JP4460694B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,プラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のプラズマ処理装置において,上部電極は,プラズマ空間側からねじ止めすることにより冷却板に固定されている。上記従来のプラズマ処理装置では,上部電極を固定するねじがプラズマ空間に露出すると,励起プラズマによりねじが削られてプラズマ処理の精度が劣化するおそれがある。したがって,従来のプラズマ処理装置では,プラズマ空間側に露出したねじの頭を絶縁部材で覆うことのできる位置にしかねじを設けることができない。結果として,従来のプラズマ処理装置では,上部電極と冷却板とが両者の周縁部でのみ相互固定されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,かかる構成を有する従来のプラズマ処理装置では,ねじ止めされた周縁部から離れるに従って,上部電極と冷却板との間にすき間が発生し易くなり,上部電極から冷却板への熱伝達が劣化する。その結果,上部電極において周縁部と中央部付近とに大きな温度差が発生し,プロセスの不均一化を招くおそれがある。かかる問題は,例えば300mmウェハなどの大きな被処理体を処理する場合に重大な問題となる。また,プロセスが進行するに伴い上部電極の温度が上昇し,被処理体の処理枚数によってプロセスが不均一化するおそれがある。
本発明は、従来のプラズマ処理装置が有する上記その他の問題点に鑑みて成されたものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために,本発明は,被処理体が載置される下部電極と,前記下部電極に対向配置される上部電極と,前記上部電極の上に配置され熱伝達により前記上部電極を冷却する冷却板とを備え,前記上部電極または前記下部電極の少なくとも一方には高周波電源が接続されており,前記上部電極と前記冷却板とには処理ガスを導入するガス孔(ガス吐出孔)が形成されている,プラズマ処理装置において,前記ガス孔以外のところで前記冷却板の上から前記上部電極の途中まで挿入されて,前記上部電極と前記冷却板とを相互固定する固定手段を備える構成を採用する。
【0005】
本項記載の発明では,固定手段をプラズマが発生する空間に露出させることなく,冷却板と上部電極とを相互固定することができる。したがって,本項記載の発明では,プラズマ処理への影響を考えることなく,固定手段の設置位置および設置数を設定することができる。すなわち,本項記載の発明では,例えば固定手段の設置位置を均一に分布させる構成や上部電極の変形し易い部位に固定手段を相対的に多く設置する構成等を採用することができる。そのため,上部電極と冷却板との強固な相互固定が可能となり,両者間でのすき間の発生を防止することができる。結果として,本項記載の発明によれば,上部電極から冷却板への熱伝達効率の劣化が防止され,プロセスの不均一化の防止および上部電極の冷却効率の向上を図ることができる。
【0006】
また,本項記載の発明では,必ずしも,固定手段のプラズマが発生する空間への露出を防止する絶縁物を設ける必要がない。したがって,本項記載の発明によれば,プラズマ処理装置について,構成部材数の減少および設計自由度の向上を実現し,製造コスト削減を図ることができる。さらにまた,本項記載の発明では,冷却板側から挿入される固定手段を採用するために,必ずしも,例えばねじ止め用の貫通孔などを上部電極に形成する必要がない。したがって,上部電極の製造プロセスにおける破損の可能性を低減することができる。
【0007】
さらに,請求項2に記載の発明は,固定手段がねじである構成を採用する。本項記載の発明では,ねじ止めによって,上部電極と冷却板との強固な相互固定を比較的簡単に実現することができる。したがって,プラズマ処理装置の製造・組立が容易になる。さらに,本項記載の発明では,ねじを外すことにより,上部電極と冷却板とを容易に分離することができる。したがって,本項記載の発明によれば,上部電極のメンテナンスを簡単化することができる。
【0008】
また,本項記載の発明では,ねじ締めトルクを調整することにより,上部電極と冷却板との固定力の分布を調整し,効果的にすき間の発生を防止することができる。具体的には,本項記載の発明では,例えば中心付近などの上部電極の温度が上昇し易い部分でねじ締めトルクを大きくし例えば周縁部など比較的上部電極の温度が上昇し難い部分でねじ締めトルクを小さくすることにより,効果的にすき間の発生を防止することができる。
【0009】
さらに,請求項3に記載の発明は,上部電極と冷却板との間に熱伝達部材が挟み込まれている構成を採用する。本項記載の発明では,熱伝達部材により,冷却板と上部電極との間におけるすき間の発生を一層抑制することができる。したがって,上部電極上の各位置でほぼ均一に冷却板への熱伝達を行うことができるようになり,例えば上部電極の変形や励起プラズマの不均一分布等,上部電極上の不均一な温度分布による問題の発生を確実に防止することができる。なお,熱伝達部材には,少なくとも冷却板または上部電極のいずれかよりも軟らかい部材を適用することが好適である。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好適な実施の形態について,添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお,以下の説明及び添付図面において,同一の機能及び構成を有する構成要素については,同一符号を付することにより,重複説明を省略する。
【0011】
(第1の実施の形態)
まず,図1および図2を参照しながら,第1の実施の形態について説明する。なお,図1は,本実施の形態に係るプラズマ処理装置1の概略構成を示す断面図である。図2は,固定ユニット75および上部電極ユニット5の周辺におけるプラズマ処理装置1の概略的な分解図である。
図1に示すように,プラズマ処理装置1は,下部電極ユニット3と上部電極ユニット5と処理容器7とを備えている。
【0012】
プラズマ処理装置1において,処理容器7下部には下部電極ユニット3が設置される。また,処理容器7上部には固定ユニット75によって上部電極ユニット5が設置される。さらに,処理容器7内に形成される処理室71では,下部電極ユニット3の下部電極31と上部電極ユニット5の上部電極51との間に,プラズマ空間711が形成される。なお,プラズマ処理装置1において,処理容器7は保安接地されており,その処理容器7下部には排気系73が設けられている。
【0013】
プラズマ処理装置1において,下部電極ユニット3は,載置電極に相当する下部電極31と下部電極31上面に設置された静電チャック33とを備えている。かかる構成を有するプラズマ処理装置1では,下部電極31上に,静電チャック33を介して,被処理体に相当するウェハWが載置される。下部電極31の側面および下面は,絶縁物311で被覆されている。
【0014】
さらに,下部電極ユニット3は,下部電極31上に載置されたウェハWを囲むリング体35を備えている。
さらにまた,下部電極ユニット3は,静電チャック33に定電圧を印加する定電圧供給系37と下部電極31に高周波電圧を印加する高周波電圧供給系39とを備えている。下部電極ユニット3において,定電圧供給系37では,定電圧源371の一方の端子が静電チャック33内部の導体331に接続され,定電圧源371の他方の端子が接地されている。また,高周波電圧供給系39では,高周波電圧源393の一方の端子が接地され,高周波電圧源393の他方の端子が整合器391を介して下部電極31に接続されている。
【0015】
プラズマ処理装置1において,上部電極ユニット5は,プラズマ空間711を挟んで下部電極31に対向配置される上部電極51と上部電極51上方に配置される冷却板53とを備えている。さらに,上部電極ユニット5は,冷却板53上方に配され冷却板53上面との間にガス導入空間551を形成する中央部天板55を備えている。中央部天板55は,その周縁部において,冷却板53に接触している。なお,本実施の形態では,上部電極51を例えばシリコンから形成し,冷却板53を例えばアルミニウムから形成し,中央部天板55を例えばアルミニウムから形成することができる。
【0016】
さらに,上部電極ユニット5は,中央部天板55に高周波電圧を印加する高周波電圧供給系57とガス導入空間551に処理ガスを供給するガス供給系59と中央部天板55に内装された冷媒循環路553に冷媒を供給する冷媒供給系61とを備えている。上部電極ユニット5において,高周波電圧供給系57では,高周波電圧源573の一方の端子が接地されており,高周波電圧源573の他方の端子が整合器571を介して中央部天板55に接続されている。また,ガス供給系59において,ガス源595は,流量調整弁593と開閉弁591とを介して,ガス導入空間551に接続されている。
【0017】
ここで,本実施の形態にかかるプラズマ処理装置1の上部電極51および冷却板53について詳細に説明する。
対向電極に相当する上部電極51には,上面側から下面側に貫通する複数のガス孔511が形成されている。ここで,ガス孔511は,周縁部513の内側に形成される上部電極51の内側領域515に形成されている。
【0018】
同様に,冷却板53にも,上面側から下面側に貫通する複数のガス孔531が形成されている。ここで,ガス孔531は,周縁部533の内側に形成される冷却板53の内側領域535に形成されている。
上部電極ユニット5において,ガス孔511とガス孔531とは相互に連通している。したがって,処理装置1では,ガス導入空間551に供給された処理ガスが,ガス孔511,531を介してプラズマ空間711に供給される。
【0019】
上部電極ユニット5において,冷却板53は,熱伝達により中央部天板55に上部電極51の熱を逃がし,上部電極51を冷却する。上部電極51と冷却板53とは,上部電極51上面と冷却板53下面とが密着するよう,第1ねじ91と第2ねじ93とによって相互固定される。
【0020】
固定手段に相当する第1ねじ91は,冷却板53を上面側から下面側に貫通し,上部電極51に上面側から挿入されて,上部電極51下面に露出せずに上部電極51内部で終端する。すなわち,第1ねじ91は,冷却板53をガス導入空間551側から上部電極51側に貫通し,冷却板53側から上部電極51に挿入され,プラズマ空間711に露出せずに上部電極51内部で終端する。
【0021】
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置1において,第1ねじ91は,冷却板53では内側領域535に,上部電極51では内側領域515に設けられる。かかる構成により,第1ねじ91は,内側領域515と内側領域535とにおいて,上部電極51と冷却板53とを相互固定することができる。なお,第1ねじ91は,上部電極51および冷却板53の中央部付近を中心として同心円状に分布させることができる。かかる場合,同心円を構成する各円の円周上に配される第1ねじ91の数を,中心部に近い円ほど少なくし,周縁部に近い円ほど多くする構成を採用することができる。
【0022】
ここで,第1ねじ91のねじ締めトルク,第1ねじ91の配置パターン,上部電極51上面と冷却板53下面における第1ねじ91の配置密度・配置数等を調整することにより,上部電極51と冷却板53との固定の強さを調節することができる。すなわち,第1ねじ91のねじ止めの仕方を調整することにより,冷却板53および中央部天板55による上部電極51の冷却効率を調節することができる。
【0023】
一方,第2ねじ93は,他の固定手段であり,上部電極51を下面側から上面側に貫通し,冷却板53に下面側から挿入される。すなわち,第2ねじ93は,上部電極51をプラズマ空間711側から冷却板53側に貫通し,上部電極51側から冷却板53に挿入される。
【0024】
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置1において,第2ねじ93は,上部電極51では周縁部513に,冷却板53では周縁部533に設けられている。かかる構成により,第2ねじ93は,周縁部513と周縁部533とにおいて,上部電極51と冷却板53とを相互固定する。
【0025】
次に,図2を参照しながら,固定ユニット75による上部電極ユニット5の取り付けについて説明する。
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置1において,上部電極51と冷却板53とは,プラズマ処理装置1に設置する前に,予め,第1ねじ91と第2ねじ93(図1参照)とにより相互固定しておく。
図2に示すように,固定ユニット75は,周縁部天板751と固定リング753と脱落防止プレート755と第2絶縁リング759とを備えている。
【0026】
図2に示すように,まず,処理容器7上部に開閉可能に周縁部天板751を設置する。なお,図2中,RはOリングであり,79は,処理容器7上部に固定された第1絶縁リングである。次に,周縁部天板751の内側に処理容器7外部側から固定リング753を装着する。次に,固定リング753の内側に処理容器7外部側から中央部天板55を装着する。
【0027】
次に,第3ねじ95によって周縁部天板751上部に脱落防止プレート755を固定する。かかる脱落防止プレート755は,固定リング753上部と中央部天板55の周縁部上部とを覆う。したがって,中央部天板55と固定リング753とは,かかる脱落防止プレート755によって周縁部天板751に固定される。
【0028】
次に,天板(55,751)を開いて,第4ねじ97によって,中央部天板55下部に,上部電極51と冷却板53とを固定する。第4ねじ97は,上部電極51の周縁部513に形成された固定構造に相当する貫通孔(座ぶり孔)517を介して冷却板53に挿入される。次に,第4ねじ97の頭部のすき間を埋めるように,貫通孔517をキャップ部材757によって塞ぐ。
【0029】
次に,下部電極51下部に周縁部513を被覆する第2絶縁リング759を設置する。第2絶縁リング759は,固定リング753の外側に第5ねじ99によってねじ止めする。次に,天板(55,751)を閉じて,第1絶縁リング79の内側の面と第2絶縁リング759の外側の面とを合わせ,処理容器7内部を密閉する。
【0030】
次に,図1を参照しながら,プラズマ処理装置1の動作について説明する。
動作時には,定電圧供給系37から静電チャック33に定電圧が印加され,ウェハWが下部電極31上に載置固定される。さらに,高周波電圧供給系57から上部電極51に,中央部天板55と冷却板53とを介して高周波電圧が印加され,高周波電圧供給系39から下部電極31に高周波電圧が印加される。さらにまた,中央部天板55の冷媒循環路553には,冷媒供給系61から冷媒が供給される。
【0031】
ガス供給系59からガス導入空間551に処理ガスが供給されると,処理ガスはガス導入空間551からガス孔(531,511)を介してプラズマ空間711に供給される。プラズマ空間571では,処理ガスが,上部電極51で発生する高周波電界と下部電極31で発生する高周波電界とによりプラズマ励起される。プラズマ処理装置1では,かかる励起プラズマによりウェハに所定の処理が施され,プラズマ処理後のガスが排気系73から処理室71外部に排出される。
【0032】
以上説明したプラズマ処理装置1の動作時には,プラズマ空間711で発生する励起プラズマによって,上部電極51の温度が上昇する。冷却板53は,熱伝達を利用して上部電極51を冷却し,上部電極51の熱変形や上部電極51の温度分布の不均一化等を防止する。本実施の形態にかかるプラズマ処理装置1では,上部電極51と冷却板53との間にすき間が形成されないように,第1ねじ91によって内側領域515と内側領域535とを相互固定している。したがって,冷却板53による上部電極51の冷却効率が劣化せず,上部電極51の温度上昇を確実に防止することができる。
【0033】
以上説明したように,本実施の形態によれば,内側領域(515,535)において,上部電極51と冷却板53とを,冷却板53側から上部電極51に挿入される第1ねじ91により相互固定する。したがって,上部電極51の中心部付近においても,上部電極51から冷却板53への熱伝達を円滑に行うことができる。結果として,本実施の形態によれば,上部電極における不均一な温度上昇を抑制し,プラズマ処理の均一化および上部電極の寿命向上を図ることができる。
【0034】
さらに,本実施の形態では,プラズマ処理装置1の組立過程において,上部電極51と冷却板53とを,プラズマ処理装置1に設置する前に予め相互固定しておくことができる。したがって,本実施の形態によれば,プラズマ処理装置の製造やメンテナンス作業を簡素化することができる。
【0035】
(第2の実施の形態)
次に,図3を参照しながら,第2の実施の形態について説明する。図3は,本実施の形態に係るプラズマ処理装置1’の概略構成を示す断面図である。
図3に示すように,本実施の形態にかかるプラズマ処理装置1’は,実質的に,上記第1の実施の形態にかかるプラズマ処理装置1’に熱伝達部材に相当する熱伝達部材4を加えたものである。
【0036】
プラズマ処理装置1’において,熱伝達部材4は,上部電極ユニット5に備えられている。上部電極ユニット5において,熱伝達部材4は,上部電極51と冷却板53との間に挟み込まれている。熱伝達部材4の内側領域には,ガス孔511,531に連通するガス孔41が形成されている。第1ねじ91は,熱伝達部材4の内側領域を貫通し,第2ねじ93は,熱伝達部材4の周縁部を貫通する。なお,熱伝達部材4は,上部電極51および冷却板53よりも軟らかい材料から形成することが好適である。熱伝達部材4としては,例えばシリコンシートや樹脂シート等を適用することができる。
【0037】
以上説明した本実施の形態では,熱伝達部材4を設けることによって,上記第1の実施の形態よりも確実に,冷却板51と上部電極53との間におけるすき間の形成を防止することができる。したがって,本実施の形態によれば,より一層,プラズマ処理の均一化および上部電極の寿命向上を図ることができる。
【0038】
以上,本発明に係る好適な実施の形態について説明したが,本発明はかかる構成に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術思想の範囲内において,各種の修正例及び変更例を想定し得るものであり,それら修正例及び変更例についても本発明の技術範囲に包含されるものと了解される。
【0039】
例えば,上記実施の形態においては,載置電極と対応電極との双方に高周波電圧を印加する構成を有するプラズマ処理装置を例に挙げたが,本発明はかかる構成に限定されない。本発明は,例えば載置電極または対応電極のいずれか一方に高周波電圧を印加する構成を有するプラズマ処理装置に対しても適用することができる。なお,本発明を載置電極または対応電極のいずれか一方に高周波電圧を印加する構成を有するプラズマ処理装置に適用した場合において,高周波電圧を印加していない電極は,例えば接地などにより電位を固定してもよいし,フローティングなどにより電位を固定しなくてもよい。
【0040】
また,上記実施の形態においては,熱伝達部材として一枚のシリコンシートを適用したプラズマ処理装置を例に挙げたが,本発明はかかる構成に限定されない。本発明は,他の様々な熱伝達部材,例えば,対向電極の温度が比較的上昇し易い部分と比較的上昇し難い部分とで熱伝導率の異なる熱伝達部材,同心円状に配される複数のリング状の熱伝達部材,或いはシリコン以外の熱伝達部材等を適用したプラズマ処理装置に対しても適用することができる。
【0041】
さらに,上記実施の形態においては,固定手段として対向電極内部で終端するねじを適用したプラズマ処理装置を例に挙げたが,本発明はかかる構成に限定されない。本発明は,他の様々な固定手段,例えば,対向電極内部で終端せずに対向電極の側方に突き抜けるねじ,或いは冷却板に設けた突起や打ち込みピンなどの他の固定手段等を適用したプラズマ処理装置に対しても適用することができる。
【0042】
【発明の効果】
本発明では,対向電極と冷却板との間におけるすき間の形成を防ぐことにより,対向電極の温度分布バラツキを大幅に減少することができる。したがって,本発明によれば,プラズマ処理におけるプロセス特性の面内均一性を向上させることができる。さらに,複数の被処理体を処理する場合に,ウェハ間での処理バラツキを減少させることができる。さらにまた,プラズマ処理を開始する際のシージング時間を短縮することができる。
【0043】
また,本発明では,対向電極と冷却板との間におけるすき間の形成を防ぐことにより,対向電極から冷却板への熱伝達を全体として向上させることができる。したがって,本発明によれば,対向電極の冷却効率が向上し,冷却システムの簡素化を図ることができる。さらに,温度制御に対する対向電極のレスポンスを向上させることができる。さらにまた,対向電極の温度制御範囲を低温側に拡大し,対向電極の寿命向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用可能なプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図2】図1に示すプラズマ処理装置の部分的・概略的な分解図である。
【図3】本発明を適用可能な他のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 プラズマ処理装置
4 熱伝達部材
7 処理容器
31 載置電極
51 上部電極
53 冷却板
91 第1ねじ
511 ガス孔
513 周縁部
515 内側領域
517 貫通孔
711 プラズマ空間
W ウェハ
Claims (2)
- 被処理体が載置される下部電極と,前記下部電極に対向配置される上部電極と,前記上部電極の上に配置され熱伝達により前記上部電極を冷却する冷却板とを備え,前記上部電極または前記下部電極の少なくとも一方には高周波電源が接続されており,前記上部電極と前記冷却板とには処理ガスを導入するガス孔が形成されている,プラズマ処理装置であって:
前記ガス孔以外の部分であって周縁部を除く内側領域にて前記冷却板の上から前記上部電極の途中まで挿入されて,前記上部電極と前記冷却板とを相互固定する第1ねじと、
前記周縁部にて前記上部電極の下から前記冷却板に挿入されて,前記上部電極と前記冷却板とを相互固定する第2ねじと,を備えることを特徴とする,プラズマ処理装置。 - 前記上部電極と前記冷却板との間には,熱伝達部材が挟み込まれていることを特徴とする,請求項1に記載のプラズマ処理装置。
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