JP4453314B2 - 複数のモードで読み書きが可能な記憶装置 - Google Patents
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Description
前記通信制御モードは、比較的に高速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの高速書き込みを行うための高速制御モードと、比較的に低速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの低速書き込みを行うための低速制御モードとを含み、
前記記憶装置は、
前記高速制御モードと前記低速制御モードのいずれのモードによっても書き込みが可能な不揮発性メモリと、
前記外部機器から受信した受信信号に応じて、前記通信制御モードを自動的に切り替える通信制御部と、
を備えることを特徴とする。
前記通信制御部は、前記クロック信号に含まれる特定のパルスの長さに基づいて前記切り替えを行うようにしても良い。
前記クロック信号線は、前記クロック信号の受信のための配線であり、
前記データ信号線は、前記データの送受信のための配線であり、
前記リセット信号線は、前記記憶装置を初期化するためのリセット信号を受信するための配線であり、
前記特定のパルスは、前記リセット信号を受信した後に所定の番目に受信されるパルスであるようにしても良い。
図1は、本発明の実施例における複数の記憶装置とホストコンピュータを含む記憶システムの構成例を示す説明図である。この記憶システムは、ホストコンピュータ10と、5個の記憶装置20、21、22、23、24を有するメモリモジュール基板200とを備えている。
図4は、本発明の実施例において各記憶装置20、21、22、23、24が行う処理の内容を示すフローチャートである。各記憶装置20、21、22、23、24は、ホストコンピュータ10からの信号に応じて、受動的に以下の処理を行う。
なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、たとえば次のような変形も可能である。
20、21、22、23、24…記憶装置
200…メモリモジュール基板
201…メモリアレイ
202…アドレスカウンタ
203…IDコンパレータ
204…オペレーションコードデコーダ
205…I/Oコントローラ
305…内部クロック
Claims (2)
- 外部機器との通信における通信制御モードの切替が可能な記憶装置であって、
前記通信制御モードは、比較的高速なデータ書き込み及び比較的低速なデータ書込みが可能な不揮発性メモリである高速不揮発性メモリに対してデータの高速書き込みを行うための高速制御モードと、比較的低速なデータ書き込みが可能な不揮発性メモリである低速不揮発性メモリに対してデータの低速書き込みを行うための低速制御モードとを含み、
前記記憶装置は、
前記高速不揮発性メモリと、
第1のクロック信号を生成するクロック信号生成部と、
前記記憶装置に書き込むべきデータを、前記通信制御モードが前記低速制御モードである場合に、ビット毎に消去処理及び記録処理を実行して前記高速不揮発性メモリに前記低速書き込みを行い、前記通信制御モードが前記高速制御モードである場合に、前記高速不揮発性メモリの書き込みの対象となる特定の領域に格納されたデータを一括して消去した後に、前記特定の領域に前記高速書き込みを行う通信制御部であって、
前記データ及び前記データと同期している第2のクロック信号を前記外部機器から受信すると、前記第2のクロック信号に含まれる特定のパルスの長さを前記第1のクロック信号に基づき計測し、前記計測した特定のパルスの長さに応じて、前記通信制御モードを自動的に切り替える通信制御部と、
を備えることを特徴とする、記憶装置。 - 請求項1記載の記憶装置であって、
前記記憶装置は、クロック信号線、データ信号線、およびリセット信号線を介して前記外部機器と接続されており、
前記クロック信号線は、前記第2のクロック信号の送受信のための配線であり、
前記データ信号線は、前記データの送受信のための配線であり、
前記リセット信号線は、前記記憶装置を初期化するためのリセット信号を送受信するための配線であり、
前記特定のパルスは、前記記憶装置において前記リセット信号を受信した後に所定の番目に受信されるパルスである、記憶装置。
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