JP4490803B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
Substrate processing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP4490803B2 JP4490803B2 JP2004369099A JP2004369099A JP4490803B2 JP 4490803 B2 JP4490803 B2 JP 4490803B2 JP 2004369099 A JP2004369099 A JP 2004369099A JP 2004369099 A JP2004369099 A JP 2004369099A JP 4490803 B2 JP4490803 B2 JP 4490803B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing apparatus
- substrate processing
- nozzle
- substrate
- holding surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 141
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 98
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 67
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 15
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Description
本発明は、基板に処理液の塗布処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for applying a processing liquid to a substrate.
従来より、ノズルの先端に設けられた吐出口と基板の表面とを近接させ、ノズルを基板保持面に対して平行移動させつつ、吐出口から基板に対して処理液を吐出することにより、基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置が用いられている。当該基板処理装置においては、吐出口と基板の表面との間隙が数10μm〜数100μmの極小間隙となり、基板の表面または裏面の異物による様々な不具合が生じることがある。例えば、基板表面の異物とノズルとが接触することによるノズルの損傷等が、当該基板処理装置において問題となっていた。 Conventionally, a substrate is obtained by discharging a processing liquid from a discharge port to a substrate while bringing the discharge port provided at the tip of the nozzle close to the surface of the substrate and moving the nozzle parallel to the substrate holding surface. A substrate processing apparatus for applying a processing liquid to the surface of the substrate is used. In the substrate processing apparatus, the gap between the discharge port and the surface of the substrate becomes a minimum gap of several tens of μm to several hundreds of μm, and various problems may occur due to foreign matters on the front or back surface of the substrate. For example, damage to the nozzle due to contact between foreign matter on the substrate surface and the nozzle has been a problem in the substrate processing apparatus.
そこで、ノズルの平行移動の進行方向側にノズル保護部材を設け、当該ノズル保護部材により異物の除去や検出を行う技術も様々に検討されている。例えば、特許文献1には、スリットコータ(スリットコート式塗布装置)のノズル(塗布ヘッド)にノズル保護部材(板状部材)を固定し、当該ノズル保護部材と異物との干渉により生じた振動を検出してノズルの平行移動を停止させる技術が開示されている。
In view of this, various techniques have been studied in which a nozzle protection member is provided on the traveling direction side of the nozzle parallel movement, and foreign matter is removed or detected by the nozzle protection member. For example, in
しかし、特許文献1の技術では、ノズル保護部材がノズルに適切に固定されているかどうかを知る手段はなく、ノズル保護部材がノズルを適切に保護できないという問題が発生する。例えば、ノズル保護部材がノズルに不適切に固定されたり、基板処理装置の稼動中にノズル保護部材の固定位置がずれたりすることにより、ノズル保護部材がノズルを適切に保護できないという問題が発生する。
However, in the technique of
本発明はこの問題を解決するためになされたもので、ノズル保護部材がノズルを適切に保護可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve this problem, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which a nozzle protection member can appropriately protect a nozzle.
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、保持面に保持された基板の表面に処理液の塗布処理を行う基板処理装置であって、前記保持面と平行な第1方向へ移動可能な、基板に対して処理液を吐出するノズルと、前記保持面への最近接端である第1最近接端が、前記ノズルにおける前記保持面への最近接端である第2最近接端よりも前記保持面に近接するように、前記第2最近接端よりも前記第1方向側で前記ノズルに対して固定されたノズル保護部材と、前記第1近接端及び前記第2近接端の、前記保持面と垂直な第2方向における位置である垂直位置を測定するリニアゲージと、前記ノズル及び前記ノズル保護部材を前記第1方向及び前記第2方向へ移動させる移動手段と、前記第2最近接端の垂直位置が前記リニアゲージに測定された後に前記第1最近接端の垂直位置が前記リニアゲージに測定されるように前記移動手段を制御し、前記第2方向における前記第1最近接端と前記第2最近接端との間隔を出力する制御手段とを備える。また、請求項2の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記第2最近接端の垂直位置が前記リニアゲージに測定された後に、前記第2方向に前記ノズルが退避させられ、その後に、前記第1近接端の前記第1方向の位置である水平位置と前記リニアゲージの水平位置とが一致するように前記ノズルが水平移動させられるように前記移動手段を制御する。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention of
請求項3の発明は、請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置において、前記間隔が所定の範囲外となった場合に、異常の発生を報知する。 According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect , the occurrence of an abnormality is notified when the interval is outside a predetermined range.
請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、前記間隔の経時変化が所定の閾値を超えた場合に、異常の発生を報知する。
A fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of
請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の基板処理装置において、前記間隔が所定の範囲外となった場合に、前記塗布処理を停止する。 According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the coating process is stopped when the interval is outside a predetermined range.
請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、前記間隔の経時変化が所定の閾値を超えた場合に、前記塗布処理を停止する。 According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, the coating process is stopped when a change in the interval with time exceeds a predetermined threshold value.
請求項7の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板処理装置の動作開始と同期して、前記間隔を測定する。 According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, the interval is measured in synchronization with the start of operation of the substrate processing apparatus.
請求項8の発明は、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、所定数の基板に対する前記塗布処理または所定時間の経過ごとに前記間隔を測定する。 According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, the interval is measured every time the coating process or a predetermined time elapses for a predetermined number of substrates.
請求項9の発明は、請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記第2近接端の垂直位置が前記保持面と一致するときの、前記第1近接端の垂直位置を前記間隔として出力する。 According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to eighth aspects, the control means is configured such that the vertical position of the second proximity end coincides with the holding surface. The vertical position of one adjacent end is output as the interval.
請求項1の発明によれば、ノズル保護部材における保持面への最近接端と、ノズルにおける保持面への最近接端との間隔を管理可能であるので、ノズルを第1方向へ移動させた場合に、ノズル保護部材がノズルを適切に保護可能である。 According to the first aspect of the invention, since the distance between the closest end to the holding surface of the nozzle protection member and the closest end to the holding surface of the nozzle can be managed, the nozzle is moved in the first direction. In some cases, the nozzle protection member can appropriately protect the nozzle.
請求項3または請求項4の発明によれば、ノズル保護部材がノズルを適切に保護できないことを認識可能である。
According to invention of
請求項5または請求項6の発明によれば、ノズル保護部材がノズルを適切に保護できない場合に塗布処理が自動的に停止されるので、ノズルの損傷を防止可能である。
According to the invention of claim 5 or
請求項7の発明によれば、基板処理装置の動作開始と同期してノズル保護部材がノズルを保護可能か否かを判定可能であるので、ノズルを適切に保護可能である。 According to the seventh aspect of the invention, since it is possible to determine whether or not the nozzle protection member can protect the nozzle in synchronization with the start of operation of the substrate processing apparatus, the nozzle can be appropriately protected.
請求項8の発明によれば、所定枚数の基板に対する塗布処理または所定時間の経過ごとに、ノズル保護部材がノズルを保護可能か否かを判定可能であるので、ノズルを適切に保護可能である。 According to the eighth aspect of the present invention, since it is possible to determine whether or not the nozzle protection member can protect the nozzle every time a coating process is applied to a predetermined number of substrates or a predetermined time elapses, the nozzle can be appropriately protected. .
請求項9の発明によれば、間隔を容易に測定可能である。 According to the invention of claim 9 , the interval can be easily measured.
<1 基板処理装置の構成>
図1は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置1の概略を示す斜視図である。図2は、本体2と制御部6とを含んで構成される基板処理装置1の本体2を上方から見た平面図である。図3および図4は、それぞれ、本体2の正面図および側面図である。
<1. Configuration of substrate processing apparatus>
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a
基板処理装置1は、処理対象となる基板90の表面90sに処理液(薬液)を塗布する処理液塗布装置である。基板処理装置1において、基板90は、例えば、液晶パネル用ガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ用基板、液晶フィルム用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルタ用基板、サーマルヘッド用セラミック基板、半導体ウエハ等であり、処理液は、例えば、フォトレジスト液(以下では、単に「レジスト」とも称する)である。なお、以下では、基板90が、液晶表示装置の液晶パネルを構成する部材である角形の液晶パネル用ガラス基板であり、処理液が、基板90の表面90sに形成された電極層を選択的にエッチングするためのパターンの形成に用いられるレジストであるとして説明を進める。基板処理装置1は、スリットノズル41から基板90に対してレジストを吐出することにより、基板90の表面90sにレジストを塗布するスリットコータとなっている。
The
<1.1 本体の構成>
図1〜図4に示すように、本体2は、基板90を保持するとともに付属する各機構の基台となるステージ3と、基板90に対してレジストを吐出する架橋構造4とを備える。架橋構造4は、走行機構70,71により、ステージ3上で水平前後方向(±X方向)に水平移動可能となっている。
<1.1 Main unit configuration>
As shown in FIGS. 1 to 4, the
○ステージ;
ステージ3は、直方体形状の一体の石で構成されており、その上面および側面は平坦に加工されている。
○ Stage;
The
ステージ3の上面は、水平面となっており、基板90の保持面30として機能する。保持面30には、多数の真空吸着口が分布して形成される。基板処理装置1では、基板90の処理を行っている間、当該真空吸着口を用いた真空吸着により、基板90が保持エリア91に保持される。
The upper surface of the
○架橋構造;
ステージ3の左右両端から略水平に掛け渡された架橋構造4は、主に、スリットノズル41を下方に支持するノズル支持部40と、ノズル支持部40の両端をステージ3の上方で支持する昇降機構43,44とから構成される。ノズル支持部40は、昇降機構43,44によって、ステージ3の上方に略水平かつ昇降可能に保持され、その長手方向は基板処理装置1の水平左右方向(±Y方向)となっている。ノズル支持部40は、アルミニウムダイキャスト材を骨材として用いることにより、強度を維持しつつ軽量化が図られている。これにより、架橋構造4を移動させるために必要な駆動力を軽減可能となり、駆動力の小さいモータを用いて架橋構造4を移動可能となる。
○ Cross-linked structure;
The
先述したように、昇降機構43,44は、ノズル支持部40の両端をステージ3の上方で昇降可能に支持しており、保持面30と垂直な鉛直方向(±Z方向)へノズル支持部40を昇降させる。ノズル支持部40にはスリットノズル41が取り付けられているので、昇降機構43,44は、スリットノズル41を鉛直方向へ移動させることにより、吐出口41cと保持面30との距離を変化させる手段ともなっている。昇降機構43,44は、スリットノズル41を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル41のYZ平面内における姿勢を調整するためにも用いられる。
As described above, the
続いて、昇降機構43,44の詳細について説明するが、昇降機構43,44はほぼ同様の構成を有するため、以下では、昇降機構44について図5および図6を参照しながら説明を行い、昇降機構43についての重複説明は省略する。ここで、図5および図6は、昇降機構44の詳細を示す図であり、図5が昇降機構44を上方から見た平面図に相当し、図6が昇降機構44の正面図に相当する。
Subsequently, the details of the lifting
図5および図6に示すように、昇降機構44は、ACサーボモータ(以下では、単に「サーボモータ」とも称する)440、ボールネジ441およびロータリーエンコーダ442を備える。昇降機構44は、図示しない結合部材を備えており、サーボモータ440やロータリーエンコーダ442などの各構成は、当該結合部材に取り付けられ、所定の位置に支持される。
As shown in FIGS. 5 and 6, the elevating
ノズル支持部40の昇降駆動力を生成するサーボモータ440は、制御部6から与えられる制御信号に応じて回転軸が回転するモータであり、当該制御信号により回転軸の回転角および回転方向を制御可能となっている。
The
ボールネジ441は、上方端においてサーボモータ440の回転軸と接続され、中心軸Qを中心として回転可能である。ボールネジ441は、ノズル支持部40の端部の取付孔40hに螺入される。取付孔40hの内面には雌ネジ構造が形成されているので、ボールネジ441は、サーボモータ440から伝達された回転駆動力を受けて回転することにより、ノズル支持部40(スリットノズル41)を鉛直方向に昇降させることができる。
The
サーボモータ440の上部に設けられたロータリーエンコーダ442は、サーボモータ440の回転軸の軸位置を検出し、軸位置に対応する位置アドレスARを制御部6へ伝達する。スリットノズル41の鉛直方向における位置である垂直位置は、ロータリーエンコーダ442から制御部6へ伝達される位置アドレスARによって特定される。
A
○走行機構;
先述したように、架橋構造4は、基板処理装置1の水平前後方向へ水平移動が可能となっている。以下では、架橋構造4の当該水平移動を実現するための走行機構70,71について説明する。
○ Traveling mechanism;
As described above, the bridging
走行機構70,71は、それぞれ、走行レール72,73と、支持ブロック74,75と、ACリニアサーボモータ(以下では、単に「リニアサーボモータ」とも称する)76,77と、リニアエンコーダ78,79とを備える。これらの構成のうち、走行レール72、支持ブロック74、リニアサーボモータ76およびリニアエンコーダ78は、昇降機構43を水平前後方向へ水平移動させるための走行機構であり、走行レール73、支持ブロック75、リニアモータ77およびリニアエンコーダ79は、昇降機構44を水平前後方向へ水平移動させるための走行機構である。なお、前者と後者とは、ほぼ同様の構成を有するため、以下では、図7および図8も参照しながら前者について説明を行い、後者についての重複説明は省略する。なお、図7は、走行機構70のYZ面内の断面図であり、図8は、走行機構70を側方から見た側面図である。
The
走行レール72は、保持面30の端部に固設され、その長手方向は、基板処理装置1の水平前後方向となっている。基板処理装置1では、走行レール72と昇降機構43の下端に固設された支持ブロック74とにより、昇降機構43の移動方向を規定する直動案内機構が実現されている。すなわち、基板処理装置1では、支持ブロック74の移動方向が走行レール72に沿った方向に規定されることにより、昇降機構43の移動方向が水平前後方向に規定される。
The traveling
昇降機構43の水平移動の駆動力を生成するリニアモータ76は、制御部6から与えられる制御信号に応答して移動子76bが固定子76aに対して移動するリニアモータであり、当該制御信号により移動量および移動方向を制御可能となっている。ここで、固定子76aがステージ3の側面に固設され昇降機構43の移動方向に沿って伸びているとともに、移動子76bが昇降機構43の下端部に固設されているので、移動子76bが固定子76aに対して移動すれば、昇降機構43は、保持面30上で水平前後方向へ水平移動することになる。
The
リニアエンコーダ78は、スケール部78aおよび検出子78bを備えており、スケール部78aに対する検出子78bの位置を検出し、検出子78bの位置に対応する位置アドレスALを制御部6へ伝達する。ここで、スケール部78aが固定子76aとともにステージ3に固設され昇降機構43の移動方向に沿って伸びているとともに、検出子78bが昇降機構43の下端部に固設されているので、リニアエンコーダ78から伝達された位置アドレスALは、昇降機構43の水平前後方向における位置である水平位置を特定するための情報ともなる。
The
以上のように、基板処理装置1では、昇降機構43,44を、それぞれ、走行機構70,71によって水平前後方向へ水平移動可能であるため、スリットノズル41を含む架橋機構4の全体を保持面30と平行な水平前後方向へ水平移動可能である。さらに、スリットノズル41の水平前後方向における水平位置は、リニアエンコーダ78,79から制御部6へ伝達される位置アドレスALによって特定される。
As described above, in the
○リニアゲージ;
ステージ3の前面31には、リニアゲージ81,82が固設される。リニアゲージ81,82は、保持面30と垂直な鉛直方向における測定対象の垂直位置を測定するための部材となっている。以下では、リニアゲージ81(82)の構成について、図9の拡大図(側面図)を参照しながら説明する。
○ Linear gauge;
Linear gauges 81 and 82 are fixed on the
リニアゲージ81(82)は、鉛直方向に弾性的に上下動可能な測定子811(821)を備える。測定子811(821)は、下方に向かって力を加えられると、反発可能に押し下げられる、すなわち、測定子811(821)は、下方に向かって力を加えられると、前面31に固設された本体部812(822)へ復帰可能に押し込まれる。そして、リニアゲージ81(82)は、測定子811(821)の押し下げ量を検出して、検出結果を制御部6へ出力するように構成されている。したがって、リニアゲージ81(82)の測定子811(821)の先端に測定対象を接触させた状態にしておけば、制御部6において、鉛直方向における当該測定対象の垂直位置を導出可能である。
The linear gauge 81 (82) includes a probe 811 (821) that can move up and down elastically in the vertical direction. When the force is applied downward, the probe 811 (821) is pushed down in a repulsive manner, that is, the probe 811 (821) is fixed to the
基板処理装置1においては、(1)力を加えない状態における測定子811(821)の先端813(823)の垂直位置が保持面30より上方となるとともに(図9(a)参照)、(2)測定子811(821)の押し下げ量が検出可能な上限に達したときの先端813(823)の垂直位置が保持面30より下方となるように(図9(b)参照)、リニアゲージ81(82)がステージ3の前面31に取り付けられるので、リニアゲージ81(82)により、保持面30を含む所定の範囲内で測定対象の垂直位置を測定可能である。
In the
また、リニアゲージ81の測定値は、先端813(823)が保持面30にあるときに、「0」となるように校正される、すなわち、リニアゲージの測定値は、保持面30を基準としており、保持面30と測定対象との距離または保持面30を基準とした測定対象の高さともなっている。
The measured value of the
○スリットノズル;
図10は、スリットノズル41を側方から見た側面図である。
○ Slit nozzle;
FIG. 10 is a side view of the
図10に示すように、水平左右方向に伸びるスリットノズル41は、吐出部41bを本体部41aから下方すなわち基板90の方向へ突出させた構造を有する。また、吐出部41bの先端の吐出口41cには、レジストを供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構(不図示)が接続される。これにより、基板処理装置1では、吐出口41cから基板90に対してレジストを吐出可能となる。そして、スリットノズル41は、保持面30と平行な進行方向(−X方向)へ移動しつつ、基板90に対してレジストを吐出することにより、基板90の表面90sへレジストを塗布可能である。
As shown in FIG. 10, the
さらに、本体部41aの側面411には、スリットノズル41の保護部材であるバンパー(プレート)415がネジ止めされる。バンパー415は、ステンレス等の剛性が高い素材で形成された棒状部材であり、その厚み(±X方向の厚み)は、例えば、約10mmである。バンパー415は、平坦に研磨された下端面415aが保持面30と平行となるようにスリットノズル41に対して固定されており、下端面415aは、バンパー415における保持面30への最近接端となっている。また、この下端面415aは、スリットノズル41における保持面30への最近接端となる吐出口41cよりも、保持面30に近接するように固定されている。また、下端面415の垂直位置は、レジスト塗布時に、保持面30に正常に保持された(レジスト塗布の障害となる異物やスリットノズル41を損傷する恐れがある異物等がない状態で保持された)基板90の表面90sと接触しないような垂直位置となっている。
Further, a bumper (plate) 415 that is a protective member of the
バンパー415としては、スリットノズル41と略同一の長さ(±Y方向の長さ)を有する棒状部材をひとつ設けてもよいし、スリットノズル41より長さが短い棒状部材を複数設けてもよい。
As the
下端面415aが吐出口41cよりも進行方向側となるように、このようなバンパー415を設けることにより、スリットノズル41を進行方向へ移動させた場合に、基板90上の異物NG等はバンパー415に押しのけられるので、異物NGとスリットノズル41とが干渉(接触)して、スリットノズル41を損傷することを防止可能である(図10(a))。また、このようなバンパー415を設けることにより、スリットノズル41を進行方向へ移動させた場合に、基板90の下に異物NG’等があり、基板90の表面90sが隆起していても、当該隆起とスリットノズル41とが干渉(接触)して、スリットノズル41を損傷することを防止可能である(図10(b))。なお、バンパー415を側面412に固定すれば、スリットノズル41を+X方向に移動させた場合にスリットノズル41の損傷を防止可能であり、バンパー415を側面411および412の両方に固設すれば、スリットノズル41を±X方向のいずれに移動させた場合でもスリットノズル41の損傷を防止可能である。
By providing such a
また、本体部41aの側面には、さらに望ましくは、バンパー415と異物NG等との干渉によって生じる振動を検出する振動検知センサ416が、バンパー415とは離隔して螺設される。振動検知センサ416は、例えば、圧電素子を用いた振動検知センサであり、スリットノズル41の進行方向における振動を検出して所定の検出信号を出力する。そして、基板処理装置1では、振動検知センサ416から検出信号が出力されると、基板90の表面90sへのレジストの塗布動作を停止し、昇降機構43,44によりスリットノズル41を上昇させ、走行機構70,71によりスリットノズル41を待機位置へ移動させる。
Further, more desirably, a
<1.2 制御部の構成>
図1に示すように、マイクロコンピュータによって構成された制御部6は、プログラムやデータを記憶する記憶部60と、プログラムに従った処理を行う演算部61とを備える。記憶部60は、例えば、一時的な記憶を行うRAM、読み出し専用のROMおよび磁気ディスク装置等であるが、可搬性の光磁気ディスクやメモリカード等の記憶媒体とその読取装置とによって実現されてもよい。
<1.2 Configuration of control unit>
As shown in FIG. 1, the
また、制御部6の筐体の前面には、オペレータが基板処理装置1に対して指示を入力するための操作部62と、各種表示を行うための表示部63とが設けられる。操作部62は、例えば、各種スイッチ(キーボードやマウス等を含む)であるが、タッチパネルディスプレイのように、表示部6の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部63は、例えば、液晶ディスプレイや各種ランプによって実現される。
In addition, an
制御部6は、図示しないケーブルやI/Oインターフェースにより、本体2の各構成と接続されており、操作部62から入力された指示や、本体2の各構成から伝達されてきた信号に基づいて、昇降機構43,44等の基板処理装置1の各部の統括制御を行う。
The
続いて、制御部6の機能的構成を説明する。図11は、バンパー415における異常の検出に係る制御部6の機能的構成を示すブロック図である。図11における、リニアゲージ制御部601、走行機構制御部602、昇降機構制御部603、測定制御部604、異常判定部605および異常報知部606は、制御部6が、I/Oインターフェース等の各種ハードウエアを利用しつつ、制御プログラムを実行することにより実現される機能を示す機能ブロックである。なお、昇降機構43、走行機構70およびリニアゲージ81が図11には図示されていないが、制御部6は、これらに対しても、昇降機構44、走行機構71およびリニアゲージ82と同様の制御を行っている。
Next, the functional configuration of the
図11において、リニアゲージ制御部601は、リニアゲージ82から伝達される検出結果から、測定対象の垂直位置を導出する。
In FIG. 11, the linear
走行機構制御部602は、リニアエンコーダ79から伝達される位置アドレスALを取得するとともに、リニアサーボモータ77へ制御信号を出力する。さらに、走行機構制御部602は、位置アドレスALを監視しつつリニアサーボモータ77へ制御信号を出力することにより、スリットノズル41を任意の水平位置へ移動させる。
The travel
昇降機構制御部603は、ロータリーエンコーダ442から伝達される位置アドレスARを取得するとともに、サーボモータ440へ制御信号を出力する。さらに、昇降機構制御部603は、位置アドレスARを監視しつつサーボモータ440へ制御信号を出力することにより、スリットノズル41を任意の垂直位置へ移動させる。
The lifting
測定制御部604は、吐出口41cの垂直位置が保持面30と一致するときのの位置アドレスARを、昇降機構制御部603を介して取得して、基準位置アドレスAR0として記憶部60に記憶させる。さらに、測定制御部604は、吐出口41cの垂直位置が保持面30と一致するときの、バンパー415の下端面415aの垂直位置の測定値を、リニアゲージ制御部601を介して取得して、初期間隔L0または定期測定時間隔L1として出力し、記憶部60に記憶させる。ここで、「初期間隔」とは、基板処理装置1の動作開始と同期して実行される初期測定によって測定される、保持面30と垂直な方向における下端面415aと吐出口41cとの間隔であり、「定期測定時間隔」とは、基板処理装置1の動作中に定期的に実行される定期測定によって取得される、保持面30と垂直な方向における下端面415aと吐出口41cとの間隔である。なお、以下では、「初期間隔」および「定期測定時間隔」を総称して単に「間隔」とも称する。
The
なお、本実施形態では、吐出口41cの垂直位置が保持面30と一致するときの吐出口41cの垂直位置の測定値は「0」であるので、下端面415aの垂直位置の測定値は、そのまま、保持面30と垂直な方向における下端面415aと吐出口41cとの間隔となっている。
In the present embodiment, since the measured value of the vertical position of the
異常判定部605は、記憶部60に記憶された初期間隔L0および定期測定時間隔L1に基づいて、バンパー415における異常の有無を判定する。より具体的には、異常判定部605は、間隔が許容範囲(例えば、20μm〜30μm)外となった場合および初期測定時から定期測定時までの間の経時的な間隔の変化(L1−L0)が所定の閾値を超えた場合に、バンパー415に異常が起こっていると判定する。ここで、「許容範囲」は、自重によるタワミ等に起因するスリットノズル41の長手方向における垂直位置変動や、保持面30の平坦性等や、レジスト塗布時の吐出口41と基板90の表面90sとの間隙(典型的には、数10μm)を考慮して、スリットノズル41を確実に保護可能な範囲に設定すべきものであり、上述の具体的値に必ずしも制限されない。
The
異常報知部606は、異常判定部605によりバンパー415に異常があると判定された場合に、オペレータに異常の発生を報知する。なお、異常の発生の報知方法は制限されないが、例えば、表示部63への警告表示等の視覚的な方法および警報音等の聴覚的な方法等を適宜利用可能である。
When the
<2 オペレータの作業手順>
基板処理装置1におけるオペレータの作業手順について、図12のフローチャートを参照しながら説明する。
<2 Operator procedure>
The operation procedure of the operator in the
最初に、オペレータは、リニアゲージ81,82の校正の要否を判断する(ステップS1)。リニアゲージ81,82の校正が必要である場合、オペレータは、リニアゲージ81,82の校正(ステップS2)を行った後に、吐出口41cの清掃を行い(ステップS3)、しかる後に基板処理装置1を自動運転状態へ移行させる(ステップS4)。一方、リニアゲージ81,82の校正が不要である場合、オペレータは、リニアゲージ81,82の校正を行わずに、吐出口41cの清掃を行い(ステップS3)、しかる後に基板処理装置1を自動運転状態へ移行させる(ステップS4)。
First, the operator determines whether or not the
○リニアゲージの校正;
続いて、リニアゲージ81(82)の校正作業について、図13を参照しながら説明する。図13は、校正時のリニアゲージ81(82)の状態を示す拡大図(側面図)である。
○ Linear gauge calibration;
Subsequently, the calibration work of the linear gauge 81 (82) will be described with reference to FIG. FIG. 13 is an enlarged view (side view) showing the state of the linear gauge 81 (82) during calibration.
リニアゲージ81(82)は、基板処理装置1の自動運転に先立って、測定子811(821)の先端813(823)が保持面30と同じ垂直位置にあるときに、測定値が「0」(または所定値)となるように校正される。なお、先端813(823)が保持面30と異なる所定の垂直位置にあるときに、測定結果が所定値となるように校正されることも妨げられない。
Prior to the automatic operation of the
具体的には、リニアゲージ81(82)の校正にあたって、オペレータが、平坦面PLを有する板状の校正器(校正治具)83を保持面30に載置するとともに、保持面30から上方に突出した測定子811(821)を、校正器83を用いて下方に押し下げる。ここで、保持面30と接する面すなわち測定子811を押し下げする面を平坦面PLとしておけば、平坦面PLと保持面30とが密着した状態となったとき、先端813の高さは、保持面30と同じ高さになる。そして、この状態を維持したまま、リニアゲージ81(82)の測定値が「0」となるように調整を行うことにより、リニアゲージ81(82)の校正が完了する。
Specifically, when calibrating the linear gauge 81 (82), the operator places a plate-shaped calibrator (calibration jig) 83 having a flat surface PL on the holding
<3 基板処理装置の動作>
以下では、基板処理装置1の動作について説明するが、説明にあたっては、まず、バンパー415の異常の検出の基礎となる、初期間隔L0を測定する初期測定および定期測定時間隔L1を測定する定期測定に係る動作フローを説明し、しかる後に、基板処理装置1の自動運転に係る全体の動作フローを説明する。
<Operation of the substrate processing apparatus>
Hereinafter, the operation of the
○初期測定;
初期測定が行われるときの基板処理装置1の動作を、図14および図15を参照しながら説明する。図14は、初期測定の動作フローを示すフローチャートであり、図15は、初期測定が行われているときのリニアゲージ81(82)およびスリットノズル41を側方から見た側面図である。なお、吐出口41cの清掃が初期測定に先立って行われているので(図12参照)、初期測定時には、吐出口41cは、リニアゲージ81,82による正確な垂直位置の測定が可能な状態となっている。
○ Initial measurement;
The operation of the
図14に示すように、初期測定が開始されると、まず、測定制御部604が、走行機構制御部602を介して、吐出口41cがリニアゲージ81(82)の上方となるようにスリットノズル41を水平移動させる、すなわち、吐出口41cの水平位置とリニアゲージ81(82)の水平位置とを一致させる(図15(a))(ステップS101)。続いて、測定制御部604は、吐出口41cの原点出しを行う(ステップS102)。より具体的には、測定制御部604は、リニアゲージ制御部601および昇降機構制御部603を介して、吐出口41cの垂直位置を監視しながらスリットノズル41を下降させ(図15(b))、吐出口41cの垂直位置の測定値が「0」になったとき、スリットノズル41cの下降を停止させる(図15(c))。そして、測定制御部604は、このときの位置アドレスARを、昇降機構制御部603を介して取得して基準位置アドレスAR0として記憶部60に記憶させる(ステップS103)。
As shown in FIG. 14, when the initial measurement is started, first, the
続いて、測定制御部604が、走行機構制御部602を介して、バンパー415の下端面415aがリニアゲージ81(82)の上方となるようにスリットノズル41を水平移動させる、すなわち、バンパー415の下端面415aおよびリニアゲージ81(82)の水平位置を一致させる(図15(d))(ステップS104)。このとき、吐出口41cがリニアゲージ81(82)によって傷つけられることを防止する等の理由により、水平移動前にスリットノズル41をいったん上方に退避し、水平移動後にスリットノズル41を水平移動前の垂直位置に戻すようにすることが望ましい。すなわち、ここでの水平移動は、移動前と移動後とで、吐出口41cの垂直位置が変化しない、すなわち、位置アドレスARが基準位置アドレスAR0のまま維持されるような移動であればよく、途中の移動経路は制限されない。
Subsequently, the
水平移動完了後、測定制御部604は、リニアゲージ制御部601を介して下端面415aの垂直位置を取得し、初期間隔L0として、記憶部60に記憶させ(ステップS106)、しかる後に初期測定の動作フローは終了する。
After the horizontal movement is completed, the
なお、過去の初期測定時の初期間隔L0が記憶部60に既に記憶されている場合は、新たに得られた初期間隔L0により、古い初期間隔L0が上書き更新される。
When the initial interval L0 at the time of past initial measurement is already stored in the
○定期測定;
以下では、定期測定が行われるときの基板処理装置1の動作を、図16および図17を参照しながら説明する。図16は、定期測定の動作フローを示すフローチャートであり、図17は、定期測定が行われているときのリニアゲージ81(82)およびスリットノズル41を側方から見た側面図である。
○ Regular measurement;
Below, operation | movement of the
定期測定が開始されると、測定制御部604が、走行機構制御部602を介して、バンパー415の下端面415aがリニアゲージ81(82)の上方となるようにスリットノズル41を水平移動させる、すなわち、下端面415aの水平位置とリニアゲージ81(82)の水平位置とを一致させる(図17(a))(ステップS201)。続いて、測定制御部604は、昇降機構制御部603を介して位置アドレスARが基準位置アドレスAR0と一致する状態とすることにより、吐出口41cが保持面30と同じ垂直位置になった状態を実現し(図17(b))(ステップS202)、そのときの下端面415aの垂直位置の測定値を定期測定間隔L1として記憶部60に記憶させ(ステップS203)、定期測定の動作フローは終了する。なお、定期測定において、図14および図15で示される初期測定を再度行うようにすれば、ノズル41の垂直位置がずれていても正確な定期測定時間隔L1を測定可能である。
When the periodic measurement is started, the
○基板処理装置の自動運転;
続いて、自動運転が行われるときの基板処理装置1の動作フローを、図18のフローチャートを参照しながら説明する。
○ Automatic operation of substrate processing equipment;
Next, the operation flow of the
まず、基板処理装置1が自動運転を開始すると、最初に、測定制御部604により、先述した初期測定が実行され(ステップS301)、異常判定部605によって初期間隔L0が所定の許容範囲内に含まれるか否かが判定され、判定結果によって処理の分岐が行われる。ステップS302において、初期間隔L0が許容範囲内の場合(YES)、ステップS303への移行が行われ、許容範囲外の場合(NO)、ステップS309への移行が行われ、異常報知部606によって異常の発生がオペレータに報知され、塗布処理が停止される。ステップS301,S302およびS309により、基板処理装置1の動作開始と同期してバンパー415がスリットノズル41を保護可能か否かを判定可能であるとともに、バンパー415がスリットノズル41を適切に保護できないことをオペレータは認識可能となる。さらに、基板処理装置1では、バンパー415がスリットノズル41を適切に保護できない場合に塗布処理が自動的に停止されることになる。
First, when the
ステップS303では、図示しない搬送機構により、処理対象となる基板90が保持面30の保持エリア91に搬入されるとともに保持エリア91に真空吸着され、表面90sへのレジストの塗布処理が行われる。レジスト塗布が完了した基板90は、搬送機構によって、次の処理工程へ搬出される(ステップS304)。
In step S303, the
続いて、基板処理装置1では、前回の初期測定または定期測定以後の処理基板数が所定数(例えば、100)に達したかどうかによって処理の分岐を行う(ステップS305)。そして、処理基板数が所定数に達している場合(YES)は、定期測定を実行し(ステップS306)、処理基板数が所定数に達していない場合(NO)は、ステップS303に戻って、新たな基板90へのレジストの塗布処理を開始する。
Subsequently, the
このような動作により、基板処理装置1では、所定数の基板90に対するレジストの塗布処理を行うごとに、定期測定が実行される。
With this operation, the
なお、ステップS305において、前回の初期測定または定期測定以後の処理基板数ではなく、前回の初期測定または定期測定以後からの経過時間が所定時間に達したかどうかにより分岐処理を行い、所定時間に達している場合(YES)はステップS306へ移行し、所定時間に達していない場合(NO)はステップS304に戻るようにしてもよい。これにより、所定時間の経過ごとに、定期測定が実行される。 In step S305, branch processing is performed depending on whether the elapsed time since the previous initial measurement or periodic measurement has reached a predetermined time, not the number of substrates processed since the previous initial measurement or periodic measurement. If it has reached (YES), the process proceeds to step S306. If the predetermined time has not been reached (NO), the process may return to step S304. Thereby, regular measurement is performed for every progress of predetermined time.
定期測定終了後、異常判定部605によって定期測定時間隔L1が所定の許容範囲内に含まれるか否かが判定され(ステップS307)、判定結果によって処理の分岐が行われる。ステップS307において、定期測定時間隔L1が許容範囲内の場合(YES)、ステップS308への移行が行われ、許容範囲外の場合(NO)、ステップS309への移行が行われ、異常報知部606によって異常の発生がオペレータに報知され、塗布処理が停止される。S306,S307およびS309より、バンパー415がスリットノズル41を保護可能か否かを定期的に判定可能であり、バンパー415がスリットノズル41を適切に保護できないことをオペレータは認識可能となる。さらに、基板処理装置1では、バンパー415がスリットノズル41を適切に保護できない場合に塗布処理が自動的に停止される。
After the end of the regular measurement, the
ステップS308では、異常検出部により、初期測定時からの経時的な間隔変化(L1−L0)が導出され、間隔変化(L1−L0)が所定の閾値を超えたか否かが判定され、判定結果に応じた処理の分岐が行われる。ステップS308において、間隔変化(L1−L0)が所定の閾値を超えていない場合(NO)、ステップS304への移行が行われ、基板処理装置1では新たな基板へのレジストの塗布処理が再開される。一方、所定の閾値を超えている場合(YES)、ステップS309への移行が行われ、異常報知部606によって異常の発生がオペレータに報知され、塗布処理が停止される。ステップS308およびS309により、バンパー415を固定するネジの緩み等に起因して、基板処理装置1の稼動中にスリットノズル41に対するバンパー415の固定位置がずれたことを検出可能である。
In step S308, the abnormality detection unit derives an interval change (L1-L0) over time from the initial measurement, and determines whether the interval change (L1-L0) exceeds a predetermined threshold value. Processing is branched according to the process. In step S308, when the interval change (L1-L0) does not exceed the predetermined threshold (NO), the process proceeds to step S304, and the
以上のような動作フローにより、基板処理装置1では、バンパー415の下端部415aとスリットノズル41の吐出口41cとの間隔を管理し、スリットノズル41の損傷を確実に防止することができるとともに、保持面30に正常に保持された基板90とバンパー415とが接触して基板90を損傷することも確実に防止可能である。
With the operation flow as described above, the
<4 変形例>
上述の実施形態では、保護部材の例として棒状部材を示したが、スリットノズル41の進行方向側であって基板90の直上に配置したワイヤー等が保護部材として用いられてもよい。
<4 Modification>
In the above-described embodiment, a rod-shaped member is shown as an example of the protective member. However, a wire or the like disposed on the
また、上述の実施形態では、保護部材と異物等との干渉によって生じる振動を検出することにより異物の存在を検知したが、保護部材と異物との干渉によって生じる保護部材の移動や変形を電気的、光学的な方法で検出することにより、異物等の存在を検知しても良い。 In the above-described embodiment, the presence of the foreign matter is detected by detecting vibration caused by the interference between the protective member and the foreign matter. However, the movement or deformation of the protective member caused by the interference between the protective member and the foreign matter is electrically detected. Alternatively, the presence of a foreign substance or the like may be detected by detecting by an optical method.
1 基板処理装置
2 本体
3 ステージ
4 架橋構造
6 制御部
41 スリットノズル
415 バンパー415
416 振動検知センサ416
41c 吐出口
43,44 昇降機構
70,71 走行機構
76,77 リニアサーボモータ
78,79 リニアエンコーダ
81,82 リニアゲージ
90 基板
440 サーボモータ
442 ロータリーエンコーダ
DESCRIPTION OF
416
Claims (9)
前記保持面と平行な第1方向へ移動可能な、基板に対して処理液を吐出するノズルと、
前記保持面への最近接端である第1最近接端が、前記ノズルにおける前記保持面への最近接端である第2最近接端よりも前記保持面に近接するように、前記第2最近接端よりも前記第1方向側で前記ノズルに対して固定されたノズル保護部材と、
前記第1近接端及び前記第2近接端の、前記保持面と垂直な第2方向における位置である垂直位置を測定するリニアゲージと、
前記ノズル及び前記ノズル保護部材を前記第1方向及び前記第2方向へ移動させる移動手段と、
前記第2最近接端の垂直位置が前記リニアゲージに測定された後に前記第1最近接端の垂直位置が前記リニアゲージに測定されるように前記移動手段を制御し、前記第2方向における前記第1最近接端と前記第2最近接端との間隔を出力する制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for applying a treatment liquid to a surface of a substrate held on a holding surface,
A nozzle that is movable in a first direction parallel to the holding surface and that discharges the processing liquid to the substrate;
The second closest end, which is the closest end to the holding surface, is closer to the holding surface than the second closest end, which is the closest end to the holding surface of the nozzle. A nozzle protection member fixed to the nozzle on the first direction side than the contact end;
A linear gauge for measuring a vertical position of the first proximity end and the second proximity end in a second direction perpendicular to the holding surface;
Moving means for moving the nozzle and the nozzle protection member in the first direction and the second direction;
Controlling the moving means so that the vertical position of the first closest end is measured by the linear gauge after the vertical position of the second closest end is measured by the linear gauge; Control means for outputting a distance between a first closest end and the second closest end;
A substrate processing apparatus comprising:
前記制御手段は、The control means includes
前記第2最近接端の垂直位置が前記リニアゲージに測定された後に、前記第2方向に前記ノズルが退避させられ、その後に、前記第1近接端の前記第1方向の位置である水平位置と前記リニアゲージの水平位置とが一致するように前記ノズルが水平移動させられるように前記移動手段を制御することを特徴とする基板処理装置。After the vertical position of the second closest end is measured by the linear gauge, the nozzle is retracted in the second direction, and then the horizontal position that is the position of the first proximity end in the first direction. The substrate processing apparatus controls the moving means so that the nozzle is horizontally moved so that the horizontal position of the linear gauge coincides with that of the linear gauge.
前記間隔が所定の範囲外となった場合に、異常の発生を報知することを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus that reports the occurrence of an abnormality when the interval is outside a predetermined range.
前記間隔の経時変化が所定の閾値を超えた場合に、異常の発生を報知することを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus, wherein an occurrence of an abnormality is notified when a change in the interval with time exceeds a predetermined threshold value.
前記間隔が所定の範囲外となった場合に、前記塗布処理を停止することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus, wherein the coating process is stopped when the interval is out of a predetermined range.
前記間隔の経時変化が所定の閾値を超えた場合に、前記塗布処理を停止することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus, wherein the coating process is stopped when a change in the interval with time exceeds a predetermined threshold value.
前記基板処理装置の動作開始と同期して、前記間隔を測定することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus is characterized in that the interval is measured in synchronization with the start of operation of the substrate processing apparatus.
所定数の基板に対する前記塗布処理または所定時間の経過ごとに前記間隔を測定することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus, wherein the interval is measured every time the coating process or a predetermined time elapses for a predetermined number of substrates.
前記制御手段は、The control means includes
前記第2近接端の垂直位置が前記保持面と一致するときの、前記第1近接端の垂直位置を前記間隔として出力することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus, wherein the vertical position of the first proximity end when the vertical position of the second proximity end coincides with the holding surface is output as the interval.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004369099A JP4490803B2 (en) | 2004-12-21 | 2004-12-21 | Substrate processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004369099A JP4490803B2 (en) | 2004-12-21 | 2004-12-21 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006175314A JP2006175314A (en) | 2006-07-06 |
JP4490803B2 true JP4490803B2 (en) | 2010-06-30 |
Family
ID=36729919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004369099A Active JP4490803B2 (en) | 2004-12-21 | 2004-12-21 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4490803B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4937784B2 (en) * | 2007-02-20 | 2012-05-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
JP2011082230A (en) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate coating device |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07256180A (en) * | 1994-03-23 | 1995-10-09 | Sony Corp | Method for applying fluid material to planar member and device therefor |
JPH09206652A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Toray Ind Inc | Equipment and method for coating, and device and method for manufacturing color filter |
JPH11262714A (en) * | 1998-01-06 | 1999-09-28 | Toray Ind Inc | Coating method and apparatus for applying coating liquid to uneven substrate and method and apparatus for manufacturing member for plasma display |
JP2000024571A (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Hirata Corp | Slit coat type coating apparatus and slit coat type coating method |
JP2002001195A (en) * | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Toray Ind Inc | Method and device for coating and method and device for manufacturing color filter |
JP2003001165A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-07 | Seiko Instruments Inc | Liquid coating device |
JP2003243286A (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2004014393A (en) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Phosphor screen forming method and phosphor screen forming device of plasma display panel |
JP2004351261A (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Canon Inc | Coater and coating method |
JP2005236059A (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus |
-
2004
- 2004-12-21 JP JP2004369099A patent/JP4490803B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07256180A (en) * | 1994-03-23 | 1995-10-09 | Sony Corp | Method for applying fluid material to planar member and device therefor |
JPH09206652A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Toray Ind Inc | Equipment and method for coating, and device and method for manufacturing color filter |
JPH11262714A (en) * | 1998-01-06 | 1999-09-28 | Toray Ind Inc | Coating method and apparatus for applying coating liquid to uneven substrate and method and apparatus for manufacturing member for plasma display |
JP2000024571A (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Hirata Corp | Slit coat type coating apparatus and slit coat type coating method |
JP2002001195A (en) * | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Toray Ind Inc | Method and device for coating and method and device for manufacturing color filter |
JP2003001165A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-07 | Seiko Instruments Inc | Liquid coating device |
JP2003243286A (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2004014393A (en) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Phosphor screen forming method and phosphor screen forming device of plasma display panel |
JP2004351261A (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Canon Inc | Coater and coating method |
JP2005236059A (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006175314A (en) | 2006-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4803714B2 (en) | Coating apparatus and coating method | |
KR100658460B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100685216B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
CN100404146C (en) | Base plate processing device | |
JP2008238144A (en) | Apparatus and method for applying coating liquid | |
KR100679131B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP4105613B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4490803B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR101314017B1 (en) | Optical foreign material detector and processing solution coating device with that | |
JP2011082230A (en) | Substrate coating device | |
KR101202544B1 (en) | Coating method and coating apparatus | |
JP2003243286A (en) | Substrate processing apparatus | |
US10190865B2 (en) | Verifying end effector flatness using electrical continuity | |
KR101357398B1 (en) | Coating film forming apparatus and control method | |
JP2007294490A (en) | Cleaning equipment of substrate, and cleaning method of substrate employing it | |
JP2007247812A (en) | Hydrostatic air bearing monitoring device and stage device equipped therewith | |
JP2003185695A (en) | Method and apparatus for inspection of wiring pattern | |
JP5214369B2 (en) | Coating device and nozzle guard | |
KR100780615B1 (en) | Method and apparatus of monitoring bending of a yaw guide of a light-exposure apparatus | |
KR100812029B1 (en) | Coating apparatus | |
KR20070096683A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
JP2010051883A (en) | Coating device and coating method | |
JP2003243489A (en) | Substrate treatment device | |
JP5137612B2 (en) | Bonding method and bonding apparatus | |
KR20180009469A (en) | Substrate treating apparatus and control method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090924 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100330 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100402 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4490803 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |