JP4457883B2 - 光導波路形成基板の製造方法および光導波路形成基板 - Google Patents
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(1) 開口が設けられた基板の前記開口に、発光部または受光部をその上面側に有しかつ前記基板の厚さよりも厚い素子を、前記上面側が前記開口から突出するように挿入する工程と、
前記基板の下面側に第1導体層を形成するとともに、前記素子の下面側に設けられた端子を前記第1導体層の所定部位に電気的に接続する工程と、
前記基板の上面側の前記素子を除く部分に、絶縁層を含み、構成する各層に前記素子が挿入される開口を有する少なくとも1層の中間層を介して、第2導体層を形成する工程と、
前記素子の上面側に設けられた端子を前記第2導体層の所定部位に電気的に接続する工程と、
前記第2導体層上および前記素子の上面上に光導波路またはその一部を形成する工程と、
前記光導波路の前記発光部または受光部に対応する部位に、前記光導波路の光路に対して傾斜する反射面を形成する工程とを有し、
前記中間層と前記第2導体層の合計厚さが、前記素子の前記開口からの突出部分の高さとほぼ等しくなるように、前記第2導体層が形成されることを特徴とする光導波路形成基板の製造方法。
前記基板の上面側の前記素子を除く部分に、絶縁層を含み、構成する各層に前記素子が挿入される開口を有する少なくとも1層の中間層を介して、第2導体層を形成する工程と、
前記素子の上面側に設けられた端子を前記第2導体層の所定部位に電気的に接続する工程と、
前記第2導体層上および前記素子の上面上に光導波路またはその一部を形成する工程と、
前記光導波路の前記発光部または受光部に対応する部位に、前記光導波路の光路に対して傾斜する反射面を形成する工程とを有し、
前記中間層と前記第2導体層の合計厚さが、前記素子の前記開口からの突出部分の高さとほぼ等しくなるように、前記第2導体層が形成されることを特徴とする光導波路形成基板の製造方法。
また、素子1の下面の端子105上には、半田ペースト4’を付与しておく。
屈折率差(%)=|A/B−1|×100
接着層14の形態、構成材料、厚さ等は、前記接着層7と同様のものが挙げられる。
101 発光部(受光部)
103 端子
105 端子
2’ 基板(未硬化)
2 基板(硬化後)
21 溝
23 不要部(除去部)
25 開口
3 導体層(第1導体層)
31 配線
33 配線
4’ 半田ペースト
4 半田
5 導体層(第2導体層)
51 配線
53 除去部
6 絶縁層
61 溝
63 不要部(除去部)
65 開口
7 接着層
71 開口
73 開口
8 ワイヤ
9 光導波路
91 クラッド層
93 コア層
94 コア部
95 クラッド部
96 反射面
97 クラッド層
10 絶縁層
11 導体層
111 配線
12 基板
121 溝
123 不要部(除去部)
13 導体層
131 配線
14 接着層
141 開口
15 ビアホール
16 金属材料
17’ 接合体
17 光導波路形成基板
171 硬質部(リジッド部)
173 硬質部(リジッド部)
175 可撓性部(フレキシブル部)
18 治具
180 基板当て付け面
181 凹部
183 凸部
19 離型フィルム
20 マスク
201 開口
Claims (20)
- 開口が設けられた基板の前記開口に、発光部または受光部をその上面側に有しかつ前記基板の厚さよりも厚い素子を、前記上面側が前記開口から突出するように挿入する工程と、
前記基板の下面側に第1導体層を形成するとともに、前記素子の下面側に設けられた端子を前記第1導体層の所定部位に電気的に接続する工程と、
前記基板の上面側の前記素子を除く部分に、絶縁層を含み、構成する各層に前記素子が挿入される開口を有する少なくとも1層の中間層を介して、第2導体層を形成する工程と、
前記素子の上面側に設けられた端子を前記第2導体層の所定部位に電気的に接続する工程と、
前記第2導体層上および前記素子の上面上に光導波路またはその一部を形成する工程と、
前記光導波路の前記発光部または受光部に対応する部位に、前記光導波路の光路に対して傾斜する反射面を形成する工程とを有し、
前記中間層と前記第2導体層の合計厚さが、前記素子の前記開口からの突出部分の高さとほぼ等しくなるように、前記第2導体層が形成されることを特徴とする光導波路形成基板の製造方法。 - 開口が設けられた基板の前記開口に、発光部または受光部をその上面側に有しかつ前記基板の厚さよりも厚い素子を、前記上面側が前記開口から突出するように挿入する工程と、
前記基板の上面側の前記素子を除く部分に、絶縁層を含み、構成する各層に前記素子が挿入される開口を有する少なくとも1層の中間層を介して、第2導体層を形成する工程と、
前記素子の上面側に設けられた端子を前記第2導体層の所定部位に電気的に接続する工程と、
前記第2導体層上および前記素子の上面上に光導波路またはその一部を形成する工程と、
前記光導波路の前記発光部または受光部に対応する部位に、前記光導波路の光路に対して傾斜する反射面を形成する工程とを有し、
前記中間層と前記第2導体層の合計厚さが、前記素子の前記開口からの突出部分の高さとほぼ等しくなるように、前記第2導体層が形成されることを特徴とする光導波路形成基板の製造方法。 - 前記いずれかの工程の前後に、前記基板の下面側に第1導体層を形成する工程を有する請求項2に記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記光導波路またはその一部を形成する工程以前に、未硬化の基板を熱硬化させて前記基板とする工程を有する請求項1ないし3のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 熱処理により、未硬化の基板を熱硬化させて前記基板とするとともに、前記第1導体層の所定部位と前記素子の下面側に設けられた端子との間に配置した半田を溶融し、これらを電気的に接続する工程を有する請求項3に記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記開口への前記素子の挿入は、それらの厚さ方向の位置合わせが可能な治具を用いて行われる請求項1ないし5のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 第2導体層を形成する工程は、前記中間層の最上層上に形成された第2導体層に離型フィルムを接合し加圧して、前記中間層と前記基板とを圧着することにより行われる請求項1ないし6のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記中間層は、絶縁層と接着層とを含む請求項1ないし7のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記素子の上面側の端子と前記第2導体層との電気的接続は、ワイヤボンディングにより行われる請求項1ないし8のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記光導波路は、互いに屈折率の異なるコア部とクラッド部とを有し、前記コア部は、コア部形成用材料に活性エネルギー光線または電子線を照射することにより形成される請求項1ないし9のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記光導波路は、互いに屈折率の異なるコア部とクラッド部とを有し、前記コア部は、コア部形成用材料に活性エネルギー光線または電子線を照射するとともに加熱することにより形成される請求項1ないし10のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記コア部形成用材料は、環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物で構成されている請求項10または11に記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記環状オレフィン系樹脂は、ノルボルネン系樹脂を主とするものである請求項12に記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記光導波路を形成後、その上面側に少なくとも1層の他の層を接合する工程を有する請求項1ないし13のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記他の層は、可撓性を有する樹脂層および硬質の樹脂層のうちの少なくとも一方を含む請求項14に記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 前記基板の一部を除去し、前記中間層の少なくとも一部と前記光導波路とを含む可撓性部を形成する工程を有する請求項1ないし15のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法。
- 請求項1ないし16のいずれかに記載の光導波路形成基板の製造方法により得られたことを特徴とする光導波路形成基板。
- 前記基板の一部を除去してなり、前記中間層の少なくとも一部と前記光導波路とを含む可撓性部と、前記基板を含む硬質部とが、面方向に隣接して設けられている請求項17に記載の光導波路形成基板。
- 前記素子は、前記硬質部の内部に内蔵されている請求項18に記載の光導波路形成基板。
- 前記光導波路は、前記硬質部および前記可撓性部のそれぞれにおいてその内部に形成されている請求項18または19に記載の光導波路形成基板。
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