JP4491977B2

JP4491977B2 - Ｅｚフィルタ分光方法及びその装置

Info

Publication number: JP4491977B2
Application number: JP2001051851A
Authority: JP
Inventors: 真藤田
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2001-02-27
Filing date: 2001-02-27
Publication date: 2010-06-30
Anticipated expiration: 2021-02-27
Also published as: JP2002260569A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）電極の電位観察のような、種々の電子装置の電位コントラストＳＥＭ（二次電子顕微鏡）像を取得するために使用する検出方法とそれを実現する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置のＴＦＴ電極の電位を観察するために、電子ビームテスタで行われている全運動エネルギー分光法を用いて電位コントラストＳＥＭ像を取得することが行なわれている。
ＬＳＩ（大規模集積回路）等からのＳＥＭ像を取得すると、電極電位に応じたコントラストを着けることができることは古くから知られている。図9に一例を示す。図9はＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ電界効果トランジスタ）の電圧コントラスト像を示したものであり、Ｓはソース電極、Ｇはゲート電極、Ｄはドレイン電極である。（Ａ）はゲート電極に−６Ｖを印加し、他の電極は接地電位とした場合、（Ｂ）はさらにドレイン電極に−１５Ｖを印加した場合である。この例では、負電位が印加された電極が明るく現れている。
【０００３】
一般に、正電位電極からの２次電子の運動エネルギーは接地電位空間（ドリフト領域）では減速されて小さくなる。場合によっては、電子はこのポテンシャル障壁に阻まれ試料側に押し返されてしまう。一方、負電位から生じた２次電子は、接地電位領域では加速され。より大きな運動エネルギーを持つようになる。このためＳＥＭ像では、基本的には負電位のところが明るく、正電位のところは暗くなる。
【０００４】
しかし実際には、像の明るさは検出器に到達した２次電子信号量に依るため、コントラストは単に出射位置の電位のみによって決まるのではない。観察位置から検出器に至るまでの電子軌道に影響する環境がすべて関係する。これをローカルフィールド効果と呼んでいる。
【０００５】
ローカルフィールド効果の一例を図１０に示す。この例では、検出器は観察試料の上側に置かれている。試料はＡ，Ｂ２つの電極から構成されており、それぞれ独立に電位を印加できる。（ａ）では、より検出器側に近い電極Ａからの２次電子信号量に注目している。図に示すように、Ａ電極の電位が負側で信号が大きく、正になるほど小さくなる。これは、上の電位コントラストの記述に一致する。しかし、信号量はまた隣接電極であるＢ電極の電位にも依存している。Ａ，Ｂ電極と検出器の位置関係から、Ｂ電極が負電位にあるときの方がＡ電極からの２次電子信号量が大きくなる。これは、Ｂ電極の電位が２次電子の軌道に影響し、検出器に到達するか否かに影響しているためである。
【０００６】
（ｂ）では逆に、Ｂ電極からの信号に注目している。この場合も当該電極（ここではＢ電極）の電位が負側でより多くの信号が得られることに変わりはないが、隣接Ａ電極の電位の信号量への影響は（ａ）とは逆である。すなわちＡ電極が負電位であると信号量は小さくなっている。これは、Ｂ電極からの２次電子軌道がＡ電極電位からの影響で曲げられ、検出器から逸れるためである。
【０００７】
このように、通常のＳＥＭシステムで撮られた電位コントラスト像は単純に観察試料の電位を表わすものとは言い難い。ローカルフィールド効果やその他の影響が像コントラストから電位を（準）定量的に類推することを困難にしている。
【０００８】
ＬＳＩの検査に使われる電子ビームテスタでは上記のような問題を解決し定量的に電極電位を測定するため、２次電子の全エネルギーに関するスペクトルを観察し、その「ずれ」から出射電極の電位を求めている。２次電子のスペクトルデータから電位を求める、という作業を行なっている点で、いわゆる「電位コントラスト像」とはその取得原理が全く異なったものと言うことができる。以下、電子ビームテスタの測定原理を説明する。
【０００９】
図１１に代表的な電子ビームテスタの検出系を示す。ＰＥ（主電子ビーム：図中に垂直方向の矢印で示されている）によって励起された２次電子を対物レンズ下面に接地した引き出し電極Ｇ１によって分光器（対物レンズ内に組み込んだいくつかの球面メッシュ・グリッドＧ２，Ｇ３，Ｇ４と検出器から構成される）内に引き込む。Ｇ１電極の役割は発生した２次電子を電極電位周りからのローカルフィールドの影響に依らず「全て分光器まで導く」ことである。
【００１０】
前述した「電位コントラスト法」との違いはここにある。「電位コントラスト法」では、負電位から発生した２次電子を正電位からのものと比べ、より多く検出することによって電位情報を得ている。全ての発生２次電子を分光器に入れることを前提としている「電子ビームテスタ方式」とは電位情報の求め方が全く異なっている。
【００１１】
このようにして分光器に入った２次電子は、球面状の減速グリッド（Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４）によってエネルギー分光される。減速グリッドが球面形状をしているのは、電子の全運動エネルギーによって分光するためである。
【００１２】
この減速型分光器はハイパスフィルタとしてはたらくので、減速フィルタに印加される負電位の大きさによって通過する２次電子量が変化する。その様子を示したのが図１２である。（Ａ）は減速電位と２次電子信号量を示す。図の３本の線は、それぞれ、観察試料電位（Ｕsp）が＋５，０，−５Ｖであるときの結果である。減速電位（ＵＧ）が浅い（正側）とき、減速グリッドによって押し戻される電子の割合は小さく、大きな信号が得られる。減速電位を深くする（負側にする）に従い、２次電子のうち小さな運動エネルギーを持ったものはグリッドで止められて検出できなくなり、信号量は徐々に減ってくる。
【００１３】
減速グリッド分光はハイパス分光であるので、得られた信号を減速電位に関して微分すると２次電子のエネルギースペクトルを得ることができる。これが図１２（Ｂ）である。図に示されるように２次電子のスペクトルは電子の出射位置電位Uspによってその位置がシフトするので、このシフト量を計ることで観察位置の電位を求めることが可能である。
【００１４】
電子ビームテスタでは測定速度を上げるため、通常運転では２次電子のスペクトル分布を求めることは行なっていない。図１２（Ａ）に破線の横棒で示されるように、得られる測定信号量が一定値になるよう減速グリッド電位ＵＧをフィードバック調整し、この減速電位値ＵＧから観察位置電位を類推している。
【００１５】
このように「電子ビームテスタ方式」は電子の全運動エネルギーを分光する方法をとっているので定量的な絶対電位観察に優れているといえる。しかし、いくつか問題点もある。
【００１６】
第一点は、測定速度である。微分処理による２次電子の全体スペクトル形状を求めることはせず、測定信号量から直接電位を類推する方式をとってはいるが、それでもフィードバックによって減速グリッド電位を調整する必要があり、特に信号のＳ／Ｎが充分に良くない場合、一点の測定に比較的長い時間がかかる。このため、ＴＶレート（３０フレーム／秒）で変化する動的電位を像全体にわたって追随するような観察には困難が伴うと考えられる。
【００１７】
第二点は、全運動エネルギー分光に伴う球面状グリッドの必要性から生じる。このグリッドできちんと全運動エネルギー分光を行なうためには測定点（あるいは測定点の像）が球面グリッドの中心にあることが必須である。このため観察点を光学系の光軸（中心軸）から大きくはずすことができない。これより、一度に観察可能な領域（走査可能領域：field of view）が狭い範囲に制限されることになる。
【００１８】
第一の困難を避けるために、減速電位を固定し（図１２（Ａ）の垂直の破線）、信号量の変化を追うという代替法が考えられる。しかし、ここでも次のような制限条件がある。図１２（Ａ）と（Ｂ）を比較するとわかるように、この方法で測定可能な電位範囲は２次電子の初期エネルギースペクトルの分布幅によって決まってしまう。分布幅が狭いとき測定可能な電位レンジは小さくなり同手法は有効ではない。このことを図１３により説明する。
【００１９】
図１３では、（Ｂ）に示されるように、２次電子の初期エネルギー（Ｅse）分布が５ｅＶ付近に集中していると仮定する。このとき、「電子ビームテスタ方式」で得られる信号は図１３（Ａ）のようになり、ある減速電位閾値の前後で信号量が（０，１）的変化をするため、減速電位を固定したとき、観察位置電位を信号量の変化から類推することが困難になってしまう。２次電子信号量を電位の関数と考えたとき、ダイナミックレンジが狭く電位がこの範囲を超えたところにあるとき、信号がいわば「飽和」したようなことになる。
【００２０】
以上まとめると、「電子ビームテスタ方式」の問題点として以下のようなものが挙げられる。
１）測定速度が遅い。
２）観察領域をひろくとれない。
３）測定可能電位範囲が２次電子のエネルギー分布幅に依存する。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題点を解決できる電位コントラスト法とその装置を提供することを目的とするものである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明はＥｚフィルタ分光方法を用いた電位コントラスト法とその方法を実現するＥｚフィルタ分光装置である。
【００２３】
本発明のＥｚフィルタ分光方法は、以下のステップ（Ａ）から（Ｃ）を含んでいる。
（Ａ）真空中に置かれた試料の表面に電子ビームを照射して２次電子を発生させるステップ、
（Ｂ）前記試料表面に平行に平面メッシュフィルタを配置し、その平面メッシュフィルタに所定の減速電位を印加して、前記２次電子のうち前記平面メッシュフィルタを透過するものとしないものを選別するステップ、及び
（Ｃ）試料表面の前記電子ビームが照射される位置に対向するように電子検出器を配置し、前記平面メッシュフィルタを透過した２次電子を検出するステップ。
【００２４】
また、本発明のＥｚフィルタ分光装置は、試料部に置かれた試料の表面を励起して２次電子を発生させるためにその試料表面に電子ビームを照射する電子銃と、その電子銃からの電子ビームが試料表面を照射する試料表面上の位置に対向して配置された電子検出器と、その電子検出器と試料との間に試料表面に平行に配置され、所定の減速電位が印加される平面メッシュフィルタと、これら各部材及び試料を真空中に収容する容器とを備えている。
【００２５】
平面メッシュフィルタの好ましい一例では、互いに平行な複数枚を備え、試料に最も近いメッシュフィルタには試料と同電位が印加され、他のメッシュフィルタには２次電子のうちこの平面メッシュフィルタを透過するものとしないものを選別する減速電位が印加されるものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明のＥｚフィルタ装置の一実施形態の電子光学系構成を図１に示す。
主電子ビームＰＥは電子銃２から試料４の表面に側方から斜入射する。主電子ビームＰＥの斜入射は絶対条件ではないが望ましい配置である。試料４は例えば液晶表示装置である。主電子ビームＰＥによって励起された２次電子は、試料４の上方に設置された２枚の平面メッシュフィルタ６，８を通過し、その上側に置かれた２次電子検出器１０によって検出される。下側（試料側）の平面メッシュフィルタ６は試料4と同電位の接地電位、上側の平面メッシュフィルタ８は適当な固定減速電位Ｖｇに設定されている。
【００２７】
「Ｅｚフィルタ方式」は次のような原理に基づいている。
主電子ビームＰＥによって励起された２次電子の運動エネルギー（ここでは初期エネルギーＥseを５.０ｅＶと仮定する）は、出射位置電位に応じて、接地電位であるドリフト領域まで出てきたとき、初期エネルギーからいくらかずれた値を持つ。このことを模式的に説明したのが図２である。
【００２８】
図２は２次電子の速度ベクトルの分布を表している。出射時には、電子の速度ベクトルは初期エネルギーＥse（＝５.０ｅＶ）に応じた速度で上向き２πの立体角内で分布している。これを模式的に示したのが図中でＥse＝５.０ｅＶとして示した半球面である。２次電子の初期速度の方向密度分布はcos分布している（Lambert則）ことが知られているので、分布密度は球面の上部の方が高くなるはずだが、このことは図２には示されていない。図２は速度の分布範囲を示すに止まっている。ただし、この後のシミュレーション計算ではcos則に従う初期立体角分布が考慮されている。
【００２９】
出射位置電位Ｖｅが０Ｖであれば、ドリフト領域での電子速度分布は初期分布から概ね変化はないものと考えられ、図中のＥse＝５.０ｅＶとして示した半球面の分布が保たれる。一方、出射電位が負電位（Ｖｅ＝−２.５ｅＶとした）のとき、ドリフト領域にまで達した２次電子Ｅseは、５.０＋２.５＝７.５ｅＶのエネルギーを持つことになる。そこで、電子の速度ベクトルはＥse＝７.５ｅＶとした図中の半球面で表されたような分布に変わる。逆に出射電位が正（Ｖｅ＝＋２.５Ｖ）の場合は電子は減速され、図中でＥse＝５.０−２.５＝２.５ｅＶとしたもう一方の半球面上に速度ベクトルが分布する。まとめると、ドリフト領域での２次電子の速度ベクトルは出射位置電位に対応した半径を持った半球面上に分布するということになる。出射点近傍の電界の影響もあるので、速度方向の分布は厳密にはLambert分布にはならないことも有りうるが、ＬＣＤパネルのように規則正しく電極が配置されている場合には適当な電圧印加パターンを採用することによってドリフト領域での電子速度方向分布をおおよそ半球状cos分布にすることができる。これについては後述する。
【００３０】
このように電子の速度ベクトルが大きさの異なる半球面上に分布するので、平面グリッド６の電位Ｇ１＝接地電位、平面グリッド８の電位Ｇ２＝減速（retarding）電位Ｖｇとした２枚の平面グリッド６，８を用い、ｚ方向の運動エネルギーに対しハイパスフィルタをかける（Ｅｚフィルタ）ことによって、出射点電位に応じて信号量を変調することができる。図２は、Ｖｇ＝−Ｅ_z0としたとき、Ｅｚ＞Ｅ_z0という条件を満たす電子のみがグリッド６，８を通過して検出器１０に収集されるため、出射電位に応じて異なる割合の電子（各速度ベクトル半球のうち、電子の速度ｖ_z＞ｖ_z0（＝（２Ｅ_z0／ｍ）^1/2：ｍは電子の質量）を満たす部分の割合）が検出されることを表している。
【００３１】
ここで注目すべきことは２次電子の初期エネルギーＥseを＝５.０ｅＶに固定し分布幅が０であるとしても出射位置電位に応じて信号量が連続して変化することである。これはエネルギー分光においてＥｚ（ｚ方向成分）を用いており、全エネルギーＥseではないからである。電子ビームテスタ方式との違いである。
【００３２】
これまでにＥｚフィルタ法の原理を説明したが、実際にはローカルフィールド効果等があるため、これを実用化するためには電子光学系の設計に工夫が必要である。次にこの点についての考察を行なう。
まず、電子がドリフト領域に移行したときにも半球状cos分布を保つためには、電圧の印加されている試料面から離れるにつれ空間電位が速やかに接地電位に近づくようにする必要がある。ＬＣＤパネル等の規則的に電極が並んだものが測定対象であれば、各微小電極に交互に正負の電圧を印加して平均電位を０にすることによって、これを実現できる（「市松モード」電圧印加パターン）。静電場分布を規定する方程式（Laplace方程式）より、電場、電界の空間への染み出しは各電極の寸法程度に抑えられることがわかっている。
【００３３】
そこで、図３に示すようなＬＣＤパネルＴＦＴ電極の印加パターンを仮定し、異なる出射電位からの電子軌道の評価を行った。図で等電圧線を実線でより多く表示した電極ａが負電位に、残りの電極ｂが正電位に印加されている（phase Ａ）。図中、Ｘ印のところを２次電子出射点とする。出射点のまわりの条件を変えローカルフィールドの影響を見積もるため、各電極への印加電圧の符号を正負逆転させた逆位相（phase Ｂ）での軌道計算も同時に行った。
【００３４】
シミュレーション計算では２次電子の初期エネルギーＥseを５.０ｅＶに固定し、電極印加電圧の振幅を、Ｖｅ＝±２５.０〜±１.２５Ｖの範囲で変化させた。それぞれの条件について出射点電位を適当な範囲で変化させ、電子軌道計算を出射電極からドリフト領域まで行なう。ドリフト領域でのＥｚエネルギー分布を見て、減速グリッド電位Ｖｇに応じた信号検出量を評価した。
【００３５】
図４〜図８に結果を示す。図７を例にグラフの示すところを説明する。
図７は市松モード電極印加電圧がＶｅ＝±２.５Ｖの場合の結果である。横軸が第２グリッド電極（Ｇ２）にかけた減速電位Ｖｇを表す。第１グリッド（Ｇ１）は常に接地されているとする。これはグリッドとＬＣＤパネル間に電界ができないようにするためである。縦軸は２次電子の検出効率で、１のとき主電子ビームによって励起された全ての２次電子が検出されることになる。
【００３６】
例えば、出射電極電位Ｖｅが０Ｖのときの信号量はグリッド電位Ｖｇの関数として図中に示したように変化する。グリッド電位Ｖｇが深い（負側）とき、減速グッドでより多くの電子が押し戻されるため、当然信号は小さくなる。減速電位を浅くするにつれ信号強度は大きくなっていく。Ｖｇ＝０Ｖは、減速を全くかけないときの信号量である。
【００３７】
興味深いことはＥｚフィルタをかけないとき（Ｖｇ＝０Ｖ）、出射電極電位Ｖｅが異なっても（−２.５Ｖ＜Ｖｅ＜＋２.５Ｖ）、信号量はそれほど変わらないが、適当な減速グリッド電位Ｖｇ（−２.５Ｖ程度）をかければ、出射電極電位Ｖｅに応じて信号量を変調することができる、という事実である。すなわち、適当な検出器動作条件を選ぶことで、信号量が出射電極電位Ｖｅに応じて変化するようにすることが可能である。また、周りの環境の異なる２つの位相（phase Ａ，phase Ｂ。図中、実線データと破線データに対応）の信号強度がほぼ同一であることから、図７の動作条件ではローカルフィールド効果の影響が抑えられ、当該電極電位Ｖｅのみによって信号強度が決まると言ってよい。
【００３８】
ただし、電極電位をきちんと反映した、ローカルフィールド効果の影響の少ない信号強度を持った理想的な電位コントラストを得るためには市松モード電極印加電圧等を調整する必要がある。図４に印加電圧振幅をＶ＝±２５Ｖと大きくした場合の（減速グリッド電圧Ｖｇ対電子検出効率）の計算結果を示す。図７の場合と比較して顕著に異なるのは、当該電極電位Ｖｅが正側では信号量が０になっていること（信号強度の飽和）、phase Ａとphase Ｂで信号強度が大きく異なってきてしまうこと（ローカルフィールド効果の出現）の２点である。これは両方とも２次電子の初期エネルギー（Ｅse＝５.０ｅＶを仮定）に比較し、市松モード電極印加電圧Ｖｅが大きいことによって起こる。電極電位Ｖｅの振幅が大きいためドリフト領域での電子の速度ベクトル分布が図２に示すような単純なものからずれてしまっているのである。
【００３９】
図５、図６には、それぞれ、印加電圧振幅がＶｅ＝±１２.５Ｖ，５Ｖでの結果を示した。印加電圧振幅が小さくなるにつれ徐々に望ましい信号特性が得られるようになってはいるが、図４のところで述べたことと同じような傾向が残っている。
【００４０】
逆に印加電圧振幅をＶｅ＝±１.２５Ｖと極端に小さくした場合のようすを図８に示す。「信号強度飽和」「ローカルフィールド効果の影響」はともに無くなっているが、今度は当該電極電位Ｖｅの違いによる信号強度の変化が小さくなってしまう。
【００４１】
以上より、当該電極電位を反映したきちんとした信号強度変化を得るためには市松モード印加電圧振幅を最適化する必要があることがわかる。ここではＶ＝±２.５Ｖ程度が適当という結果が得られたが、この振幅強度は２次電子の初期エネルギーに依存している。この実施例ではこれを、Ｅse＝５.０ｅＶとして計算してきたが、実際の初期エネルギー分布の重心値はこれと異なるかもしれない。その場合には、最適印加電圧は実測値に比例させてスケーリングして求めてやればよい。このように、信号強度の飽和やローカルフィールド効果による影響をとり除くためには、
１）市松モードによる電圧印加、及び
２）２次電子初期エネルギー（分布の重心値）に対応した印加電圧
の選定が必要である。
電極の配置が規則的で、比較的大きな領域の電位を高速計測する必要がある電子ビーム液晶検査装置では特に有効な手法になると考えられる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明では、Ｅｚフィルタを用いて電位コントラストをつけ、半定量的な電位情報を得るようにしたので、２次電子の全運動エネルギースペクトルを分光器を用いて測定する「電子ビームテスタ方式」と比べ、以下の効果を達成することができる。
１）平面メッシュフィルタに印加する減速グリッド電位を固定で信号量変化から観察位置電位を求める方式であるので、測定速度を高速にできる。
２）減速グリッドが平面メッシュフィルタであるため、観察範囲がこれによって制限されることはなく、観察フィールドを大きくできる。
３）測定可能電位は２次電子初期エネルギーの絶対値で決まりその分布幅に依存することはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥｚフィルタ装置の一実施形態における電子光学系を示す正面断面図である。
【図２】２次電子の速度ベクトルの分布を表わす斜視図である。
【図３】ＬＣＤパネルＴＦＴ電極の印加パターンを示す平面図である。
【図４】印加電圧振幅Ｖｅを±２５Ｖとした場合の減速グリッド電圧Ｖｇ対電子検出効率の計算結果を示す図である。
【図５】印加電圧振幅Ｖｅを±１２.５Ｖとした場合の減速グリッド電圧Ｖｇ対電子検出効率の計算結果を示す図である。
【図６】印加電圧振幅Ｖｅを±５Ｖとした場合の減速グリッド電圧Ｖｇ対電子検出効率の計算結果を示す図である。
【図７】印加電圧振幅Ｖｅを±２.５Ｖとした場合の減速グリッド電圧Ｖｇ対電子検出効率の計算結果を示す図である。
【図８】印加電圧振幅Ｖｅを±１.２５Ｖとした場合の減速グリッド電圧Ｖｇ対電子検出効率の計算結果を示す図である。
【図９】ＭＯＳＦＥＴの電圧コントラスト像を示２次電子顕微鏡写真である。
【図１０】ローカルフィールド効果の一例を説明する図である。
【図１１】電子ビームテスタの検出系の一例を示す正面断面図である。
【図１２】（A）は電子ビームテスタで減速フィルタを通過する２次電子量を示す図、（B）はその信号を減速電位で微分したものである。
【図１３】２次電子の初期エネルギー分布が狭いと仮定した場合の図１２と同様の２次電子量（A）とその微分値（B）である。
【符号の説明】
４試料
６，８平面メッシュフィルタ
１０２次電子検出器
ＰＥ主電子ビーム
ＳＥ２次電子
Ｖｇ減速電位

Claims

以下のステップ（Ａ）から（Ｄ）を含むＥｚフィルタ分光方法。
（Ａ）真空中に置かれて規則的に電極が並んだ試料に対して、平均電圧を０にするように前記各電極に交互に正負の電圧を印加するとともに、２次電子初期エネルギーに対応した印加電圧を選定するステップ、
（Ｂ）前記試料の表面に電子ビームを照射して２次電子を発生させるステップ、
（Ｃ）前記試料表面に平行に複数枚の平面メッシュフィルタを配置し、前記試料に最も近いメッシュフィルタには試料と同電位を印加し、他のメッシュフィルタには所定の減速電位を印加して、前記２次電子のうち該平面メッシュフィルタを透過するものとしないものを選別するステップ、及び
（Ｄ）試料表面の前記電子ビームが照射される位置に対向するように電子検出器を配置し、前記平面メッシュフィルタを透過した２次電子を検出するステップ。
試料部に置かれて規則的に電極が並んだ試料に対して、平均電圧を０にするように前記各電極に交互に正負の電圧を印加するとともに、２次電子初期エネルギーに対応した印加電圧を選定するための電圧印加手段と、
試料部に置かれた前記試料の表面を励起して２次電子を発生させるためにその試料表面に電子ビームを照射する電子銃と、
前記電子銃からの電子ビームが試料表面を照射する試料表面上の位置に対向して配置された電子検出器と、
前記電子検出器と前記試料との間に試料表面に平行に配置された複数枚の平面メッシュフィルタであって、前記試料に最も近いメッシュフィルタには試料と同電位が印加され、他のメッシュフィルタには前記２次電子のうち該平面メッシュフィルタを透過するものとしないものを選別する所定の減速電位が印加される平面メッシュフィルタと、
これら各部材及び前記試料を真空中に収容する容器とを備えたＥｚフィルタ分光装置。