JP4469006B2 - Manufacturing method of display substrate - Google Patents
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Description
本発明は、フラットパネルディスプレイ等の表示用基板の製造方法に関する。 The present invention relates to the production how the display substrate such as a flat panel display.
半導体製造装置やフラットパネルディスプレイ製造装置などの基板処理装置において処理を施す基板の固定手段として、静電チャックが用いられている。そのような基板処理装置では、静電チャックに静電吸着力を発揮させて静電チャック上に基板を固定した状態の下でプロセス処理を実施し、プロセス処理の終了後に静電吸着力を除去して静電チャックから基板を離脱させる。このように、静電チャックを有する基板処理装置では、静電チャックに対する基板の吸着と離脱とが繰り返し行われる。 An electrostatic chuck is used as means for fixing a substrate to be processed in a substrate processing apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus or a flat panel display manufacturing apparatus. In such a substrate processing apparatus, the electrostatic chucking force is exerted on the electrostatic chuck and the process is performed with the substrate fixed on the electrostatic chuck, and the electrostatic chucking force is removed after the process processing is completed. Then, the substrate is detached from the electrostatic chuck. As described above, in a substrate processing apparatus having an electrostatic chuck, adsorption and separation of the substrate with respect to the electrostatic chuck are repeatedly performed.
基板が直接接触する静電チャックの吸着面は、基板との接触を繰り返すことにより、本来の初期清浄状態と比較して次第に汚染が進行する。この傾向は、装置の生産能力が向上して基板の処理数が増加することと比例して、より顕著になる。 The adsorption surface of the electrostatic chuck with which the substrate is in direct contact is gradually contaminated by repeated contact with the substrate as compared with the original initial clean state. This tendency becomes more prominent in proportion to the increase in the production capacity of the apparatus and the increase in the number of substrates processed.
静電チャックの吸着面に汚染物が付着すると吸着性能が低下することが知られており、静電チャックの吸着面を清浄化させることで静電チャックの吸着力を復帰させることが可能である。そのための一手段として、静電チャックを基板処理装置から取り外し、静電チャックの製造工程で実施されるものと同様の洗浄処理を静電チャックに施すことが考えられる。 It is known that if the contaminants adhere to the chucking surface of the electrostatic chuck, the chucking performance will decrease, and it is possible to restore the chucking force of the electrostatic chuck by cleaning the chucking surface of the electrostatic chuck. . As one means for that, it is conceivable that the electrostatic chuck is removed from the substrate processing apparatus, and the cleaning process similar to that performed in the manufacturing process of the electrostatic chuck is performed on the electrostatic chuck.
しかしながら、完成した基板処理装置から静電チャックを取り外すには莫大な作業規模を要するため現実的でない。さらに、近年では処理する基板サイズの増大傾向に伴って静電チャックも大型化しているため、静電チャックの取り外し作業に関するデメリットはより大きくなる。 However, it is not realistic to remove the electrostatic chuck from the completed substrate processing apparatus because it requires a huge work scale. Furthermore, in recent years, the electrostatic chuck has also become larger with the trend of increasing the size of the substrate to be processed, so that the demerit related to the work of removing the electrostatic chuck becomes larger.
また、基板処理装置による基板処理速度向上及びプロセスのクリーン化が求められる傾向の中で、作業者が関与することなく無人かつ自動で静電チャックの表面の清浄化を図ることが求められている。その実現のために、特許文献1には、静電チャックの静電吸着表面に特殊なコーティングを実施することにより異物付着を防ぐという手段が提案されている。 In addition, in the trend that substrate processing speed improvement and process cleaning by a substrate processing apparatus are required, it is required to unattended and automatically clean the surface of the electrostatic chuck without involving the operator. . In order to achieve this, Patent Document 1 proposes a means for preventing foreign matter adhesion by performing a special coating on the electrostatic chucking surface of the electrostatic chuck.
図3は、特許文献1に開示された従来技術による静電チャックの概略構成図である。図3は静電チャックの基体を示している。この静電チャックは、絶縁体層1001と導電層1002とで構成される基板保持面上に基板を把持することが可能な構成となっている。この構成は、吸着面に複数の導電層1002を分散して積層させることにより、形成される導電性異物が被吸着体である基板に付着することを大幅に低下でき、また異物の存在による吸着力低下を抑制、防止することを企図したものである。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an electrostatic chuck according to the prior art disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG. FIG. 3 shows the substrate of the electrostatic chuck. This electrostatic chuck has a configuration in which a substrate can be held on a substrate holding surface constituted by an
また、特許文献2には、静電チャックの残留電荷を除去する目的から静電チャックの表面状態を一定に保つ保守手段として、静電チャックに電磁波(熱輻射)を照射することによりその吸着面を高温にする手段が開示されている。 Further, in Patent Document 2, as a maintenance means for keeping the surface state of the electrostatic chuck constant for the purpose of removing the residual charge of the electrostatic chuck, the suction surface is obtained by irradiating the electrostatic chuck with electromagnetic waves (thermal radiation). A means for increasing the temperature is disclosed.
図4は、特許文献2に開示された従来技術による静電チャックの概略構成図である。図4に示すように、静電チャック2001は、ワークピース(基板)2002を吸着保持する。図4に示す静電チャック2001は、静電チャック201の吸着面に対向する位置に設置されているランプ2003,2004により静電チャック2001に放射線を照射する構成を備えている。静電チャック2001に残留電荷が存在すると、静電チャック2001からワークピース(基板)2002を離脱する際に残留電荷が抵抗となり、ワークピース(基板)2002を静電チャック2001から速やかに除去することができない。これに対し、図4に示す静電チャック2001は、ランプ2003,2004から静電チャック2001に放射線を照射することによって、静電チャック2001の残留電荷を除去することができる。そのため、ワークピース(基板)2002を静電チャック2001から速やかに除去することが可能である。
しかしながら、図3に示した構成の静電チャックでは、静電チャックの構成にコーティングなどの追加機能を設ける必要があるため、装置コストが増大してしまう。上述したように、近年では処理する基板サイズの増大傾向に伴って静電チャックも大型化しているため、コーティングなどを施す費用もそれに伴って著しく増大してしまう。 However, in the electrostatic chuck having the configuration shown in FIG. 3, it is necessary to provide an additional function such as coating in the configuration of the electrostatic chuck, which increases the cost of the apparatus. As described above, in recent years, the electrostatic chuck has been enlarged with the increasing trend of the size of the substrate to be processed, so that the cost of coating and the like has increased remarkably.
また、図4に示したように静電チャックの表面に電磁波を照射して高温にする手段は、静電チャックの残留電荷を除去する効果は得ることができるが、静電チャックの吸着面に付着した異物を除去する効果はほとんど期待することができない。その理由は、図4に示した静電チャックには、高温処理後の電荷移動経路に相当する付着異物の除去経路が設けられていないためである。すなわち、静電チャックの吸着面に外部エネルギーを付与することにより静電チャックの吸着面に付着した異物は除去しやすい状態にはなるが、異物は静電チャックの吸着面から離脱せずに表面上に存在したままである。そのため、静電チャックの吸着面への外部エネルギーの付与を停止すると、異物は再び静電チャックの吸着面に付着する可能性がある。 In addition, as shown in FIG. 4, the means for irradiating the surface of the electrostatic chuck with an electromagnetic wave to raise the temperature can obtain an effect of removing the residual charge of the electrostatic chuck. The effect of removing the adhered foreign matter can hardly be expected. The reason is that the electrostatic chuck shown in FIG. 4 is not provided with a removal path for adhered foreign matter corresponding to the charge transfer path after the high temperature treatment. That is, by applying external energy to the chucking surface of the electrostatic chuck, the foreign matter adhering to the chucking surface of the electrostatic chuck can be easily removed. Remains on top. Therefore, if the application of external energy to the chucking surface of the electrostatic chuck is stopped, the foreign matter may adhere to the chucking surface of the electrostatic chuck again.
本発明は、フラットパネルディスプレイ等の表示用基板等の製造工程において、静電チャックの吸着面に付着した異物を簡便な手法でかつ短時間で除去することを可能とする表示用基板の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention relates to a method of manufacturing a display substrate that can remove foreign matter adhering to the chucking surface of an electrostatic chuck in a short time in a manufacturing process of a display substrate such as a flat panel display. The purpose is to provide the law .
上記の目的を達成する本発明にかかる表示用基板の製造方法は、絶縁性材料で構成された吸着面を有する基材と、前記基材の内部に設けられ、前記吸着面の上に載置された基板を吸着するための静電吸着力を発生させる電極と、前記基材の内部に設けられ、前記基材を加熱する加熱手段と、前記吸着面の上に載置された前記基板と前記吸着面との間に形成された空間の内部を真空排気する真空排気手段と、を有する表示用基板製造装置における表示用基板の製造方法であって、当該表示用基板の製造方法が、
前記吸着面の上に前記基板と異なるダミーの基板を載置する載置工程と、
前記載置工程で前記ダミーの基板を前記吸着面の上に載置した後に、前記ダミーの基板を前記吸着面に密着させるために、前記真空排気手段によって前記空間の内部を真空排気する真空排気工程と、
前記真空排気工程で前記空間の内部を真空排気した後に、前記吸着面に付着した異物を前記吸着面から除去しやすくするために、前記加熱手段によって前記基材を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で前記基材を加熱した後に、前記吸着面に付着した異物を、前記吸着面から、前記吸着面に密着した状態になっている前記ダミーの基板に転写する転写工程と、
前記転写工程により前記異物が転写された前記ダミーの基板を、前記吸着面から取り除く除去工程と、を有することを特徴とする。
A method of manufacturing a display substrate according to the present invention that achieves the above object includes: a base material having an adsorption surface made of an insulating material; and a substrate provided inside the base material and placed on the adsorption surface An electrode for generating an electrostatic attraction force for adsorbing the formed substrate, a heating means provided inside the base material for heating the base material, and the substrate placed on the suction surface; And a vacuum evacuation unit that evacuates the space formed between the suction surface and the display substrate manufacturing apparatus. The display substrate manufacturing method includes:
A placing step of placing a dummy substrate different from the substrate on the suction surface;
After the dummy substrate is placed on the suction surface in the placing step, the inside of the space is evacuated by the vacuum evacuation means in order to bring the dummy substrate into close contact with the suction surface. Process,
A heating step of heating the substrate by the heating means in order to make it easier to remove foreign matter adhering to the suction surface after evacuating the interior of the space in the vacuum evacuation step;
A transfer step of transferring the foreign matter adhering to the suction surface from the suction surface to the dummy substrate in close contact with the suction surface after heating the base material in the heating step;
And removing the dummy substrate, to which the foreign matter has been transferred in the transfer step, from the suction surface.
本発明によれば、表示用基板の製造方法において、静電チャックの吸着面に付着した異物を簡便な手法でかつ短時間で除去することができる。 According to the present invention, in the method for manufacturing a display substrate, foreign matter adhering to the attracting surface of the electrostatic chuck can be removed in a short time with a simple method.
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1Aは、本発明の実施形態に係る表示用基板製造装置を構成する静電チャックの概略構成を示す断面図である。 FIG. 1A is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an electrostatic chuck constituting a display substrate manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
表示用基板製造装置を構成する静電チャック100の基材10の内部には、吸着面120に静電吸着力を発揮させる吸着用電極101と、静電チャック100を加熱する加熱手段である内蔵ヒータ102とが設けられている。吸着用電極101は吸着電源150と電気的に接続されており、内蔵ヒータ102は、内蔵ヒータ用電源160に電気的に接続されており、それらの電源から電力が供給されるようになっている。吸着用電極101と吸着電源150とは、静電チャック100の吸着面の上に載置された基板を吸着するための静電吸着力を発生させる静電吸着力発生手段として機能する。また、静電チャック100には、吸着面120に連通するように吸着面120とその反対側の面との間を貫通した真空排気用貫通口111が形成されている。静電チャック100の吸着面120とは反対側の面の開口部には真空排気用貫通口111の配管が接続され、その配管の他端には真空ポンプ170が接続されており、これらによって真空排気手段が構成されている。
Inside the
静電チャック100は、通常、ガラス基板200に処理を施す際にガラス基板200を固定するために用いられる。ガラス基板200の処理は、静電チャック100の吸着面120と接触するガラス基板200の面とは反対側の面に対して施される。静電チャック100の基材10は絶縁性材料からなり、本例では焼結型セラミックスで構成されている。ただし、本実施形態に適用できる静電チャック100の基材10の材質及び構成はこれに限られず、例えば静電チャック100の吸着面120のみが絶縁性材料で構成されていてもよい。
The
吸着用電極101は、吸着電源150から電圧が印加されることによって吸着面120に静電吸着力を発揮させる静電気を発生させ、これにより、静電チャック100の吸着面120上に載置されたガラス基板200が吸着面120に固定される。
The attracting
また、ガラス基板200は昇温することによって体積抵抗率が下がるため、ガラス基板200を加熱することで、静電チャック100による静電吸着の際により強い静電吸着力を発揮させることができる。そのため、内蔵ヒータ102は、静電チャック100の吸着面120上に載置されたガラス基板200を加熱することに用いられる。
Further, since the volume resistivity of the
さらに、真空排気用貫通口111は、静電チャック100の吸着面120とその上に載置されたガラス基板200との間に形成された微少な空間、例えば、冷却効果を高めるためのヘリウムガス等を流すための溝などを真空排気して、ガラス基板200を吸着面120上に真空吸着させるために用いられる。このような真空吸着は、通常は、静電チャック100による静電吸着を行う前にガラス基板200を吸着面120上に仮固定するために行われる。
Further, the vacuum exhaust through-
これらの吸着用電極101、内蔵ヒータ102、真空排気用貫通口111および真空ポンプ170は、静電チャックに一般的に備えられている構成である。本実施形態に係る静電チャックの清浄化方法は、静電チャックが一般的に備えているこれらの構成を用いて、静電チャックの吸着面120に付着した異物を簡便な手法でかつ短時間で除去することにある。本実施形態に係る静電チャックの清浄化方法は、例えば、表示用基板製造装置の全体的な動作と、静電チャック100の動作と、を司る制御部(不図示)により実行される。
The
静電チャックの清浄化方法の流れを図1Bのフローチャートを参照して説明する。静電チャックの清浄化方法は、表示用基板の製造方法の一部を構成する処理として実行される。 The flow of the electrostatic chuck cleaning method will be described with reference to the flowchart of FIG. 1B. The electrostatic chuck cleaning method is executed as a process constituting a part of the display substrate manufacturing method.
半導体製造装置やフラットパネルディスプレイ製造装置などの基板処理装置において静電チャック100を繰り返し使用すると、基板処理に伴って発生する異物が静電チャック100の吸着面120等に付着する。異物が吸着面120に付着するとガラス基板200の吸着力が低下し、基板処理中にガラス基板200が動いて不具合が生じるおそれがある。そのため、吸着面120に付着した異物は取り除く必要がある。静電チャック100によってガラス基板200を吸着する際には吸着力確認シーケンスが行われ、静電チャック100の清浄化は、そのときに所定の吸着力が得られていないことが検出された場合に行われる。
When the
ステップS101において、制御部は、吸着力確認シーケンスを実行して、静電チャック100の吸着力が所定の吸着力であるか否かを判定する。所定の吸着力が得られていない場合、処理はステップS102に進められる。一方、ステップS101の判定で、所定の吸着力が得られている場合、静電チャックの清浄化方法を実行せずに図1Bの処理は終了する。
In step S <b> 101, the control unit executes an attracting force confirmation sequence and determines whether or not the attracting force of the
静電チャック100の清浄化を行う場合には(S101−No)、まず、清浄な素ガラスであるダミーのガラス基板を、静電チャック100の吸着面120の上に載置する(S102)。そして、載置されたダミーのガラス基板を吸着面120に吸着させるために、吸着用電極101に吸着電源150が発生させた電圧を印加する。静電吸着力を発生させることによってダミーのガラス基板は吸着面120に吸着される(S102)。
When cleaning the electrostatic chuck 100 (S101-No), first, a dummy glass substrate, which is a clean raw glass, is placed on the
次に、真空ポンプ170を作動させて、吸着面120とダミーのガラス基板との間の微少空間の内部を、真空排気用貫通口111を介して真空排気する(S103)。このときの排気圧力は、たとえば1Pa以下とする。真空排気により、ダミーのガラス基板は吸着面120に密着した状態になる。
Next, the
次に、上記のように真空排気を行ったままの状態で、内蔵ヒータ用電源160から内蔵ヒータ102に電圧を印加し、静電チャック100の基材10を所定温度、例えば、120℃に加熱し、その所定温度の加熱状態を所定の時間維持する(本例では、例えば、120分間)(S104)。加熱により、吸着面120に付着していた異物を吸着面120から除去しやすくなる。
Next, a voltage is applied from the built-in
ステップS105において、吸着面120に付着していた異物を、吸着面120から、吸着面120に密着した状態になっているダミーのガラス基板に転写する。
In step S105, the foreign matter adhering to the
その後、真空ポンプ170を停止させて吸着面120とダミーのガラス基板との間に形成される微少空間の真空状態を大気圧の状態に戻すとともに(S106)、内蔵ヒータ用電源160からの電圧印加を停止して静電チャック100の基材10の温度を低下させる(S107)。そして、ダミーのガラス基板を不図示のロボットアームにより把持して、静電チャック100の上方に静かに持ち上げ、静電チャック100の吸着面120からダミーのガラス基板を取り除く(S108)。ダミーのガラス基板を吸着面120から取り除くことにより、ダミーのガラス基板に転写された異物は吸着面120から除去され、吸着面120の表面は清浄化される。
Thereafter, the
以上により、静電チャック100の清浄化方法が完了する。
Thus, the cleaning method for the
本実施形態の静電チャック100の清浄化方法によれば、内蔵ヒータ102により静電チャック100の基材10を加熱することにより、静電チャック100の吸着面120に付着した異物を吸着面120から除去しやすくなる。そして、その状態で吸着面120とガラス基板200との間の微少空間を真空排気してガラス基板200を吸着面120に密着させることにより、吸着面120に付着している異物はガラス基板200に転写される。
According to the cleaning method for the
このとき、その異物の一部は真空雰囲気中に蒸散して吸着面120から除去されることもある。静電チャック100の吸着面120に付着していた異物は、このようにしてガラス基板200に転写させることによって、吸着面120から取り除くことができる。そのため、静電チャック100の吸着面120を清浄化するために静電チャック100を基板処理装置から分解して取り外す必要がないので、静電チャック100の清浄化作業を簡単かつ短時間で行うことができる。
At this time, some of the foreign matter may be evaporated from the
上記の例では、静電チャック100の基材10を加熱する工程(S104)を、吸着面120とガラス基板200との間に形成される微少空間の内部を真空排気する工程(S103)に続いて行う場合を説明した。しかしこの両者の順序はこれに限られず、静電チャック100の基材10を加熱する工程(S104)を、吸着面120とダミーのガラス基板200との間に形成される微少空間の内部を真空排気する工程(S103)に先立って行ってもよい。
In the above example, the step of heating the
また、上述した例では、ステップS101において、表示用基板の製造方法の一部を構成する処理として、静電チャック100の吸着力が所定の吸着力であるか否かの判定結果に基づいて、静電チャック100の清浄化処理が実行される構成を説明した。しかしながら、本発明の趣旨は、この例に限定されず、例えば、静電チャック100の清浄化処理は、累積の基板の処理枚数が基準となる所定枚数を超えた場合に実行されるようにしてもよい。静電チャック100の清浄化処理は、表示用基板製造装置の停止時に実行可能であるが、その実行タイミングは、通常の基板処理の合間でもよいし、表示用基板製造装置の定期的な保守期間中であってもよい。すなわち、本実施形態の静電チャック100の清浄化処理は、表示用基板製造装置が停止しているいずれの時においても実行可能である。
In the above-described example, in step S101, as a process constituting a part of the display substrate manufacturing method, based on the determination result of whether or not the suction force of the
なお、基板処理装置内にプラズマを発生させて静電チャック100の吸着面120に付着した異物を分解除去する手法も考えられる。しかし、この場合には分解除去された異物が基板処理装置内に飛散して内壁等に付着してしまうため、基板処理装置の内部を清浄化する必要が新たに生じてしまう。これに対し、本実施形態の清浄化方法によればガラス基板200に異物を転写させて除去できるので、異物が飛散することはほとんどなく、清浄化のプロセスをクリーンな状態で行うことができる。また、異物を転写させたガラス基板200は、その異物を洗い落とすことで何度でも利用することができる。本例では、異物を転写させる部材として素ガラスであるガラス基板200を用いる場合を例示したが、上記の昇温温度に対する耐久性を有し、清浄かつ平滑な板状の部材であれば、より安価な他の材料からなる部材を適用することができる。
A method of generating plasma in the substrate processing apparatus and decomposing and removing foreign matter adhering to the
また、上記の清浄化工程では、真空ポンプ170による真空排気のみによってガラス基板200を静電チャック100の吸着面120に密着させる場合について説明した。より強い密着力を生じさせるために、真空排気による吸着に加えて、吸着用電極101に電圧を印加して発生させた静電吸着力によってガラス基板200を吸着面120に吸着させてもよい。
Further, in the above-described cleaning process, the case where the
図1Aには双極型の吸着用電極101を備えた構成が示されているが、静電チャック100の構成はこれに限られず、単極型の吸着用電極を備えた構成であってもよい。
Although FIG. 1A shows a configuration including a
なお、上記の清浄化工程によって静電チャック100の吸着面120を十分に清浄化できなかった場合には、真空排気及び加熱状態を維持する時間を240分に設定して上記と同じ工程を行う。それでもなお十分に清浄化できなかった場合には、真空排気及び加熱状態を維持する時間を720分に設定して上記と同じ工程を行う。このように清浄化工程を繰り返すことにより、静電チャック100の吸着面120を十分に清浄化することができる。
In addition, when the
図2は、本発明を適用できる真空処理装置の一例であるフラットパネルディスプレイ用成膜装置の概略構成を示す斜視図である。 FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a film forming apparatus for a flat panel display which is an example of a vacuum processing apparatus to which the present invention can be applied.
図2に示す装置では、同一サイズの複数の静電チャック部材100aが静電チャック配置用基台130上の同一平面内で縦横方向に分割され配置されている。複数の静電チャック部材100aが静電チャック配置用基台130上の同一平面内に複数配置されることによって静電チャック2100が構成されている。真空処理装置は、少なくともこの静電チャック2100を収容した真空チャンバ(不図示)を備えている。
In the apparatus shown in FIG. 2, a plurality of
図2に示す静電チャック2100は、吸着面120が全体として拡大するため、大型化した基板を吸着支持することが可能である。各々の静電チャック部材100aは図1Aに示した静電チャックと同じ構成を有している。また、各々の静電チャック部材100aは全て同一の大きさであってもよい。ただし、吸着電源150、内蔵ヒータ用電源160、および真空ポンプ170はそれぞれ1つのものを複数の静電チャック部材100aに共通化されている。具体的には、1つの吸着電源150が、吸着電源供給用分配端子151を介して、複数の静電チャック部材100aの各々に設けられた複数の吸着用電極(不図示)に接続されている。また、1つの内蔵ヒータ用電源160が、ヒータ電源供給用分配端子161を介して、複数の静電チャック部材100aの各々に設けられた複数の内蔵ヒータ(不図示)に接続されている。また、1つの真空ポンプ170が、真空排気配管の分配分岐用マニホールド171を介して、複数の静電チャック部材100aの各々に設けられた複数の前記真空排気用貫通口111に接続されている。
The
このような大型化した装置においても、静電チャック2100の吸着面120の清浄化工程は、図1Aを参照して説明した清浄化工程と同じ工程で行うことができる。したがって、静電チャック2100の吸着面120に付着していた異物は、静電チャック2100の吸着面120上に載置されたガラス基板に転写させることによって吸着面120から取り除くことができる。静電チャック2100の吸着面120を清浄化するために静電チャック2100を基板処理装置から分解して取り外す必要がないという本実施形態の清浄化方法の利点は、このように大型化した装置内に設置された静電チャックを清浄化する際には一層有利に働く。
Even in such a large-sized apparatus, the cleaning process of the
100 静電チャック
101 吸着用電極
102 内蔵ヒータ
111 真空排気用貫通口
200 ガラス基板
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記吸着面の上に前記基板と異なるダミーの基板を載置する載置工程と、
前記載置工程で前記ダミーの基板を前記吸着面の上に載置した後に、前記ダミーの基板を前記吸着面に密着させるために、前記真空排気手段によって前記空間の内部を真空排気する真空排気工程と、
前記真空排気工程で前記空間の内部を真空排気した後に、前記吸着面に付着した異物を前記吸着面から除去しやすくするために、前記加熱手段によって前記基材を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で前記基材を加熱した後に、前記吸着面に付着した異物を、前記吸着面から、前記吸着面に密着した状態になっている前記ダミーの基板に転写する転写工程と、
前記転写工程により前記異物が転写された前記ダミーの基板を、前記吸着面から取り除く除去工程と、
を有することを特徴とする表示用基板の製造方法。 A base material having an adsorption surface made of an insulating material, an electrode provided inside the base material, and generating an electrostatic adsorption force for adsorbing a substrate placed on the adsorption surface; A vacuum that is provided inside the base material and that evacuates the inside of the space formed between the heating means for heating the base material and the substrate placed on the suction surface and the suction surface. A display substrate manufacturing method in a display substrate manufacturing apparatus having an exhaust means, the manufacturing method of the display substrate,
A placing step of placing a dummy substrate different from the substrate on the suction surface;
After the dummy substrate is placed on the suction surface in the placing step, the inside of the space is evacuated by the vacuum evacuation means in order to bring the dummy substrate into close contact with the suction surface. Process,
A heating step of heating the substrate by the heating means in order to make it easier to remove foreign matter adhering to the suction surface after evacuating the interior of the space in the vacuum evacuation step;
A transfer step of transferring the foreign matter adhering to the suction surface from the suction surface to the dummy substrate in close contact with the suction surface after heating the base material in the heating step;
Removing the dummy substrate from which the foreign matter has been transferred by the transfer step from the suction surface;
A method for manufacturing a display substrate, comprising:
前記吸着面の上に前記基板と異なるダミーの基板を載置する載置工程と、
前記載置工程で前記ダミーの基板を前記吸着面の上に載置した後に、前記吸着面に付着した異物を前記吸着面から除去しやすくするために、前記加熱手段によって前記基材を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で前記基材を加熱した後に、前記ダミーの基板を前記吸着面に密着させるために、前記真空排気手段によって前記空間の内部を真空排気する真空排気工程と、
前記真空排気工程で前記空間の内部を真空排気した後に、前記吸着面に付着した異物を、前記吸着面から、前記吸着面に密着した状態になっている前記ダミーの基板に転写する転写工程と、
前記転写工程により前記異物が転写された前記ダミーの基板を、前記吸着面から取り除く除去工程と、
を有することを特徴とする表示用基板の製造方法。 A base material having an adsorption surface made of an insulating material, an electrode provided inside the base material, and generating an electrostatic adsorption force for adsorbing a substrate placed on the adsorption surface; A vacuum that is provided inside the base material and that evacuates the inside of the space formed between the heating means for heating the base material and the substrate placed on the suction surface and the suction surface. A display substrate manufacturing method in a display substrate manufacturing apparatus having an exhaust means, the manufacturing method of the display substrate,
A placing step of placing a dummy substrate different from the substrate on the suction surface;
After the dummy substrate is placed on the suction surface in the placing step, the base material is heated by the heating means in order to make it easy to remove foreign matters attached to the suction surface from the suction surface. Heating process;
A vacuum evacuation step of evacuating the interior of the space by the vacuum evacuation means in order to closely attach the dummy substrate to the suction surface after heating the base material in the heating step;
A transfer step of transferring foreign matter adhering to the suction surface from the suction surface to the dummy substrate in close contact with the suction surface after the inside of the space is evacuated in the vacuum evacuation step; ,
Removing the dummy substrate from which the foreign matter has been transferred by the transfer step from the suction surface;
A method for manufacturing a display substrate, comprising:
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