JPH0968547A - プローブ構造およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 検査対象物のバンプ接点の頂部がプローブ構
造のバンプ接点と圧接されても画像認識不能な程の変形
が生じないプローブ構造を提供すること。 【解決手段】 絶縁性基板１の片面に設けられたバンプ
接点２と、他面または内部に設けられた導電回路３とが
導通された構造を有し、該バンプ接点２は後記（Ａ）に
示す形状であるプローブ構造とその製造方法。（Ａ）絶
縁性基板１の片面に、検査対象物上のバンプ接点に対応
する位置に設けられるバンプ接点であって、バンプ接点
が占有すべき領域内には２以上の開口部４がその内部底
面に導電回路３が露出するよう設けられ、各開口部内に
は導電体材料５が充填され、さらに基板表面から突き出
すように形成され、一つの領域内の全ての開口部から成
長した導電体材料同士が互いに合体してこの領域全部を
占有し、一つのバンプ接点となるまでさらに成長したバ
ンプ接点。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ接点を接触
対象物とする場合に好適なプローブ構造およびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器においては、小型化、軽
量化が加速度的に進んでおり、さらにＬＳＩの発展によ
って高速化が進んでいる。小型化および軽量化には、Ｌ
ＳＩの集積度の向上および高機能化、さらにＬＳＩパッ
ケージの小型化が大きく寄与している。一方、高速化に
ついては、信号ラインの短尺化による実現が試みられて
おり、特に、ＬＳＩから外部の端子までの距離を最も短
くすることができるベアチップ実装が注目されている。

【０００３】従来、半導体素子の良否を判定するバーン
インテストはパッケージ化がなされた半導体素子に対し
て行なわれていた。そのため、不良となった半導体素子
については素子そのものが無駄になるだけでなく、パッ
ケージまでが無駄となっていた。さらに、マルチチップ
モジュールなどのように複数の半導体素子がパッケージ
化されてなる半導体装置においては、複数のチップのう
ちひとつでも不良が発生した場合、良品であるチップも
再利用できない場合が多いため、コスト的なデメリット
が大きかった。

【０００４】これらの背景をもとに、パッケージ前のベ
アチップの状態で良否を判定するベアチップバーンイン
テストが考案され、電子機器に搭載する前に良品チップ
を選別することが可能になった。ベアチップには、外部
回路と接続するために電極パッド上にバンプ接点が形成
されたものがある。バンプ接点は、半田等の導電性材料
からなる突起状の接点である。このバンプ接点付きベア
チップは、従来のアルミ電極パッドをもったチップに対
するようなワイヤーボンドを用いた接続は必要なく、フ
リップチップボンダーと言われる専用の実装機器を使用
して基板上に全ピン一括で接続が行われる。そのため、
多数のピンを有するチップでも非常に高速に実装するこ
とが可能である。この実装方法においては、チップに形
成されたバンプ接点を画像認識装置によって確認するこ
とによってチップ自体の位置が確認され、バンプ接点と
外部回路の電極との相対位置が正確に決定され、実装さ
れる。

【０００５】従って、検査対象物のバンプ接点に対し
て、プローブ構造側のバンプ接点を接触させる場合、従
来のような、即ち半球状あるいはマッシュルーム形状の
ような曲率の大きなバンプ接点を用いると、検査対象物
のバンプ接点の頂部が大きく変形し、自動的な画像認識
が不能となる。

【０００６】また一方、検査対象物のバンプ接点を溶融
させてプローブ構造の接触部と接合しバーンインテスト
を行う場合もある。しかしながら、バーンインテストの
終了後、該チップは機械的にプローブ構造との接合部か
ら剥離されるため、バンプ接点の頂部に不定の変形が生
じ、この変形によって、前述と同様、自動的な画像認識
が不能となる。この問題を解消するために、特開平５−
８２６１６号公報には、バーンインテストの終了後、機
械的にテスト回路の接合部から剥離されることによって
生じたバンプ接点の変形を、チップをリフロー炉に通す
ことによって整形する方法が開示されている。しかし、
この方法においては、チップが熱的ダメージを受けるお
それがあり、かつバンプ接点を整形する工程を要するた
めコストが高くなるという問題がある。

【０００７】また、ベアチップが実装されるチップキャ
リアにセラミック基板が用いられているため、チップキ
ャリアが平面性に富んでいる反面、チップ側のバンプ接
点の高さのばらつきをチップ側で吸収することができな
い。よって、バンプ接点とプローブ構造とをコンタクト
するためには、バンプ接点を溶融させ高さのばらつきを
調整する必要がある。この調整の工程によってもチップ
が熱的ダメージを受けるおそれがあり、かつ工程が増え
るためコストが高くなるという問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題を解決し、検査対象物であるバンプ接点の頂部がそ
の圧接によって画像認識不能な程変形することを抑制す
ることが可能なプローブ構造を提供することである。ま
た、本発明の他の目的は、本発明による上記プローブ構
造の好ましい製造方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のプローブ構造
は、以下の特徴を有するものである。 （１） 絶縁性基板の一方の面に設けられたバンプ接点
と、該絶縁性基板の他方の面または内部に設けられた導
電回路とが導通された構造を有し、前記バンプ接点が、
バンプ接点が占有すべき領域内に設けられた２以上の開
口部から突き出した導電体材料が互いに合体したもので
あるプローブ構造。

【００１０】（２） 絶縁性基板の一方の面に設けられ
たバンプ接点と、該絶縁性基板の他方の面または内部に
設けられた導電回路とが導通された構造を有し、前記バ
ンプ接点が下記（Ａ）に示すものであることを特徴とす
るプローブ構造。 （Ａ）絶縁性基板の一方の面に、検査対象物上のバンプ
接点に対応する位置に設けられるバンプ接点であって、
バンプ接点が占有すべき領域内には２以上の開口部が該
開口部の内部底面に導電回路が露出するよう設けられ、
各開口部内には導電体材料が充填され、導電体材料はさ
らに絶縁性基板の表面から突き出すように形成され、一
つの領域内の全ての開口部から突き出し成長した導電体
材料同士が互いに合体してこの領域全部を占有し、一つ
のバンプ接点となるまでさらに成長するように形成され
てなるバンプ接点。

【００１１】（３） バンプ接点が占有すべき領域内に
設けられる開口部の数が３以上であって、それらの配置
が、全ての開口部が同一直線上に並ぶ配置を除いた配置
である上記（１）または（２）記載のプローブ構造。

【００１２】（４） バンプ接点が占有すべき領域内に
設けられる開口部の数が９であって、それらの配置が３
×３の正方行列状である上記（３）記載のプローブ構
造。

【００１３】（５） 開口部の絶縁性基板表面における
内径が５μｍ〜２００μｍであり、各開口部のピッチが
該内径の１．２〜３．０倍であり、バンプ接点の高さが
開口部の該内径の０．２〜３．０倍である上記（１）ま
たは（２）記載のプローブ構造。

【００１４】また、本発明のプローブ構造の製造方法は
以下の特徴を有するものである。 （６）上記（１）〜（５）のいずれかに記載のプローブ
構造の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）、
（ｂ）の工程を含むことを特徴とするプローブ構造の製
造方法。 （ａ）片側の面または内部に導電回路が設けられた絶縁
性基板の、前記導電回路が設けられていない側の面に対
して、検査対象物上のバンプ接点に対応する位置にプロ
ーブ構造のバンプ接点となるべき領域を設定し、一つの
領域内に２以上の開口部を該開口部の内部底面に導電回
路が露出するよう設ける工程。 （ｂ）上記（ａ）の開口部内に導電体材料を充填し、さ
らに導電体材料を絶縁性基板の表面から突き出すように
成長させ、一つの領域内の全ての開口部から突き出し成
長した導電体材料同士が互いに合体してこの領域全部を
占有し、一つのバンプ接点となるまでさらに成長させる
バンプ接点の形成工程。

【００１５】（７）開口部を設けるための加工が、波長
４００ｎｍ以下のレーザー光を絶縁性基板に照射して行
なうものである上記（６）記載のプローブ構造の製造方
法。

【００１６】

【作用】本発明のプローブ構造は、バンプ付きチップ
等、検査対象物に設けられたバンプ接点を接触の対象と
し、その検査対象物に重ね合わせ、多点同時に接触させ
て用いられる面状のプローブ構造であって、その構造に
よって主に次の作用が示される。 プローブ構造のバンプ接点は２以上の開口部から突
き出した導電体材料が互いに合体して形成されているた
め、検査対象物のバンプ接点との接触面積が広くなり、
また検査対象物のバンプ接点と圧接させた場合、検査対
象物のバンプ接点の頂上付近の変形を最小限に抑え、い
びつな変形を防ぐことが可能になる。 プローブ構造のバンプ接点の頂部を平坦にできるた
め、検査対象物のバンプ接点と圧接して、その頂部に変
形を生じさせたとしても、略平坦な形状への変形にとど
めることができる。 プローブ構造の基板を可撓性とすることによって、
半導体素子に形成されたバンプ接点の高さの不均一性を
吸収することができ、これによって確実な電気的接触を
行うことが可能となる。

【００１７】また、従来の半球状またはマッショルーム
形状のバンプ接点の頂部を、後工程において平坦に加工
しようとする場合、例えば、プレスのような圧縮手段を
もってバンプ接点を高さ方向に圧縮する場合、これを支
持する柔軟なフレキシブル基板や内部の導通路には何の
影響も与えず、基板上のバンプ接点だけを平坦に変形さ
せることは困難である。これに対して、本発明のプロー
ブ構造では、頂部の曲率が小さく緩和されたバンプ接
点、さらには頂部が平坦なバンプ接点を、後工程ではな
く、バンプ接点自体の形成工程において、しかも従来と
同様の工程数で形成することができる。この作用を得る
ために本発明では、先ず、フレキシブル基板上の各バン
プ接点が占有すべき各領域内に、各々２以上の開口部を
設けている。各開口部の内部底面には導電回路が露出し
ている。次に、各開口部内に導電体材料を充填し、導電
体材料をさらに絶縁性基板の表面から突き出すように成
長させる。この導電体材料の成長をさらに継続すると、
一つの領域内の全ての開口部から突き出し成長した導電
体材料同士は互いに合体し、その後さらに成長して領域
全部を占有する一つのバンプ接点となり、その頂部の形
状は、平坦な形状に近づくのである。

【００１８】各バンプ接点が占有すべき各領域内に設け
られる開口部は、目的のバンプ接点の形状に重要な影響
を与えるものであり、その孔径やピッチ等の好ましい仕
様は実施例において詳述する。１つの領域内に２つまた
はそれ以上の開口部を直線的に配置していても、それら
から突き出した導電体材料が合体して１つのバンプを形
成すれば、本発明の目的を達成しうる。特に、開口部の
数を３以上とし、全ての開口部が同一直線上に並ぶこと
を除いた配置がより好ましく、この時、平坦な頂部を形
成することが容易となる。とりわけ、開口部を正三角形
や正方形の頂点に配置して組み合わせることによって、
頂部の形状をより好ましい平坦に近づけることができ
る。

【００１９】ここで頂部が平坦なバンプ接点とは、検査
対象物のバンプ接点にバーンインテスト後に再成形が必
要となる程の変形を与えないような面を頂部に有するバ
ンプ接点を言う。また、バンプ接点の頂部の曲率が緩和
されたとは、本発明の２以上の開口部から形成したバン
プ接点の頂部の曲率が、該開口部を一つだけ用いて形成
したバンプ接点の頂部の曲率よりも小さいことを言う。

【００２０】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明のプローブ構造
およびその製造方法をより詳細に説明する。図１は、本
発明によるプローブ構造の一実施例を模式的に示す断面
図である。同図に示すように、本発明のプローブ構造
は、絶縁性基板１の一方の面に設けられたバンプ接点２
と、該絶縁性基板１の他方の面に設けられた導電回路３
とが導通された構造を有する面状のプローブ構造であ
る。バンプ接点２は絶縁性基板１の一方の面において、
検査対象物上のバンプ接点に対応する位置に所望の領域
を占有するように設けられている。同図は、説明のため
に、複数の開口部から突起したバンプ接点の成長のよう
すを段階的に示した図である。また、図２（ａ）に示す
ように、一つの領域内には９個の開口部４が３×３の正
方行列状に配置されて設けられており、該開口部４の内
部底面には、導電回路３が露出している。さらに、図１
に示すように、各開口部４内には導電体材料５が充填さ
れ、この導電体材料がさらに絶縁性基板１の表面から突
き出すような形状２ａに形成され、一つの領域内の全て
の開口部４から突き出して成長した導電体材料同士が、
Ｐ点にて互いに合体し、さらに２ｂ、２ｃの形状に成長
する。導電体材料が所望の領域全部を占有し、平坦な頂
部を形成した時点で導電体材料の成長は停止されること
によって、平坦な頂部を有する一つのバンプ接点２が形
成されている。

【００２１】絶縁性基板に用いられる材料としては、電
気絶縁性を有するものであれば特に限定されない。ま
た、絶縁性基板は適度な可撓性を有したものが好まし
く、検査対象物上のバンプ接点に対する電気的な接触試
験、特にバーンインテストにおいて、高さにばらつきの
ある検査対象物上の複数のバンプ接点に対して圧接によ
り容易に電気的な接続を行うことができる。具体的に
は、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系
樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリルニトリル−
ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹脂、ポリカ
ーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂などの熱硬化性樹
脂が挙げられ、これらのうち、耐熱性および機械的強度
に優れているポリイミド系樹脂が特に好適に使用され
る。絶縁性基板の厚さは、後述のように、バンプ接点の
頂部を平坦に成長させるための重要なパラメータの一つ
であり、５μｍ〜１５０μｍ、特に１０μｍ〜１００μ
ｍが好ましい。

【００２２】バンプ接点は、検査対象物上のバンプ接点
に対応する位置に設けられるものであって、バンプ接点
が占有すべき領域の直下または導通可能な位置には導電
回路が配置される。バンプ接点は、２以上の開口部から
突き出した導電体材料が互いに合体したものであれば特
に限定されないが、頂部の曲率が緩和されているものが
好ましく、さらに頂部が平坦なものであれば特に好まし
い。また、バンプ接点の頂部を平坦とするには、作用の
説明において述べたように、開口部の数を３以上とし、
且つ、開口部の配置を全ての開口部が同一直線上に並ん
だ配置以外の配置とすれば簡単にできる。特に、正三角
形を構成単位とするネットワーク状の配置や、正方形を
構成単位とする行列状の配置が好ましく、このような配
置とすることによってバンプ接点の頂部はより平坦に近
づく。本実施例は、上記のように１つのバンプ接点の領
域につき、開口部を３×３の正方行列状に配置した例で
ある。

【００２３】本発明では、上記開口部の配列の他に、絶
縁性基板表面における開口部の内径、開口部のピッチ、
開口部のテーパ、開口部の深さ、バンプ接点の高さ等が
重要なパラメータとなる。絶縁性基板表面における開口
部の内径は、５μｍ〜２００μｍ、特に１０μｍ〜１０
０μｍが好ましい。開口部のピッチは、複数の開口部を
等間隔に配列する際の隣合った開口部の中心軸間距離で
あって、行列状の配置では行方向、列方向のピッチがあ
る。ピッチは上記開口部の内径の１．２倍〜３．０倍と
することが好ましい。開口部の形状は、円筒状であって
もよいが、テーパとする場合は基板表面に対して垂直な
直線と開口部内壁とがなす角度を７deg 〜１５deg 程度
とすることが好ましい。

【００２４】開口部の深さは、絶縁性基板の厚さ、また
は、絶縁性基板の表面から露出する導電回路表面までの
距離によって決定されるものであって、５μｍ〜１５０
μｍであることが好ましく、特に好ましくは１０μｍ〜
１００μｍである。バンプ接点の高さは、バンプ接点が
占有する面積と共に初期の段階で決定され、開口部の諸
仕様を決定するための目標値であり、導電体材料の成長
を停止する時のめやすでもある。検査対象物がベアチッ
プである場合、バンプ接点の実使用上の高さは、通常５
μｍ〜６５μｍ程度であって、バンプ接点の高さが開口
部の内径の０．２倍〜３．０倍となることが好ましく、
この程度の高さで導電体材料の成長を停止したとき、バ
ンプ接点の頂部が平坦となるように、開口部の諸仕様を
決定するというパラメータの設定順序が好ましい。

【００２５】導電回路を形成する材料としては、導電性
を有するものであれば特に限定されず、公知の金属材料
が好ましく使用できる。例えば金、銀、銅、白金、鉛、
錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロ
ム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、または
これらを成分とする各種合金、例えば、半田、ニッケル
−錫、金−コバルトなどの導電性材料が挙げられる。

【００２６】導電回路の形成方法としては、アディティ
ブ法とサブトラクティブ法とが挙げられる。アディティ
ブ法は、公知の成膜法によって絶縁性基板上に導電回路
のパターンを描画し形成する方法である。サブトラクテ
ィブ法は、絶縁性基板と導体層との積層体から、エッチ
ング等によって回路パターンが残るように導体層を除去
する方法である。

【００２７】導電体材料としては、例えば金、銀、錫、
鉛、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、パラ
ジウム、などの各種金属、またはこれらを成分とする各
種合金を用いることができる。また、開口部を充填する
物質とバンプ接点を形成する物質とは、同一の物質であ
っても別の物質であってもよく、目的に応じて選択す
る。例えば開口部には、銅などの低抵抗で安価な金属を
充填し、半導体素子の電極等に対して接触部となるバン
プ接点には金など接触信頼性の高い金属を用いてもよ
い。半導体素子のバンプ接点が半田で形成されている場
合には、バーンインテストにおけるマイグレーションに
よって、当該プローブ構造側のバンプ接点が汚染されな
いよう、少なくとも当該プローブ構造側のバンプ接点の
表層にロジウムメッキを施すことが好ましい。

【００２８】開口部内に導電体材料を充填し、さらにバ
ンプ接点を成長させる方法としては、電解メッキや無電
解メッキなどのメッキ法、蒸着（真空）による堆積法等
が挙げられるが、導通回路を電極とした電解メッキによ
る方法が、形状コントロールを高精度に行うことが可能
であるので好ましい。

【００２９】次に、本発明のプローブ構造の製造方法を
本実施例の製造工程を示して説明する。図２は、製造工
程において加工されたプローブ構造の、基板面の状態を
示す図であって、図２（ａ）は、導電回路を有する絶縁
性基板に開口部が設けられた状態、図２（ｂ）は、バン
プ接点が形成された状態を示す図である。先ず、絶縁性
基板の片側の面または内部に、公知の方法によって導電
回路を形成する。本実施例では絶縁性基板１の片側の面
上に導電回路をエッチングによって形成した。バンプ接
点が設けられる部分は、電極パッドとして他の回路部分
よりも広い領域として形成されている。なお、絶縁性基
板の内部に導電回路が設けられた構造とする場合は、絶
縁性基板上に導電回路を形成し、その導電回路を絶縁性
樹脂層で被覆する方法等が挙げられる。

【００３０】次に、図２（ａ）に示すように、この絶縁
性基板１の、導電回路３が設けられていない側の面に対
して、検査対象物上のバンプ接点に対応する位置にバン
プ接点となるべき領域ｅを設定し、該領域ｅ内に複数
（本実施例では３×３の正方行列状の配置）の開口部４
を設け、その内部底面に導電回路を露出させる。

【００３１】開口部の形成方法としては、パンチングな
どの機械的穿孔方法、フォトリソグラフィー加工、プラ
ズマ加工、化学エッチング加工、レーザー加工などが挙
げられる。ファインピッチ化に対応するためには微細加
工が可能なレーザー加工が好ましく、特に波長域が４０
０ｎｍ以下であるエキシマレーザーによるアブレーショ
ン加工が望ましい。エキシマレーザーによるアブレーシ
ョン加工を行う場合には、絶縁性基板の材料として紫外
領域に大きな吸収スペクトルを持つポリイミド系の樹脂
を用いることが好ましい。

【００３２】次に、図１に示すように、開口部内に導電
体材料を充填し、さらに導電体材料を絶縁性基板の表面
から突き出すように成長させ、一つの領域内の全ての開
口部から突き出し成長した導電体材料同士が互いに合体
してこの領域全部を占有し、所望の高さとなり、頂部が
平坦となった時点で導電体材料の成長を終了する。この
工程によって、図２（ｂ）に示すように頂部が平坦なバ
ンプ接点２が形成でき、好ましい。

【００３３】バンプ接点を過剰に成長させると、バンプ
接点の頂部が、図１において２点鎖線で示したように凸
面状となり好ましくない。

【００３４】〔製造実験例〕上記実施例のプローブ構造
を実際に製造し、バンプ接点の頂部の形状を確認した。
各部の仕様は次の通りである。 絶縁性基板；（材料）ポリイミド、（厚さ）２５μｍ。 導電回路；（材料）銅、（厚さ）１７μｍ。 バンプ接点；（予定高さ）３８μｍ。（導電性材料）Ｎ
ｉ。 開口部；（絶縁性基板の表面における内径）φ４０μ
ｍ、（配置）３×３正方行列、（行方向・列方向のピッ
チ）１００μｍ、（開口部内のテーパ）９．７６deg。 上記設定条件から開口部内に導電性材料であるＮｉを充
填し、さらに突起させて成長させたところ、予定高さ３
８μｍにおいて、バンプ接点の頂部が平坦な状態となっ
たことが確認できた。

【００３５】〔比較実験例１〕本比較実験例では、上記
製造実験例と同様のバンプ接点の領域内に、開口部が一
つだけ設けられた場合のバンプ接点の頂部の形状を確認
した。図３は本比較実験例で得られたバンプ接点の断面
を模式的に示す図である。絶縁性基板１、導電回路３、
開口部４１の内径、深さ、テーパ等は、上記製造実験例
における開口部４と同じである。同図に示すように、開
口部が単一の場合は、バンプ接点を上記製造実験例と同
一の高さまで成長させても、頂部は従来のバンプ接点と
同様の球面状となり、２点鎖線で示した上記製造実験例
と同様の平坦に近い状態は得られなかった。

【００３６】〔比較実験例２〕本比較実験例では、上記
比較実験例１の開口部の孔径をより拡大し、上記製造実
験例と同様のバンプ接点の領域内に、３×３正方行列の
開口部を包含し得る大口径の開口部を一つだけ設け、そ
のときのバンプ接点の頂部の形状を確認した。図４は本
比較実験例で得られたバンプ接点の断面を模式的に示す
図である。同図に示すように開口部４２を大口径とした
場合、上記比較実験例１よりも曲率が緩和されたが、２
点鎖線で示した上記製造実験例と同様の平坦に近い状態
は得られなかった。

【００３７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明のプローブ
構造とその製造方法によって、高さにばらつきのある複
数のバンプ接点であっても、圧接により容易に残らず電
気的な接続を行うことができる。またベアチップ状態で
バーンインテストを安定的に行うことができる。さら
に、バーンインテスト後の電子装置への搭載時に、バン
プ接点の頂部形状に対する画像認識不良を回避すること
が可能となり、バーンインテスト後の変形を矯正する整
形工程を省くことができ、生産性を向上させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプローブ構造の一実施例を模式的
に示す断面図である。

【図２】本発明によるプローブ構造の、製造工程におけ
る基板面の状態を示す図である。

【図３】比較実験例１で得られたバンプ接点の断面を模
式的に示す図である。

【図４】比較実験例２で得られたバンプ接点の断面を模
式的に示す図である。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板 ２ バンプ接点 ３ 導電回路 ４ 開口部 ５ 導電体材料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/321 Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｔ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板の一方の面に設けられたバン
   プ接点と、該絶縁性基板の他方の面または内部に設けら
   れた導電回路とが導通された構造を有し、前記バンプ接
   点が、バンプ接点が占有すべき領域内に設けられた２以
   上の開口部から突き出した導電体材料が互いに合体した
   ものであるプローブ構造。
2. 【請求項２】 絶縁性基板の一方の面に設けられたバン
   プ接点と、該絶縁性基板の他方の面または内部に設けら
   れた導電回路とが導通された構造を有し、前記バンプ接
   点が下記（Ａ）に示すものであることを特徴とするプロ
   ーブ構造。 （Ａ）絶縁性基板の一方の面に、検査対象物上のバンプ
   接点に対応する位置に設けられるバンプ接点であって、
   バンプ接点が占有すべき領域内には２以上の開口部が該
   開口部の内部底面に導電回路が露出するよう設けられ、
   各開口部内には導電体材料が充填され、導電体材料はさ
   らに絶縁性基板の表面から突き出すように形成され、一
   つの領域内の全ての開口部から突き出し成長した導電体
   材料同士が互いに合体してこの領域全部を占有し、一つ
   のバンプ接点となるまでさらに成長するように形成され
   てなるバンプ接点。
3. 【請求項３】 バンプ接点が占有すべき領域内に設けら
   れる開口部の数が３以上であって、それらの配置が、全
   ての開口部が同一直線上に並ぶ配置を除いた配置である
   請求項１または２記載のプローブ構造。
4. 【請求項４】 バンプ接点が占有すべき領域内に設けら
   れる開口部の数が９であって、それらの配置が３×３の
   正方行列状である請求項３記載のプローブ構造。
5. 【請求項５】 開口部の絶縁性基板表面における内径が
   ５μｍ〜２００μｍであり、各開口部のピッチが該内径
   の１．２〜３．０倍であり、バンプ接点の高さが開口部
   の該内径の０．２〜３．０倍である請求項１または２記
   載のプローブ構造。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載のプロー
   ブ構造の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）、
   （ｂ）の工程を含むことを特徴とするプローブ構造の製
   造方法。 （ａ）片側の面または内部に導電回路が設けられた絶縁
   性基板の、前記導電回路が設けられていない側の面に対
   して、検査対象物上のバンプ接点に対応する位置にプロ
   ーブ構造のバンプ接点となるべき領域を設定し、一つの
   領域内に２以上の開口部を該開口部の内部底面に導電回
   路が露出するよう設ける工程。 （ｂ）上記（ａ）の開口部内に導電体材料を充填し、さ
   らに導電体材料を絶縁性基板の表面から突き出すように
   成長させ、一つの領域内の全ての開口部から突き出し成
   長した導電体材料同士が互いに合体してこの領域全部を
   占有し、一つのバンプ接点となるまでさらに成長させる
   バンプ接点の形成工程。
7. 【請求項７】 開口部を設けるための加工が、波長４０
   ０ｎｍ以下のレーザー光を絶縁性基板に照射して行なう
   ものである請求項６記載のプローブ構造の製造方法。