JP4487750B2 - ビデオキャビネットおよび基板固定機構 - Google Patents

Description

本発明は、ビデオキャビネットおよび基板固定機構に関し、特に主基板に対して立設されるビデオキャビネットおよび基板固定機構に関する。

従来、この種の基板固定機構として、放熱板とともにサブ基板にも切り欠きを設けたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
また、放熱板をサブ基板側に折り曲げてサブ基板の保持部を形成するものや、さらにこの保持部とサブ基板とをビス止め固定したものが知られている（例えば、非特許文献１の図１，図３参照。）。
かかる構成によれば、いずれの構成においてもサブ基板を放熱板に対して確実に固定させることが可能となる。
特願平５−２５９６６１号公報 登録第３０５７６２７号公報

前者のビデオキャビネットおよび基板固定機構においては、サブ基板にも切り欠きを設ける必要があるため、本来は必要とされないサブ基板の外形加工を行う必要となる。従って、工程数が増加してコストも増加するという課題があった。さらに、サブ基板に切り欠きを設けるため、サブ基板における切り欠き部の周辺の強度が弱くなる。そのため、サブ基板に備えられた外部接続端子にジャックの接続等によりサブ基板に荷重がかかるとサブ基板が破損してしまうという課題があった。

一方、後者の基板固定機構においても、サブ基板を放熱板に対してビス止めすることにより組み付け作業が煩雑となるという課題もあった。
本発明は、上記課題にかんがみてなされたもので、工程数やコストを最小限に抑えたビデオキャビネットおよび基板固定機構の提供を目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１にかかる発明は、主基板に立設して固定される板状部材と、同主基板に対して電気的に接続しつつ立設して固定されるサブ基板と、上記板状部材において上記サブ基板を保持する基板保持部とを具備するビデオキャビネットにおいて、
上記基板保持部は上記板状部材の上端部から所定の高さまで下方に向けて形成した上記主基板に垂直なスリットであり、上記サブ基板は、上記スリットの下端より高い部分のみを上記スリットより奥方まで延設して形成した上記スリットに厚み方向を挟まれる挿入部と、外部接続端子と、上記挿入部において上記スリットをその厚み方向両外側から挟む位置に上記スリットと平行の二本の帯状に形成された電気的に他の箇所と接続されない浮きランドと、上記浮きランド上に上記挿入部と上記スリットの壁面とで形成される隙間より高く形成された半田バンプとを具備する構成としてある。

上記のように構成した請求項１の発明において、主基板に立設した状態で固定される板状部材の上端部から所定の高さまで下方に向けて上記主基板に垂直に上記基板保持部としてのスリットを形成する。上記サブ基板には上記スリットの下端より高い部分のみを上記スリットより奥方まで延設した挿入部が形成され、同挿入部を上記スリットに挿入する。このとき、上記挿入部は上記スリットによって厚み方向に挟まれて支持されるため、上記サブ基板を上記主基板に対して立設した状態で支持することができる。

上記板状部材は放熱板であるためサブ基板を立設した状態で支持するための専用部材等を新規に配設する必要はなくて済む。上記放熱板がＬ字状に交差する幅広な面と幅狭な面とで構成される場合、同幅広な面と幅狭な面はともに上記主基板に対して立設されてもよい。そして、上記幅狭な面には上記スリットが形成されてもよい。一方、上記サブ基板には外部接続端子が備えられるとともに上記主基板に対しては電気的に接続されている。上記挿入部における上記スリットをその厚み方向両外側から挟む位置には電気的に他の箇所と接続されない浮きランドが形成されている。同浮きランドは、上記スリットに対して平行な帯状となるように二本形成されている。さらに、上記浮きランドの上には上記挿入部と上記スリットの壁面とで形成される隙間より高さが高い半田バンプが形成されている。

すなわち、上記半田バンプを上記スリットの厚み方向にずらそうとすると上記スリットの周辺に同半田バンプが干渉する。上記半田バンプが形成される上記浮きランドは、上記スリットを厚み方向両外側から挟む位置に帯状に上記スリットに対して平行に二本形成されるため、上記サブ基板は上記スリットの厚み方向に固定される。従って、上記サブ基板における上記主基板に対して電気的に接続する接続部位がぐらつくことを防止できる。すなわち、上記サブ基板に備えられた外部接続端子に外部から接続したときにかかる荷重によって上記主基板に対する接続部位が破損することを防止できる。

上記半田バンプが上記スリットの周辺を押しつける荷重の方向は上記スリットの厚み方向となる。この荷重の方向は、上記幅広な面の幅方向と一致することとなる。すなわち、上記幅広な面の下端面は上記主基板に接触し、この下端面にて上記放熱板にかかる荷重に対抗することとなる。この場合、上記放熱板にかかる荷重を同荷重のかかる方向に分散させやすいとともに、同荷重のかかる方向に上記放熱板がぐらつくことも防止される。

また、上記サブ基板を組み付ける際には、上記半田バンプが上記スリットを両側からガイドするため、上記挿入部を上記スリットに挿入させやすい。上記挿入部における上記スリットの挿入位置は上記半田バンプにより明らかとなるため、上記サブ基板の上記主基板に対する位置決めもしやすくなる。

上記半田バンプと上記スリットの接触部に過度の荷重かかかった場合に、上記浮きランドが上記半田バンプとともにサブ基板の基材から剥離したとしても、上記浮きランドは電気的に他の箇所と接続がなされていないため、電気的な不良を発生させる可能性はない。

ここで、上記浮きランドを形成するに当たっては、上記サブ基板における他のプリント配線を形成する際に形成すればよい。このようにして形成すれば、上記浮きランドを形成するために工程数やコストを最小限に抑えることができる。同様に、上記半田バンプを形成するに当たっては、上記サブ基板における他の半田バンプを形成する際に形成すれば、工程数やコストを最小限に抑えることができる。

また、請求項２にかかる発明は、主基板に立設して固定される板状部材と、同主基板に対して電気的に接続しつつ立設して固定されるサブ基板、上記板状部材において上記サブ基板を保持する基板保持部とを具備する基板固定機構において、
上記基板保持部は上記板状部材の上端部から所定の高さまで下方に向けて形成した上記主基板に垂直なスリットであり、上記サブ基板は、上記スリットの下端より高い部分のみを上記スリットより奥方まで延設して形成した上記スリットに厚み方向を挟まれる挿入部と、上記挿入部において上記スリットとその厚み方向に隣接する位置に形成されたランドと、上記ランド上に形成された半田バンプとを具備する構成としてある。

上記のように構成した請求項２にかかる発明において、主基板に立設した状態で固定される板状部材の上端部から所定の高さまで下方に向けて上記主基板に垂直に上記基板保持部としてのスリットが形成されている。上記サブ基板には上記スリットの下端より高い部分のみを上記スリットより奥方まで延設した挿入部が形成され、同挿入部が上記スリットに挿入される。このとき、上記挿入部は上記スリットによって厚み方向に挟まれて支持されるため、上記サブ基板を上記主基板に対して立設した状態で支持することができる。

上記挿入部における上記スリットにその厚み方向から隣接する位置にはランドが形成され、同ランドの上には半田バンプが形成されている。すなわち、上記サブ基板を上記スリットの厚み方向に動かそうとした際に上記半田バンプと上記スリットの周辺とが干渉するため、上記サブ基板が同方向にぐらつくことが防止される。また、上記主基板と上記サブ基板とを電気的に接続する部位もぐらつかないため、上記主基板と上記サブ基板とが接触不良を起こす可能性を低くすることができる。

ここで、上記ランドを形成するに当たっては、上記サブ基板における他のプリント配線を形成する際に形成すればよい。このようにして形成すれば、上記ランドを形成するために工程数やコストを最小限に抑えることができる。同様に、上記半田バンプを形成するに当たっては、上記サブ基板における他の半田バンプを形成する際に形成すれば、工程数やコストを最小限に抑えることができる。

さらに、請求項３にかかる発明は、上記板状部材は放熱板である構成としてある。
上記放熱板は通常主基板に実装された各種ＩＣチップから発生する熱を同主基板から遠くに放熱させることが要求されるため、上記放熱板は上記主基板に立設した状態で固定される場合が多い。従って、上記のように構成した請求項３の発明において、上記板状部材は放熱板であるため、サブ基板を立設した状態で支持するための専用部材等を新規に配設する必要はなくて済む。

また、請求項４にかかる発明は、上記放熱板は、それぞれが主基板に立設し互いにＬ字状に交差する幅広な面と上記スリットが形成された幅狭な面とで形成されている構成としてある。

上記のように構成した請求項４にかかる発明において、上記放熱板はＬ字状に交差する幅広な面と幅狭な面とで形成され、同幅広な面と幅狭な面はともに上記主基板に対して立設されている。そして、上記幅狭な面には上記スリットが形成されている。一方、上記半田バンプが上記スリットの周辺を押しつける荷重の方向は上記スリットの厚み方向となる。この荷重の方向は、上記幅広な面の幅方向と一致する。すなわち、上記幅広な面の下端面は上記主基板に接触し、この下端面にて上記放熱板にかかる荷重に対抗することとなる。従って、上記放熱板にかかる荷重を同荷重のかかる方向に分散させやすいとともに、同荷重のかかる方向に上記放熱板がぐらつくことも防止される。

また、請求項５にかかる発明は、上記板状部材は、シールド板である構成としてある。
上記のように構成した請求項５の発明において、上記板状部材はシールド板であるため、サブ基板を立設した状態で支持するための専用部材等を新規に配設する必要はなくて済む。

さらに、請求項６にかかる発明は、上記サブ基板は、外部接続端子を備える構成としてある。
上記のように構成した請求項６の発明において、上記サブ基板はぐらつくことが防止されるため、上記外部接続端子に外部から接続を行っても同外部接続端子がぐらつくことはないため接続作業がしやすい。また、上記主基板と上記サブ基板とを電気的に接続する部位もぐらつかないため、上記主基板と上記サブ基板とが接触不良を起こす可能性を低くすることができる。

また、請求項７にかかる発明は、上記ランドは、電気的に他の箇所と接続されない浮きランドである構成としてある。
上記のように構成した請求項７の発明において、荷重により上記ランドが上記半田バンプとともにサブ基板の基材から剥離するとしても、電気的な不良を発生させなくすることができる。

また、請求項８にかかる発明は、上記ランドは、上記挿入部において上記スリットをその厚み方向両外側から挟む位置に、上記スリットと平行となる二本の帯状に形成されている構成としてある。
上記のように構成した請求項８の発明において、上記挿入部における上記スリットをその厚み方向両外側から挟む位置には電気的に他の箇所と接続されないランドが形成されている。同ランドは、上記スリットに対して平行な帯状となるように二本形成されている。すなわち、上記半田バンプが形成される上記ランドは、上記スリットを厚み方向両外側から挟む位置に帯状に上記スリットに対して平行に二本形成されているため、上記サブ基板は上記スリットの厚み方向に固定される。従って、上記サブ基板における上記主基板に対して電気的に接続する接続部位ぐらつくことが防止される。また、上記サブ基板を組み付ける際には、上記半田バンプが上記スリットを両側からガイドするため、上記挿入部を上記スリットに挿入させやすい。上記挿入部における上記スリットの挿入位置は上記半田バンプにより明らかとなるため、上記サブ基板の上記主基板に対する位置決めもしやすくなる。

また、請求項９にかかる発明は、上記ランドは複数の独立したランドを上記スリットに平行に整列させることにより分断された帯状とされている構成としてある。
上記のように構成した請求項９の発明において、複数の独立した個々のランドの面積を小さいものとすることができるため、個々のランド上の半田のボリュームが小さくすることができる。従って、半田の溶融時には半田が表面張力により凝集しやすくその分高さが高くなりやすい。すなわち、上記半田バンプの高さを高く形成することができる。

さらに、請求項１０にかかる発明は、上記半田バンプは、上記挿入部と上記スリットの壁面とで形成される隙間より高く形成されている構成としてある。
上記のように構成した請求項１０の発明において、上記半田バンプを上記挿入部と上記スリットの壁面とで形成される隙間より高く形成しておけば、上記半田バンプを上記スリットの周辺とを確実に干渉させることができる。

以上説明したように請求項１および請求項２にかかる発明によれば、工程数やコストを最小限に抑えた基板固定機構を提供することができる。
また、請求項３にかかる発明によれば、既存の部材を有効利用することができる。
さらに、請求項４にかかる発明によれば、放熱板と主基板とのがたつきを発生させにくくすることができる。
さらに、請求項５にかかる発明によれば、既存の部材を有効利用することができる。

また、請求項６にかかる発明によれば、安定して外部接続機器を接続することができる。
さらに、請求項７にかかる発明によれば、サブ基板を支持する部位の破壊されても、電気的な不良を発生させにくくすることができる。
また、請求項８にかかる発明によれば、サブ基板のぐらつきが防止されるとともに、位置決めもしやすくなる。
また、請求項９にかかる発明によれば、半田バンプを高く形成することができる。
さらに、請求項１０にかかる発明によれば、確実に半田バンプをスリットの周辺に干渉させることができる。

ここでは、下記の順序に従って本発明の実施の形態について説明する。
（１）第一の実施形態：
（２）第二の実施形態：
（３）半田バンプの形成：

（１）第一の実施形態：
図１は本発明の第一の実施形態にかかる主基板およびサブ基板を斜めから見て示している。なお、本実施形態にかかる主基板１０およびサブ基板２０は、同図において破線で示した略箱状のビデオキャビネット５０に納められる。主基板１０の基板上には音声ＩＣ１１や他の電子部品１２等が搭載されている。主基板１０の基板上における音声ＩＣ１１に隣接する位置には同音声ＩＣ１１の発熱を上方に放熱させるための金属製の放熱板３０が主基板１０に垂直に立設されている。放熱板３０は幅が広い第一の面３０ａと幅が狭い第二の面３０ｂとが上方視略Ｌ字状となるように互いに直交して形成されている。第一の面３０ａと第二の面３０ｂの下端面において主基板１０に接合することにより放熱板３０は主基板１０に立設した状態で固定されている。

図２は放熱板３０を斜めから見て示している。同図において、放熱板３０における幅が狭い第二の面３０ｂは、ビデオキャビネット５０の幅方向に配向されており、第二の面３０ｂの幅方向略中央部において上端から所定の高さまでスリット３１が形成されている。スリット３１は主基板１０に略垂直に形成されており、スリット３１の上端から下端まで等幅に形成されている。なお、スリット３１の厚み方向はビデオキャビネット５０の奥行き方向と一致し、幅が広い第一の面３０ａの幅方向もこれに一致する。

図３は、サブ基板２０を背面（図１において右側）から見て示している。同図において略四角形のサブ基板２０の上方部分を右方向に延設することにより挿入部２０ａが形成されている。この挿入部２０ａの下端の高さはスリット３１の下端の高さと概略一致する。従って、挿入部２０ａをスリット３１に挿入する際に、第二の面３０ｂにおけるスリット３１より低い部分がサブ基板２０に干渉してしまうことはない。破線で示した挿入部２０ａにおいてスリット３１に挟み込まれる部位を、同スリット３１の厚み方向両外側から挟み込むように一対の帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂがそれぞれ形成されている。帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂは互いに平行であるとともに、スリット３１に対しても平行とされている。また、帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂはスリット３１とほぼ長さが同じとなる帯状となっている。

サブ基板２０の背面には、複数の半田バンプ２４が形成されている。半田バンプ２４においては基板を貫通する図示しない貫通穴が設けられており、サブ基板２０の前面に実装する各種電子素子等の接続ピン２４ａを同貫通穴に貫通させている。そして、貫通させることによって背面側に突出した接続ピン２４ａを背面側にて半田付けすることより、前面に実装する各種電子素子等をサブ基板２０に形成された図示しないプリント配線に電気的に接続したり、あるいは物理的に固定したりしている。なお、サブ基板２０における背面の半田バンプ２４と帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂ以外の部分は導電性を有しないソルダーレジストマスク２５により表面が覆われている。

サブ基板２０の前面に実装されるものの中には外部接続端子としてのＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂがあり、これらも同様に背面にて半田付けすることにより固定されている。ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂはステレオ音声が出力可能となっており、ＲＣＡジャック２２ａからは右音声が出力され、ＲＣＡジャック２２ｂからは左音声が出力される。これらは、主基板１０に実装された音声ＩＣ１１と電気的に接続されており、サブ基板２０の前面に実装された他の電子素子をインターフェイスとして介在させることにより音声ＩＣ１１における出力信号をＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂに出力可能な音声信号に調整している。

なお、ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂの略円筒形の先端部分は、図１において破線で示すビデオキャビネット５０に形成された円穴５１ａ，５１ｂから外側に突出する。円穴５１ａ，５１ｂはＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂの略円筒形の先端部分の外径と略同径とされているため、ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂの略円筒形の先端部分をビデオキャビネット５０から突出させると丁度円穴５１ａ，５１ｂに嵌り込む。従って、ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂは、同ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂの軸方向に垂直な方向には固定されることとなる。

ここで、ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂと主基板１０に実装された音声ＩＣ１１と電気的に接続するためには、サブ基板２０と主基板１０とを電気的に接続する必要がある。そこで、同図において破線で示したコネクタ２３によってサブ基板２０と主基板１０とを電気的に接続している。コネクタ２３もＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂや他の電子素子と同様にサブ基板２０の前面側に実装されており、接続ピン２４ａを貫通穴を介して背面側に貫通させ背面側から半田付けしている。コネクタ２３は下方に突出する接続ピン２３ａも具備しており、接続ピン２３ａは主基板１０の上面側から同主基板１０に形成された貫通穴を介して同主基板１０の下面側に突出している。そして、主基板１０の下面側にて接続ピン２３ａの突出部を主基板１０とを半田付けすることによりサブ基板２０と主基板１０とが電気的に接続される。

図４は、図１における放熱板３０をビデオキャビネット５０の奥方から見て示している。同図において、第二の面３０ｂの背面側が見えており、スリット３１にサブ基板２０の挿入部２０ａがその厚み方向を挟まれるようにして支持されている。帯状半田バンプ２１ｂは図において左側に畝状に盛り上がっており、その高さはサブ基板２０の挿入部２０ａとスリット３１の壁面とで形成される隙間の大きさより高く形成されている。同様に、帯状半田バンプ２１ｂとは第二の面３０ｂを挟んだ位置に形成された帯状半田バンプ２１ａの高さもサブ基板２０の挿入部２０ａとスリット３１の壁面とで形成される隙間の大きさよりも高く形成されている。

かかる構成により、サブ基板２０はスリット３１の厚み方向に固定することができる。すなわち、サブ基板２０をスリット３１の厚み方向奥側に動かそうとすると帯状半田バンプ２１ａとスリット３１の周辺が当接してそれ以上奥側には移動できなくなる。同様に、サブ基板２０をスリット３１の厚み方向手前側に動かそうとすると帯状半田バンプ２１ｂとスリット３１の周辺が当接してそれ以上手前側には移動できなくなる。サブ基板２０はスリット３１の厚み方向に固定することができると、ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂに外部からＲＣＡピンを差し込んだ際に主にＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂの軸方向にかかる荷重に対して対抗することができる。従って、ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂに外部からＲＣＡピンを抜き差しする最中にＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂがぶれることがなく、ＲＣＡピンを抜き差しがしやすい。なお、ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂの軸方向に垂直な方向に対しては上述したようにキャビネット１の円穴５１ａ，５１ｂが固定している。

さらに、ＲＣＡピンを抜き差しする際のＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂの軸方向にかかる荷重は帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂを介して、放熱板３０に伝播することとなる。放熱板３０に伝播した荷重は最終的に放熱板３０の下端面を介して主基板１０に吸収される。このとき、荷重の方向と幅が広い第一の面３０ａの幅方向とが一致する。従って、第一の面３０ａの幅の荷重方向に長い主基板１０との接触面にて荷重を分散させることができる。また、ＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂの軸方向にかかる荷重により発生するサブ基板２０を回転させようとするモーメントに対しても、回転方向に対して広く主基板１０に接触するため放熱板３０は安定する。従って、放熱板３０と主基板１０との接合部におけるＲＣＡピンの抜き差しに対する耐久性は高く、それに対するがたつきも抑制されている。放熱板３０のがたつきが防止されれば、サブ基板２０のがたつきも同時に防止されることとなる。

以上のようにサブ基板２０のがたつきが防止されると、サブ基板２０と主基板１０との接続箇所のがたつきも防止される。従って、サブ基板２０と主基板１０との接続箇所に無理な荷重がかかって、同接続箇所が破損する可能性を低くすることができる。具体的には接続ピン２３ａが主基板１０に対して動くことが防止されるため、主基板１０の下面側における主基板１０と接続ピン２３ａとの半田付け部分が破断することが防止される。従って、音声ＩＣ１１とＲＣＡジャック２２ａ，２２ｂとが接続不良を起こして、外部に音声が出力できなくなるという不具合を防止することができる。

一方、サブ基板２０を主基板１０に対して組み付ける際には、帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂがスリット３１における挿入部２０ａの進行をガイドするため挿入させやすい。特に、半田は摩擦抵抗を大きく発生させないため挿入部２０ａはスムーズにスリット３１に進入することができる。また、帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂが形成されることにより、明らかに帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂの間にスリット３１が位置するように位置決めすれば良いことが分かるため、位置決めにおける作業効率も改善することが可能となる。

（２）第二の実施形態：
図５は本発明の第二の実施形態にかかる主基板およびサブ基板を斜めから見て示している。なお、本実施形態にかかる主基板１１０およびサブ基板１２０は、同図において破線で示した略箱状のビデオキャビネット１５０に納められることとなる。本実施形態においては第一の実施形態とほぼ同様の構成となるが、サブ基板１２０がさらにビデオキャビネット１５０の奥方に延設されおり、シールド板１４０に設けられたスリット１４１に挿入部１２０ａを挿入させている。

すなわち、サブ基板を支持するスリットは放熱板に形成されるものには限られず、例えば本実施形態のようにシールド板であってもよい。特にシールド板は電磁的に遮蔽性の高い金属で形成されるとともにサブ基板を支持するための剛性を備えるため、サブ基板の支持体として好適である。また、近年における電子素子の高密度化や高周波化や機器の複合化に伴い遮蔽対策は放熱対策とともに重要視されつつある。従って、このような必須の部材を基板固定に有効利用することにより、新規の部材を基板固定のみのために追加することがなくコストを抑えられる。

図６は、サブ基板１２０を背面から見て示している。同図において、第一の実施形態において二本の帯状に形成されていた半田バンプがそれぞれ七個の小さな半田バンプ１２１ａ１〜１２１ａ７，１２１ｂ１〜１２１ｂ７に分割されている。そして、各半田バンプ１２１ａ１〜１２１ａ７，１２１ｂ１〜１２１ｂ７の間にはソルダーレジストマスク１２５が介在している。なお、その他の構成については第一の実施形態とほぼ同様となっている。

図７は、シールド板１４０をビデオキャビネット１５０の奥方より見て示している。同図において、各半田バンプ１２１ｂ１〜１２１ｂ７は略ドーム状に形成されており、その高さは第一の実施形態の帯状半田バンプ２１ｂよりも高く形成されている。同様に、各半田バンプ１２１ｂ１〜１２１ｂ７とはシールド板１４０の反対側に形成された各半田バンプ１２１ａ１〜１２１ａ７も第一の実施形態の帯状半田バンプ２１ａよりも高く形成されている。このように、半田バンプ１２１ａ１〜１２１ａ７，１２１ｂ１〜１２１ｂ７の高さを高く形成することにより、確実にサブ基板１２０をスリット１４１の周辺に当接させることができる。従って、確実にサブ基板１２０がスリット１４１の厚み方向に移動することを防止することが可能となる。

半田バンプ１２１ａ１〜１２１ａ７，１２１ｂ１〜１２１ｂ７は各々の半田体積が第一の実施形態における帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂと比較して小さいものとなる。すなわち、半田体積あたりの表面積が増加することとなる。従って、半田バンプ１２１ａ１〜１２１ａ７，１２１ｂ１〜１２１ｂ７の硬化の課程における表面張力は帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂよりも大きく、半田はより凝集しようとする。すると、球状に近い状態で硬化が進められるため、半田バンプ１２１ａ１〜１２１ａ７，１２１ｂ１〜１２１ｂ７の高さを高く形成することが可能となる。

（３）半田バンプの形成：
図８は、本発明にかかる半田バンプを形成するプロセスを模式的に示している。上段図においてはサブ基板のパターン形成を行った状態を示している。本状態においては、エポキシ系基材２６上に銅配線や銅ランド２８が形成されており、各銅ランド２８の略中央にはそれぞれ基材２６を貫通する貫通穴２７が形成されている。一方、これらとは独立して帯状ランド２９ａ，２９ｂが形成されている。すなわち、独立して帯状ランド２９ａ，２９ｂは他の箇所と電気的に接続されない浮きランドとなっている。

このように、帯状ランド２９ａ，２９ｂを他の箇所と電気的に接続されない浮きランドとしておくことにより、帯状ランド２９ａ，２９ｂがエポキシ系基材２６から剥離するような破壊が起きた場合にも電気的に不良を発生させる可能性は低い。すなわち、後に形成される帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂに荷重が及ぼされることとなるが、帯状ランド２９ａ，２９ｂを浮きランドとしておくことにより電気的な不良を防止することができる。

基材２６上に銅配線や銅ランド２８や帯状ランド２９ａ，２９ｂ等の銅パターンを形成する手法としては種々のものが採用可能であるが、ここではレジスト−エッチング法を例にして説明する。レジスト−エッチング法においては、予め貫通穴２７が形成された基材２６の全面に銅箔が貼られた状態、あるいは銅メッキがされた状態とされ、その表層に光硬化性のレジスト樹脂がラミネートまたは塗布される。そして、光硬化性のレジスト樹脂の上にパターンを形成したい部分のみ遮光されないフォトマスクを押し当てつつ所定の光（例えば紫外線）を全面に照射する。すると、パターンを形成したい部分のみ光が照射されるため、パターン部分のみレジスト樹脂が硬化する。従って、パターン部分以外のレジスト樹脂は所定の現像液により除去される。その後、全体をエッチング液に浸漬させることにより、レジスト樹脂が除去されたパターン部分以外についてはエッチング液にさらされる。従って、パターン部分以外の銅のみが除去され、図８上段のように所望の銅パターンを形成することができる。

ここで、本発明にかかる半田バンプを形成するための帯状ランド２９ａ，２９ｂをパターン形成するか否かによって、上記のパターン形成のプロセスにおける相違点は上記フォトマスクの遮光パターンのみである。すなわち、何らプロセスの変更や追加が必要とされないため、帯状ランド２９ａ，２９ｂを形成するためにコストが増加することはない。上記フォトマスクの遮光パターンの変更は通常における設計変更事項であるため特にこれによりコストが増加することはない。

図８中段においてはサブ基板２０のソルダーレジストマスク形成を行った状態を示している。同図において、銅ランド２８と帯状ランド２９ａ，２９ｂ以外の部分（ソルダーレジストマスクの非開口部）については非導電性の樹脂で構成されるソルダーレジストマスク２５により被覆される。ソルダーレジストマスク形成の手法としては種々のものが採用可能であるが、ここではパターン印刷法を例にして説明する。パターン印刷法においては上段図の状態のサブ基板にソルダーレジストマスク２５を被覆させたい部分のみ開口した印刷マスクを押し当てながら未硬化の液状ソルダーレジスト樹脂をスキージの走査によりサブ基板上に転写させる。そして、熱硬化や紫外線硬化等のソルダーレジスト樹脂の硬化処理を行うことにより、ソルダーレジストマスク２５の形成が完了する。

以上説明したソルダーレジストマスク形成においても通常の銅ランド２８の部分に加えて帯状ランド２９ａ，２９ｂの部分を開口させるか否かによって、プロセスの追加が必要となることはない。唯一の相違点は上記印刷マスク開口パターンのみであるが、これも通常における設計変更事項であるため、特にコストが増加することはない。

図８下段においてはサブ基板の半田バンプ形成の様子を模式的に示している。同図において半田浴の中に溶融半田７０が入れられている。そして、溶融半田７０にソルダーレジストマスク形成が完了したサブ基板を浸漬させることにより、ソルダーレジストマスク２５が開口する部分のみに半田バンプを形成している。すなわち、銅の濡れ性とソルダーレジストマスク２５の濡れ性との相違により、銅が露出するソルダーレジストマスク２５の開口部のみに半田を吸着させている。従って、サブ基板の半田形成においても帯状半田バンプ２１ａ，２１ｂを追加することによってプロセスの追加が必要となることはない。むろん、半田バンプ形成を半田印刷や半田メッキにより行ったとしても同様にプロセスの追加が必要となることはない。

以上説明したように本発明にかかる半田バンプを形成するに際しては工程の追加が必要とされない。従って、コストを最低限に抑えることが可能な基板固定機構を提供することが可能である。

第一の実施形態にかかる主基板およびサブ基板の斜視図である。 第一の実施形態にかかる放熱板の斜視図である。 第一の実施形態にかかるサブ基板の背面図である。 第一の実施形態にかかる放熱板の背面図である。 第二の実施形態にかかる主基板およびサブ基板の斜視図である。 第二の実施形態にかかるサブ基板の背面図である。 第二の実施形態にかかるシールド板の背面図である。 半田バンプの形成工程を示す模式図である。

１０，１１０…主基板
２０，１２０…サブ基板
５０，１５０…ビデオキャビネット
３０…放熱板
１４０…シールド板
３１，１４１…スリット
２１ａ，２１ｂ…帯状半田バンプ
１２１ａ１〜ａ７，１２１ｂ１〜ｂ７…半田バンプ
２５…ソルダーレジストマスク
２２ａ，２２ｂ…ＲＣＡジャック
７０…溶融半田

Claims (10)

1. 主基板に立設して固定される板状部材と、同主基板に対して電気的に接続しつつ立設して固定されるサブ基板と、上記板状部材において上記サブ基板を保持する基板保持部とを具備するビデオキャビネットにおいて、
   上記基板保持部は上記板状部材の上端部から所定の高さまで下方に向けて形成した上記主基板に垂直なスリットであり、
   上記サブ基板は、
   上記スリットの下端より高い部分のみを上記スリットより奥方まで延設して形成した上記スリットに厚み方向を挟まれる挿入部と、
   外部接続端子と、
   上記挿入部において上記スリットをその厚み方向両外側から挟む位置に上記スリットと平行の二本の帯状に形成された電気的に他の箇所と接続されない浮きランドと、
   上記浮きランド上に上記挿入部と上記スリットの壁面とで形成される隙間より高く形成された半田バンプとを具備することを特徴とするビデオキャビネット。
2. 主基板に立設して固定される板状部材と、同主基板に対して電気的に接続しつつ立設して固定されるサブ基板と、上記板状部材において上記サブ基板を保持する基板保持部とを具備する基板固定機構において、
   上記基板保持部は上記板状部材の上端部から所定の高さまで下方に向けて形成した上記主基板に垂直なスリットであり、
   上記サブ基板は、
   上記スリットの下端より高い部分のみを上記スリットより奥方まで延設して形成した上記スリットに厚み方向を挟まれる挿入部と、
   上記挿入部において上記スリットとその厚み方向に隣接する位置に形成されたランドと、
   上記ランド上に形成された半田バンプとを具備することを特徴とする基板固定機構。
3. 上記板状部材は放熱板であることを特徴とする請求項２に記載の基板固定機構。
4. 上記放熱板は、それぞれが主基板に立設し互いにＬ字状に交差する幅広な面と上記スリットが形成された幅狭な面とで形成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板固定機構。
5. 上記板状部材は、シールド板であることを特徴とする請求項２に記載の基板固定機構。
6. 上記サブ基板は、外部接続端子を備えることを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか一項に記載の基板固定機構。
7. 上記ランドは、電気的に他の箇所と接続されない浮きランドであることを特徴とする請求項２から請求項６のいずれか一項に記載の基板固定機構。
8. 上記ランドは、上記挿入部において上記スリットをその厚み方向両外側から挟む位置に、上記スリットと平行となる二本の帯状に形成されていることを特徴とする請求項２から請求項７のいずれか一項に記載の基板固定機構。
9. 上記ランドは、複数の独立したランドを上記スリットに平行に整列させることにより分断された帯状とされていることを特徴とする請求項８に記載の基板固定機構。
10. 上記半田バンプは、上記挿入部と上記スリットの壁面とで形成される隙間より高く形成されていることを特徴とする請求項２から請求項９のいずれか一項に記載の基板固定機構。

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