JP4480548B2 - Double-sided circuit board and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、両面回路基板およびその製造方法に関する。特に、スルーホールを有する両面回路基板およびその両面回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a double-sided circuit board and a manufacturing method thereof. In particular, the present invention relates to a double-sided circuit board having a through hole and a method for manufacturing the double-sided circuit board.

近年、電子機器の小型化に伴い、その中に搭載される回路基板の立体化、薄型化、多層化および精細化などが求められている。これらの要求には、薄くて柔らかいフレキシブルな材料を絶縁材に用いたフレキシブル基板が適しており、現在このフレキシブル基板の需要が急増している。しかしながら、回路基板の多層化や微細化については、十分に技術が確立されておらず、これらの要因の一つであるスルーホール接続の構造および製造方法の確立が急務とされている。   In recent years, with the miniaturization of electronic devices, circuit boards mounted therein are required to be three-dimensional, thinned, multilayered, and refined. To meet these requirements, a flexible substrate using a thin and soft flexible material as an insulating material is suitable, and the demand for this flexible substrate is rapidly increasing. However, with respect to multilayering and miniaturization of circuit boards, sufficient technology has not been established, and there is an urgent need to establish a through-hole connection structure and a manufacturing method that are one of these factors.

上記のスルーホール接続とは、絶縁基板の両面に導体層を形成させた両面回路基板に穴(以下、スルーホール穴と呼ぶ)を貫通させ、そのスルーホール穴内に金属メッキ層を形成させることによって、両面の導体層間を電気的に接続させることであり、このスルーホール接続を用いた従来の両面回路基板が図10に示されている。   The above through-hole connection means that a hole (hereinafter referred to as a through-hole hole) is passed through a double-sided circuit board in which a conductor layer is formed on both sides of an insulating substrate, and a metal plating layer is formed in the through-hole hole. FIG. 10 shows a conventional double-sided circuit board using the through-hole connection.

このような従来の両面回路基板の製造過程においては、スルーホール穴53内に電解金属メッキ層43を形成させるときに、同時に導体層2の表面にも電解金属メッキ層43を形成させていた。このスルーホール穴53内の電解金属メッキ層43は、接続信頼性を確保するために、肉厚を厚くする必要があり、そのため導体層2の表面にも電解金属メッキ層43が厚く形成され、導体層2と電解金属メッキ層43との積層体44が厚くなっていた。このため、この後のエッチング加工によりこの積層体44から導体パターンを形成する際に、エッチングの方向が板厚方向だけでなく面方向にも向いてしまうことから、積層体44が必要以上に大きく除去されてしまい、その結果、導体パターンの線幅および線間隔を大きくせざるを得ず、精細な回路が形成できなかった。   In such a conventional double-sided circuit board manufacturing process, when the electrolytic metal plating layer 43 is formed in the through hole 53, the electrolytic metal plating layer 43 is also formed on the surface of the conductor layer 2 at the same time. The electrolytic metal plating layer 43 in the through-hole hole 53 needs to be thick in order to ensure connection reliability. Therefore, the electrolytic metal plating layer 43 is formed thick on the surface of the conductor layer 2. The laminated body 44 of the conductor layer 2 and the electrolytic metal plating layer 43 was thick. For this reason, when a conductor pattern is formed from this laminated body 44 by the subsequent etching process, the direction of etching is directed not only in the plate thickness direction but also in the plane direction. As a result, the line width and the line interval of the conductor pattern have to be increased, and a fine circuit cannot be formed.

また、絶縁基板10にフレキシブル基板を使用して、屈曲させることができる回路基板を作製する場合にも、上記した積層体44の厚みが原因で回路基板の柔軟性が損なわれていた。   In addition, even when a flexible circuit board is used as the insulating substrate 10 to produce a circuit board that can be bent, the flexibility of the circuit board has been impaired due to the thickness of the laminated body 44 described above.

そこで、特許文献1では、図11に示すように、電解金属メッキ層43をスルーホール穴53周辺にのみ形成させることによって上記問題を解決している。
特許第3048360号公報
Therefore, in Patent Document 1, the above problem is solved by forming the electrolytic metal plating layer 43 only around the through-hole hole 53 as shown in FIG.
Japanese Patent No. 3048360

しかしながら、上記特許文献1に示される技術には次のような問題点があった。   However, the technique disclosed in Patent Document 1 has the following problems.

上記特許文献1に示されている技術では、電解金属メッキ処理する前に導体層2がエッチング加工されるため、エッチング加工のときにスルーホール穴53周辺にはスルーホール接続のための導体層2のランド52(以下、スルーホールランドと呼ぶ)が形成される。その後に行われる電解金属メッキ処理では、電解金属メッキ層43がスルーホール穴53とスルーホールランド52以外に付着しないように、スルーホール穴53およびスルーホールランド52を除いて導体層2表面にマスクをする。ところが、このマスキング作業は、スルーホールランド52の径が小さいと困難になるため、予めスルーホールランド52の径を大きくしておく必要があり、このスルーホールランド52が精細な回路を作製する際の障害となってしまう。   In the technique disclosed in Patent Document 1, since the conductor layer 2 is etched before electrolytic metal plating, the conductor layer 2 for connecting the through hole is formed around the through hole hole 53 during the etching process. Lands 52 (hereinafter referred to as through-hole lands) are formed. In the subsequent electrolytic metal plating process, the surface of the conductor layer 2 is masked except for the through-hole holes 53 and the through-hole lands 52 so that the electrolytic metal-plated layer 43 does not adhere to other than the through-hole holes 53 and the through-hole lands 52. do. However, this masking operation becomes difficult when the diameter of the through-hole land 52 is small. Therefore, it is necessary to increase the diameter of the through-hole land 52 in advance. It becomes an obstacle.

また、図11に示されているように、スルーホールランド52部分では、絶縁基板10に導体層2と電解金属メッキ層43との積層形態が階段状となっている。一般に絶縁基板10は導体層2や電解金属メッキ層43に比べ熱膨張率が高いことから、導体層2と電解金属メッキ層43との積層形態が階段状であると、両面回路基板の製造過程において絶縁基板10にかかる熱サイクルにより、スルーホール接続が断線する虞があった。   Further, as shown in FIG. 11, in the through hole land 52 portion, the laminated form of the conductor layer 2 and the electrolytic metal plating layer 43 on the insulating substrate 10 is stepped. In general, since the insulating substrate 10 has a higher coefficient of thermal expansion than the conductor layer 2 and the electrolytic metal plating layer 43, if the laminated form of the conductor layer 2 and the electrolytic metal plating layer 43 is stepped, the manufacturing process of the double-sided circuit board In this case, there is a possibility that the through-hole connection is broken due to the thermal cycle applied to the insulating substrate 10.

また、導体層2と電解金属メッキ層43との積層形態が階段状であると、この部分が両面回路基板表面から大きく突出することとなる。このような大きな突出部分を有する両面回路基板に保護膜を被覆させたり、この両面回路基板を用いて多層回路基板を作製したりすると、この突出部分の周囲に空隙が形成されることがあり、これが上記保護膜の剥離や上記多層回路基板の層間剥離の原因となっていた。   Further, if the laminated form of the conductor layer 2 and the electrolytic metal plating layer 43 is stepped, this portion will protrude greatly from the double-sided circuit board surface. When a protective film is coated on a double-sided circuit board having such a large protruding part or a multilayer circuit board is produced using this double-sided circuit board, a void may be formed around the protruding part. This caused the peeling of the protective film and the peeling of the multilayer circuit board.

また、上記の両面回路基板表面に大きな凹凸があるため、この基板表面上に部品を実装するときに、この部品と上記基板の回路との接続やこの部品の上記基板への固定が困難になるという問題がある。   In addition, since the surface of the double-sided circuit board has large irregularities, it is difficult to connect the part to the circuit of the board or to fix the part to the board when mounting the part on the surface of the board. There is a problem.

さらに、図11に示されているように、電解金属メッキ処理後にもスルーホール穴53中心部までは電解金属メッキ層43が充填されていないため、この両面回路基板に保護膜を被覆させたり、この両面回路基板を用い多層回路基板を作製したりすると、スルーホール穴53内に閉塞空間が形成されてしまう。このような状態で、この回路基板に熱が加わると、スルーホール穴53中心部の空気が熱膨張し、スルーホール接続を断線させることがある。   Furthermore, as shown in FIG. 11, since the electrolytic metal plating layer 43 is not filled up to the center of the through-hole hole 53 even after the electrolytic metal plating process, the double-sided circuit board is covered with a protective film, When a multilayer circuit board is manufactured using this double-sided circuit board, a closed space is formed in the through-hole hole 53. If heat is applied to the circuit board in such a state, the air in the center of the through-hole hole 53 may thermally expand, and the through-hole connection may be disconnected.

本発明は、上記従来の問題点に鑑み創案されたもので、精細な回路の形成が可能で、製品の歩留りを向上させた両面回路基板およびその製造方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a double-sided circuit board capable of forming a fine circuit and improving the product yield and a method for manufacturing the same.

上記課題を解決するため、本発明の両面回路基板の製造方法は、絶縁基板の両面に設けた導体層間がスルーホールを介して電気的に接続されてなる両面回路基板の製造方法において、前記絶縁基板の両面にそれぞれ導体層を形成する工程と、これら導体層のうちいずれか一方を第1の導体層、他方を第2の導体層として、この第1の導体層の表面に第1のマスクを形成する工程と、この第1のマスク、前記第1の導体層、前記絶縁基板、および前記第2の導体層を貫通するスルーホール穴を形成する工程と、このスルーホール穴の前記第2の導体層側の開口部を閉塞するように、前記第2の導体層の表面に第2のマスクを形成する工程と、前記第1の導体層に通電することにより前記スルーホール穴内に第1のスルーホールメッキを形成させるとともに、前記第2の導体層に通電することにより前記スルーホール穴内に第2のスルーホールメッキを形成させる工程と、前記第1のマスクおよび前記第2のマスクを除去する工程とを備え、前記第2のマスクは、導電性材料の粒子を混入させた粘着材を介して前記第2の導体層上に設けることを特徴とするものである。
In order to solve the above problems, a method for manufacturing a double-sided circuit board according to the present invention is the method for manufacturing a double-sided circuit board in which conductor layers provided on both sides of an insulating substrate are electrically connected through a through hole. A step of forming conductor layers on both sides of the substrate, and using either one of the conductor layers as a first conductor layer and the other as a second conductor layer, a first mask on the surface of the first conductor layer; Forming a through-hole hole penetrating through the first mask, the first conductor layer, the insulating substrate, and the second conductor layer, and the second of the through-hole hole. Forming a second mask on the surface of the second conductor layer so as to close the opening on the conductor layer side of the first conductor layer, and passing through the first conductor layer to energize the first in the through-hole hole. Through-hole plating Together, comprising a step of forming a second through-hole plating in the through hole bore, and removing the first mask and said second mask by energizing the second conductor layer, wherein The second mask is provided on the second conductor layer through an adhesive material mixed with particles of a conductive material .

このような本発明の製造方法によれば、第1および第2のスルーホールメッキをスルーホール穴内にのみ形成させるものであるから、スルーホールランドにマスクの開口部を位置合わせするようなマスキング作業が必要ない。このため、第1および第2のマスクのマスキング作業が容易なだけでなく、スルーホールランド径を小さくすることができ、精細な回路を作製することが可能となる。また、スルーホールランド部分では、絶縁基板に導体層と電解金属メッキ層が階段状に形成されることがなく、絶縁基板にかかる熱サイクルによって、スルーホール接続が断線することが少ない。さらに、スルーホール穴の第1の導体層側の開口部に対応する箇所の第1のマスクは、第1のマスク、第1の導体層、絶縁基板、および第2の導体層を貫通するスルーホール穴を形成することによって除去されるものであるから、このスルーホール穴の開口部と、この開口部に対応する第1のマスクの開口部との間で、両者の位置と形状とを正確に合致させることができる。また、第2のマスクは、導電性材料の粒子を混入させた粘着材を介して第2の導体層上に設けたものであるので、スルーホールメッキの形成工程において、スルーホールメッキがスルーホール穴中心部へ成長するのを促進することができる。これにより、スルーホールメッキがスルーホール穴内に均一に形成されるとともに、スルーホールメッキの形成時間が短縮される。
According to such a manufacturing method of the present invention, since the first and second through-hole platings are formed only in the through-hole holes, the masking operation for aligning the opening of the mask with the through-hole lands. Is not necessary. For this reason, not only the masking work of the first and second masks is easy, but also the through-hole land diameter can be reduced, and a fine circuit can be manufactured. In the through-hole land portion, the conductor layer and the electrolytic metal plating layer are not formed stepwise on the insulating substrate, and the through-hole connection is less likely to be disconnected due to the thermal cycle applied to the insulating substrate. Further, the first mask at a position corresponding to the opening on the first conductor layer side of the through hole is a through hole penetrating the first mask, the first conductor layer, the insulating substrate, and the second conductor layer. Since it is removed by forming the hole hole, the position and shape of both of the through hole hole and the opening of the first mask corresponding to the opening are accurately determined. Can be matched. Further, since the second mask is provided on the second conductor layer via an adhesive material mixed with particles of conductive material, the through-hole plating is performed in the through-hole plating process. Growth to the center of the hole can be promoted. Thereby, the through-hole plating is uniformly formed in the through-hole hole, and the formation time of the through-hole plating is shortened.

また、本発明の両面回路基板の製造方法は、絶縁基板の両面に設けた導体層間がスルーホールを介して電気的に接続されてなる両面回路基板の製造方法において、前記絶縁基板の両面にそれぞれ導体層を形成する工程と、これら導体層のうちいずれか一方を第1の導体層、他方を第2の導体層として、この第1の導体層、前記絶縁基板、および前記第2の導体層を貫通するスルーホール穴を形成する工程と、このスルーホール穴の前記第1の導体層側の開口部を閉塞するように、前記第1の導体層の表面に第1のマスクを形成してから、この開口部に対応する箇所の前記第1のマスクを除去する工程と、前記スルーホール穴の前記第2の導体層側の開口部を閉塞するように、前記第2の導体層の表面に第2のマスクを形成する工程と、前記第1の導体層に通電することにより前記スルーホール穴内に第1のスルーホールメッキを形成させるとともに、前記第2の導体層に通電することにより前記スルーホール穴内に第2のスルーホールメッキを形成させる工程と、前記第1のマスクおよび前記第2のマスクを除去する工程とを備え、前記第2のマスクは、導電性材料の粒子を混入させた粘着材を介して前記第2の導体層上に設けることを特徴とするものである。
Also, the method for manufacturing a double-sided circuit board according to the present invention is a method for manufacturing a double-sided circuit board in which conductor layers provided on both sides of an insulating board are electrically connected through a through hole. The step of forming a conductor layer, and one of these conductor layers as a first conductor layer and the other as a second conductor layer, the first conductor layer, the insulating substrate, and the second conductor layer Forming a through hole hole penetrating through the first conductor layer and forming a first mask on the surface of the first conductor layer so as to close the opening of the through hole hole on the first conductor layer side. And removing the first mask at a location corresponding to the opening, and the surface of the second conductor layer so as to close the opening on the second conductor layer side of the through hole. Forming a second mask on the substrate; and Forming a first through-hole plating in the through-hole hole by energizing the conductor layer, and forming a second through-hole plating in the through-hole hole by energizing the second conductor layer. And removing the first mask and the second mask, and the second mask is formed on the second conductor layer via an adhesive material mixed with particles of a conductive material. It is characterized by providing .

このような本発明の製造方法によれば、第1および第2のスルーホールメッキをスルーホール穴内にのみ形成させるものであるから、スルーホールランドにマスクの開口部を位置合わせするようなマスキング作業が必要ない。このため、第1および第2のマスクのマスキング作業が容易なだけでなく、スルーホールランド径を小さくすることができ、精細な回路を作製することが可能となる。また、スルーホールランド部分では、絶縁基板に導体層と電解金属メッキ層が階段状に形成されることがなく、絶縁基板にかかる熱サイクルによって、スルーホール接続が断線することが少ない。さらに第1のマスクは、スルーホール穴の第1の導体層側の開口部を閉塞するように、第1の導体層の表面に第1のマスクを形成してから、この開口部に対応する箇所の第1のマスクを除去するものであるから、スルーホール穴の開口部と、この開口部に対応する第1のマスクの開口部との間で、両者の位置と形状とを正確に合致させることができる。また、第2のマスクは、導電性材料の粒子を混入させた粘着材を介して第2の導体層上に設けたものであるので、スルーホールメッキの形成工程において、スルーホールメッキがスルーホール穴中心部へ成長するのを促進することができる。これにより、スルーホールメッキがスルーホール穴内に均一に形成されるとともに、スルーホールメッキの形成時間が短縮される。
According to such a manufacturing method of the present invention, since the first and second through-hole platings are formed only in the through-hole holes, the masking operation for aligning the opening of the mask with the through-hole lands. Is not necessary. For this reason, not only the masking work of the first and second masks is easy, but also the through-hole land diameter can be reduced, and a fine circuit can be manufactured. In the through-hole land portion, the conductor layer and the electrolytic metal plating layer are not formed stepwise on the insulating substrate, and the through-hole connection is less likely to be disconnected due to the thermal cycle applied to the insulating substrate. Further, the first mask corresponds to the opening after forming the first mask on the surface of the first conductor layer so as to close the opening on the first conductor layer side of the through hole. Since the first mask is removed, the position and shape of the through hole hole and the opening portion of the first mask corresponding to the opening portion exactly match each other. Can be made. Further, since the second mask is provided on the second conductor layer via an adhesive material mixed with particles of conductive material, the through-hole plating is performed in the through-hole plating process. Growth to the center of the hole can be promoted. Thereby, the through-hole plating is uniformly formed in the through-hole hole, and the formation time of the through-hole plating is shortened.

ここで、前記第1のマスクに樹脂フィルムを使用してもよい。   Here, a resin film may be used for the first mask.

この場合、第1のマスクに樹脂フィルムを使用するものであるから、第1のマスクを第1の導体層の表面に積層させるのが容易であり、さらにスルーホール穴を形成する工程で第1のマスクの開口部を加工するのも容易である。   In this case, since a resin film is used for the first mask, it is easy to stack the first mask on the surface of the first conductor layer, and the first step is a step of forming a through-hole hole. It is also easy to process the opening of the mask.

また、前記第1のマスクに樹脂フィルムを使用し、前記スルーホール穴の開口部に対応する箇所における前記第1のマスクの除去は、前記第2の導体層側の前記スルーホール穴の開口部からレーザー光を照射することにより行ってもよい。   Further, a resin film is used for the first mask, and the removal of the first mask at a position corresponding to the opening of the through-hole hole is performed by opening the through-hole hole on the second conductor layer side. May be performed by irradiating with laser light.

この場合、第1のマスクに樹脂フィルムを使用し、スルーホール穴の開口部に対応する箇所における第1のマスクの除去は、第2の導体層側のスルーホール穴の開口部からレーザー光を照射することにより行われるので、このスルーホール穴の開口部と、この開口部に対応する第1のマスクの開口部との間で、両者の位置と形状とを正確に合致させることができる。   In this case, a resin film is used for the first mask, and the removal of the first mask at a position corresponding to the opening of the through hole hole is performed by applying laser light from the opening of the through hole hole on the second conductor layer side. Since it is performed by irradiating, the position and shape of both of the through-hole hole and the opening of the first mask corresponding to the opening can be accurately matched.

また、前記第1のマスクに感光性樹脂を使用し、前記スルーホール穴の開口部に対応する箇所における前記第1のマスクの除去は、前記第2の導体層側の前記スルーホール穴の開口部から露光することにより行ってもよい。   Further, a photosensitive resin is used for the first mask, and the removal of the first mask at a position corresponding to the opening of the through-hole hole is performed by opening the through-hole hole on the second conductor layer side. You may perform by exposing from a part.

この場合、第1のマスクに感光性樹脂を使用し、スルーホール穴の開口部に対応する箇所における第1のマスクの除去は、第2の導体層側のスルーホール穴の開口部から露光することにより行われるので、このスルーホール穴の開口部と、この開口部に対応する第1のマスクの開口部との間で、両者の位置と形状とを正確に合致させることができる。   In this case, a photosensitive resin is used for the first mask, and the removal of the first mask at a position corresponding to the opening of the through hole is exposed from the opening of the through hole on the second conductor layer side. Therefore, the position and shape of the through-hole hole and the opening of the first mask corresponding to the opening can be accurately matched.

また、前記導電性材料の粒子は非金属であってもよい。   The conductive material particles may be non-metallic.

この場合、導電性材料の粒子は非金属であるため、電解メッキ処理を行う際に、この導電性の材料が腐食されにくい。   In this case, since the particles of the conductive material are non-metallic, the conductive material is not easily corroded when the electrolytic plating process is performed.

また、前記導電性材料の粒子はカーボンの粒子であってもよい。   The conductive material particles may be carbon particles.

この場合、導電性材料の粒子は導電性、熱伝導性、耐酸性、耐アルカリ性、耐熱性等優れた性能を有するカーボンの粒子であるため、電解メッキ処理を行う際に、この導電性の材料が腐食されにくく、スルーホールメッキの成長をさらに促進させることができる。   In this case, the conductive material particles are carbon particles having excellent performance such as conductivity, thermal conductivity, acid resistance, alkali resistance, heat resistance, and the like. Is less likely to corrode and can further promote the growth of through-hole plating.

また、前記導電性材料の粒子はカーボンナノチューブの粒子であってもよい。   The conductive material particles may be carbon nanotube particles.

この場合、前記導電性材料の粒子はカーボンよりさらに導電性、熱伝導性等の優れた性能を有するカーボンナノチューブの粒子であるため、電解メッキ処理を行う際に、この導電性の材料が腐食されにくく、スルーホールメッキの成長をさらに促進させることができる。   In this case, since the particles of the conductive material are carbon nanotube particles having performances such as conductivity and thermal conductivity that are superior to those of carbon, the conductive material is corroded during the electrolytic plating process. It is difficult to further promote the growth of through-hole plating.

ここで、前記第1のスルーホールメッキより前記第2のスルーホールメッキを先に形成してもよい。   Here, the second through-hole plating may be formed before the first through-hole plating.

この場合、第1のスルーホールメッキより第2のスルーホールメッキを先に形成するものであるから、スルーホール穴内にスルーホールメッキが空隙なく良好に充填される。このため、スルーホールメッキに肉厚の薄い部分も形成されにくく、スルーホール接続が断線しにくくなる。   In this case, since the second through-hole plating is formed before the first through-hole plating, the through-hole plating is satisfactorily filled without any gaps. For this reason, it is difficult to form a thin portion in the through-hole plating, and the through-hole connection is difficult to be disconnected.

また、前記第1および2のスルーホールメッキの形成は、銅系のメッキ材料を用いて行ってもよい。   Further, the formation of the first and second through-hole platings may be performed using a copper-based plating material.

この場合、第1および2のスルーホールメッキの形成は、銅系のメッキ材料を用いて行われるものであるから、スルーホール穴内にスルーホールメッキが良好に充填され易くなり、スルーホールメッキに肉厚の薄い部分も形成されにくく、スルーホール接続が断線しにくくなる。   In this case, since the formation of the first and second through-hole platings is performed using a copper-based plating material, the through-hole plating can be easily satisfactorily filled in the through-hole plating. Thin portions are not easily formed, and through-hole connections are difficult to break.

また、本発明の両面回路基板は、上記のいずれか一に記載の製造方法により作製されたことを特徴とするものである。   A double-sided circuit board according to the present invention is manufactured by the manufacturing method described in any one of the above.

このような本発明の両面回路基板によれば、第1および第2のスルーホールメッキをスルーホール穴内にのみ形成させるものであって、絶縁基板に導体層と電解金属メッキ層との階段状の積層形態が形成されるものではないため、この部分が両面回路基板表面から大きく突出することがなくなる。これにより、この両面回路基板に保護膜を被覆させたり、この両面回路基板を用いて多層回路基板を作製したりしても、この部分の周囲に空隙が形成されにくく、保護膜の剥離や多層回路基板の層間剥離が起こりにくくなる。   According to such a double-sided circuit board of the present invention, the first and second through-hole platings are formed only in the through-hole holes, and the stepped shape of the conductor layer and the electrolytic metal plating layer is formed on the insulating substrate. Since a laminated form is not formed, this portion does not protrude significantly from the double-sided circuit board surface. Thus, even if this double-sided circuit board is covered with a protective film or a multilayer circuit board is produced using this double-sided circuit board, it is difficult for voids to be formed around this part. Circuit board delamination is less likely to occur.

また、上記スルーホール周辺部に階段状の積層形態が形成されないため、両面回路基板表面には大きな凹凸ができない。これによりこの基板表面上に部品を実装するときに、この部品と両面回路基板の回路との接続やこの部品の両面回路基板への固定が良好に行える。   In addition, since a step-like layered form is not formed around the through hole, the surface of the double-sided circuit board cannot be greatly uneven. As a result, when a component is mounted on the surface of the substrate, the component can be connected to the circuit of the double-sided circuit board and the component can be fixed to the double-sided circuit board.

さらに、電解金属メッキ処理の際に、スルーホール穴内がスルーホールメッキによって完全に充填されるため、この両面回路基板に保護膜を被覆させたり、この両面回路基板を用い多層回路基板を作製したりしても、スルーホール穴内に閉塞空間が形成されない。これにより、閉塞空間内の空気の熱膨張が原因になっていたスルーホール接続の断線という問題が生じない。   Furthermore, since the inside of the through-hole is completely filled by through-hole plating during electrolytic metal plating, this double-sided circuit board is covered with a protective film, or a multilayer circuit board is produced using this double-sided circuit board. Even in this case, a closed space is not formed in the through-hole hole. Thereby, the problem of disconnection of the through-hole connection caused by thermal expansion of air in the closed space does not occur.

本発明の両面回路基板およびその製造方法は、精細な回路の形成が可能で、製品の歩留りを向上させることができるといった効果を奏する。   The double-sided circuit board and the method for manufacturing the same according to the present invention have the effect that a fine circuit can be formed and the yield of products can be improved.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

以下、図1を参照して、実施例1の製造方法について説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of Example 1 will be described with reference to FIG.

図1は、本発明の実施例1における製造工程を示す両面回路基板の断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a double-sided circuit board showing a manufacturing process in Example 1 of the present invention.

まず、図1(a)に示すように、絶縁基板10の両面に導体層2を形成する。   First, as shown in FIG. 1A, the conductor layer 2 is formed on both surfaces of the insulating substrate 10.

上記絶縁基板10は、両面回路基板の基体を構成するものである。この絶縁基板10としては、リジット基板とフレキシブル基板のどちらを用いてもよく、その材料としては、特に限定しないが、一般的にフェノール樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはフッ素樹脂などが使用され、その寸法安定性や強度改善のため、紙、不織布、ガラス繊維、またはアラミド繊維等で強化されたものがよく使用される。絶縁基板10は、厚さを40μm以下とするとよく、さらに薄くすると導体層2間の距離が短くなり、スルーホールメッキ4の板厚方向への成長距離が少なくてすむため、スルーホールメッキ4を良好に形成できる。   The insulating substrate 10 constitutes a base of a double-sided circuit board. As this insulating substrate 10, either a rigid substrate or a flexible substrate may be used, and the material thereof is not particularly limited. Generally, a phenol resin, a polyester resin, an epoxy resin, a polyimide resin, a fluorine resin, or the like is used. Often used are those reinforced with paper, non-woven fabric, glass fiber, aramid fiber or the like in order to improve dimensional stability and strength. The insulating substrate 10 is preferably 40 μm or less in thickness, and if the thickness is further reduced, the distance between the conductor layers 2 is shortened, and the growth distance in the thickness direction of the through-hole plating 4 can be reduced. It can be formed well.

上記導体層2は、最終的にこの導体層2にエッチング加工を施すことにより、両面回路基板の導体パターンとなる部分である。この導体層2としては、導電性の材料であれば特に限定せず、一般的には18〜35μm程度の厚さの銅箔がよく用いられ、接着剤を介してあるいは接着剤なしで、絶縁基板10に積層される。また、絶縁基板10の両面に設ける導体層2には、それぞれ異なった材料、厚さのものを使用してもよい。   The conductor layer 2 is a portion to be a conductor pattern of the double-sided circuit board by finally etching the conductor layer 2. The conductor layer 2 is not particularly limited as long as it is a conductive material. In general, a copper foil having a thickness of about 18 to 35 μm is often used, and is insulated with or without an adhesive. It is laminated on the substrate 10. Also, the conductor layers 2 provided on both surfaces of the insulating substrate 10 may be made of different materials and thicknesses.

本実施例の具体的構成としては、絶縁基板10に20μmのポリイミド樹脂、導体層2に18μmの銅箔を用い、ポリイミド樹脂の両面に銅箔を接着剤によって積層した。   As a specific configuration of this example, 20 μm polyimide resin was used for the insulating substrate 10, 18 μm copper foil was used for the conductor layer 2, and copper foil was laminated on both sides of the polyimide resin with an adhesive.

次に図1(b)に示すように、導体層2のうちいずれか一方を第1の導体層21、他方を第2の導体層22として、第1の導体層21の表面に第1のマスク31を形成する。このとき、スルーホール穴53の第1の導体層21側の開口部に対応する箇所の第1のマスク31は除去しない。   Next, as shown in FIG. 1B, either one of the conductor layers 2 is a first conductor layer 21 and the other is a second conductor layer 22. A mask 31 is formed. At this time, the first mask 31 at a location corresponding to the opening of the through hole 53 on the first conductor layer 21 side is not removed.

上記第1のマスク31は、図1(e)および図1(f)に示される工程において、第1の導体層21の表面に電解金属メッキ層が形成されないようにするためのものである。第1のマスク31としては、以下の特性を満たすものが望ましい。まず、製造中に発生する熱に対する耐熱性、スルーホール穴53開口のための良好な加工性および電解メッキ処理に対する高い耐性があり、さらに、マスク表面に電解金属メッキ層が形成されにくく、図1(g)に示される工程において良好に除去できるマスク材料がよい。例えば、液状で塗布して硬化させるマスク材料や、フィルム状で粘着材を介して積層させるマスク材料などがあげられる。本実施例では、第1のマスク31に、積層するのが容易で加工性の良好な樹脂フィルムを用いると良い結果が得られた。   The first mask 31 is for preventing an electrolytic metal plating layer from being formed on the surface of the first conductor layer 21 in the steps shown in FIGS. 1 (e) and 1 (f). The first mask 31 preferably satisfies the following characteristics. First, it has heat resistance to heat generated during manufacture, good workability for opening the through-hole hole 53, and high resistance to electrolytic plating, and further, an electrolytic metal plating layer is hardly formed on the mask surface. A mask material that can be satisfactorily removed in the step shown in (g) is preferable. For example, a mask material that is applied in a liquid state and cured, and a mask material that is laminated in a film form via an adhesive material can be used. In this example, good results were obtained when a resin film that was easy to stack and had good workability was used for the first mask 31.

上記粘着材は、フィルム状の第1のマスク31に塗布しておき、第1の導体層21の表面に第1のマスク31を接着させるためのものである。粘着材としては、製造中に発生する熱に対する耐熱性、スルーホール穴53開口のための良好な加工性および電解メッキ処理に対する高い耐性があり、図1(g)に示される工程において良好に除去できるものがよく、図1(g)に示される工程の除去方法としては、例えば、紫外線を照射することにより剥離し易くなる粘着材や粘着力が低い粘着材などがあげられる。   The pressure-sensitive adhesive material is applied to the film-like first mask 31 so that the first mask 31 is adhered to the surface of the first conductor layer 21. The adhesive material has heat resistance to heat generated during production, good workability for opening the through-hole hole 53, and high resistance to electrolytic plating treatment, and is well removed in the process shown in FIG. 1 (g). The removal method in the step shown in FIG. 1 (g) is, for example, an adhesive material that can be easily peeled off by irradiating with ultraviolet rays or an adhesive material with low adhesive strength.

本実施例において具体的には、フィルム状のマスク材料である厚さ20μmの耐熱ポリエステルに、低粘着力の粘着材を4μmの厚さで塗布して、第1のマスク31を作製し、このマスク31を第1の導体層21の表面にロール積層した。   Specifically, in this embodiment, a first mask 31 is manufactured by applying a low-adhesive adhesive material to a heat-resistant polyester having a thickness of 20 μm, which is a film-like mask material, in a thickness of 4 μm. The mask 31 was roll laminated on the surface of the first conductor layer 21.

次に、図1(c)に示すように、第1のマスク31、第1の導体層21、絶縁基板10、および第2の導体層22を貫通するスルーホール穴53を形成する。   Next, as shown in FIG. 1C, a through-hole hole 53 penetrating the first mask 31, the first conductor layer 21, the insulating substrate 10, and the second conductor layer 22 is formed.

上記スルーホール穴53は、両面回路基板を貫通する穴で、この穴53を介して第1の導体層21と第2の導体層22とを電気的に接続させるためのものである。スルーホール穴53の開口方法としては、特に限定せず、例えば、ドリル加工やレーザー加工などがあげられる。スルーホール穴53の直径は120μm以下とするとよく、さらに小さいほど、図1(e)および図1(f)に示す工程において、スルーホールメッキ4の面方向への成長距離が少なくてすむため、スルーホールメッキ4が良好に形成される。また、これによりスルーホール部分を小さくできるため、精細な回路を作製し易くなる。   The through hole 53 is a hole penetrating the double-sided circuit board, and is used for electrically connecting the first conductor layer 21 and the second conductor layer 22 through the hole 53. The method for opening the through-hole hole 53 is not particularly limited, and examples thereof include drilling and laser processing. The diameter of the through-hole hole 53 is preferably 120 μm or less, and the smaller the diameter, the shorter the growth distance in the surface direction of the through-hole plating 4 in the process shown in FIGS. 1 (e) and 1 (f). The through-hole plating 4 is formed satisfactorily. In addition, this makes it possible to reduce the size of the through hole portion, so that a fine circuit can be easily manufactured.

本実施例において具体的には、第1のマスク31、第1の導体層21、絶縁基板10、および第2の導体層22にドリルを用いて穴を貫通し、直径40μmのスルーホール穴53を形成した。   Specifically, in this embodiment, the first mask 31, the first conductor layer 21, the insulating substrate 10, and the second conductor layer 22 are drilled through a hole, and a through-hole hole 53 having a diameter of 40 μm. Formed.

次に、図1(d)に示すように、スルーホール穴53の第2の導体層22側の開口部を閉塞するように、第2の導体層22の表面に第2のマスク32を形成する。   Next, as shown in FIG. 1D, a second mask 32 is formed on the surface of the second conductor layer 22 so as to close the opening of the through hole 53 on the second conductor layer 22 side. To do.

上記第2のマスク32は、図1(e)および図1(f)に示される工程において、第2の導体層22の表面に電解金属メッキ層が形成されないようにするためのものである。第2のマスク32としては、以下の特性を満たすことが望ましい。まず、製造中に発生する熱に対する耐熱性および電解メッキ処理に対する高い耐性が要求され、さらに、マスク表面に電解金属メッキ層が形成されにくく、図1(g)に示す工程において良好に除去できるマスク材料がよい。例えば、上記開口部を閉塞し易いようなフィルム状で、粘着材を介して積層させるマスク材料があげられる。   The second mask 32 is for preventing an electrolytic metal plating layer from being formed on the surface of the second conductor layer 22 in the steps shown in FIGS. 1 (e) and 1 (f). The second mask 32 preferably satisfies the following characteristics. First, a mask that is required to have heat resistance to heat generated during manufacturing and high resistance to electrolytic plating treatment, and that an electrolytic metal plating layer is not easily formed on the mask surface, and can be removed well in the process shown in FIG. Good material. For example, there is a mask material that is easy to close the opening and is laminated with an adhesive.

上記粘着材は、フィルム状の第2のマスク32に塗布しておき、第2の導体層22の表面に第2のマスク32を接着させるためのものである。粘着材としては、製造中に発生する熱に対する耐熱性および電解メッキ処理に対する高い耐性を有し、さらに図1(g)に示される工程において良好に除去できる粘着材がよく、例えば、紫外線を照射することにより剥離し易くなる粘着材や粘着力が低い粘着材などがあげられる。また、粘着材は、粘着材表面に電解金属メッキ層が形成され易く、また電解金属メッキ層の成長を補助できるものが望ましく、例えば、導電性材料の粒子を混入させた粘着材があげられる。この導電性材料の粒子は、電解メッキ処理工程において、腐食されにくい非金属が望ましく、例えば、カーボンの粒子やカーボンナノチューブの粒子などがあげられる。   The pressure-sensitive adhesive material is applied to the film-like second mask 32 to adhere the second mask 32 to the surface of the second conductor layer 22. The adhesive material is preferably an adhesive material that has heat resistance to heat generated during production and high resistance to electrolytic plating treatment, and can be removed well in the process shown in FIG. 1 (g). Examples thereof include an adhesive material that is easily peeled off and an adhesive material having a low adhesive strength. In addition, the adhesive material is preferably one in which an electrolytic metal plating layer is easily formed on the surface of the adhesive material and can assist the growth of the electrolytic metal plating layer, and examples thereof include an adhesive material mixed with particles of a conductive material. The particles of the conductive material are preferably non-metals that are not easily corroded in the electrolytic plating process, and examples thereof include carbon particles and carbon nanotube particles.

本実施例において具体的には、低粘着力の粘着材にカーボンナノチューブの粒子を混入させ、フィルム状のマスク材料である厚さ20μmの耐熱ポリエステルに、上記粘着材を厚さ4μm塗布して、第2のマスク32を作製し、このマスク32を第2の導体層22の表面にロール積層した。   Specifically, in this example, carbon nanotube particles are mixed into a low-adhesive adhesive material, and the adhesive material is applied to a heat-resistant polyester having a thickness of 20 μm, which is a film-like mask material, to a thickness of 4 μm. A second mask 32 was produced, and this mask 32 was roll laminated on the surface of the second conductor layer 22.

次に、図1(e)および(f)に示すように、第1の導体層21に通電することによりスルーホール穴53内に第1のスルーホールメッキ41を形成させるとともに、第2の導体層22に通電することによりスルーホール穴53内に第2のスルーホールメッキ42を形成させる。   Next, as shown in FIGS. 1E and 1F, the first conductor layer 21 is energized to form the first through-hole plating 41 in the through-hole hole 53, and the second conductor By energizing the layer 22, a second through-hole plating 42 is formed in the through-hole hole 53.

上記第1のスルーホールメッキ41および上記第2のスルーホールメッキ42は、第1の導体層21と第2の導体層22とを電気的に接続させるものである。メッキ材料としては、導電性を有し、凹形状のスルーホール穴53内に充填されやすい材料が望ましく、例えば、銅系の材料があげられる。   The first through-hole plating 41 and the second through-hole plating 42 are for electrically connecting the first conductor layer 21 and the second conductor layer 22. As the plating material, a material that is conductive and easily fills into the concave through-hole hole 53 is desirable, and examples thereof include a copper-based material.

ここで、上記第2のスルーホールメッキ42と上記第1のスルーホールメッキ41はどちらを先に形成させても、またはこれらを同時に形成させてもよい。   Here, the second through-hole plating 42 and the first through-hole plating 41 may be formed first or may be formed simultaneously.

ただし、第2のスルーホールメッキ42より第1のスルーホールメッキ41を先に形成させる場合、またはこれらを同時に形成させる場合には、第1のスルーホールメッキ41が成長し、条件によってはスルーホール穴53の第1の導体層21側の開口部が閉塞してしまい、第2のマスク32側のスルーホール穴53内底部までスルーホールメッキ4が充填できなくなる。また、その後に第2の導体層22に通電しても、スルーホール穴53内底部は、第1のスルーホールメッキ41と第2のマスク32とで閉塞空間が形成されてしまっているため、第2のスルーホールメッキ42の形成はその途上で阻害されてしまう。これによって、第1の導体層21と第2の導体層22とが電気的に接続しない可能性があり、またこれらが接続していても、スルーホールメッキ4の肉厚が薄くなったり、スルーホールメッキ4内に空隙が形成されたりして、スルーホール接続が断線する可能性もある。以上のことから、第2のスルーホールメッキ42より第1のスルーホールメッキ41を先に形成させる場合、及び、これらを同時に形成させる場合のいずれにあっても、第2のマスク32側のスルーホール穴53内底部までスルーホールメッキ4が充填されるまでの間、スルーホール穴53の第1の導体層21側の開口部が閉塞されないようにする必要がある。   However, when the first through-hole plating 41 is formed earlier than the second through-hole plating 42, or when these are formed simultaneously, the first through-hole plating 41 grows, and depending on the conditions, the through-hole plating is performed. The opening on the first conductor layer 21 side of the hole 53 is blocked, and the through hole plating 4 cannot be filled up to the bottom of the through hole hole 53 on the second mask 32 side. Further, even if the second conductor layer 22 is energized after that, a closed space is formed in the bottom portion of the through-hole hole 53 by the first through-hole plating 41 and the second mask 32. The formation of the second through-hole plating 42 is hindered on the way. As a result, the first conductor layer 21 and the second conductor layer 22 may not be electrically connected. Even if they are connected, the thickness of the through-hole plating 4 is reduced, There is a possibility that voids are formed in the hole plating 4 and the through-hole connection is broken. From the above, whether the first through-hole plating 41 is formed earlier than the second through-hole plating 42 or the case where they are formed simultaneously, the through on the second mask 32 side Until the through hole plating 4 is filled to the bottom of the hole hole 53, it is necessary to prevent the opening of the through hole hole 53 on the first conductor layer 21 side from being blocked.

次に、第1のスルーホールメッキ41の形成より、第2のスルーホールメッキ42の形成を先に行った場合について、図3を用いて説明する。   Next, the case where the formation of the second through-hole plating 42 is performed before the formation of the first through-hole plating 41 will be described with reference to FIG.

図3(a)は、電解メッキ処理を行う前の両面回路基板の断面図で、図3(b)は、電解メッキ処理によって形成されるスルーホールメッキ4の成長状態を示す両面回路基板の断面図である。図3(b)において、縦軸は先に形成される第2のスルーホールメッキ42の成長状態を、横軸はその後に形成される第1のスルーホールメッキ41の成長状態を示す。   3A is a cross-sectional view of the double-sided circuit board before the electrolytic plating process, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the double-sided circuit board showing a growth state of the through-hole plating 4 formed by the electrolytic plating process. FIG. In FIG. 3B, the vertical axis represents the growth state of the second through-hole plating 42 formed earlier, and the horizontal axis represents the growth state of the first through-hole plating 41 formed thereafter.

まず、図3に示すように、第2の導体層22の電解メッキ条件を変化させることで、第2のスルーホールメッキ42は、状態1(第2のスルーホールメッキ42がスルーホール穴53内の底部周縁に形成した状態)から状態2(第2のスルーホールメッキ42が絶縁基板10の位置まで成長した状態)及び状態3(第2のスルーホールメッキ42が第1のマスク31の位置まで成長した状態)のように形成される。これらの状態から第1のスルーホールメッキ41を状態A(第1のスルーホールメッキ41の上端周縁部だけが第1のマスク31の位置まで成長した状態)から状態B(第1のスルーホールメッキ41の上端部が一様に第1の導体層21を超える位置まで成長した状態)まで形成しても、スルーホール穴53内には空隙は形成されず、スルーホール穴53内の底部にも良好にスルーホールメッキ4が充填される。   First, as shown in FIG. 3, by changing the electrolytic plating conditions of the second conductor layer 22, the second through-hole plating 42 is in the state 1 (the second through-hole plating 42 is in the through-hole hole 53. State 2 (the state where the second through-hole plating 42 has grown to the position of the insulating substrate 10) and state 3 (the state where the second through-hole plating 42 has reached the position of the first mask 31). A grown state). From these states, the first through-hole plating 41 is changed from the state A (the state in which only the upper peripheral edge of the first through-hole plating 41 has grown to the position of the first mask 31) to the state B (first through-hole plating). Even when the upper end of 41 is uniformly grown to a position exceeding the first conductor layer 21), no void is formed in the through-hole hole 53, and the bottom of the through-hole hole 53 is also formed. The through-hole plating 4 is satisfactorily filled.

以上のように、第2のスルーホールメッキ42より第1のスルーホールメッキ41を先に形成した場合、またはこれらを同時に形成した場合でも条件を制御して、良好なスルーホールメッキ4を得ることはできるが、第1のスルーホールメッキ41より第2のスルーホールメッキ42を先に形成した場合の方が、より安定して良好なスルーホールメッキ4を得ることができる。   As described above, even when the first through-hole plating 41 is formed before the second through-hole plating 42 or when these are formed at the same time, the conditions are controlled to obtain a good through-hole plating 4. However, when the second through-hole plating 42 is formed earlier than the first through-hole plating 41, the good through-hole plating 4 can be obtained more stably.

ところで、第2のスルーホールメッキ42形成を先に行い、スルーホール穴53内の底部を第2のスルーホールメッキ42で充填させた後、第1の導体層21および第2の導体層22に同時に通電してもよい。その場合、スルーホールメッキ4の形成効率が向上するとともに、均一なスルーホールメッキ4を得ることもできる。   By the way, the second through-hole plating 42 is formed first, and the bottom of the through-hole hole 53 is filled with the second through-hole plating 42, and then the first conductor layer 21 and the second conductor layer 22 are formed. It may be energized at the same time. In that case, the formation efficiency of the through-hole plating 4 is improved, and a uniform through-hole plating 4 can be obtained.

次に、図1(g)に示すように、前記第1のマスク31および前記第2のマスク32を除去する。   Next, as shown in FIG. 1G, the first mask 31 and the second mask 32 are removed.

最後に図1(h)に示すように、第1のスルーホールメッキ41表面を平滑にする。この方法としては、例えば、物理研磨を行うことがあげられる。   Finally, as shown in FIG. 1H, the surface of the first through-hole plating 41 is smoothed. An example of this method is physical polishing.

なお、第1のマスク31および第2のマスク32の除去並びに第1のスルーホールメッキ41の表面の平滑化の工程順は、上記図1(g)および図1(h)に示されている工程順に限るものではなく、まず第1のマスク31の除去を行い、次に第1のスルーホールメッキ41表面の研磨を行ったのち、第2のマスク32の除去を行ってもよい。   The order of steps for removing the first mask 31 and the second mask 32 and smoothing the surface of the first through-hole plating 41 is shown in FIGS. 1 (g) and 1 (h). The first mask 31 may be removed first, and then the surface of the first through-hole plating 41 may be polished, and then the second mask 32 may be removed.

次に、本発明の実施例2について、図2を参照して説明する。   Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG.

図2は、本発明の実施例2における製造工程を示す両面回路基板の断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view of a double-sided circuit board showing a manufacturing process in Example 2 of the present invention.

なお、この実施例に係る両面回路基板の製造方法は、上記した実施例1のものと基本的に同じ構成であるので、同一部材には同一符号を付してその説明を省略し、相違点のみを説明する。   In addition, since the manufacturing method of the double-sided circuit board according to this embodiment is basically the same as that of the first embodiment described above, the same members are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. I will explain only.

実施例1では、両面回路基板に第1のマスク31を積層させた後、スルーホール穴53の開口加工を施したが、実施例2では、両面回路基板にスルーホール穴53の開口加工を施した後に、第1のマスク31を積層させた。以下、詳述する。   In the first embodiment, the first mask 31 is laminated on the double-sided circuit board, and then the through hole hole 53 is opened. In the second embodiment, the through hole hole 53 is opened in the double-sided circuit board. After that, the first mask 31 was laminated. Details will be described below.

図2(b)に示すように、導体層2のうちいずれか一方を第1の導体層21、他方を第2の導体層22として、第1の導体層21、絶縁基板10、および第2の導体層22を貫通するスルーホール穴53を形成する。   As shown in FIG. 2B, the first conductor layer 21, the insulating substrate 10, and the second conductor layer 2 are used as the first conductor layer 21 and the other as the second conductor layer 22. A through-hole hole 53 penetrating the conductor layer 22 is formed.

上記スルーホール穴53は、回路基板を貫通させた穴で、その穴を介して第1の導体層21と第2の導体層22とを電気的に接続させるためのものである。スルーホール穴53の開口方法としては、特に限定せず、例えば、ドリル加工やレーザー加工などがあげられる。スルーホール穴53の直径は120μm以下とするとよく、さらに小さいほど、図2(e)および図2(f)に示す工程において、スルーホールメッキ4の面方向への成長距離が少なくてすむため、スルーホールメッキ4が良好に形成される。また、これによりスルーホール部分を小さくできるため、精細な回路を作製し易くなる。   The through-hole 53 is a hole that penetrates the circuit board, and is used to electrically connect the first conductor layer 21 and the second conductor layer 22 through the hole. The method for opening the through-hole hole 53 is not particularly limited, and examples thereof include drilling and laser processing. The diameter of the through-hole hole 53 is preferably 120 μm or less, and the smaller the diameter, the shorter the growth distance in the surface direction of the through-hole plating 4 in the steps shown in FIGS. 2 (e) and 2 (f). The through-hole plating 4 is formed satisfactorily. In addition, this makes it possible to reduce the size of the through hole portion, so that a fine circuit can be easily manufactured.

図2(c)に示すように、スルーホール穴53の第1の導体層21側の開口部を閉塞するように、第1の導体層21の表面に第1のマスク31を形成してから、この開口部に対応する箇所の第1のマスク31を除去する。   As shown in FIG. 2C, after forming the first mask 31 on the surface of the first conductor layer 21 so as to close the opening of the through hole 53 on the first conductor layer 21 side. The first mask 31 corresponding to the opening is removed.

上記第1のマスク31は、図2(e)および図2(f)に示される工程において、第1の導体層21の表面に電解金属メッキ層が形成されないようにするためのものである。第1のマスク31としては、以下の特性を満たすことが望ましい。まず、製造中に発生する熱に対する耐熱性、スルーホール穴53開口のための良好な加工性および電解メッキ処理に対する高い耐性があり、さらに、マスク表面に電解金属メッキ層が形成されにくく、図2(g)に示す工程において良好に除去できるマスク材料がよい。例えば、上記開口部を閉塞し易いようなフィルム状で、粘着材を介して積層させるマスク材料があげられる。   The first mask 31 is for preventing an electrolytic metal plating layer from being formed on the surface of the first conductor layer 21 in the steps shown in FIGS. 2 (e) and 2 (f). The first mask 31 preferably satisfies the following characteristics. First, it has heat resistance to heat generated during manufacturing, good workability for opening the through-hole hole 53, and high resistance to electrolytic plating, and further, an electrolytic metal plating layer is hardly formed on the mask surface. A mask material that can be satisfactorily removed in the step shown in (g) is preferable. For example, there is a mask material that is easy to close the opening and is laminated with an adhesive.

上記粘着材は、フィルム状の第1のマスク31に塗布しておき、第1の導体層21の表面に第1のマスク31を接着するためのものである。粘着材としては、製造中に発生する熱に対する耐熱性、スルーホール穴53開口のための良好な加工性および電解メッキ処理に対する高い耐性があり、図2(g)に示す工程において良好に除去できるものがよく、図2(g)に示される工程の除去方法としては、例えば、紫外線を照射することにより剥離し易くなる粘着材や粘着力が低い粘着材などがあげられる。   The pressure-sensitive adhesive material is applied to the film-like first mask 31 and adheres the first mask 31 to the surface of the first conductor layer 21. The adhesive material has heat resistance to heat generated during production, good workability for opening the through-hole hole 53, and high resistance to electrolytic plating, and can be removed well in the step shown in FIG. 2 (g). The removal method in the step shown in FIG. 2 (g) is, for example, an adhesive material that can be easily peeled off by irradiating with ultraviolet rays or an adhesive material having a low adhesive force.

また、第1のマスク31に樹脂フィルムを使用し、スルーホール穴53の開口部に対応する箇所における第1のマスク31の除去は、第2の導体層22側のスルーホール穴53の開口部からレーザー光を照射することにより行うとよい。この場合、このスルーホール穴53の開口部と、この開口部に対応する第1のマスク31の開口部との間で、両者の位置と形状とを正確に合致させることができる。   In addition, a resin film is used for the first mask 31, and the removal of the first mask 31 at a position corresponding to the opening of the through-hole hole 53 is performed by opening the through-hole hole 53 on the second conductor layer 22 side. It is good to carry out by irradiating a laser beam. In this case, the position and shape of the through hole 53 and the opening of the first mask 31 corresponding to the opening can be accurately matched.

さらに、第1のマスク31に感光性樹脂を使用し、スルーホール穴53の開口部に対応する箇所における第1のマスク31の除去は、第2の導体層22側のスルーホール穴53の開口部から露光することにより行うと、このスルーホール穴53の開口部と、この開口部に対応する第1のマスク31の開口部との間で、両者の位置と形状とを正確に合致させることができる。   Further, a photosensitive resin is used for the first mask 31, and the removal of the first mask 31 at a position corresponding to the opening of the through-hole hole 53 is performed by opening the through-hole hole 53 on the second conductor layer 22 side. When the exposure is performed from the part, the position and shape of the through hole 53 and the opening of the first mask 31 corresponding to the opening are matched exactly. Can do.

このとき、マスク材料の特性は、上記マスクの性能(製造中に発生する熱に対する耐熱性、スルーホール穴53開口のための良好な加工性および電解メッキ処理に対する高い耐性があり、さらに、マスク表面に電解金属メッキ層が形成されにくく、図2(g)に示す工程において良好に除去できる性能。)が備わり、環境汚染の少ない水溶性の材料を使用するとよい。   At this time, the characteristics of the mask material include the performance of the mask (heat resistance to heat generated during manufacture, good workability for opening the through-hole hole 53, and high resistance to electrolytic plating treatment, It is preferable to use a water-soluble material that is less likely to form an electrolytic metal plating layer and can be removed well in the process shown in FIG.

次に、上記した実施例1及び実施例2において作製された両面回路基板について、その断面図である図4を参照して説明する。   Next, the double-sided circuit board manufactured in the above-described Example 1 and Example 2 will be described with reference to FIG. 4 which is a sectional view thereof.

両面回路基板は、図4に示すように、絶縁基板10の一方の面に第1の導体層21と他方の面に第2の導体層22とが形成され、これらを貫通するスルーホール穴53が形成されている。このスルーホール穴53内には第1のスルーホールメッキ41と第2のスルーホールメッキ42とが形成されており、第1の導体層21と第2の導体層22とが電気的に接続されている。また、図1若しくは図2に示されている一連の製造工程の後で、第1の導体層21および第2の導体層22に対してエッチングを施すことにより、絶縁基板10上には導体パターンが形成されている。エッチングは、次のような方法で行われる。導体層2表面にエッチングレジストを形成し、フォトマスクを用いた露光処理および現像処理により、エッチングレジストを任意の形状にパターン加工する。このエッチングレジストをマスクとして導体層2をエッチングし、導体パターンを形成する。   As shown in FIG. 4, the double-sided circuit board includes a first conductor layer 21 formed on one surface of the insulating substrate 10 and a second conductor layer 22 formed on the other surface, and a through-hole hole 53 penetrating therethrough. Is formed. A first through hole plating 41 and a second through hole plating 42 are formed in the through hole hole 53, and the first conductor layer 21 and the second conductor layer 22 are electrically connected. ing. Further, after the series of manufacturing steps shown in FIG. 1 or FIG. 2, the first conductor layer 21 and the second conductor layer 22 are etched to form a conductor pattern on the insulating substrate 10. Is formed. Etching is performed by the following method. An etching resist is formed on the surface of the conductor layer 2, and the etching resist is patterned into an arbitrary shape by an exposure process and a development process using a photomask. Using this etching resist as a mask, the conductor layer 2 is etched to form a conductor pattern.

このようにして得られた本発明の両面回路基板は、スルーホールランド52上にスルーホールメッキ4が、階段状に積層されないため、絶縁基板10にかかる熱サイクルに強く、断線しにくい構造となっている。   The double-sided circuit board of the present invention thus obtained has a structure that is resistant to the thermal cycle applied to the insulating substrate 10 and is not easily disconnected because the through-hole plating 4 is not laminated stepwise on the through-hole land 52. ing.

図5は、本発明に係る両面回路基板を用いて作製された多層回路基板の断面図である。図5に示される多層回路基板は、二つの両面回路基板100が接着剤61を介して積層されている。上記接着剤61は、複数の両面回路基板100間を接着するものであり、両面回路基板100の接着面に塗布されて使用される。接着剤61としては、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、粘着剤などが用いられ、これらを組み合わせて使用してもよい。   FIG. 5 is a cross-sectional view of a multilayer circuit board manufactured using the double-sided circuit board according to the present invention. In the multilayer circuit board shown in FIG. 5, two double-sided circuit boards 100 are laminated via an adhesive 61. The adhesive 61 is used to bond a plurality of double-sided circuit boards 100, and is used by being applied to the adhesive surface of the double-sided circuit board 100. As the adhesive 61, a thermosetting adhesive, a thermoplastic adhesive, an adhesive, or the like is used, and these may be used in combination.

ここで、本発明の両面回路基板100は、スルーホールランド52上にスルーホールメッキ4が、階段状に積層されず、基板表面に凹凸が少ないため、図5に示すような上記多層回路基板を形成しても接着面に空隙ができる可能性が少なく、層間が剥離しにくくなっている。   Here, in the double-sided circuit board 100 of the present invention, since the through-hole plating 4 is not laminated stepwise on the through-hole land 52 and the surface of the board is less uneven, the multilayer circuit board as shown in FIG. Even if it is formed, there is little possibility that voids are formed on the bonding surface, and the layers are difficult to peel off.

さらに、本発明の両面回路基板100は、電解金属メッキ処理後によって、スルーホール穴53内がスルーホールメッキ4で完全に充填されるため、この両面回路基板100に保護膜を被覆させたり、図5のようにこの両面回路基板100を用い多層回路基板を作製したりしても、スルーホール穴53内に閉塞空間が形成されない。これにより、閉塞空間内の空気の熱膨張が原因になっていたスルーホール接続の断線という問題が生じない。   Furthermore, since the inside of the through-hole hole 53 is completely filled with the through-hole plating 4 after the electrolytic metal plating process, the double-sided circuit board 100 of the present invention can be covered with a protective film, Even if the double-sided circuit board 100 is used to fabricate a multilayer circuit board as in 5, the closed space is not formed in the through-hole hole 53. Thereby, the problem of disconnection of the through-hole connection caused by thermal expansion of air in the closed space does not occur.

図6は、本発明に係る両面回路基板を用いて作製されたビルドアップ多層回路基板の断面図である。図6に示されるビルドアップ多層回路基板は、両面回路基板100の両面に積層された絶縁層11と、これらの絶縁層11の表面に積層された第3の導体層23とを備え、これらの導体層23と両面回路基板100上に設けられている導体層2との電気的接続が、スルーホール接続部51とビア45とを介して行われている。   FIG. 6 is a cross-sectional view of a build-up multilayer circuit board manufactured using the double-sided circuit board according to the present invention. The build-up multilayer circuit board shown in FIG. 6 includes an insulating layer 11 laminated on both surfaces of the double-sided circuit board 100, and a third conductor layer 23 laminated on the surface of these insulating layers 11. Electrical connection between the conductor layer 23 and the conductor layer 2 provided on the double-sided circuit board 100 is made through the through-hole connecting portion 51 and the via 45.

上記絶縁層11は、両面回路基板100上に設けられている導体層2と絶縁層11の表面に積層された第3の導体層23とを電気的に絶縁するように積層されている。絶縁層11としては、特に限定しないが、一般に、プリプレグと呼ばれるガラス布にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁層が強度、寸法精度が良好なため用いられている。   The insulating layer 11 is laminated so as to electrically insulate the conductor layer 2 provided on the double-sided circuit board 100 and the third conductor layer 23 laminated on the surface of the insulating layer 11. Although it does not specifically limit as the insulating layer 11, Generally, the insulating layer which impregnated the epoxy resin to the glass cloth called a prepreg is used since intensity | strength and dimensional accuracy are favorable.

上記第3の導体層23は、この絶縁層11の外側表面に積層されている。この導体層23としては、導電性の材料であれば特に限定しない。   The third conductor layer 23 is laminated on the outer surface of the insulating layer 11. The conductor layer 23 is not particularly limited as long as it is a conductive material.

上記ビア45は、多層回路基板において、異なる導体層間をビアホールという穴を介して電気的に接続させるものである。ビア45の製造方法および材料は、特に限定せず、一般には無電解メッキや導電性物質の充填などにより形成される。   The via 45 is used to electrically connect different conductor layers through a hole called a via hole in the multilayer circuit board. The manufacturing method and material of the via 45 are not particularly limited and are generally formed by electroless plating or filling with a conductive substance.

上記スルーホール接続部51は、スルーホールランド52と第1のスルーホールメッキ41と第2のスルーホールメッキ42とからなる部分である。また、上記スルーホールランド52は、エッチングにより形成された導体パターンであって、絶縁基板10に設けた両面の導体層2間をスルーホール接続するためにスルーホール穴53周辺に形成された部分である。   The through-hole connecting portion 51 is a portion composed of a through-hole land 52, a first through-hole plating 41, and a second through-hole plating 42. The through-hole land 52 is a conductor pattern formed by etching, and is a portion formed around the through-hole hole 53 for connecting the through-hole between the two conductor layers 2 provided on the insulating substrate 10. is there.

ここで、本発明の両面回路基板100は、スルーホールランド52上にスルーホールメッキ4が階段状に積層されず、両面回路基板100表面に凹凸が少ないため、上述したようなビルドアップ多層回路基板を形成しても接着面に空隙ができる可能性が少なく、層間が剥離しにくくなっている。   Here, in the double-sided circuit board 100 of the present invention, the through-hole plating 4 is not laminated stepwise on the through-hole land 52, and the surface of the double-sided circuit board 100 has few irregularities. Even if it forms, there is little possibility that a space | gap will be formed in an adhesion surface, and it becomes difficult to peel between layers.

さらに、本発明の両面回路基板100は、電解金属メッキ処理後によって、スルーホール穴53内がスルーホールメッキ4で完全に充填されるため、この両面回路基板100に保護膜を被覆させたり、図6のようにこの両面回路基板100を用い多層回路基板を作製したりしても、スルーホール穴53内に閉塞空間が形成されない。これにより、閉塞空間内の空気の熱膨張が原因になっていたスルーホール接続の断線という問題が生じない。   Furthermore, since the inside of the through-hole hole 53 is completely filled with the through-hole plating 4 after the electrolytic metal plating process, the double-sided circuit board 100 of the present invention can be covered with a protective film, Even when the multilayer circuit board is manufactured using the double-sided circuit board 100 as in FIG. 6, the closed space is not formed in the through-hole hole 53. Thereby, the problem of disconnection of the through-hole connection caused by thermal expansion of air in the closed space does not occur.

なお、図6に示されているビルドアップ多層回路基板は、両面回路基板100の両面に絶縁層11と第3の導体層23とが一組ずつ形成されているが、ビルドアップ多層回路基板としては、両面回路基板100の片面または両面に少なくとも1組以上の絶縁層11と第3の導体層23とが形成されていればよい。   In the build-up multilayer circuit board shown in FIG. 6, the insulating layer 11 and the third conductor layer 23 are formed on each side of the double-sided circuit board 100. The double-sided circuit board 100 only needs to have at least one set of the insulating layer 11 and the third conductor layer 23 formed on one side or both sides thereof.

図7は、部品が実装された本発明の両面回路基板に係る断面図である。図7に示すように、両面回路基板100のスルーホール接続部51に部品71がはんだ72により実装されている。本発明に係る両面回路基板100は表面に凹凸が少ないため、この基板表面上に部品71を実装するときに、この部品71と上記両面回路基板100の回路との接続やこの部品71の上記両面回路基板100への固定が容易に行うことができる。   FIG. 7 is a sectional view according to the double-sided circuit board of the present invention on which components are mounted. As shown in FIG. 7, a component 71 is mounted on the through-hole connecting portion 51 of the double-sided circuit board 100 with solder 72. Since the double-sided circuit board 100 according to the present invention has less irregularities on the surface, when the component 71 is mounted on the surface of the board, the connection between the component 71 and the circuit of the double-sided circuit board 100 and the both sides of the component 71 are performed. Fixing to the circuit board 100 can be easily performed.

図8は、コネクタの端子が実装された本発明に係る両面回路基板の断面図である。図8に示すように、本発明に係る両面回路基板100のスルーホール接続部51にコネクタの端子83が実装されている。上記両面回路基板100は表面に凹凸が少ないため、このコネクタの端子83をスルーホール接続部51に安定して実装でき、このコネクタの端子83の接続が良好に行われる。   FIG. 8 is a cross-sectional view of a double-sided circuit board according to the present invention on which connector terminals are mounted. As shown in FIG. 8, connector terminals 83 are mounted on the through-hole connecting portion 51 of the double-sided circuit board 100 according to the present invention. Since the double-sided circuit board 100 has less unevenness on the surface, the terminal 83 of this connector can be stably mounted on the through-hole connecting portion 51, and the connection of the terminal 83 of this connector is performed well.

図9は、摺動子の固定接点が実装された本発明に係る両面回路基板の断面図である。図9に示すように、本発明に係る両面回路基板100のスルーホール接続部51に、摺動子91が摺接するための固定接点92が実装されている。上記両面回路基板100は表面に凹凸が少ないため、固定接点92を両面回路基板100上に安定して実装でき、この固定接点92上を摺動子91が安定して摺接することができる。   FIG. 9 is a cross-sectional view of a double-sided circuit board according to the present invention on which a slider fixed contact is mounted. As shown in FIG. 9, a fixed contact 92 for sliding the slider 91 is mounted on the through-hole connecting portion 51 of the double-sided circuit board 100 according to the present invention. Since the double-sided circuit board 100 has less irregularities on the surface, the fixed contact 92 can be stably mounted on the double-sided circuit board 100, and the slider 91 can be slidably contacted on the fixed contact 92.

本発明の実施例1における製造工程を示す両面回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the double-sided circuit board which shows the manufacturing process in Example 1 of this invention. 本発明の実施例2における製造工程を示す両面回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the double-sided circuit board which shows the manufacturing process in Example 2 of this invention. 本発明の電解メッキ処理によって形成されるスルーホールメッキの成長状態を示す両面回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the double-sided circuit board which shows the growth state of through-hole plating formed by the electrolytic plating process of this invention. 本発明に係る両面回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the double-sided circuit board based on this invention. 本発明に係る両面回路基板を用いて作製された多層回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the multilayer circuit board produced using the double-sided circuit board based on this invention. 本発明に係る両面回路基板を用いて作製されたビルドアップ多層回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the buildup multilayer circuit board produced using the double-sided circuit board based on this invention. 部品が実装された本発明に係る両面回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the double-sided circuit board based on this invention with which components were mounted. コネクタの端子が実装された本発明に係る両面回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the double-sided circuit board based on this invention with which the terminal of the connector was mounted. 摺動子の固定接点が実装された本発明に係る両面回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the double-sided circuit board based on this invention with which the fixed contact of the slider was mounted. 従来の製造方法で作製された両面回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the double-sided circuit board produced with the conventional manufacturing method. 従来の製造方法で作製された両面回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the double-sided circuit board produced with the conventional manufacturing method.

符号の説明Explanation of symbols

10 絶縁基板
11 絶縁層
2 導体層
21 第1の導体層
22 第2の導体層
23 第3の導体層
31 第1のマスク
32 第2のマスク
4 スルーホールメッキ
41 第1のスルーホールメッキ
42 第2のスルーホールメッキ
43 電解金属メッキ層
44 積層体
45 ビア
51 スルーホール接続部
52 スルーホールランド
53 スルーホール穴
61 接着剤
71 部品
72 はんだ
81 被覆
82 補強板
83 コネクタの端子
91 摺動子
92 固定接点
100 両面回路基板
10 Insulating substrate
11 Insulating layer
2 Conductor layer
21 First conductor layer
22 Second conductor layer
23 Third conductor layer
31 First mask
32 Second mask
4 Through-hole plating
41 First through hole plating
42 Second through hole plating
43 Electrolytic metal plating layer
44 Laminate
45 Via
51 Through-hole connection
52 Through Hole Land
53 Through-hole hole
61 Adhesive
71 parts
72 Solder
81 coating
82 Reinforcement plate
83 Connector terminals
91 Slider
92 Fixed contact
100 Double-sided circuit board

Claims (11)

絶縁基板の両面に設けた導体層間がスルーホールを介して電気的に接続されてなる両面回路基板の製造方法において、
前記絶縁基板の両面にそれぞれ導体層を形成する工程と、
これら導体層のうちいずれか一方を第1の導体層、他方を第2の導体層として、この第1の導体層の表面に第1のマスクを形成する工程と、
この第1のマスク、前記第1の導体層、前記絶縁基板、および前記第2の導体層を貫通するスルーホール穴を形成する工程と、
このスルーホール穴の前記第2の導体層側の開口部を閉塞するように、前記第2の導体層の表面に第2のマスクを形成する工程と、
前記第1の導体層に通電することにより前記スルーホール穴内に第1のスルーホールメッキを形成させるとともに、前記第2の導体層に通電することにより前記スルーホール穴内に第2のスルーホールメッキを形成させる工程と、
前記第1のマスクおよび前記第2のマスクを除去する工程とを備え
前記第2のマスクは、導電性材料の粒子を混入させた粘着材を介して前記第2の導体層上に設けること
を特徴とする両面回路基板の製造方法。
In the method for manufacturing a double-sided circuit board in which the conductor layers provided on both sides of the insulating substrate are electrically connected via through-holes,
Forming a conductor layer on each side of the insulating substrate;
A step of forming a first mask on the surface of the first conductor layer, with one of these conductor layers being a first conductor layer and the other being a second conductor layer;
Forming a through-hole hole penetrating the first mask, the first conductor layer, the insulating substrate, and the second conductor layer;
Forming a second mask on the surface of the second conductor layer so as to close the opening on the second conductor layer side of the through-hole hole;
A first through-hole plating is formed in the through-hole hole by energizing the first conductor layer, and a second through-hole plating is formed in the through-hole hole by energizing the second conductor layer. Forming, and
Removing the first mask and the second mask ,
The method of manufacturing a double-sided circuit board, wherein the second mask is provided on the second conductor layer through an adhesive material mixed with particles of a conductive material .
絶縁基板の両面に設けた導体層間がスルーホールを介して電気的に接続されてなる両面回路基板の製造方法において、
前記絶縁基板の両面にそれぞれ導体層を形成する工程と、
これら導体層のうちいずれか一方を第1の導体層、他方を第2の導体層として、この第1の導体層、前記絶縁基板、および前記第2の導体層を貫通するスルーホール穴を形成する工程と、
このスルーホール穴の前記第1の導体層側の開口部を閉塞するように、前記第1の導体層の表面に第1のマスクを形成してから、この開口部に対応する箇所の前記第1のマスクを除去する工程と、
前記スルーホール穴の前記第2の導体層側の開口部を閉塞するように、前記第2の導体層の表面に第2のマスクを形成する工程と、
前記第1の導体層に通電することにより前記スルーホール穴内に第1のスルーホールメッキを形成させるとともに、前記第2の導体層に通電することにより前記スルーホール穴内に第2のスルーホールメッキを形成させる工程と、
前記第1のマスクおよび前記第2のマスクを除去する工程とを備え
前記第2のマスクは、導電性材料の粒子を混入させた粘着材を介して前記第2の導体層上に設けること
を特徴とする両面回路基板の製造方法。
In the method for manufacturing a double-sided circuit board in which the conductor layers provided on both sides of the insulating substrate are electrically connected via through-holes,
Forming a conductor layer on each side of the insulating substrate;
One of these conductor layers is used as a first conductor layer, and the other is used as a second conductor layer, and a through-hole is formed through the first conductor layer, the insulating substrate, and the second conductor layer. And a process of
A first mask is formed on the surface of the first conductor layer so as to close the opening on the first conductor layer side of the through-hole hole, and the first portion of the portion corresponding to the opening is formed. Removing the mask of 1;
Forming a second mask on the surface of the second conductor layer so as to close the opening on the second conductor layer side of the through-hole hole;
A first through-hole plating is formed in the through-hole hole by energizing the first conductor layer, and a second through-hole plating is formed in the through-hole hole by energizing the second conductor layer. Forming, and
Removing the first mask and the second mask ,
The method of manufacturing a double-sided circuit board, wherein the second mask is provided on the second conductor layer through an adhesive material mixed with particles of a conductive material .
前記第1のマスクに樹脂フィルムを使用することを特徴とする請求項1に記載の両面回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a double-sided circuit board according to claim 1, wherein a resin film is used for the first mask. 前記第1のマスクに樹脂フィルムを使用し、前記スルーホール穴の開口部に対応する箇所における前記第1のマスクの除去は、前記第2の導体層側の前記スルーホール穴の開口部からレーザー光を照射することにより行うことを特徴とする請求項2に記載の両面回路基板の製造方法。   A resin film is used for the first mask, and the removal of the first mask at a position corresponding to the opening of the through-hole hole is performed by laser from the opening of the through-hole hole on the second conductor layer side. The method for producing a double-sided circuit board according to claim 2, wherein the method is performed by irradiating light. 前記第1のマスクに感光性樹脂を使用し、前記スルーホール穴の開口部に対応する箇所における前記第1のマスクの除去は、前記第2の導体層側の前記スルーホール穴の開口部から露光することにより行うことを特徴とする請求項2に記載の両面回路基板の製造方法。   A photosensitive resin is used for the first mask, and the removal of the first mask at a position corresponding to the opening of the through-hole hole is performed from the opening of the through-hole hole on the second conductor layer side. The method for producing a double-sided circuit board according to claim 2, wherein the method is performed by exposure. 前記導電性材料の粒子が非金属であることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか一つに記載の両面回路基板の製造方法。 The method for producing a double-sided circuit board according to any one of claims 1 to 5 , wherein the particles of the conductive material are non-metallic. 前記導電性材料の粒子がカーボンの粒子であることを特徴とする請求項6に記載の両面回路基板の製造方法。 The method for manufacturing a double-sided circuit board according to claim 6 , wherein the particles of the conductive material are carbon particles. 前記導電性材料の粒子がカーボンナノチューブの粒子であることを特徴とする請求項7に記載の両面回路基板の製造方法。 The method for manufacturing a double-sided circuit board according to claim 7 , wherein the particles of the conductive material are carbon nanotube particles. 前記第1のスルーホールメッキより前記第2のスルーホールメッキを先に形成することを特徴とする請求項1から請求項8までのいずれか一に記載の両面回路基板の製造方法。 The method for manufacturing a double-sided circuit board according to any one of claims 1 to 8, wherein the second through-hole plating is formed before the first through-hole plating. 前記第1および2のスルーホールメッキの形成は、銅系のメッキ材料を用いて行うことを特徴とする請求項1から請求項9までのいずれか一に記載の両面回路基板の製造方法。 The method for manufacturing a double-sided circuit board according to any one of claims 1 to 9, wherein the first and second through-hole plating is performed using a copper-based plating material. 請求項1から請求項10までのいずれか一に記載の製造方法により作製されたことを特徴とする両面回路基板。 A double-sided circuit board produced by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 10 .
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