JP4477340B2 - 多官能性シクロブタベンゼン及びその製造方法 - Google Patents
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
A. Stanger, N. Ashkenazi, R. Boese, D. Blaser, P. Stellberg, Chem. Eur. J., 1997, 3, 208. R. P. Thummel, J. D Korp, I. Bernal, R. L. Harlow, R. L. Soulen, J. Am. Chem. Soc. 1977, 99, 6916.
また、上記式中、X2は、脱離基である。脱離基としては、例えば、F、Cl、Br、Iのようなハロゲン原子、トシラート基(―O−S(=O)2−C6H4−CH3)、トリフルオロメタンスルホン酸エステル(トリフラート)、スルホキシド(―S(=O)−)等が挙げられる。X2は、I、Br、又はトリフラート基であることが好ましい。
また、上記式中、Mは、強塩基試薬由来の金属である。
また、上記式中、X2は、脱離基である。脱離基としては、例えば、F、Cl、Br、Iのようなハロゲン原子、トシラート基(―O−S(=O)2−C6H4−CH3)、トリフルオロメタンスルホン酸エステル(トリフラート)、スルホキシド(―S(=O)−)等が挙げられる。X2は、I、Br、又はトリフラート基であることが好ましい。
また、上記式中、Mは、強塩基試薬由来の金属である。
また、上記式中、X2は、脱離基である。脱離基としては、例えば、F、Cl、Br、Iのようなハロゲン原子、トシラート基(―O−S(=O)2−C6H4−CH3)、トリフルオロメタンスルホン酸エステル(トリフラート)、スルホキシド(―S(=O)−)等が挙げられる。X2は、I、Br、又はトリフラート基であることが好ましい。
また、上記式中、Mは、強塩基試薬由来の金属である。
上記反応式中、b)では、0℃〜25℃の温度条件下で、シリル化剤(例えば、トリメチルシリルクロリド(TMSCl)、トリエチルシリルクロリド(TESCl)、t−ブチルジメチルシリルクロリド(TBDMSCl)等のシリル化剤及びイミダゾール、トリエチルアミン等の塩基)と反応させる。溶媒としてはN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、テトラヒドロフラン(THF)等を用いることができる。
上記反応式中、c)では、100℃以上(例えば、105〜110℃)で加熱させる。溶媒としては、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド(DMSO)、DMF等を用いることができる。
アルゴン雰囲気下、30 mL二ツ口反応容器にて、ブロモトリフラート1(42.7 mg, 0.102 mmol)とケテンシリルアセタール2a(38.9 mg, 0.192 mmol)のTHF溶液(1.5 ml)に−78 ℃にてn-BuLi(1.56 Mヘキサン溶液, 0.10 ml, 0.16 mmol)を加え、この温度で5分間撹拌した。水を用いて反応を停止した後、生成物を酢酸エチル(10 mL×3)で抽出、溶媒を減圧留去し、残渣を薄層シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン / アセトン= 9 / 1 ×2)で精製した。さらに再度、薄層シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン/塩化メチレン/ジエチルエーテル = 8 / 1 / 1)で精製し、ジシクロブタベンゼン3a(30.8 mg, 0.0785 mmol, 77%)を得た。
1H NMR (アセトン-d6, δ) -0.13 (s, 3H), 0.01 (s, 3H), 0.92 (s, 9H), 3.44 (s, 3H), 3.45 (s, 3H), 3.50 (s, 3H), 4.00 (s, 3H), 4.02-4.29 (m, 4H), 4.63 (s, 1H), 4.73 (s, 1H), 7.00 (s, 1H).
Less polar
1H NMR (アセトン-d6, δ) -0.12 (s, 3H), 0.02 (s, 3H), 0.92 (s, 9H), 3.445 (s, 3H), 3.451 (s, 3H), 3.51 (s, 3H), 4.00 (s, 3H), 3.94-4.24 (m, 4H), 4.63 (s, 1H), 4.76 (s, 1H), 6.96 (s, 1H).
1H NMR (アセトン-d6, δ) -0.01 (s, 3H), 0.00 (s, 3H), 0.92 (s, 9H), 3.40 (s, 3H), 3.43 (s, 3H), 3.46 (s, 3H), 3.47 (s, 3H), 3.98-4.28 (m, 4H), 4.02 (s, 3H), 4.75 (s, 1H), 7.04 (s, 1H).
Less polar
1H NMR (アセトン-d6, δ) -0.02 (s, 3H), 0.00 (s, 3H), 0.91 (s, 9H), 3.39 (s, 3H), 3.43 (s, 3H), 3.44 (s , 3H), 3.46 (s, 3H), 3.99-4.25 (m, 4H), 4.01 (s, 3H), 4.77 (s, 1H), 7.03 (s, 1H).
1H NMR (アセトン-d6, δ) 0.12 (s, 3H), 0.13 (s, 3H), 0.90 (s, 9H), 1.15 (t, 3H, J = 7.1 Hz), 3.37 (d, 1H, J = 13.4Hz), 3.41 (d, 1H, J = 13.4 Hz), 3.48 (s, 2H), 3.68 (qd, 1H, J1 = 7.1 Hz, J2 = 8.9 Hz), 3.88 (qd, 1H, J1 = 7.1 Hz, J2 = 8.9 Hz), 3.97-4.19 (m, 4H), 7.16 (d, 1H, J = 7.5 Hz), 7.18 (d, 1H, J = 7.5Hz);
13C NMR (アセトン-d6, δ) -3.6, -3.3, 15.5, 18.4, 26.0 (3C), 47.4, 49.3, 60.7, 65.6, 65.9, 103.4, 110.1, 124.8, 125.9, 140.6, 141.3, 141.4, 141.7; IR (neat) 3061, 2930, 2857, 1609, 1472, 1464, 1435, 1390, 1347, 1242, 1133, 1058, 1014, 965, 900, 834, 782 cm-1; 元素分析 計算値 C20H30O4Si: C, 66.25; H, 8.34. 実測値: C, 66.28; H, 8.60.
1H NMR (アセトン-d6, δ) 0.06 (s, 3H), 0.14 (s, 3H), 0.89 (s, 9H), 1.14 (t, 3H, J = 7.0 Hz), 3.33 (d, 1H, J = 14.0 Hz), 3.46 (d, 1H, J = 14.0 Hz), 3.47 (s, 2H), 3.66 (qd, 1H, J1 = 7.0 Hz, J2 = 8.9 Hz), 3.79 (qd, 1H, J1 = 7.0 Hz, J2 = 8.9 Hz), 4.06 (s, 4H), 7.11 (d, 1H, J = 7.5 Hz), 7.22 (d, 1H, J = 7.5 Hz); 13C NMR (アセトン-d6, δ) -3.39, -3.37, 15.6, 18.5, 26.0 (3C), 47.1, 48.0, 60.5, 65.40, 65.44, 103.7, 109.9, 122.5, 123.6, 134.8, 143.0, 144.5, 149.5; IR (neat) 3062, 2932, 1602, 1472, 1412, 1390, 1351, 1252, 1207, 1144, 1038, 982, 938, 905, 834, 780, 730 cm-1. 元素分析 計算値 C20H30O4Si: C, 66.25; H, 8.34. 実測値: C, 66.33; H, 8.41.
1H NMR (アセトン-d6, δ) -0.03 (s, 3H), 0.05 (s, 3H), 0.93 (s, 9H), 3.41 (d, 1H, J = 13.8 Hz), 3.45 (s, 3H), 3.46 (d, 1H, J = 13.8 Hz), 3.50 (s, 3H), 4.04-4.15 (m, 4H), 4.69 (s, 1H), 7.25 (d, 1H, J = 7.6 Hz), 7.39 (d, 1H, J = 7.6 Hz); 13C NMR (アセトン-d 6, δ) -4.0, -3.7, 18.6, 25.9 (3C), 48.1, 51.7, 57.3, 65.27, 65.32, 88.2, 106.1, 109.7, 125.1, 126.5, 140.1, 140.4, 143.7, 144.5; IR (neat) 3061, 2928, 2828, 1602, 1472, 1418, 1389, 1362, 1334, 1244, 1204, 1141, 1087, 1012, 962, 898, 837, 800, 782 cm-1. 元素分析 計算値 C20H30O5Si: C, 63.46; H, 7.99. 実測値: C, 63.70; H, 8.05.
1H NMR (アセトン-d6, δ) 0.13 (s, 3H), 0.15 (s, 3H), 0.91 (s, 9H), 3.47 (s, 3H), 3.48 (s, 3H), 3.49 (s, 2H), 4.00-4.18 (m, 4H), 4.84 (s, 1H), 7.26 (d, 1H, J = 7.5 Hz), 7.38 (d, 1H, J = 7.5 Hz); 13C NMR (アセトン-d6, δ) -3.7, -3.3, 18.5, 26.1 (3C), 48.1, 52.7, 57.1, 65.7, 66.0, 90.0, 106.5, 110.1, 125.5, 126.7, 139.9, 141.4, 143.7, 144.7; IR (neat) 2958, 2928, 2855, 1260, 1080, 1019, 840, 800 cm-1. 高分解能質量分析 m/z = 378.1852 (378.1962 計算値 C20H30O5Si, M+)
1H NMR (アセトン-d6, δ) -0.09 (s, 3H), 0.04 (s, 3H), 0.92 (s, 9H), 3.44 (s, 3H), 3.49 (d, 1H, J = 14.5 Hz), 3.51 (s, 3H), 3.52 (d, 1H, 14.5 Hz), 4.06-4.14 (m, 4H), 4.79 (s, 1H), 7.25 (d, 1H, J = 7.7 Hz), 7.35 (d, 1H, J = 7.7 Hz); 13C NMR (アセトン-d 6, δ) -3.20, -3.18, 19.0, 26.3 (3C), 47.4, 51.9, 57.3, 65.5, 65.6, 87.6, 106.2, 109.8, 124.84, 124.87, 136.9, 143.7, 145.2, 147.8; IR (neat) 2956, 2928, 2855, 1460, 1420, 1358, 1258, 1208, 1152, 1115, 1073, 1043, 1006, 960, 912, 838, 815, 779 cm -1. 元素分析 計算値 C20H30O5Si: C, 63.46; H, 7.99. 実測値: C, 63.74; H, 8.24.
1H NMR (アセトン-d6, δ) 0.00 (s, 3H), 0.06 (s, 3H), 0.92 (s, 9H), 3.38 (s, 3H), 3.41 (s, 3H), 3.44 (s, 2H), 3.45 (s, 3H), 4.05-4.16 (m, 4H), 7.27 (d, 1H, J = 7.6 Hz), 7.45 (d, 1H, J = 7.6 Hz); 13C NMR (アセトン-d6, δ) -3.7, -3.3, 19.1, 26.4, 48.8, 51.1, 51.7, 52.4, 65.7, 65.9, 108.4, 110.1, 110.2, 125.1, 125.6, 140.8, 141.1, 144.8, 145.5; IR (neat) 2956, 2930, 2856, 1602, 1472, 1418, 1358, 1257, 1200, 1145, 1113, 1084, 1030, 1010, 972, 948, 837, 817, 782 cm-1. 元素分析 計算値C21H32O6Si: C, 61.73; H, 7.89. 実測値: C, 61.80; H, 8.05.
1H NMR (アセトン-d6, δ) -0.04 (s, 3H), 0.01 (s, 3H), 0.91 (s, 9H), 3.40 (s, 3H), 3.45 (s, 3H), 3.46 (s, 3H), 3.51 (s, 2H), 4.07-4.12 (m, 4H), 7.29 (d, 1H, J = 7.6 Hz), 7.43 (d, 1H, J = 7.6 Hz); 13C NMR (アセトン-d6, δ) -3.9, -3.8, 18.5, 25.8 (2C), 47.8, 51.0, 51.6, 51.7, 65.46, 65.49, 107.7, 109.7, 110.7, 124.7, 124.9, 137.1, 141.8, 144.7, 147.2; IR (neat) 2928, 2855, 1560, 1522, 1458, 1349, 1257, 1157, 1140, 1085, 1040, 946, 919, 837, 779 cm -1; 高分解能質量分析 m/z = 408.1952 (408.1968 計算値 C21H32O6Si, M+).
Claims (13)
- 下記式(1)で示されることを特徴とするジシクロブタベンゼン。
A1は、水素原子;又はC 1 〜C10炭化水素基であり、
A2は、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;又はC 6 〜C10アリールオキシ基である。
R1は、トリC1〜C10アルキルシロキシ基であり、
R2は、C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;又はシロキシ基であり、
R3及びR4は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;シロキシ基;アルキルチオ基(−SZ1、式中、Z1はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールチオ基(−SZ2、式中、Z2はC 6 〜C10アリール基を示す。);アルキルスルホニル基(−SO2Z3、式中、Z3はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールスルホニル基(−SO2Z4、式中、Z4はC 6 〜C10アリール基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。] - R2は、C 1 〜C10アルコキシ基である、請求項1に記載のジシクロブタベンゼン。
- 下記式(2)で示されることを特徴とするジシクロブタベンゼン。
A1は、水素原子;又はC 1 〜C10炭化水素基であり、
A2は、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;又はC 6 〜C10アリールオキシ基である。
R3及びR4は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;シリル基;アルキルチオ基(−SZ1、式中、Z1はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールチオ基(−SZ2、式中、Z2はC 6 〜C10アリール基を示す。);アルキルスルホニル基(−SO2Z3、式中、Z3はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールスルホニル基(−SO2Z4、式中、Z4はC 6 〜C10アリール基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。
但し、R3及びR4は、互いに架橋して、5員〜7員の炭化水素環又は複素環を形成してもよい。] - 下記式(3)で示されることを特徴とするジシクロブタベンゼン。
A3及びA4は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;又はC 6 〜C10アリールオキシ基である。
R5は、トリC1〜C10アルキルシロキシ基であり、
R6は、C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;又はシロキシ基であり、
R7及びR8は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;シリル基;アルキルチオ基(−SZ1、式中、Z1はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールチオ基(−SZ2、式中、Z2はC 6 〜C10アリール基を示す。);アルキルスルホニル基(−SO2Z3、式中、Z3はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールスルホニル基(−SO2Z4、式中、Z4はC 6 〜C10アリール基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。] - R6は、C 1 〜C10アルコキシ基である、請求項4に記載のジシクロブタベンゼン。
- 下記式(4)で示されることを特徴とするジシクロブタベンゼン。
A3及びA4は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;又はC 6 〜C10アリールオキシ基である。
R7及びR8は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;シリル基;アルキルチオ基(−SZ1、式中、Z1はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールチオ基(−SZ2、式中、Z2はC 6 〜C10アリール基を示す。);アルキルスルホニル基(−SO2Z3、式中、Z3はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールスルホニル基(−SO2Z4、式中、Z4はC 6 〜C10アリール基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。
但し、R7及びR8は、互いに架橋して、5員〜7員の炭化水素環又は複素環を形成してもよい。] - 下記式(5)で示されることを特徴とするトリシクロブタベンゼン。
R9は、トリC1〜C10アルキルシロキシ基であり、
R10は、C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;又はシロキシ基であり、
R11及びR12は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;シリル基;アルキルチオ基(−SZ1、式中、Z1はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールチオ基(−SZ2、式中、Z2はC 6 〜C10アリール基を示す。);アルキルスルホニル基(−SO2Z3、式中、Z3はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールスルホニル基(−SO2Z4、式中、Z4はC 6 〜C10アリール基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。] - 下記式(6)で示されることを特徴とするトリシクロブタベンゼン。
R11及びR12は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;シリル基;アルキルチオ基(−SZ1、式中、Z1はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールチオ基(−SZ2、式中、Z2はC 6 〜C10アリール基を示す。);アルキルスルホニル基(−SO2Z3、式中、Z3はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールスルホニル基(−SO2Z4、式中、Z4はC 6 〜C10アリール基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。
但し、R11及びR12は、互いに架橋して、5員〜7員の炭化水素環又は複素環を形成してもよい。] - 下記式(1)で示されるジシクロブタベンゼンの製造方法であって、
A1は、水素原子;又はC 1 〜C10炭化水素基であり、
A2は、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;又はC 6 〜C10アリールオキシ基である。
R1は、トリC1〜C10アルキルシロキシ基であり、
R2は、C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;又はシロキシ基であり、
R3及びR4は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;シリル基;アルキルチオ基(−SZ1、式中、Z1はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールチオ基(−SZ2、式中、Z2はC 6 〜C10アリール基を示す。);アルキルスルホニル基(−SO2Z3、式中、Z3はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールスルホニル基(−SO2Z4、式中、Z4はC 6 〜C10アリール基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。]
下記式(9)で示されるベンザインと、
下記式(10)で示されるエチレン誘導体と
を反応させることを特徴とするジシクロブタベンゼンの製造方法。 - R2は、C 1 〜C10アルコキシ基である、請求項9に記載のジシクロブタベンゼンの製造方法。
- 上記式(3)で示されるジシクロブタベンゼンの製造方法であって、
A3及びA4は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;又はC 6 〜C10アリールオキシ基である。
R5は、トリC1〜C10アルキルシロキシ基であり、
R6は、C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;又はシロキシ基であり、
R7及びR8は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;シリル基;アルキルチオ基(−SZ1、式中、Z1はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールチオ基(−SZ2、式中、Z2はC 6 〜C10アリール基を示す。);アルキルスルホニル基(−SO2Z3、式中、Z3はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールスルホニル基(−SO2Z4、式中、Z4はC 6 〜C10アリール基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。]
下記式(11)で示されるベンザインと、
下記式(12)で示されるエチレン誘導体と
を反応させることを特徴とするジシクロブタベンゼンの製造方法。 - R6は、C 1 〜C10アルコキシ基である、請求項11に記載のジシクロブタベンゼンの製造方法。
- 上記式(5)で示されるトリシクロブタベンゼンの製造方法であって、
R9は、トリC1〜C10アルキルシロキシ基であり、
R10は、C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;又はシロキシ基であり、
R11及びR12は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;C 1 〜C10炭化水素基;C 1 〜C10アルコキシ基;C 6 〜C10アリールオキシ基;シリル基;アルキルチオ基(−SZ1、式中、Z1はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールチオ基(−SZ2、式中、Z2はC 6 〜C10アリール基を示す。);アルキルスルホニル基(−SO2Z3、式中、Z3はC 1 〜C10アルキル基を示す。);アリールスルホニル基(−SO2Z4、式中、Z4はC 6 〜C10アリール基を示す。);水酸基;又はハロゲン原子である。]
下記式(13)で示されるベンザインと、
下記式(14)で示されるエチレン誘導体と
を反応させることを特徴とするトリシクロブタベンゼンの製造方法。
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