JP4468153B2 - テラヘルツイメージング装置およびテラヘルツイメージング方法 - Google Patents
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請求項2に係る発明のテラヘルツイメージング装置は、テラヘルツ光を試料へ照射するテラヘルツ光照射手段と、試料から発する透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される電気光学結晶と、電気光学結晶を移動させる移動機構と、電気光学結晶の透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される領域にプローブ光を照射するプローブ光照射手段と、移動機構により移動中の電気光学結晶から射出されるプローブ光を所定時間蓄積して撮像する撮像手段とを備えることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項1〜3のいずれかのテラヘルツイメージング装置において、移動機構は、電気光学結晶を透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される面と平行に並進移動させることを特徴とする。
請求項6に係る発明は、請求項1〜3のいずれかのテラヘルツイメージング装置において、移動機構は、電気光学結晶を透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される面と平行な面内で回転移動させることを特徴とする。
請求項7に係る発明は、請求項6のテラヘルツイメージング装置において、撮像手段は、電気光学結晶の結晶軸に基づいて所定強度以上のプローブ光が撮像されるように決定された位置で、撮像することを特徴とする。
請求項9に係る発明のテラヘルツイメージング方法は、テラヘルツパルス光を試料へ照射する工程と、試料から発する透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が結像される電気光学結晶上の領域へプローブ光を照射する工程と、電気光学結晶上の透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が結像する領域を移動する移動工程と、移動工程により移動された電気光学結晶の異なる領域からのプローブ光を2次元的に撮像する撮像工程と、撮像工程で撮像した異なる領域からの複数の画像から試料のテラヘルツ画像を生成する画像生成工程とを有することを特徴とする。
請求項10に係る発明のテラヘルツイメージング方法は、テラヘルツパルス光を試料へ照射する工程と、試料から発する透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が結像される電気光学結晶上の領域へプローブ光を照射する工程と、電気光学結晶上の透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が結像する領域を移動する移動工程と、移動工程により移動中の電気光学結晶からのプローブ光を2次元的に撮像する撮像工程とを有することを特徴とする。
〈第1の実施の形態〉
図1は、本発明の第1の実施の形態によるテラヘルツイメージング装置を模式的に示す全体構成図である。図2は、図1に示すテラヘルツイメージング装置の要部を示す斜視図である。図1,2では、同じ構成部品には同一符号を付し、XYZ直交座標で方向を表わす。
ルス目で蓄積を終了すればよい。
2のN枚の画像データの平均値演算を行う。以下詳細に説明する。
図3は、本発明の第2の実施の形態によるテラヘルツイメージング装置を説明する部分斜視図であり、図2に相当する図である。本実施の形態のテラヘルツイメージング装置200も、図1および図2に示される第1の実施の形態によるテラヘルツイメージング装置100と基本的な構成は同様であるので、相違点を主として説明する。図3においても、図1,2と同じ構成部品には同一符号を付し、XYZ直交座標で方向を表わす。第2の実施の形態のテラヘルツイメージング装置200は、ZnTe結晶板20を往復振動させながらCCD27で2次元画像を取得するものである。
図4は、本発明の第3の実施の形態によるテラヘルツイメージング装置を説明する部分斜視図であり、図2に相当する図である。本実施の形態のテラヘルツイメージング装置300も、第1および2の実施の形態によるテラヘルツイメージング装置100,200と基本的な構成は同様であるので、相違点を主として説明する。図4においても、図1〜3と同じ構成部品には同一符号を付し、XYZ直交座標で方向を表わす。
17:テラヘルツ光発生素子
19:ペリクルビームスプリッタ
20:ZnTe結晶板
25:偏光子
26:検光子
27:CCDカメラ
30:移動機構
31:振動機構
32:回転機構
40:制御・演算装置
100,200,300:テラヘルツイメージング装置
A1,A2,A4〜A9:結像領域
L1〜L3:レーザパルス光
T1,T2:テラヘルツパルス光
S:試料
Claims (10)
- テラヘルツ光を試料へ照射するテラヘルツ光照射手段と、
前記試料から発する透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される電気光学結晶と、
前記電気光学結晶を移動させる移動機構と、
前記電気光学結晶の透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される領域にプローブ光を照射するプローブ光照射手段と、
前記電気光学結晶から射出されるプローブ光を撮像する撮像手段と、
前記移動機構により、前記電気光学結晶上の透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される領域を変え、その異なる領域を用いて撮像された前記プローブ光の複数の画像から前記試料の透過テラヘルツ画像または反射テラヘルツ画像を生成する画像処理手段とを備えることを特徴とするテラヘルツイメージング装置。 - テラヘルツ光を試料へ照射するテラヘルツ光照射手段と、
前記試料から発する透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される電気光学結晶と、
前記電気光学結晶を移動させる移動機構と、
前記電気光学結晶の透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される領域にプローブ光を照射するプローブ光照射手段と、
前記移動機構により移動中の電気光学結晶から射出されるプローブ光を所定時間蓄積して撮像する撮像手段とを備えることを特徴とするテラヘルツイメージング装置。 - 請求項1または2に記載のテラヘルツイメージング装置において、
レーザ光源からのレーザ光を前記テラヘルツ光照射手段へ導く光と前記プローブ光照射手段へ導く光とに分岐する分岐光学素子を有することを特徴とするテラヘルツイメージング装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のテラヘルツイメージング装置において、
前記移動機構は、前記電気光学結晶を前記透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される面と平行に並進移動させることを特徴とするテラヘルツイメージング装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のテラヘルツイメージング装置において、
前記移動機構は、前記電気光学結晶を前記透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される面と平行に所定の振動数と振幅で振動させることを特徴とするテラヘルツイメージング装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のテラヘルツイメージング装置において、
前記移動機構は、前記電気光学結晶を前記透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が照射される面と平行な面内で回転移動させることを特徴とするテラヘルツイメージング装置。 - 請求項6に記載のテラヘルツイメージング装置において、
前記撮像手段は、前記電気光学結晶の結晶軸に基づいて所定強度以上の前記プローブ光が撮像されるように決定された位置で、撮像することを特徴とするテラヘルツイメージング装置。 - 請求項6に記載のテラヘルツイメージング装置において、
前記移動機構は、前記電気光学結晶を回転揺動させ、
前記撮像手段は、前記回転揺動する電気光学結晶からの前記プローブ光を所定時間蓄積して撮像することを特徴とするテラヘルツイメージング装置。 - テラヘルツパルス光を試料へ照射する工程と、
前記試料から発する透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が結像される電気光学結晶上の領域へプローブ光を照射する工程と、
前記電気光学結晶上の前記透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が結像する領域を移動する移動工程と、
前記移動工程により移動された前記電気光学結晶の異なる領域からの前記プローブ光を2次元的に撮像する撮像工程と、
前記撮像工程で撮像した異なる領域からの複数の画像から前記試料のテラヘルツ画像を生成する画像生成工程とを有することを特徴とするテラヘルツイメージング方法。 - テラヘルツパルス光を試料へ照射する工程と、
前記試料から発する透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が結像される電気光学結晶上の領域へプローブ光を照射する工程と、
前記電気光学結晶上の前記透過テラヘルツ光または反射テラヘルツ光が結像する領域を移動する移動工程と、
前記移動工程により移動中の前記電気光学結晶からの前記プローブ光を2次元的に撮像する撮像工程とを有することを特徴とするテラヘルツイメージング方法。
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