内の1つの造形と前記位相シフト領域の外側の1つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアとして画定する段階、を含む段階と、
前記位相シフト領域内の位相シフトウインドウに位相値を割り当てる段階であって、更に、前記切断エリアの中の選択されたエリア内の前記位相シフト領域を切断して、前記位相シフトウインドウを画定する段階を含んでいる位相値を割り当てる段階、及び
前記レイアウトと前記割り当ての結果を適用して、マスク層を基板上へ形成する段階を含む段階と、から成ることを特徴とする方法。 - 集積回路内に複数の造形を含むパターンを有する材料の層を製作するための方法において、
フォトリソグラフィ・マスクを使用して前記材料の層を画定する段階から成り、
前記マスクは、基板と、前記基板上のマスク材料の層とを備えており、前記マスク層は、位相シフト領域及びフィールドと、前記位相シフト領域内の複数の位相シフトウインドウとを含んでおり、前記複数の位相シフトウインドウは、前記位相シフトウインドウの間に位相遷移を作り出して前記パターンを形成する位相シフト値を特徴としており、前記位相シフトウインドウの境界は、前記パターンの特性に基づいて画定される切断エリア内にあり、
前記複数の造形内の一式の造形は、ノンクリティカル処理寛容度を特徴とし、前記複数の造形内の造形の間の一式のクリティカルフィールドはクリティカル処理寛容度を特徴とし、
前記切断エリアは、前記一式の造形内の2つの造形の間か、又は、前記一式の造形内の1つの造形と前記位相シフト領域の外側の1つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールド内のフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアを含んでいることを特徴とする方法。
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