JP4472469B2 - プローブ部材の修正方法、及びプローブ部材の製造方法 - Google Patents
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Description
このようなプローブ部材の一例として、ウエハ一括コンタクトボードの一部を構成する部材であって被検査物とのコンタクト部分を構成する部材であるウエハ一括コンタクトボード用プローブ部材が開発されている。
図10は、このようなプローブ部材の製造方法の一例を示す断面図である。
まず、図10(1)に示すように、銅箔104とポリイミドフィルム105を貼りあわせた構造の積層フィルム103を、張力を持たせてSiCリング106に張り付けた構造(メンブレンを有する構造)の中間部品を用意する。
次に、図10(2)に示すように、積層フィルム103におけるポリイミドフィルム105の所定の位置に、エキシマレーザーを用いて、直径約26μmφ程度のバンプホール108を形成する。
次に、銅箔104の表面がメッキされないように保護した後、銅箔104にメッキ用電極の一方を接続してNiの電解メッキを行う。図10(3)に示すように、メッキはバンプホール108を埋めるようにして成長した後、ポリイミドフィルム105の表面に達すると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し、硬質Niからなるコアバンプ109(高さ:25μm、直径:60μm、バンプ間ピッチ:160μm)が形成される。
次に、銅箔104上にレジストを塗布し、露光、現像によりレジストパターンを形成し(図示せず)、このレジストパターンをマスクにして、銅箔104をエッチングして、図10(4)に示すように孤立パッド110(導電性回路の一形態)を形成する。
以上の工程を経て、被検査物上に形成された極微細で極狭ピッチの極めて多数の接触対象部に対応して、極微細で極狭ピッチのバンプ接点を極めて多数形成してなるプローブ部材が製造される。
従来、このようなバンプ高さのバラツキに起因してコンタクト不良を起こす場合については、不良バンプ接点のみを個別に修正することが出来ず、通常不良扱いになっていた。 それでもあえて高さをそろえる修正を行おうとする場合、プローブ部材よりサイズの大きい、平らなサンドペーパーもしくは表面を荒らした平らなセラミック板等で処理する手法がある(特許文献1[0010]欄)が、この手法では必然的に全バンプ接点が処理されてしまう。
詳しくは、周辺バンプ接点より高さの高いバンプ接点が存在する場合においては、係る手法によって全バンプ接点を処理することによって、図14(a)及び(b)に示すように、周辺バンプ接点より高さの高いバンプ接点のバンプ頂部(トップ)を大きく研磨して周辺バンプ接点と高さをそろえているが、その他のバンプ接点の頂部(トップ)も研磨されてしまう。つまり、この場合の問題点と課題は、(1)バンプトップを削って行くためバンブと被検査物の接点面積は広くなり、単位面積当たりの接触加重は減少し、接触抵抗が上昇し、特に周辺バンプ接点より高さの高いバンプ接点は大きく研磨されるため接触抵抗が大きく上昇してしまうこと、(2)所定のバンプ接点以外のバンプ接点まで加工されてしまうこと、(3)図14(c)に示すように、研磨する際バンプ接点に横方向の力がかかり、バンプの根本にストレスが発生し、バンプ接点が抜け落ちる危険性や、バンプ接点に接続された導電性回路にクラックが入る危険性があること、である。
また、周辺バンプ接点より高さの低いバンプ接点が存在する場合においては、係る手法によって全バンプ接点を処理することによって、多数のバンプ接点のうちの大半を占める正常な高さのバンプ接点の頂部(トップ)を研磨して高さの低いバンプ接点と高さをそろえることが可能であるが、これでは、正常な高さの多数のバンプ接点についてバンプトップが削られて接触抵抗が上昇してしまうため、製品の要求品質面で現実的でない。また、図14(c)に示すように、研磨する際バンプに横方向の力がかかり、バンプの根本にストレスが発生し、バンプが抜け落ちる危険性や、バンプに接続された導電性回路にクラックが入る危険性がある。
(構成1)絶縁性基板の一方の面に所定の高さばらつきに抑えるべく形成された多数の半球状或いは略半球状の形状を有するバンプ接点と、該絶縁性基板の何れかの面又は内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有するプローブ部材における前記バンプ接点のうち、所定の高さばらつきから逸脱した高さの高いバンプ接点を修正するプローブ部材の修正方法であって、
前記所定の高さばらつきから逸脱した高さの高いバンプ接点の修正は、前記バンプ接点の表面を溶融又は除去可能なエネルギーを前記バンプ接点の表面に照射して行うことを特徴とするプローブ部材の修正方法。
(構成2)絶縁性基板の一方の面に所定の高さばらつきに抑えるべく形成された多数の半球状或いは略半球状の形状を有するバンプ接点と、該絶縁性基板の何れかの面又は内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有するプローブ部材における前記バンプ接点のうち、所定の高さばらつきから逸脱した高さの低いバンプ接点が存在する場合におけるプローブ部材の修正方法であって、
前記所定の高さばらつきから逸脱した高さの低いバンプ接点が存在する場合における修正は、前記所定の高さばらつきから逸脱した高さの低いバンプ接点の周辺にあるバンプ接点の表面を溶融又は除去可能なエネルギーを前記バンプ接点の表面に照射して行うことを特徴とするプローブ部材の修正方法。
(構成3)前記バンプ接点の表面にレーザー光を照射してバンプ接点の修正を行うことを特徴とする構成1又は2記載のプローブ部材の修正方法。
(構成4)絶縁性基板の一方の面に所定の高さばらつきに抑えるべく形成された多数の半球状或いは略半球状の形状を有するバンプ接点と、該絶縁性基板の何れかの面又は内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有するプローブ部材の製造方法であって、
前記バンプ接点を絶縁性基板の表面から突出するようにメッキ成長させた後、前記バンプ接点の高さばらつきを測定する工程と、
前記測定した結果から所定の高さばらつきから逸脱した高さの高いバンプ接点を特定する工程と、
前記特定された高さの高いバンプ接点の表面に溶融又は除去可能なエネルギーを照射して高さを低減させ所定の高さばらつきの範囲に修正する工程と、
を有することを特徴とするプローブ部材の製造方法。
(構成5)絶縁性基板の一方の面に所定の高さばらつきに抑えるべく形成された多数の半球状或いは略半球状の形状を有するバンプ接点と、該絶縁性基板の何れかの面又は内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有するプローブ部材の製造方法であって、
前記バンプ接点を絶縁性基板の表面から突出するようにメッキ成長させた後、前記バンプ接点の高さばらつきを測定する工程と、
前記測定した結果から所定の高さばらつきから逸脱した高さの低いバンプ接点を特定する工程と、
前記特定された高さの低いバンプ接点の周辺にあるバンプ接点の表面に溶融又は除去可能なエネルギーを照射して高さを低減させ、前記特定された高さの低いバンプ接点がコンタクト可能となる高さまで修正する修正する工程と、
を有することを特徴とするプローブ部材の製造方法。
(構成6)前記バンプ接点の高さばらつきは、前記絶縁性基板面内のバンプ接点の大きさから求めることを特徴とする構成4又は5記載のプローブ部材の製造方法。
(構成7)前記バンプ接点の表面にレーザー光を照射して前記バンプ接点の高さを低減させることを特徴とする構成4乃至6の何れか一に記載のプローブ部材の製造方法。
(構成8)前記レーザー光は、前記バンプ接点の表面を複数の領域に分割して照射することを特徴とする構成7記載のプローブ部材の製造方法。
(発明の実施の形態)
つまり、本発明では、図1に示すように、周辺バンプより高さの高いバンプ接点がありコンタクト不良を起こす場合(図1(a))については、そのバンプ接点にレーザーなどのエネルギーを照射し(図1(b))、隣接バンプと同レベルになるよう低くする(所定の高さばらつき範囲に修正する)(図1(c))ことにより、プローブ部材のコンタクト不良の問題を解消できる(構成1、4)。
また、周辺バンプより高さの低いバンプ接点がありコンタクト不良を起こす場合については、周辺バンプより高さの低いバンプ接点の周辺の隣接バンプ接点にレーザーなどのエネルギーを照射して隣接バンプ接点の高さを低くしてコンタクト性を改善する(コンタクト可能な高さに修正する)ことにより、プローブ部材のコンタクト不良の問題を解消できる(構成2、5)。隣接バンプ接点とは、高さの低いバンプの周囲にあるバンプ接点であって、高さの低いバンプ接点のすぐ隣にあるバンプ接点(1つ目のバンプ接点)の他、高さの低いバンプ接点のすぐ隣の更に隣にあるバンプ接点(2つ目のバンプ接点)等を含む。後者の場合、周辺バンプより高さの低いバンプ接点に向かって、隣接バンプ接点の高さを順次低くしていきコンタクト性を改善する(コンタクト可能な高さに修正する)ことができる。
バンプ接点の球面を出来るだけ維持しながら高さ修正するためには、修正すべきバンプ接点の表面を複数の領域に分割し、分割された複数の領域について順次又は同時に、かつ部分的に、レーザー照射することが好ましい(構成8)。分割する領域のサイズは、バンプ直径の約1/4程度〜約1/6程度の正方形又は円形が好ましい。
バンプ接点の球面を出来るだけ維持しながら高さ修正する方法としては、図2(a)〜(c)に示すように、適当なスポットサイズに調整されたレーザービームを用い、バンプ周辺部から順次レーザー照射(例えば1から8の順番で照射)していき(図2(b))、最後に中心部に照射する(例えば9の領域を照射する)(図2(c))とバンプの球面を維持しやすい。
レーザーをバンプ接点全面又は全面に近い大面積に照射するとバンプ頂部が平らになる、バンプが折れてしまう、等の不都合があるので、適当なスポットサイズに調整されたレーザービームを部分的に照射することが好ましい。なお、適当なスポットサイズに調整されたレーザービームをバンブ頂部のみレーザー照射すると、バンブ頂部が平らになるか、或いはバンブ頂部がへこんでしまうので、接触面積が大きくなり接触抵抗が増大する。
バンプの球面を出来るだけ維持しながら加工する他の方法としては、図3(a)、(b)に示すように、レーザーマスクを利用して、レーザーを部分的(バンプ接点全面でなく部分的)に照射する方法が挙げられる。レーザーマスクの好ましい一態様を図4に示す。レーザーマスクを利用する場合、各開口部(全ての開口部)に対して同時照射できるので生産性が良い。
レーザー照射による作用の発現により、メッキ法では形成不可能な、粗さ、形態(断面プロファイル)を有するバンプ接点が得られる。
図5〜8は、図2の方法(詳細条件は実施例1の条件)を適用して得られるバンプ接点の様子を示す電子顕微鏡(SEM)写真であり、図5はレーザー修正前のバンプ接点を電子顕微鏡で斜め方向から撮影した図、図6はレーザー修正後のバンプ接点を電子顕微鏡で斜め方向から撮影した図、図7はレーザー修正後のバンプ接点を電子顕微鏡で上方(真上)から撮影した図、図8はレーザー修正後のバンプ接点を電子顕微鏡で斜め方向から拡大撮影した図である。図5〜8に示すように、本願発明によって、メッキ法では形成不可能な、粗さ、形態(断面プロファイル)を有するバンプ接点が得られる。
図9は、図2の方法(詳細条件は実施例1の条件)を適用して得られるバンプ接点をレーザー顕微鏡で観察した結果を示す図であり、レーザー修正後のバンプ接点を上方(真上)から撮影すると共に断面プロファイルを求めた図(明瞭化のため写真中の断面プロファイルを写真外にも図示した)である。
本発明のプローブ部材の製造方法においては、例えば、隣のバンプより3μm以上高い場合に修正する。また、隣のバンプより3μm以上低いバンプがある場合、周囲のバンプをレーザーで削って高さ低くし、高さの違いを小さくする(なだらかにする)ことによってクッション性利用してコンタクト可能となる。
電解メッキ法でコアバンプを形成する方法においては、例えば、絶縁性基板に導電層及びバンプホール(バンプを形成するための穴であり、バンプ接点と導電性回路とを接続するための穴)を形成した後、メッキ浴に浸漬して導電層を陰極として導通し、バンプホール内にメッキを成長させてバンプホールを埋めるように成長させた後、更にメッキを続けることによって、絶縁性基板の表面から等方的に広がってほぼ半球状に成長し、絶縁性基板の表面から突出して形成されたバンプ接点(コアバンプ)が形成される。
絶縁性フィルムにバンプホールを形成する方法としては、例えば、レーザー加工、リソグラフイー法(エッチング法を含む)、プラズマ加工、光加工、機械加工等が挙げられる。微細加工性、加工形状の自由度、加工精度のなどの点からレーザー加工が好ましい。
本発明においては、バンプ接点(コアバンプ)の表面にメッキ等を施す(単層又は多層)ことができる。バンプ表面のメッキ材料としては、Ni、Au、Ag、Cu、Sn、Co、In、Rh、Cr、W、Ruまたはこれらの金属成分を主とする合金等が好ましい。
導電性回路を形成する方法としては、絶縁性基板の全面に導電性材料層を形成し、目的の回路パターンを残すように他の部分をエッチング等によって除去する方法等が挙げられる。
(実施例1)
図11に半導体検査用コンタクトボードの一例としてウエハ一括コンタクトボードの一具体例を示す。
ウエハ一括コンタクトボードは、図11に示すように、ウエハ一括コンタクトボード用多層配線基板(以下、多層配線基板という)10上に、異方性導電ゴムシート20を介して、プローブ部材30を固定した構造を有する。
プローブ部材30は、被検査素子と直接接触するコンタクト部分を受け持つ。プローブ部材30においては、絶縁性フィルム32の一方の面には孤立バンプ33が形成され、他方の面には孤立バンプ33と一対一で対応して孤立パッド34が形成されている。絶縁性フィルム32は、熱膨張による位置ずれを回避するため低熱膨張率のリング31に張り渡されている。孤立バンプ33は、ウエハ40上の各半導体ディバイス(チップ)の周縁又はセンターライン上に形成された電極(1チップ約600〜1000ピン程度で、この数にチップ数を乗じた数の電極がウエハ上にある)に対応して、この電極と同じ数だけ対応する位置に形成されている。
多層配線基板10は絶縁性フィルム32上に孤立する各バンプ33に孤立パッド34を介して所定のバーンイン試験信号等を付与するための配線及びパッド電極(図示せず)を絶縁性基板の上に有する。多層配線基板10は配線が複雑であるため多層配線構造を有する。また、多層配線基板10では、熱膨張による絶縁性フィルム32上の孤立パッド34との位置ずれによる接続不良を回避するため低熱膨張率の絶縁性基板を使用している。
異方性導電ゴムシート20は、多層配線基板10上のパッド電極(図示せず)と絶縁性フィルム32上の孤立パッド34とを電気的に接続する接続部品であって、主面と垂直な方向にのみ導電性を有する弾性体(シリコン樹脂からなり、金属粒子が前記孤立パッド34及び前記パッド電極に対応する部分に埋め込まれた異方性導電ゴム)を有するシート状の接続部品である。異方性導電ゴムシート20は、シートの表面に突出して形成された異方性導電ゴムの凸部(図示せず)で絶縁性フィルム32上の孤立パッド34に当接することで、ゴムの弾性、可撓性と絶縁性フィルム32の可撓性との両者が相まって、半導体ウエハ40表面の凹凸及び孤立バンプ33の高さのバラツキ等を吸収し、半導体ウエハ上の電極と絶縁性フィルム32上の孤立バンプ33とを確実に接続する。
前述の図10で説明した方法によって同様のウエハ一括コンタクトボード用プローブ部材を作製した。
(検査工程)
(1)バンプ高さ検査を行ない、修正すべきバンプを特定する。
詳しくは、バンプ高さ検査方法は、顕微鏡(×50倍)にて、プローブ部材上に突出して形成された全面かつ全数のバンプを顕微鏡を用いて目視検査する。具体的には、バンプ径とバンプ高さは比例するので、バンプの径を隣接バンプと比較していき、相対的に大きいもの、小さいものの近くにマジック等でマーキングして目印を付ける。
(2)マーキングしたバンプとその隣接バンプとの差をレーザー顕微鏡(倍率:〜660倍)にて測定し、スペック内(隣接するバンプ接点の高さの差が3μm以下であること)か否か判定する。
(レーザー照射によるバンプ修正工程)
(3)レーザーリペア装置を用い修正した。
(4)バンプ付きメンブレンを顕微鏡ステージに置き、500倍に拡大、ディスプレイにモニターする。
(5)レーザー光の照射エリアを決める(バンプ径の約1/5程度の正方形にする)
(6)Nd:YAGレーザー発信機を起動させ、第2高調波(波長:532nm)のレーザー光(5mJ/pulse、ビーム径:20μm)をバンプ表面に照射し、バンプ接点の半球状の形状を維持しながら、バンプ表面金属を少しづつ溶融、除去していく。
このときレーザー照射はバンプの外周付近を初めに、だんだん内側を加工していくことがバンプ形状を維持させやすい。
(7)加工が終わったプローブ部材を、柔らかいスポンジを用い、洗浄剤(界面活性剤)にて洗浄後、純水等で水洗する。
上記レーザー照射によるバンプ修正工程を実施せず、プローブ部材よりサイズの大きい表面を荒らした平らなセラミック板を用いてバンプ修正(研磨)を実施したこと以外は上記実施例1と同様にしてウエハ一括コンタクトボード用プローブ部材を得た。
図11に示すように、ウエハ一括コンタクトボード用多層配線基板10の所定の位置に、異方性導電ゴムシート20を貼り合わせ、さらに、上記で製作しかつ修正したプローブ部材30を貼り合わせて、ウエハ一括コンタクトボードを完成した。
ウエハ上の電極とプローブ部材の孤立バンプとを位置を合わせした後チャックで固定し、その状態でバーンイン装置に入れ125℃の動作環境にて試験した。評価対象は、64MDRAMが400チップ形成され、12000箇所にAl電極を有する8インチウェハとし、コンタクトを繰り返した。
その結果、実施例1では全バンプ接点の良好なコンタクトが確認された。また、テープ剥離試験を実施したがバンプ接点の抜け落ちは発生しなかった。
比較例1では、テープ剥離試験においてバンプが抜け落ちたり、バンプに接続された導電性回路にクラックが入ることが確認された。また、比較例1の修正を行っても、コンタクト不良を起こすバンプ接点が存在するケースがあり、プローブ部材が不良扱いとなるケースがあった。
なお、実施例1の手法と比較例2の手法とを比較した結果をまとめたものを図12に示す。
比較例1のセラミック研磨では、バンプ接点の硬度が硬いため、研磨による修正が容易でない。研磨によって力がかかりすぎると、バンプが抜け落ちたり、バンプに接続された導電性回路にクラックが入り易くなるため、バンプに対するダメージが大きい。
接触抵抗及びその安定性に関しては、実施例1では全バンプ接点について1Ω以下と安定性が高いが、比較例1では10Ω〜∞(無限大)と不安定であった。
20 異方性導電ゴムシート
30 プローブ部材
31 リング
32 絶縁性フィルム
33 バンプ接点
34 パッド
40 シリコンウエハ
Claims (6)
- 絶縁性基板の一方の面に所定の高さばらつきに抑えるべく形成された多数の半球状或いは略半球状の形状を有するバンプ接点と、該絶縁性基板の何れかの面又は内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有する、被検査物上に形成された接触対象部に対して電気的な接触を行うためのプローブ部材における前記バンプ接点のうち、所定の高さばらつきから逸脱した高さの高いバンプ接点を修正するプローブ部材の修正方法であって、
前記所定の高さばらつきから逸脱した高さの高いバンプ接点の修正は、前記バンプ接点の表面を溶融又は除去可能なエネルギーを有するレーザー光を、前記バンプ接点の表面に、前記バンプ接点の表面を複数の領域に分割し当該分割された複数の領域について照射し、前記バンプの球面を維持しながら修正を行うことを特徴とするプローブ部材の修正方法。 - 絶縁性基板の一方の面に所定の高さばらつきに抑えるべく形成された多数の半球状或いは略半球状の形状を有するバンプ接点と、該絶縁性基板の何れかの面又は内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有する、被検査物上に形成された接触対象部に対して電気的な接触を行うためのプローブ部材における前記バンプ接点のうち、所定の高さばらつきから逸脱した高さの低いバンプ接点が存在する場合におけるプローブ部材の修正方法であって、
前記所定の高さばらつきから逸脱した高さの低いバンプ接点が存在する場合における修正は、前記所定の高さばらつきから逸脱した高さの低いバンプ接点の周辺にあるバンブ接点の表面を溶融又は除去可能なエネルギーを有するレーザー光を、前記バンプ接点の表面に、前記バンプ接点の表面を複数の領域に分割し当該分割された複数の領域について照射し、前記バンプの球面を維持しながら修正を行うことを特徴とするプローブ部材の修正方法。 - 前記プローブ部材は、ウエハ一括バーイン試験用のプローブ部材であることを特徴とする請求項1または2記載のプローブ部材の修正方法。
- 絶縁性基板の一方の面に所定の高さばらつきに抑えるべく形成された多数の半球状或いは略半球状の形状を有するバンプ接点と、該絶縁性基板の何れかの面又は内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有する、被検査物上に形成された接触対象部に対して電気的な接触を行うためのプローブ部材の製造方法であって、
前記バンプ接点を絶縁性基板の表面から突出するようにメッキ成長させた後、前記バンプ接点の高さばらつきを測定する工程と、
前記測定した結果から所定の高さばらつきから逸脱した高さの高いバンプ接点を特定する工程と、
前記特定された高さの高いバンブ接点の表面を溶融又は除去可能なエネルギーを有するレーザー光を、前記バンプ接点の表面に、前記バンプ接点の表面を複数の領域に分割し当該分割された複数の領域について照射し、前記バンプの球面を維持しながら高さを低減させ所定の高さばらつきの範囲に修正する工程と、
を有することを特徴とするプローブ部材の製造方法。 - 絶縁性基板の一方の面に所定の高さばらつきに抑えるべく形成された多数の半球状或いは略半球状の形状を有するバンプ接点と、該絶縁性基板の何れかの面又は内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有する、被検査物上に形成された接触対象部に対して電気的な接触を行うためのプローブ部材の製造方法であって、
前記バンプ接点を絶縁性基板の表面から突出するようにメッキ成長させた後、前記バンプ接点の高さばらつきを測定する工程と、
前記測定した結果から所定の高さばらつきから逸脱した高さの低いバンプ接点を特定する工程と、
前記特定された高さの低いバンプ接点の周辺にあるバンブ接点の表面を溶融又は除去可能なエネルギーを有するレーザー光を、前記バンプ接点の表面に、前記バンプ接点の表面を複数の領域に分割し当該分割された複数の領域について照射し、前記バンプの球面を維持しながら高さを低減させ、前記特定された高さの低いバンプ接点がコンタクト可能となる高さまで修正する工程と、
を有することを特徴とするプローブ部材の製造方法。 - 前記プローブ部材は、ウエハ一括バーイン試験用のプローブ部材であることを特徴とする請求項4または5記載のプローブ部材の製造方法。
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